Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотолюминесценция CdTe, выращенного при сильном отклонении от термодинамического равновесия

Диссертация: Фотолюминесценция CdTe, выращенного при сильном отклонении от термодинамического равновесия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Обнаружено, что в зависимости от условий быстрого роста CdTe в кристаллах регистрируются три вида дефектов, отличающихся характером и величиной локализующего потенциала. К первому виду относятся сравнительно мелкие центры, включающие Lied, Nacd, Cued, водородоподобные доноры и четыре неидентифицированных акцептора с энергиями активации в диапазоне 49−120 мэВ. Ко второму типу дефектов относятся… Читать ещё >

Фотолюминесценция CdTe, выращенного при сильном отклонении от термодинамического равновесия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Основные свойства CdTe и возможности его практического применения
      • 1. 1. 1. Физические свойства и зонная структура монокристаллического CdTe
      • 1. 1. 2. Технологические особенности роста кристаллов CdTe известными методами
      • 1. 1. 3. Потенциал кристаллического CdTe для практических применений
    • 1. 2. Основные механизмы излучательной рекомбинации в прямозонных полупроводниковых кристаллах
      • 1. 2. 1. Излучательные переходы в прямозонных полупроводниковых кристаллах
      • 1. 2. 2. Экситоны
      • 1. 2. 3. Фотолюминесценция свободных экситонов Ванье-Мотта
      • 1. 2. 4. Уровни мелких примесных центров
      • 1. 2. 5. Излучательные переходы с участием связанных экситонов (А°Х и D°X)
      • 1. 2. 6. Двухдырочные и двухэлектронные излучательные переходы (ТЕТ и ТНТ)
      • 1. 2. 7. Донорно — акцепторные излучательные переходы
      • 1. 2. 8. Излучательные переходы зона — примесь (e-A, h-D)
    • 1. 3. Дефекты кристаллической решетки CdTe
      • 1. 3. 1. Мелкие примесные центры в CdTe
      • 1. 3. 2. Излучение протяженных дефектов (Y, Z -линии)
      • 1. 3. 3. Некоторые нестандартные точечные деф екты в CdTe
      • 1. 3. 4. Глубокие центры в CdTe
    • 1. 4. Самокомпенсация
      • 1. 4. 1. Экспериментальные данные о легировании CdTe
      • 1. 4. 2. А-центры
      • 1. 4. 3. Моделирование дефектов с помощью метода самосогласованного псевдопотенциала
  • 2. Методика неравновесного роста и характеризация исследуемых кристаллов СсГГе
    • 2. 1. Методика неравновесного роста С (1Те
    • 2. 2. Структурная характеризация и микроскопия
    • 2. 3. Электрофизические исследования кристаллов С (!Те
  • 3. Исследование текстур Сс1Те люминесцентными методами
    • 3. 1. Схема установок для измерения спектров НФЛ
      • 3. 1. 1. Установка для исследования тонкой структуры излучения вблизи края собственного поглощения
      • 3. 1. 2. Установка для измерения спектров фотолюминесценции в широком спектральном диапазоне
      • 3. 1. 3. Установка для измерения спектров краевой фотолюминесценции в условиях резонансного возбуждения
    • 3. 2. Фотолюминесценция крупнозернистых поликристаллов Сс1Те, выращенных при незначительном отклонении от термодинамического равновесия (СТ)
    • 3. 3. Фотолюминесценция поликристаллов Сс1Те, выращенных при значительном отклонении от термодинамического равновесия (8СТ 1,2,3)
      • 3. 3. 1. Глубокие центры
      • 3. 3. 2. Краевая фотолюминесценция
      • 3. 3. 3. Акцепторные центры в текстурах п-типа
    • 3. 4. Резонансные люминесцентные исследования поликристаллов С (1Те, выращенных при значительном отклонении от термодинамического равновесия
      • 3. 4. 1. Доноры
      • 3. 4. 2. Акцепторы
      • 3. 4. 3. Особенности дефектообразования в различных режимах быстрого роста

Широкозонное полупроводниковое соединение теллурид кадмия (СсГГе) представляет большой интерес для производства эффективных некогерентных источников света, лазеров, преобразователей солнечной энергии, детекторов, счетчиков рентгеновского и гамма-излучения. Тем не менее, сложность управления электронным спектром и, как следствие, свойствами СсГГе (прежде всего, при легировании) ограничивает его широкое практическое использование. Поэтому изучение и отработка технологий роста и легирования данных соединений являются весьма актуальными.

До недавнего времени попытки теоретического анализа экспериментальных данных по легированию СёТе различными примесями приводили к противоречивым результатам. Однако в последние годы существенный прогресс в понимании природы сложных дефектов в полупроводниковых кристаллах был достигнут благодаря расчетам в рамках метода самосогласованного псевдопотенциала, в котором многоэлектронные эффекты учитываются с помощью приближения функционала плотности. Применительно к Сс1Те эти расчеты позволяют с высокой точностью (~0.1−0.2 эВ) предсказывать нестабильности решетки, связанные со спонтанным образованием компенсирующих собственных дефектов решетки, БХи АХцентры, моделировать комбинированное и кластерное легирование и даже некоторые протяженные дефекты. Одним из фундаментальных выводов этих работ применительно к СсГГе является утверждение о том, что эффективное легирование такого соединения может быть осуществлено только с помощью существенно неравновесных методик, когда снимается ряд ограничений, накладываемых принципом детального равновесия. и ^ и и.

С практической точки зрения подходящей методикой, позволяющей реализовать управляемый сильно неравновесный процесс, является низкотемпературный синтез соединения из паровой фазы. С одной стороны, парофазные методы роста дают возможность относительно легко управлять целым рядом параметров, определяющих динамику имеющейся сильно неравновесной системы, с другой стороны, рост кристаллов при низких температурах (600−700 °С) позволяет радикально уменьшить равновесную концентрацию собственных точечных дефектов (вакансий, междоузлий, антиситов).

Фундаментальной проблемой, возникающей при переходе к сильно неравновесному росту кристаллов, являются существенно иные наборы дефектов решетки и механизмы их образования. Последние определяются разной реконструкцией поверхности для разных граней роста, спецификой диффузии матричных компонентов (кадмия и теллура) и примесей вдоль этих граней, образованием квазижидкого слоя на поверхности растущего соединения, а также рядом других эффектов. Исследование дефектов, формирующихся при различных режимах быстрого роста, представляет несомненный фундаментальный интерес, связанный как с изучением нестандартных механизмов дефектообразования, так и с возможностью управления процессами диффузии и самокомпенсации. С прикладной точки зрения эти процессы важны для отработки технологий роста и легирования СёТе в процессах быстрой кристаллизации.

Целью исследования являлось экспериментальное изучение механизмов дефектообразования и связанных с ними изменений электронного спектра в кристаллическом СсГГе, полученном в процессах быстрой кристаллизации из паровой фазы.

Для исследований механизмов дефектообразования при быстрой кристаллизации наибольшую важность представляет изучение структуры и электронного спектра именно нелегированных кристаллов. В связи со сложностью изготовления омических контактов к СсГГе, а также большими удельными сопротивлениями таких кристаллов, затрудняющими проведение электрофизических измерений, наиболее удобными методами для исследования электронного спектра являются методы оптической спектроскопии. Исследования морфологических и структурных свойств соединений могут быть проведены с помощью рентгеноструктурного анализа и электронной микроскопии.

Специфика некоторых полученных образцов (как правило, поликристаллов со средним размером зерен 0.05−2 мм) определяет выбор основного метода для исследования электронного спектра — низкотемпературную фотолюминесценцию (НФЛ). С одной стороны, НФЛ имеет крайне высокую обнаружительную способность для определенных типов дефектов. С другой, позволяет выделять и исследовать малые области кристалла со сложной структурой поверхности. Отметим, что на основе спектров НФЛ возможно исследование не только различных излучательных переходов, связанных с дефектами, но и собственного излучения кристаллов (имеется в виду излучение в области дна экситонной зоны). Кроме того, возможность изменения энергии кванта возбуждения при резонансных измерениях НФЛ открывает дополнительные возможности для детального исследования электронного спектра.

Двумя основными задачами при исследовании процессов быстрой кристаллизации СсГГе из паровой фазы являлись:

1. Исследование с помощью спектрального анализа НФЛ структуры уровней в запрещенной зоне, образованных дефектами, характерными для различных режимов быстрой кристаллизации нелегированного СсГГе.

2. Детальное изучение структуры возбужденных состояний дефектов в кристаллах СёТе с помощью резонансного возбуждения НФЛ с целью определения симметрии этих дефектов и установления их природы.

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. В первой главе приведена информация об основных физических свойствах СсГГе и зонной структуре, обсуждаются технологические особенности роста кристаллов известными методами. Проведен обзор основных механизмов излучательной рекомбинации в прямозонных полупроводниковых кристаллах. Также рассмотрены возможности практических применений кристаллического СсГГе и дан аналитический обзор современного состояния исследований СсГГе.

Основные результаты диссертационной работы:

1. Показано, что основные параметры, характеризующие решетку и зонную структуру нелегированного CdTe, полученного в процессах быстрой (0.1 — 1 мкм/сек) кристаллизации из паровой фазы с хорошей точностью совпадают с литературными значениями для монокристаллического CdTe. Изменение дефектного состава при изменении режимов быстрой кристаллизации позволяет регулировать как р-, так и птип проводимости в полученном материале.

2. Обнаружено, что в зависимости от условий быстрого роста CdTe в кристаллах регистрируются три вида дефектов, отличающихся характером и величиной локализующего потенциала. К первому виду относятся сравнительно мелкие центры, включающие Lied, Nacd, Cued, водородоподобные доноры и четыре неидентифицированных акцептора с энергиями активации в диапазоне 49−120 мэВ. Ко второму типу дефектов относятся центры, ответственные за излучение в области 1.47−1.33 эВ, характеризующееся низкой величиной константы фрелиховского взаимодействия. К третьему типу дефектов относятся глубокие центры (в области 0.8−1.2 эВ), образованные с участием сильно локализованных электронных состояний. Определена зависимость доминирующих типов дефектов от условий роста.

3. В кристаллах с ярко выраженным двойникованием обнаружен акцепторный центр с энергией активации 0.25 эВ, определяющий удельное сопротивление материала при комнатной температуре. Аномально низкое значение константы фрелиховского взаимодействия для оптических переходов с участием данного центра подтверждает его связь с протяженными дефектами, вызванными двойникованием.

4. В нелегированных высокочистых (с содержанием фоновых примесей на уровне.

15 3.

10 см") кристаллах, имеющих n-тип проводимости, обнаружены нестандартные центры акцепторного типа с энергиями активации 48.2±0.4 мэВ, 97.9±0.6 мэВ, 119.7±1.0 мэВ. В монокристаллическом CdTe, легированном в процессе роста донорными примесями, дефекты с энергиями активации 48.2 мэВ и 119.7 мэВ участвуют в самокомпенсации.

5. Использование нелегированных кристаллов, обладающих высокой степенью компенсации, позволило анализировать электронные состояния дефектов при их сравнительно небольших концентрациях и избежать искажений спектра связанных с взаимодействием близкорасположенных центров. Это дало возможность впервые получить спектр возбужденных состояний для нестандартных акцепторов в сильнокомпенсированном CdTe и сделать предварительные выводы об их симметрии.

Материалы диссертации опубликованы в 10 печатных работах, из них 5 статей рецензируемых журналах, рекомендованных ВАК, и 5 тезисов докладов. Список публикаций:

1. A.A. Шепель, B.C. Багаев, Тезисы докладов «X Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике», Санкт-Петербург, 1−5 декабря, 2008.

2. V. Krivobok, V. Bagaev, S. Chernook, Yu. Klevkov, S. Kolosov, V.P. Martovitskii, A. Shepel. Abstract book of 14th International conference on the II-VI Compounds (August 23 — 28, 2009), St Petersburg, Russia, p. 300.

3. B.C. Багаев, Ю. В. Клевков, C.A. Колосов, B.C. Кривобок, A.A. Шепель. Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe, ФТТ, 52,37(2010).

4. Victor Bagaev, Vladimir Krivobok, Yuri Klevkov, Anna Shepel, Evgeny Onishchenko, Victor Martovitsky. High quality n-type CdTe produced by ultra-rapid crystallization. Physica status solidi ©, v. 7, 6, 1470- 1472 (2010).

5. B.C. Багаев, B.C. Кривобок, A.A. Шепель, Ю. В. Клевков, E.E. Онищенко, C.H. Николаев, M.JI. Скориков. Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных состояний в нелегированных микрокристаллах CdTe. Тезисы докладов VII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», с. 441, Санкт-Петербург, 28 июня-1 июля, 2010.

6. B.C. Багаев, Ю. В. Клевков, B.C. Кривобок, С. А. Колосов, А. А. Шепель. Самокомпенсация в нелегированном микрокристаллическом CdTe в условиях быстрого неравновесного синтеза. Тезисы докладов VII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», с. 391, Санкт-Петербург, 28 июня-1 июля, 2010.

7. Клевков Ю. В., Кривобок B.C., Шепель А. А. Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных состояний в CdTe, полученном при быстрой кристаллизации. Тезисы XIII школы молодых ученых «Актуальные проблемы физики», с. 255, Звенигород, 14−19 ноября, 2010.

8. B.C. Багаев, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, B.C. Кривобок, Е. Е. Онищенко, А. А. Шепель. Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия. ФТП, 45, 7, 908−915 (2011).

9. B.C. Багаев, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, B.C. Кривобок, А. А. Шепель. Эффект самокомпенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe в условиях быстрого неравновесного синтеза, ФТТ, 53, 8, 1479−1487 (2011).

10. B.C. Багаев, B.C. Кривобок, Е. Е. Онищенко, M.JI. Скориков, А. А. Шепель. Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия. ЖЭТФ, 140, 5, 929−941 (2011).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Redus R., Pantazis J., Pantazis T., Huber A., Cross B. Characterization of CdTe detectors for quantitative X-ray spectroscopy. // IEEE Trans Nucl. Sci. 2009 — vol. 56 -pp. 2524−2532
  2. Ayoub M., Roumie M., Lmai F., Zahraman K., Nsouli B., Sowinksa M. CdTe nuclear detector electroless contact Studies-new results on contact structures, interfaces, and stress // IEEE Trans Nucl. Sci. 2004 — vol. 51 — pp. 1875 — 1880
  3. Jung H., Boieriu P., Grein C. p-type HgTe/CdTe superlattices for very-long wavelength infrared detectors. // Journal of Electronic Materials 2006 — vol. 35 — pp. 1341−1345
  4. Liang G., Shen L., Zou G., Zhang X. Efficient near-infrared electrochemiluminescence from CdTe nanocrystals with low triggering potential and ultrasensitive sensing ability. // Chemistry A European Journal — 2011 — vol. 17 — pp. 10 213−10 215
  5. Fang Z" Wang X.C., Wu H.C., Zhao C.Z. Achievements and challenges of CdS/CdTe solar cells. // Journal of Photoenergy 2011 — vol. 2011 — pp. 53−60
  6. Khrypunov G., Romeo A., Kurdesau F., Batzner D.L., Zogg H., Tiwari Z.N. Recent developments in evaporated CdTe solar cells. // Solar Energy Materials & Solar Cells -2006 vol. 90 — pp. 664−677
  7. Morales-Acevedo A. Can we improve the record efficiency of CdS/CdTe solar cells? // Solar Energy Materials & Solar Cells 2006 — vol. 90 — pp. 2213−2220
  8. Luttinger J.M. Quantum Theory of Cyclotron Resonance in Semiconductors: General Theory. // Phys. Rev. 1956 — vol.102 — pp. 1030−1041
  9. Baldereschi A. and Lipari N.O. Spherical Model of Shallow Acceptor States in Semiconductors. // Phys. Rev. B 1973 — vol. 8 — pp. 2697−2709
  10. Baldereschi A. and Lipari N.O. Cubic contributions to the spherical model of shallow acceptor states. // Phys. Rev. B 1974 — vol. 9 — pp. 1525−1539
  11. Friedrich T., Kraus J., Meininger M., Schaack G., Schmitt W. Zeeman levels of the shallow lithium acceptor and band parameters in cadmium telluride. // J. Phys. Cond. Matter 1994-vol. 6-pp. 4307−4316
  12. Neumann C., Nothe A. Two-photon magnetoabsorption of ZnTe, CdTe, and GaAs. // Phys. Rev. B 1988 — vol. 37 — pp. 922−932
  13. Karazhanov S.Zh., L.C. Lew Yan Voon. Ab initio studies of band parameters of AinBv and AnBVI zinc-blende semiconductors. // ФТП 2005 — т. 39 — с. 177−188
  14. Э.И., Гургеншвили Г. Э. К теории краевого поглощения в полупроводниках. // ФТТ 1962 — т. 4 — с. 1029−1031
  15. Francou J.M., Saminadayar К., and Pautrat J.L. Shallow donors in CdTe. // Phys. Rev. В- 1990-vol. 41-pp. 12 035−12 046
  16. Molva E., Pautrat J.L., Saminadayar K., Milchberg G., Magnea N. Acceptor states in CdTe and comparison with ZnTe. General trends. // Phys. Rev. В 1984 — vol. 30 -pp. 3344−3354
  17. Molva E., Chamonal J.P. and Pautrat J.L. Shallow acceptors in cadmium telluride. // Phys. Stat. Sol. (b) 1982 — vol. 109 — pp. 635−644
  18. Molva E., Chamonal J.P., Milchberg G., Saminadayar K., Pajot B. Excited states of Ag and Cu acceptors in CdTe // Sol. State Comm. 1982 — vol. 44 — pp. 351−355
  19. Molva E., Saminadayar K., Pautrat J.L. and Ligeon E. Photoluminescence studies in N, P, As implanted cadmium telluride. // Sol. State Comm. 1983 — vol. 48 — pp. 955−960
  20. Ma J., Wei S.-H., Gessert T.A. and Chin K.K. Carrier density and compensation in semiconductors with multiple dopants and multiple transition energy levels: Case of Cu impurities in CdTe. // Phys. Rev. В 2011 — vol. 83 — pp. 245 207−245 213
  21. Gessert T.A., Metzger W.K., Dippo P., Asher S.E., Dhere R.G. and Young M.R. Dependence of carrier lifetime on copper-contacting temperature and ZnTe: Cu thickness in CdS/CdTe thin film solar cells. // Thin Solid Films 2009 — vol. 517 — pp. 2370−2373
  22. Gessert T.A., Asher S., Johnston S., Young M., Dippo P. and Corwine C. Analysis of CdS/CdTe devices incorporating a ZnTe: Cu/Ti contact. // Thin Solid Film 2007 — vol. 515-pp. 6103−6106
  23. B.B., Клевков Ю.В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия, полученного неравновесной реакцией прямого синтеза компонентов. // ФТП 2008 — т. 42 — с. 536−541
  24. Consonni V., Feuillet G., Bleuse J. and Donatini F. Effects of island coalescence on the compensation mechanisms in chlorine doped polycrystalline CdTe. // J. Appl. Phys. -2007 vol. 101 — pp. 63 522−63 527
  25. Consonni V., Feuillet G. Correlated structural reordering and dopant redistribution in annealed polycrystalline CdTe. // J. Appl. Phys. 2009 — vol. 105 — pp. 83 535−83 540
  26. Hofmann D.M., Omling P., Grimmeiss H.G., Meyer B.K., Benz K.W., Sinerius D. Identification of the chlorine A center in CdTe. // Phys. Rev. B 1992 — vol. 45 — pp. 6247−6250
  27. Seto S., Tanaka A., Takeda F. and Matsuura K. Defect-induced emission band in CdTe. // J. Cryst. Growth 1994 — vol. 138 — pp. 346−351
  28. Dean P.J., Williams G.M. and Blackmore G. Novel type of optical transition observed in MBE grown CdTe. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1984 — vol. 17 — p. 2291
  29. Worschech L., Ossau W., Landwhr G. Characterization of a strain-inducing defect in CdTe by magnetoluminescence spectroscopy. // Phys. Rev. B 1995 — vol. 52 — pp. 13 965−13 974
  30. Monemar B. and Molva E. Electronic properties of a shallow complex acceptor in CdTe. // Phys. Rev. B 1985 — vol. 32 — pp. 6554−6551
  31. Ossau W., Kuhn T.A., Bicknell-Tassius R.N. Linear and quadratic Zeeman effects on PAMBE grown CdTe. // J. Cryst. Growth 1990 — vol. 101 — pp. 135
  32. Fiederle M" Eiche C" Salk M., Schwarz R" Benz K.W., Stadler W" Hofmann D.M., Meyer B.K. Modified compensation model of CdTe. // J. Appl. Phys. 1998 — vol. 84 -pp. 6689−6692
  33. Du M.-H., Takenaka H. and Singh D.J. Carrier compensation in semi-insulating CdTe: First-principles calculations. // Phys. Rev. B 2008 — vol. 77 — pp. 94 122−94 126
  34. Balberg I., Dover Y., Savir E. and P. von Huth. Basic physics of phototransport as manifested in thin films of In-doped CdTe. // Phys. Rev. B 2010 — vol. 82 — pp. 205 302−205 315
  35. Hofmann D.M., Stadler W., Oettinger K., Meyer B.K., Omling P., Salk M., Benz K.W., Wiegel E., Muller-Vogt G. Structural properties of defects in Cdi-xZnxTe. // Mat. Sei. and Eng. B- 1993 -vol. 16-pp. 128−133
  36. Pal U., Piqueras J., Fernandez P., Serrano M.D., Dieguez E. Study of point defects in CdTe and CdTe: V by cathodoluminescence. // J. Appl. Phys 1994 — vol. 76 — pp. 3720−3723
  37. Castaldini A., Cavallini A., Fraboni B., Fernandez P. and Piqueras J. Deep energy levels in CdTe and CdZnTe. // J. Appl. Phys. 1998 — vol. 83 — pp. 2121−2126
  38. Moravec P., Hage-Ali M., Chibani L., Siffert P. Deep levels in semi-insulating CdTe. // Mater. Sei. Eng. B 1993 — vol. 16 — pp. 223−227
  39. Fernandez P. Defect structure and luminescence properties of CdTe based compounds. // J. Optoelec. and Adv. Mat. 2003 — vol. 5 — pp. 369−388
  40. Takebe T., Saraie J., Matsunami H. Detailed characterization of deep centers in CdTe: Photoionization and thermal ionization properties. // J. Appl. Phys. 1992 — vol. 53 -pp. 457−469
  41. Iodko V.N., Gribkovskii V.P., Belyaeva A.K., Suprun-Belevich Yu.R., Ketko Zh.A. Radiative recombination in a ZnTe p-n junction, // J. Cryst. Growth 1998 — vol. 184/185-pp. 1170−1174
  42. Nishio M., Guo Q., Ogawa H. Effect of dopant flow rate upon photoluminescence properties in aluminum-doped ZnTe layers grown by MOVPE. // Thin Solid Films -1999-vol. 343−344-pp. 512−515
  43. Gheyasa S.I., Hiranoa S., Nishio M., Ogawaa H. Aluminum doping of ZnTe grown by MOVPE. // Appl. Surf. Sci. 1996 — vol. 100−101 — pp. 634−638
  44. Pelletier H., Theys B., Lusson A., Chevallier J., Magnea N. Neutralization of nitrogen acceptors in MBE-grown ZnTe by intentional diffusion of hydrogen. // J. Cryst. Growth 1998-vol. 184/185-pp. 419−424
  45. Ogata T., Gheyas S.I., Ikejiri M., Ogawa H., Nishio M. Synchrotron radiation excited growth of ZnTe using metalorganic sources. // J. Cryst. Growth 1995 — vol. 146 — pp. 587−591
  46. Zhang J., Feng L., Cai W., Zheng J., Cai Y., Li B., Wu L. The structural phase transition and mechanism of abnormal temperature dependence of conductivity in ZnTe: Cu polycrystalline thin films // Thin Solid Films 2002 — vol. 414 — pp. 113−118
  47. Bhunia S., Pal D., Bose D.N. Photoluminescence and photoconductivity in hydrogen-passivated ZnTe. // Semicond. Sci. Technol. 1998 — vol. 13 — pp. 1434−1438
  48. Zhang S.B., Wei S.-H., Yan Y. The thermodynamics of codoping: how does it work? // PhysicaB -2001 vol. 302−303-pp. 135−139
  49. Garcia J.A., Remon A., Munoz V. and Triboulet R. Photoluminescence related to the interaction between carriers and structural defects in ZnTe crystals. // J. Appl. Phys. -1999-vol. 38-pp. 5123−5127
  50. Lee S.-G. and Chang K.J. Atomic model for the donor compensation in Cl-doped ZnTe. // Phys. Rev. B 1998 — vol. 57 — pp. 6239−6242
  51. Bittebierre J. and Cox R.T. Possible identification of zinc-vacancy-donor-impurity complexes in zinc telluride by optically detected magnetic resonance. // Phys. Rev. B -1986 vol. 34 — pp. 2360−2372
  52. Van de Walle C.G., Laks D.B. Nitrogen doping in ZnSe and ZnTe. // Sol. State Comm. 1995 — vol. 93 — pp. 447−450
  53. Magneaa M., Pautrata J.L., Dang L.S., Romestain R., Dean P.J. Defects in Zn fired ZnTe: Detection of a double acceptor (Sixe?) — // Sol. State Comm. 1983 — vol. 47 -pp. 703−707
  54. Wei S.-H., Zhang S.B. Chemical trends of defect formation and doping limit in II-VI semiconductors: The case of CdTe. // Phys. Rev. B 2002 — vol. 66 — pp. 155 211 155 220
  55. Wei S.-H., Zhang S.B. First-Principles Study of Doping Limits of CdTe. // Phys. Stat. Sol (b) 2002 — vol. 229-pp. 305−310
  56. Consonni V., Feuillet G. and Renet S. Spectroscopic analysis of defects in chlorine doped polycrystalline CdTe. // J. Appl. Phys. 2006 — vol. 99 — pp. 53 502−53 508
  57. Akimoto K., Kobayashi T., Ogawa T., Ohtsuka W., Maruyama T., Kitajima Y. Configuration of CI atoms in ZnSe and ZnTe. // J. Cryst. Growth 1998 — vol. 184/185 -pp. 480−484
  58. Dow J.D., Hong R.-D., Klemm S., Ren S.Y., Tsai M.-H., Sankey O.F., Kasowski R.V. Proposed explanation of the p-type doping proclivity of ZnTe. // Phys. Rev. B — 1991 — vol. 43 pp. 4396−4407
  59. Park C.H. and Chadi D.J. First-principles study of DX centers in CdTe, ZnTe, and CdxZnixTe alloys. // Phys. Rev. B. 1995 — vol. 52 — pp. 11 884−11 890
  60. Mandel G. Self-Compensation Limited Conductivity in Binary Semiconductors. I. Theory. // Phys. Rev. 1964 — vol. 134 — pp. A1073-A1079
  61. Title R.S., Mandel G. and Morehead F.F. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors. II. n-ZnTe. // Phys. Rev. 1964 — vol. 136 — pp. A300-A302
  62. Mandel G., Morehead F.F. and Wagner P.R. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors. III. Expected Correlations With Fundamental Parameters. // Phys. Rev. 1964 — vol. 136 — pp. A826-A832
  63. Morehead F.F. and Mandel G. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors. IV. n-ZnxCdi.xTe. // Phys. Rev. 1965 — vol. 137 — pp. A924-A925
  64. Emanuelsson P., Omling P., Meyer B.K., Weinecke M. and Schenk M. Identification of the cadmium vacancy in CdTe by electron paramagnetic resonance. // Phys. Rev. B -1993 vol. 47 — pp. 15 578−15 580
  65. Song S.H., Wang J., Ishikawa Y., Seto S., Isshiki M. Photoluminescence study on compensating defects in CdTe: Al. // J. Cryst. Growth 2002 — vol. 237−239 — pp. 1726−1730
  66. Bowman R.C., Cooper D.E. Detection of dilute iron impurities in CdTe. // Appl. Phys. Lett.- 1988-vol. 53-pp. 1521−1523
  67. Stadler W., Hofman D.M., Alt H.C., Muschik T. and Meyer B.K. Optical investigations of defects in CdbXZnxTe. // Phys. Rev. В 1995 — vol. 51 — pp. 10 619−10 630
  68. Meyer B.K., Orming P., Weigel E. and Muller-Vogt G. F center in CdTe. // Phys. Rev. B- 1992-vol. 46 pp. 15 135−15 138
  69. Biernacki S., Scherz U., Meyer B.K. Electronic properties of A centers in CdTe: A comparison with experiment. // Phys. Rev. В 1993 — vol. 48 — pp. 11 726−11 731
  70. Chadi D.J. Doping in ZnSe, ZnTe, MgSe, and MgTe wide-band-gap semiconductors. // Phys. Rev. Lett. 1994 — vol. 72 — pp. 534−537
  71. Wei S.-H. and Zhang S.B. Structure stability and carrier localization in CdX (X=S, Se, Те) semiconductors. // Phys. Rev. В 2000 — vol. 62 — pp. 6944−6947
  72. Yang J.-H., Chen S., Yin W.-J. and Gong X.G. Electronic structure and phase stability of MgTe, ZnTe, CdTe, and their alloys in the ВЗ, B4, and B8 structures. // Phys. Rev. В 2009 — vol. 79 — pp. 245 202−245 207
  73. Carvalho A., Tagantsev A.K., Oberg S., Briddon P.R., Setter N. Cation-site intrinsic defects in Zn-doped CdTe. // Phys. Rev. В 2010 — vol. 81 — pp. 75 215−175 228
  74. Keeble D.J., Major J.D., Ravelli L., Egger W. and Durose K. Vacancy defects in CdTe thin films. // Phys. Rev. В 2011 — vol. 84 — pp. 174 122−17 427
  75. Merle J.C., Sooryakumar R. and Cardona M. Resonant Brillouin scattering in cadmium telluride. // Phys. Rev. В 1984 — vol. 30 — pp. 3261−3273
  76. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology 4IB / Landolt-Bornstein- edited by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz 1999 — p. 376
  77. C.A., Клевков Ю. В. / Патент РФ № 243 014, 20.12.199 981. Medvedev S.A., Klevkov Yu.V. / Brevet France № 2 782 932, 24.11.2000
  78. B.C., Клевков Ю. В., Колосов C.A., Кривобок B.C., Онищенко E.E., Шепель А. А. Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия. // ФТП 2011 — т. 45 — с. 908−915
  79. Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М.:Мир — 1964 — 392 с.
  80. Wolk J.A., Steiner T.W., Karasyuk V.A., Thewalt M.L.W. Fine structure of a bound multiexciton complex in CdTe // Phys. Rev. В 1994 — vol. 50 — pp. 18 030−18 033
  81. Н.И., Шепельский P.A. Две серии полос «дислокационной» фотолюминесценции в кристаллах теллурида кадмия // ФТП 2006 — т. 40 — с. 1175−1180
  82. Kvit А.V., Klevkov Y.V., Oktyabrsky S.R., Tsikunov A.V., Zhurkin B.G. Characterization of the Z luminescence system in high purity CdTe. // Mater. Sci. Eng. 1994-vol. 26-pp. 1−5
  83. Davis C.B., Allred D.D. Photoluminescence and absorption studies of defects in CdTe and ZnxCdixTe crystals. // Phys. Rev. В 1993 — vol. 47 — pp. 13 363−13 369
  84. Seto S., Suzuki K., Adachi M., Inabe K. Dynamics of bound exitons in compensated high-resistivity CdTe // Physica В 2001 — vol. 302−303 — pp. 307−311
  85. Chen G., Miotkowski I., Rodriguez S. and Ramdas A.K. Control of defect structure in compound semiconductors with stoichiometry: Oxygen in CdTe. // Phys. Rev. В -2007 vol. 75 — pp. 125 204−125 213
  86. Lavrov E.V., Bastin D. and Weber J. Reassignment of the 0Te-VCd complex in CdTe. // Phys. Rev. В 2011 — vol. 84 — pp. 233 201−233 204
  87. B.C., Кривобок B.C., Онищенко Е. Е., Скориков М. Л., Шепель А. А. Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия. // ЖЭТФ 2011 — т. 140 — с. 929−941
  88. Passler R. Parameter sets due to fittings of the temperature dependencies of fundamental bandgaps in semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (b) 1999 — vol. 216 — pp.975
  89. Tews H., Venghaus H. and Dean P.J. Excited states of shallow acceptors in ZnSe. // Phys. Rev. В 1979 — vol. 19 — pp. 5178−5184
  90. Said M., Kanehisa M.A., Balkanski M., Saad Y. Higher excited states of acceptors in cubic semiconductors. // Phys. Rev. В 1987 — vol. 35 — pp. 687−695
  91. Ю.В., Мартовицкий В. П., Багаев B.C., Кривобок B.C. Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы. // ФТП 2006 — т. 40 — с. 153
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!