Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование влияния структуры и состава пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния на механизмы переноса заряда

Диссертация: Исследование влияния структуры и состава пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния на механизмы переноса заряда
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Анализ тенденций развития материалов электронной техники показывает, что резко возрос интерес к полимероподобным, аморфным и аморфно-кристаллическим (нанокристаллическим) материалам, в связи с их большим потенциалом для создания: солнечных элементов, светодиодов, датчиков света, давления и температуры, элементов силовой и высокочастотной электроники. Отечественными и зарубежными учеными… Читать ещё >

Исследование влияния структуры и состава пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния на механизмы переноса заряда (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Физические свойства аморфных полупроводников
    • 1. 2. Электропроводность аморфных и микрокристаллических полупроводников
    • 1. 3. Фотопроводимость аморфных полупроводников
    • 1. 4. Фрактальное строение и перколяционная проводимость аморфных полупроводников
    • 1. 5. Выводы к главе 1
  • Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Объекты исследования
    • 2. 2. Измерение толщины плёнок а-81С:Н
    • 2. 3. Исследование плёнок а-8Ю:Н методом ИК — спектроскопии
      • 2. 3. 1. Анализ состава и структуры плёнок я-БЮгН по результатам ИК-спектроскопии
    • 2. 4. Спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС)
    • 2. 5. Рентгеноструктурный анализ
    • 2. 6. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
    • 2. 7. Растровая электронная микроскопия (РЭМ)
    • 2. 8. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ)
    • 2. 9. Исследование электрических параметров плёнок карбида кремния четырехзондовым методом
    • 2. 10. Исследование электрических параметров гетеропереходов а-81С:Н/с-81 методом вольт-амперных характеристик
    • 2. 11. Импедансная спектроскопия (ИС)
    • 2.
  • Выводы к главе II
  • Глава III. СТРУКТУРА ПЛЕНОК а-$[С:Н
    • 3. 1. Моделирование структуры плёнок а-8Ю:Н
    • 3. 2. Анализ состава и структуры плёнок а-81С:Н по данным ИК-спектроскопии
    • 3. 3. Анализ состава и структуры плёнок я-81С:Н по результатам спектроскопии КРС
    • 3. 4. Исследование состава и структуры плёнок я-БЮгН методами рентгеноструктурного анализа, ПЭМ и РЭМ
    • 3. 5. Анализ структуры плёнок я-81С:Н по результатам СЗМ
    • 3. 6. Выводы к главе III
  • Глава IV. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В ПЛЕНКАХ а-81С:Н
    • 4. 1. Моделирование процессов переноса заряда
    • 4. 2. Анализ результатов исследования пленок я-81С:Н четырехзондовым методом
    • 4. 3. Описание процесса переноса заряда в плёнках а—81С:Н с учётом особенностей структуры материала (по результатам метода ИС)
    • 4. 4. Перенос заряда через гетеропереход я-81С:НУс
    • 4. 5. Выводы к главе IV

Анализ тенденций развития материалов электронной техники показывает, что резко возрос интерес к полимероподобным, аморфным и аморфно-кристаллическим (нанокристаллическим) материалам, в связи с их большим потенциалом для создания: солнечных элементов [170, 176], светодиодов [105], датчиков света [128], давления и температуры [30, 41], элементов силовой и высокочастотной электроники [105]. Отечественными и зарубежными учеными (Шерченков A. A., Hamakawa Y., Теруков Е., Wagner Т. и др.) показана актуальность применения аморфных полупроводниковых материалов, в технологии изготовления нового поколения устройств микрои наноэлектроники.

Однако, по причине сильной зависимости свойств пленок данных материалов, и в частности, аморфного гидрогенизированного карбида кремния (a-SiC:H), от структуры и состава, широкого распространения в изделиях электронной техники они пока не получили. Основная проблема обусловлена тем, что нет четких представлений о структуре этого материала, и о характере взаимосвязи свойств с ней. В связи с этим, детальные и всесторонние исследования, направленные на решение данной проблемы являются актуальными.

Существующие способы описания структуры аморфных и аморфно-кристаллических материалов, основанные на представлении о веществах, в которых отсутствует дальний порядок, не могут объяснить всего многообразия свойств. Эта важная проблема лежит в области интересов физики конденсированного состояния. В то же время, по мнению многих ученых, наиболее точную и полную картину о структуре можно получить только в рамках теории фракталов [198, 202]. Некоторые успехи в данной области были достигнуты для слоёв различных металлов [198, 199, 202, 207], оксидных [138], полимерных [156] и других материалов, которые нашли свое применение в различных областях электроники.

В связи с этим, построение модели структуры пленок карбида кремния, в рамках теории фракталов имеет не только научный, но и практический интерес, так как данный материал перспективен для изделий электронной техники. Учитывая области его возможного применения, разрабатываемая модель должна в первую очередь позволить адекватно описывать электрические свойства.

На основании этого, были сформулированы цели и задачи настоящей диссертационной работы.

Цель и задачи исследований. Установить взаимосвязь между механизмами переноса заряда и особенностями структуры тонких пленок а-81С:Н, синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы (НУ" СУО) из паров кремнийорганических хлорсодержащих мономеров (КХМ).

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— исследовать структуру тонких плёнок? г-81С:Н серий образцов, синтезированных в различных условиях;

— изучить закономерности формирования структуры материала плёнок а-81С:Н и разработать модель, описывающую структуру в рамках теории фракталов;

— исследовать электрические свойства серий образцов тонких пленок а-81С:Н в темновом режиме и при УФ облучении;

— в рамках теорий перколяции и фракталов разработать модель, адекватно описывающую взаимосвязь структуры материала и механизмов переноса заряда в пленках а-8Ю:Н.

Научная новизна. На основе экспериментальных и теоретических исследований впервые предложен новый способ описания структуры пленок а-81С:Н в рамках теории фракталов.

В рамках теории перколяции и фракталов разработана модель описания процессов переноса заряда в плёнках а—81С:Н, описывающая зависимость удельного сопротивления материала пленок от концентрации связанного водорода и кристаллической фазы карбида кремния.

Практическая значимость.

— разработана модель описания фрактальной структуры материала плёнок аморфного гидрогенизированного карбида кремния;

— показана возможность описания электрических свойств плёнок я-81С:Н в рамках теории перколяции. Разработанная модель переноса заряда позволяет адекватно описывать зависимость удельного сопротивления от структуры плёнок я-81С:Н;

— разработанные модели могут быть применены для решения фундаментальных и прикладных задач связанных с описанием электрических параметров пленок неупорядоченных материалов на основе карбида кремния.

Основные положения, выносимые на защиту:

— модель, описывающая мультифрактальную структуру пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния;

— влияние особенностей структуры материала пленок <�я-81С:Н на их электрические и оптические свойства;

— модель, описывающая процессы переноса заряда в пленках а-81С:Н в рамках теории перколяции и фракталов.

Реализация результатов работы. Тематика данной работы соответствует перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований, утвержденных президиумом РАН.

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники».

Северо-Кавказского государственного технического университета в рамках грантов:

Мин. Образования РФ, РНП 1.2.05 «Исследование особенностей синтеза полупроводниковых широкозонных материалов для экстремальной электроники»;

Мин. Образования РФ, РНП 3.4.05 «Исследование процессов формирования аморфных гидрогенизированных пленок карбида кремния и углерода»;

Мин. Образования РФ, РНП 1.1.08 «Исследование особенностей синтеза гетероэпитаксиальных тонких пленок карбида и оксида кремния»;

ФЦНТП РНП 2.2.2.2.8767 «Фундаментальные исследования новых изолирующих и полупроводниковых материалов на основе аморфного и гидрогенизированного карбида кремния совместно с Кемницким техническим университетом».

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: научно-технической конференции по результатам работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов Северо-Кавказского государственного технического университета, (Ставрополь, 2005, 2007, 2008 г.) — международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро — и нанотехнологии», (Кисловодск, 2005 — 2009 г.) — международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», (Санкт-Петербург, 2006 г.) — Российско-японском семинаре «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро — и наноэлектроники» (Астрахань, 2006, Саратов, 2007 г.) — региональной научно-технической конференции «Вузовская наука — Северо-Кавказскому региону», (Ставрополь, 2006 г.) — ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. (Ростов-на-Дону, 2007 г.).

Публикации. По результатам научных исследований опубликовано 16 работ, в том числе 3 статьи и 13 тезисов к докладам на международных, российских и региональных научно-технических конференциях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, 4 глав, выводов, списка литературы из 208 источников. Работа содержит 130 страниц основного текста, 37 рисунков и 10 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

На основании проведенных в диссертационной работе исследований получены следующие результаты:

1. Установлено, что пленки? z-SiC:H, синтезированные методом HW CVD в реакторе с горячей стенкой, при различных технологических режимах синтеза из паров ДДХС и ТМХС являются материалами с мультифрактальной структурой.

2. Впервые разработана модель структуры пленок a-SiC:H, согласно которой мультифрактальная структура, исследуемых материалов представляет собой комбинацию двух типов кластеров самоподобно изменяющихся в зависимости от условий синтеза. Показано, что с уменьшением доли полимероподобных фрактальных кластеров происходит одновременное повышение доли кристаллитоподобных фрактальных кластеров.

3. В рамках теории перколяции и фракталов разработана модель переноса заряда в пленках? z-SiC:H, согласно которой токоперенос осуществляется за счет перколяционных цепочек, сформированных фрактальными кластерами полимероподобного и кристаллитоподобного типа. При разрушении перколяционных цепочек одного типа фрактальных кластеров и возникновение цепочек другого типа происходит перколяционный переход, который приводит к значительному увеличению электрического сопротивления материала от 100 кОм до 1 МОм.

4. Показано, что перенос заряда в плёнках происходит по прыжковому механизму Мотта, а общий характер электропроводности зависит от процессов формирования перколяционных цепочек. С повышением количества, которых происходит расширение области разрешенных энергетических уровней в щели подвижности и, как результат, уменьшение сопротивления.

5. Установлено, что облучение образцов пленок, а — 81С: Н УФ-излучением не изменяет характер температурной зависимости электропроводности и лишь незначительно влияет на значения сопротивления образцов. Фрактальные кластеры полимероподобного/ кристаллитоподобного типов (перколяционные цепочки) или их смесь (перколяционные переходы) влияют не только на свойства самих пленок, но и на свойства гетеропереходов ими образованных.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / под общ. ред. Й. Хамакавы- пер. с англ. М.: Металлургия- 1986. — 376 с.
  2. A.C., Коньков О. И., Лебедев В. М., Новохацкий А. Н., Теруков Е. И., Трапезникова И. Н. Получение и свойства пленок аморфного гидрогенизированного карбида бора. //Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8. С. 1006−1009.
  3. , Л. Инфракрасные спектры сложных молекул. / Л. Беллами. М.: Мир, 1963. 590 с.
  4. С. В., Паршин Д. А. Фракталы и мультифракталы. -Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. 128 с.
  5. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1977.-679 с.
  6. , С.П. Свойства алмазоподобных пленок, полученных в барьерном разряде при атмосферном давлении / С. П. Бугаев и др. // Журнал технической физики. 1997. — Т. 67. — № 8. С. 100.
  7. , О. А. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью / О. А. Голикова, М. М. Казанин // Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33. — № 1. — С. 110−113.
  8. , X. Компьютерное моделирование в физике. Часть 2 / X. Гулд, Я. Тобочник. М.: Мир, 1992. — 394 с.
  9. , С. Ю. Адсорбция на аморфных полупроводниках: модифицированная модель Халдейна-Андерсона / С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Физика твердого тела. 2008. — Т. 50. — Вып. 7. — С. 1206- 1210.
  10. , Н.З. Инжекционные токи в аморфных твердых растворах системы Se~S / Н. З. Джалилов, Г. М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. 2009. — Т. 43.-Вып. 11.-С. 1521 — 1525.
  11. , С. М. О рекоменбинации в аморфных полупроводниках при температурах выше 100 К / С. М. Дикман // Письма в ЖЭТФ. 1993. — Т. 57.-Вып. 11.-С. 684−689.
  12. , И. С. Механизмы электропроводности у-облученных пленок аморфного теллурида германия / И. С. Дуцяк // Журнал технической физики. 1997. — Т. 67. — № 9. — С. 56 — 59.
  13. , А.В. Оптические свойства аморфных пленок SiixGex / А. В. Ершов, А. И. Машин, А. Ф. Хохлов, Д. Е. Касьянов, А. В. Нежданов, Н. И. Машин, И. А. Карабанова // Труды 1-го совещания по проекту НАТО SfP-973 799 Semiconductors. Нижний Новгород. — 2001. С. 124−135.
  14. , Е. И. Квантовые поправки в проводимости углерод-углеродного композита на основе изотопа углерода 13С с повышенной плотностью / Е. И. Жмуриков, А. И. Романенко, О. Б. Аникеева, Tecchio Luigi // ИЯФ 2006−31. Новосибирск: ИЯФ. — 2006. — 12 с.
  15. , Е.И. К вопросу о перколяционной проводимости гетерогенных мезоскопических систем / Е. И. Жмуриков Новосибирск: ИЯФ им. Г. И. Будкера СО РАН 2005. — 12 с.
  16. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко М.: Энергия, 1973. — 656 с.
  17. , И. В. Твердотельные фрактальные структуры / И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, В. И. Логинова // Международный научный журанл «Альтернативная энергетика и экология» АЭЭ. 2005. — № 9(29). — С. 56 — 66.
  18. Измеритель иммитанса Е7−20. Руководство по эксплуатации УШЯИ.411 218.012 РЭ / ОАО «МНИЛИ». Минск: ОАО «МНИЛИ». — 2006. -32 с.
  19. , Ю. Е. Электрические свойства многослоек металл-полупроводник с аморфной структурой / Ю. Е. Калинин, К. Г. Королев, А. В. Ситников // Письма в ЖТФ. 2006. — Т. 32. — Вып. 6. — С. 61 — 67.
  20. , В. А. Эффект самосопряженной перфорации аморфных слоев карбида кремния / В. А. Карачинов, С. Б. Торицин, Д. В. Карачинов // Журнал технической физики. 2004. — Т.74. — Вып. 12. — С. 96 — 97.
  21. В. Ю. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы / В. Ю. Киреев, А. А. Столяров М.: Техносфера. 2006.- 192 с.
  22. , О. И. Проводимость и структутра пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием a-Si:H (Er) / О. И. Коньков, Е. И. Теруков, JI. С. Границына // Физика и техника полупроводников. — 2002. Т. 36. — Вып. 11. — С. 1332 — 1336.
  23. , В. А. Расчет функции плотности электронных состояний в аморфном кремнии / В. А. Косарев // RAU Scientific Reports & Solid State Electronics and Technologies. 1996. — № 1. — C. 50−53.
  24. , P. M. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории. М.: Постмаркет. — 2000 — 352 с.
  25. , П.Н. Прыжковый механизм переноса носителей заряда в ОПЗ барьера шоттки металл аморфный кремний / П. Н. Крылов // Вестник удмуртского университета. Физика. — 2007. — № 4. — стр. 35−42.
  26. , В. М. Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов / В. М. Кузьменко // Физика низких температур. 2008. — Т. 34. — № 8 — С. 781 — 789.
  27. , Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул / Л. Литтл- пер. с англ. М.: Мир, 1969. — 513 с.
  28. , А. В. Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC / А. В. Лопин, А. В. Семенов, В. М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. — № 4. — С. 19−22.
  29. , А. В. Электрофизические и оптические свойства гетероструктур на основе а-БкИ и его сплавов. Дисс. канд. техн. наук. 05.27.06 / Мазуров Александр Вячеславович М. 2004. — 220 с.
  30. , Б. Фрактальная геометрия природы. — М.: Институт компьютерных исследований. 2002. — 656 с.
  31. , А. И. Проводимость и край поглощения аморфного силицина / А. И. Машин, А. Ф. Хохлов // Физика и техника полупроводников. 1999.-Т. 33.-Вып. 11.-С. 1384−1387.
  32. А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. Пер. с англ. — М.: Мир- 1991. 670 с.
  33. , И. С. Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния / Дисс. канд. техн. наук. 05.27.06 / Митченко Иван Сергеевич Ставрополь. 2008.- 156 с.
  34. , А. Д. Введение в теорию фракталов. М.: Институт компьютерных исследований. — 2002. — 160 с.
  35. .А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ое0.9о81оло:Нх.// Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11, С. 1383−1385.
  36. , Б.А. Фотопроводимость аморфных пленок a-Sio.8sGeo.22: Нх для солнечных элементов / Б. А. Наджафов, Г. И. Исаков // 181АЕЕ. 2004. V. 22. № 2. Р. 35−37.
  37. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела: Учеб. 3-е изд., стер. — М.: Высш. шк.- 2000. — 494 с.
  38. Приготовление и исследование карбидизированного пористого кремния / О. М. Сресели, Д. Н. Горячев, В. Ю. Осипов, и др. // Физика и техника полупроводников. —2000. Т.36. — Вып. 5. — С.604 — 610.
  39. С. И., Синельников Б. М., Рембеза Е. С., Каргин Н. И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. — Ставрополь: СевКавГТУ, 2002.- 432 с.
  40. , A.B. Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния / A.B. Семёнов, A.B. Лопин, В. М. Пузиков, В. Н. Борискин // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. — Вып. 10. С. 1362 — 1367.
  41. , Б. М. Синтез и исследование физических свойств а-С:Н пленок, осажденных из радиочастотной плазмы / Б. М. Синельников, Ё.
  42. , В. А. Тарала, Т. Н. Прохода, К. Ширмер // Вестник Северо-Кавказского государственного технического университета. 2007. — № 1 (10).- С. 5−12.
  43. Соло духа, А. М. Особенности прыжковой электропроводности в тонких слоях триоксида вольфрама / А. М. Солодуха // Вестник ВГУ. Серия: Физика, Математика. 2005. — № 2. — С. 70 — 76.
  44. В. А. Электрофизические характеристики макросистем диэлектрик-проводник, диэлектрик-полупроводник.// Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2. — С. 269−275.
  45. В. А., Карпенко С. В. Общие закономерности процессов электропроводности в бинарных микросистемах.// Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 1. С. 106−109.
  46. Ю. Ю. Перколяция: теория, приложения, алгоритмы. Учебное пособие. М.: Едиториал УРСС, 2002. — 112 с.
  47. Техническое описание и инструкция по эксплуатации микроинтерферометра МИИ-4 // Ленинградское оптико-механическое объединение имени В. И. Ленина, — 1975.
  48. , Н. И. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе / Н. И. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2009. -Т.43. — Вып. 1.-С. 38−47.
  49. Е. Фракталы: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. — 254 с.
  50. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. I Структура, приготовление и приборы. Пер. с англ./Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир- 1987. — 368 с.
  51. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. II Электронные и колебательные свойства. Пер. с англ./Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. -М.: Мир- 1988. -448 с.
  52. Фурье-спектрометры инфракрасные ФСМ: Руководство по эксплуатации. С. — Петербург: АОЗТ «СПб Инструметс», 2003. — 46 с.
  53. К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.-392 с.
  54. , А.А. Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/oSi / А. А. Шерченков, Б. Г. Будагян, А. В. Мазуров // Физика и техника полупроводников. — 2005. Т. 39. — Вып. 8. — С. 964 — 969.
  55. , И. В. Фрактальная размерность распределения пор при лазерном спекании порошка Ti / И. В. Шишковский // Физика и химия обработки материалов. — 2004. № 6. — С. 66 — 70.
  56. М. Фракталы, хаос, степенные законы. Миниатюры из бесконечного рая. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001.-528 с.
  57. , Б. И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б. И. Шкловский, A. JI. Эфрос. Монография. — М.: Наука. -1979.-416 с.
  58. Aleksic, O.A. Thermal diffusivity of NTC layers obtained with photoacoustic technique / O.A. Aleksic, P.M. Nikolic, D. Lukovic, K. Radulovic, D. Vasiljevic Radovic, S. Savic // Microelectronics International Journal. 2004. -Vol.21. -№ 1.-P. 10−14.
  59. Ambrosone, G. Silicon-carbon films deposited at low substrate temperature / G. Ambrosone, U. Coscia, S. Lettieri, P. Maddalena, M. Delia Noce,
  60. S. Ferrero, S. Restello, V. Rigato, M. Tucci // Journal of Non-Crystalline Solids. -2006. Vol.352. — №№ 9−20. — P. 1371−1375.
  61. Baia Neto, A. L. Conductivity and ESR Measurements on Carbon Rich Cathodic Amorphous Silicon Carbon Alloys / A. L. Baia Neto, F. Finger and S. S. Camargo Jr. // Brazilian Journal of Physics. 1996. — Vol. 26. — № 1. P. 359−363/.
  62. Barba, D. Evidence of localized amorphous silicon clustering from Raman depth-probing of silicon nanocrystals in fused silica / D Barba, F. Martin and G G Ross // Nanotechnology. 2008. — № 19. — P. 115 707 — 115 712.
  63. Basa, D.K. Optical bandgap and quantum well model in hydrogenated amorphous silicon carbon alloy films / D.K. Basa // Physica status solidi (a). — 2003.-Vol.195.-№ 1.-P. 87−92.
  64. Bockstedte, Michel. Different roles of carbon and silicon interstitials in the interstitial-mediated boron diffusion in SiC / Michel Bockstedte, Alexander Mattausch, and Oleg Pankratov // Physics Review B. 2004. — Vol.70. -№ 11.-P.l 15 203−115 214.
  65. Bozhko, A. Space-charge-limited current in hydrogenated amorphous carbon films containing silicon and oxygen / A. Bozhko, M. Shupegin and T. Takagi // Progress in Polymer Science. 2007. — Vol.32. — №№ 8−9. — P. 876−921.
  66. Brandt, Martin S. Excitons and light-induced degradation of amorphous hydrogenated silicon // Martin S. Brandt, Martin Stutzmann // Applied physics letters. 1991. — № 58(15). — P. 1620 — 1622.
  67. Brehm, M. Matrix isolation and theoretical study of the reaction of HSiCl3 and CH3OH: infrared spectroscopic characterization of Cl2HSiOCH3 / M. Brehm, B. S. Ault // Journal of Molecular Structure. -2003. V. 649. — P. 95 — 103.
  68. Brodsky, M.H. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering / M.H. Brodsky, M. Cardona, J.J. Cuomo // Phys. Rev. B. 1977. — V.16. — № 8. -P. 3556−3871.
  69. Carbone, A. Physical properties of amorphous silicon-carbon alloys produced by different techniques / A. Carbone, F. Demichelis, G. Kaniadakis, G.
  70. Delia Mea, F. Freire, P. Rava 11 Journal of Materials Research. 1990. — Vol.5. -№ 12.- P. 2877−2881.
  71. Chao, Ye. Fractal Aggregation Behavior in Amorphous Silicon Nitride Films / Ye Chao, Ning Zhao-yuan, Guo Yu-hua, Wang Xiang-ying, Xin Yu, Wang Yuan-chang, Shen Ming-rong and Wang Hao // Chinese Physics Letters. 1997. — № 14. — P. 446−448.
  72. Chelnokov, V.E. High temperature electronics using SiC: actual situation and unsolved problems / V. E. Chelnokov, A. L. Syrkin // Materials science and Engineering B. -1997. -V. 46. P. 248 — 253.
  73. Chen, J. Grows and Characterization of N-doped SiC Films from Trimethylsilane / J. Chen, A. Steckl, M. Loboda // Materials science forum. — 2000. V. 338 — 342. — P. 273 — 276.
  74. Chen, J. Occurrence of Polytype Transformation during Nitrogen Doping of SiC Bulk Wafer / J. Chen, S. C. Lien, Y. C. Shin, Z. C. Feng, C. H. Kuan, J. H. Zhao and W. J. Lu // Materials Science Forum. 2009. — Vols. 600−603.-P. 39−42.
  75. Chen, Z.W. Nanocrystals formation and fractal microstructural assessment in Au/Ge bilayer films upon annealing / Z.W. Chen, J.K.L. Lai, C.H. Shek and H.D. Chen // Applied Surface Science. 2005. — Vol.250. — №№ 1−4. -P.3−8.
  76. Chou, Lih-Hsin. Thermally Activated Conductivity of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Induced by Argon Plasma Bombardment / Lih-Hsin Chou, Wu-Tzung Hsieh and Pu-Wei Wu // Japanese Journal of Applied Physics. -1993. № 32. — P. L539-L542.
  77. Chou, Y.C. Doping and electrical properties of amorphous silicon carbon nitride films / Y.C. Chou, S. Chattopadhyay, L.C. Chen, Y.F. Chen, K.H. Chen // Diamond and Related Materials. 2003. — № 12. — P. 1213−1219.
  78. Chung, Gwiy-Sang. Raman Characteristics of Poly 3C-SiC Thin Films Deposited on A1N Buffer Layer / Gwiy-Sang Chung, and Junho Jeong // Materials Science Forum. 2009. — Vols. 600−603. — P. 61−65.
  79. Compagnini, G. Vibrational analysis of compositional disorder in amorphous silicon carbon alloys / G. Compagnini, G. Foti, A. Makhtari. // Europhys. Lett. 1998. — № 41 (2). — P. 225 — 230.
  80. Coscia, U. Carbon incorporation in silicon-carbon films grown at different substrate temperatures / U. Coscia, G. Ambrosone, P. Maddalena, A. Setaro, A.R. Phani and M. Passacantando // Thin Solid Films. 2007. — Vol.515. -№ 19.-P. 7634−7638.
  81. David, Adler. Localized electronic states in amorphous semiconductors / Adler David, Ellen J. Yoffa // Canadian Journal of Chemistry. -1977.-№ 55.-P. 1920.
  82. Demichelis, F. Amorphous hydrogenated silicon-carbon-tin alloy films / F. Demichelis, G. Kaniadakis, A. Tagliaferro, E. Tresso, P. Rava // Physical Review B (Condensed Matter). 1988. — Vol.37.- № 3. — P. 1231−1236.
  83. Domke, Katrin F. Tip-enhanced Raman spectroscopy of 6H-SiC with graphene adlayers: selective suppression of El modes / Katrin F. Domke, Bruno Pettinger // Journal of Raman Spectroscopy. 2009. — Vol.40. — № 10. P. 14 271 433.
  84. Dorfman, V.F. Diamond-like nanocomposites (DLN) / V.F. Dorfman // Thin Solid Films. 1992. — Vol.212. — №№ 1−2. — P. 267−273.
  85. Dultsev, F.N. Investigation of the mechanism of fractal" growth of porous silicon dioxide layers from gas phase / F.N. Dultsev // Thin Solid Films. -2005. Vol.478. — №№ 1−2. — P.91−95.
  86. Fanchini, G. Density of electronic states in amorphous carbons / G. Fanchini, S.C. Ray, A. Tagliaferro // Diamond and Related Materials. 2003. -№ 12.-P. 891−899.
  87. Fathallah, M. Photoinduced defects in wide-gap materials: hydrogenated amorphous silicon-carbon and silicon-nitrogen films / M. Fathallah, M. Mars, C. F. Prirri, E. Tresso // Philosophical magazine B. 2002. — Vol. 82. -№ 11.-P. 1267−1274.
  88. FERRO, G. Growth Mechanism of 3C-SiC Heteroepitaxial Layers on a-SiC by VLS / Gabriel FERRO, Maher SOUEIDAN, Olivier KIM-HAK, Jacques DAZORD, Francois CAUWET and Bilal NSOULI // Materials Science Forum. -2009. Vols. 600−603. — P. 52−56.
  89. Fixel, F. An on-chip thin film photodetector for the quantification of DNA probes and targets in microarrays / F. Fixel, V. Chu, D. M. F. Prazeres and J. P. Conde // Nucleic Acids Research. 2004. — Vol. 32. — № 9. — P. e70-e70(l).
  90. Fluoroformic Acid Anhydride, FC (0)0C (0)F / H. Pernice, H. Willner, K. Bierbrauer, M. B. Paci and C. A. Arguello, // Angewandte Chemie International Edition. 2002. -V. 41. — Iss. 20. — P. 3832 — 3834.
  91. Giuseppina Ambrosone, Ubaldo Coscia, Stefano Lettieri, Pasqualino Maddalena, Carlo Privato, Sergio Ferrero. Hydrogenated amorphous silicon carbon alloys for solar cells//Thin solid films, 403−404, 2002, P. 349−353.
  92. Goh, Boon Tong. Photoconductivity in Pulsed PECVD Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films / Boon Tong Goh, Shi, Chee Han, Ritikos, Richard, Muhamad Rasat Muhamat, Saadah A. Rahman //. Jurnal Fizik Malaysia. 2006. -№ 27.-P. 121−123.
  93. Golikova, O. A. Amorphous hydrogenated silicon films exhibiting enhanced photosensitivity // O. A. Golikova M. M. Kazanin // Semiconductors. -2006. Vol.33. — № 1. — P. 97−100.
  94. Grim, J. Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated Si/SiGe/SiC multilayers / J. Grim, V Holy, J Kubena, J Stangl, A A Darhuber, S Zerlauth, F Schaffler and G Bauer // Journal of Physics D: Applied Physics.- 1999. № 32. -P. A216-A219.
  95. Haba, T. Cisse. Influence of the electrical parameters on the input impedance of a fractal structure realised on silicon / T. Cisse Haba, G. Ablart, T. Camps and F. Olivie // Chaos, Solitons & Fractals. 2005. Vol.24. — № 2. — Pages 479−490.
  96. Hahn, W. The charge transport properties of a-Si:H thin films under hydrostatic pressure / W. Hahn, M. Boshta, K. Barner and R. Braunstein // Materials Science and Engineering: B. -2006. Vol.130. — №№ 1−3. — P. 184−188.
  97. Hellmich, W. Optical absorption and electronic transport in ion-implantation-doped polyciystalline SiC films / W. Hellmich, G. Muller, G. Krotz, G. Derst, S. Kalbitzer // Applied physics A. 1995. — № 61. — P. 193−201.
  98. Hongyi, Lin. Crystallization of hydrogenated amorphous silicon film and its fractal structure / Lin Hongyi, Yang Daoming, Li Yingxue // Vacuum. — 1991. Vol.42. -№ 16.-P. 1039.
  99. Hou, S. M. Fractal structure" in the silver oxide thin film / S. M. Hou, M. Ouyang, H. F. Chen, W. M. Liu, Z. Q. Xue, Q. D. Wu, H. X. Zhang, H. J. Gao and S. J. Pang // Thin Solid Films. 1998. — Vol.315. — №№ 1−2. — P.322−326.
  100. Huang, Fon-Shan. Investigations of Localized States in Hydrogenated Amorphous Silicon / Fon-Shan Huang, Hua Chang, Jiann-Ruey Chen and Yuen-Chung Liu // Japanese Journal of Applied Physics.- 1984. № 23. — P. 6−10.
  101. Hydrogenated amorphous silicon carbon alloys for solar cells / G. Ambrosonea, U. Cosciaa, S. Lettieria, P. Maddalenaa, C. Privatob, S. Ferrero // Thin Solid Films. -2002. -V. 403 -404. P. 349−353.
  102. Pereyra, C. A. Villacorta, M.N.P. Carreno, R.J. Prado, M.C.A. Fantini. Highly Ordered Amorphous Silicon-Carbon Alloys Obtained by RF PECVD. // Brazilian Journal of Physics, vol. 30, No. 3, 2000. P. 533−540.
  103. Interpretation of amorphous silicon behavior using fractal geometry / R.D. McLeod and H.C. Card // Journal of Non-Crystalline Solids. 1988. Vol. 105.-№№ 1−2. — P. 17−26.
  104. Irace, Andrea. Thermal Conductivity Measurement on a SiC Thin Film / Andrea Irace, Pasqualina M. Sarro // EUROSENSORS XIII. The 13th European Conference on Solid-State Transducers, September 12−15. 1999. — P. 809−812.
  105. Isomura, Masao. Two kinds of dopant activation in boron-doped hydrogenated amorphous silicon-carbon / Masao Isomura, Makoto Tanaka, and Shinya Tsuda // Applied Physics Letters. 1996. — Vol.69. — № 10. — P. 1396−1398.
  106. Jeong, Junho. Raman scattering studies of polycrystalline 3C-SiC deposited on Si02 and A1N thin films / Jeong, Junho- Jang, Kiwan- Lee, Ho Sueb-
  107. Chung, Gwiy-Sang- Kim, Gwi-Yeol // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2008.-Vol.404.-№ 1.-p. 7−10.
  108. Kodolba, Alp Osman. Empirical calibration of the optical gap in a-Sii-xCjiH (jc<0.20) alloys / Alp Osman Kodolba // Materials Science and Engineering B. -2003. Vol.98.-№ 2. — P. 161−166.
  109. Kolasinski, Kurt W. Etching of silicon in fluoride solutions / Kurt W. Kolasinski // Surface Science. 2009. — Vol.603. — P. 1904−1911.
  110. Kusunoki, K. Solution Growth of 3C-SiC on 6H-S1C Using Si Solvent under N2-He Atmosphere / K. Kusunoki, K. Kamei, N. Yashiro, T. Tanaka and A. Yauchi // Materials Science Forum. 2009. — Vols. 600−603. — P. 48−51.
  111. Lazar G. Infrared Absoption properties of amorphous carbon films. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005, Vol. 7, № 2, P. 647 — 652.
  112. Lazar, G. Infrared Absoption properties of amorphous carbon films / G. Lazar // J. of Optoelectr. and Advanc. Mater. 2005. — V. 7. — № 2. — P. 647 -652.
  113. Lee, Choochon. The origin of persistent photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon / Choochon Lee, Byueng-Su Yoo // Chineese journal of physics. 1990. — Vol. 28. — № 1. — P. 93 — 103.
  114. Lin, Hong Y. Crystallization of hydrogenated amorphous silicon film and its fractal structure / Hong Y. Lin, Dao M. Yang, Ying X. Li // Proceedings of SPIE. 1991. Vol. 1519. — P. 210−213.
  115. Local structure and bonding states in a-Sil~xCx:H / Van Swaaij, A.J.M. Berntsen, W.G.J.H.M. van Sark, H. Herremans, J. Bezemer, W.F.van der Weg // Journal of Applied Physics.- 1994. V.76. — P.251.
  116. M. Vetter, I. Martin, A. Orpella, C. Voz, J. Puigdollers and R. Alcubilla. Characterization of a-SiCx:H Films for c-Si Surface Passivation. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 715, 2002. P A24.5.1-A24.5.6.
  117. Malek, Kourosh. A study of the fractal dimension and percolative structure of lithium-inserted BaTiOs film / Kourosh Malek // Thin Solid Films. — 2002. Vol.408, Ms 1−2. -P.73−78.
  118. Marsala, L. F. Annealing effects on the conduction mechanisms of p-amorphous- Sio. sCo^H n-crystalline-Si diodes / L. F. Marsala, I. Martin, J. Pallares, A. Orpella and R. Alcubilla // Journal of applied physics. 2003. -Vol.94. — № 4. — P. 2622−2626.
  119. Micocci G. Photoconductivity in Halogenated and Hydrogenated Amorphous Silicon Films / G. Micocci, A. Rizzo, A. Tepore // Physica status solidi (a). 2006. — Vol.85. — № 2. — P. 609 — 614.
  120. Mollot, F. Study of localized states in amorphous semiconductor chalcogenides by radiative recombination / F. Mollot, J. Cernogora, C. Benoit a la Guillaume //Physica status solidi (a). 2006. — Vol.21. — Issue 1. — P. 281 -289.
  121. NaiMan, Liao. Raman and ellipsometric characterization of hydrogenated amorphous silicon thin films / NaiMan Liao, Wei Li, YueJun Kuang
  122. YaDong Jiang, ShiBin Li, ZhiMing Wu and KangCheng Qi // Science in China Series E-Technological Sciences. 2009. — № 52(2). — P. 339−343.
  123. Nathan, M. Fractal-like Si crystallization during interfacial reactions in thin Al/amorphous SiC layers / M. Nathan, J. S. Ahearn // Journal of Applied Physics. 1990. — Vol. 67. — P. 6586−6588.
  124. Navkhandewala, R. Electron irradiation in amorphous hydrogenated silicon / R. Navkhandewala, K. Narasimhan, S. Guha // Journal de Physique Colloques. 1981. — № 42. — P. C4−803-C4−806.
  125. Neisy, A. E. Characterization of Si. xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication / Neisy A. E., Forhan Marcia C. A. Fantini, Ines Pereyra // Journal of the Brazilian Chemical Society. — 2006. -Vol.17. № 6.-P. 1158−1162.
  126. Nguyen-Tran, Th. Optical study of disorder and defects in hydrogenated amorphous silicon carbon alloys / Th. Nguyen-Tran, V. Suendo and P. Roca I Cabarrocas // Applied Physics Letters. 2005. — Vol. 87. — P. 11 903 -11 906.
  127. Ni, Z. H. Z. H. Raman spectroscopy of epitaxial graphene on a SiC substrate / Z. H. Ni, W. Chen, X. F. Fan, J. L. Kuo, T. Yu, A. T. S. Wee, and Z. X. Shen // Physical review B. 2008. — № 77. — P. 115 416−115 420.
  128. Novikov, Vitaly V. Dynamic conductivity of composites of fractal structure / Vitaly V. Novikov, Dmitry Y. Zubkov // Physica B: Condensed Matter.- 2009. Vol.404. — № 21. — P.3867−3876.
  129. N-type emitter surface passivation in c-Si solar cells by means of antireflective amorphous silicon carbide layers / R. Ferre, I. Martin, P. Ortega, M. Vetter // Journal of applied physics. 2006. — V.100. -73 703.
  130. Oliveira, M. L. On the carbon incorporation into a-SiC:H films with low carbon content / M. L. de Oliveira, S.S. Camargo, F.L. Freire // J. Appl. Phys.- V.71. — № 31. -P. 1531 1533.
  131. Onokhov, Arcadii P. Novel liquid crystal spatial light modulators for adaptive optics and image processing / Arcadii P. Onokhov, Vladimir A.
  132. Park, Nae-Man. Amorphous Silicon Carbon Nitride Films Grown by the Pulsed Laser Deposition of a SiC-Si3N4 Mixed Target / Nae-Man Park, Sang Hyeob Kim, and Gun Yong Sung // ETRJ Journal. 2004. — Vol.26. — № 3. — P. 257−261.
  133. Prado, R. J. Thin Films of a-Sil-xCx:H Deposited by PECVD: The rf Power and H2 Dilution Role / R. J. Prado, M.C.A. Frantiny // Materials science forum. 2000. — V. 338 — 342. — P. 329 — 332.
  134. Properties and structure of a-SiC:H for high-efficiency a-Si solar cell / Y. Tawada, K. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto, Y. Hamakawa // Journal of applied physics. 1982. -V. 53. — P. 5273 — 5281.
  135. Rohrl, J. Graphene Layers on Silicon Carbide Studied by Raman Spectroscopy / J. Rohrl, M. Hundhausenl, K.V. Emtsev, Th. Seyller, and L. Ley //Materials Science Forum. 2009. — Vols. 600−603. — P. 567−570.
  136. Roldughin, V. I. Percolation properties of metal-filled polymer films, structure and mechanisms of conductivity / V. I. Roldughin, V. V. Vysotskii // Progress in Organic Coatings. 2000. — Vol.39. — №№ 2−4. -P.81−100.
  137. Rudder R. A. High photoconductivity in dual magnetron sputtered amorphous hydrogenated silicon and germanium alloy films / R. A. Rudder, J. W. Cook, Jr., and G. Lucovsky // Applied Physics Letters. 1984. — Vol.45. — P. 887 889.
  138. Se-Guen Park. Changes in electrical Conduction of polymeric Carbon films induced by low energy hydrogen ion beams / Se-Guen Park // Journal of Korean physical society. 1989. — Vol. 22. — № 2. — P. 203−207.
  139. Shimakawa, K. Influence of ac photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon: long-range potential fluctuations / K. Shimakawa, Ashtosh Ganjoo // Physical Review B. 2002. — № 65. — P. 165 213−165 218.
  140. Shrivastava, A. Investigation of Triangular Defects in 4H-SiC 4° off cut (0001) Si Face Epilayers Grown by CVD / A. Shrivastava, P. Muzykov, B. Pearman, S. Michael Angel, T. S. Sudarshan // Materials Science Forum. 2009. -Vols. 600−603.-P. 43−47.
  141. Soukup R. J, Ianno N.J., Scott A. Darveau, Christopher L. Exstrom. Thin films of a-SiGe:H with device quality properties prepared by a novel hollow cathode deposition technicque. // Solar Energy Materials & Solar Cells, 87, 2005. -P. 87−98.
  142. Stauffer, D. Introduction To Percolation Theory / D. Stauffer, A. Aharony. London: Taylor&Francis. — 2003. — 179 p.
  143. Street, R. A. Hydrogenated amorphous silicon / R. A. Street. -Cambridge: Cambridge University Press, 1991. 417 p.
  144. Subarna, Maiti. Silicon-doped carbon semiconductor from rice husk char / Maiti Subarna,, Pushan Banerjee, Swati Purakayastha and Biswajit Ghosh // Materials Chemistry and Physics. 20 078. — Vol.109. — № 1. — P. 169−173.
  145. Synthesis and Characterization of the First Amino- and Iminosilsesquioxanes / Z. Fei, K. Ibrom and F. T. Edelmann // Z. anorg. allg. Chem. 2002. — V. 628. — P. 2109.
  146. Terekhov, V. A. Density of States and Photoconductivity of Hydrogenated Amorphous Silicon // V. A. Terekhov, S. N. Trostyanskii, E. P.
  147. Domashevskaya, 0. A. Golikova, M. M. Mezdrogina, K. L. Sorokina, M. M. Kazanin // Physica status solidi (b). 2006. — Vol.138. — № 2. — P. 647 — 653.
  148. Thermal oxidation of polymer-like amorphous SiCHOxywz nanoparticles / D. Dasa, J. Farjasa, P. Rouraa, G. Vierab, E. Bertranb // Diamond and Related Materials. 2001. — № 10. — P. 1295 — 1299.
  149. Tiedje, T. Time-resolved charge transport in hydrogenated amorphous silicon / T. Tiedje // The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. 2006. -Vol.56.-P. 261−300.
  150. Tolstoy, V. P. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films / V. P. Tolstoy, I. V. Chemyshova, V. A. Skryshevsky. New Jersey: John Wiley & Sons.-2003.- 139 p.
  151. Torkhov, N. A. Formation of a native-oxide structure on the surface of n-GaAs under natural oxidation in air / N. A. Torkhov // Semiconductors. 2006. -Vol.37.-№ 10.-P. 1177−1184.
  152. Volz, S. Thermal Conductivity Measurements of Thin Amorphous Silicon Films by Scanning Thermal Microscopy / S. Volz, X. Feng, C. Fuentes, P. Guerin and M. Jaouen // International Journal of Thermophysics. 2002. — Vol. 23.-№ 6.-P. 1645−1657.
  153. Von Keudell, A. // Interaction of hydrogen plasmas with hydrocarbon films, investigated by infrared spectroscopy using an optical cavity substrate / A. Von Keudell, W. Jacob // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. -№ 15(2). -P. 402−407.
  154. Wang, H. Z. Intergrowth of a carbon layer and fractal-like trees on 3Y-TZP in TEM observations / H. Z. Wang, X. H. Liu, X. J. Yang and X. Wang // Materials Science and Engineering A. -2001. Vol.311. — №№ 1−2.- P. 180−184.
  155. Wang, W.C. Fractal morphologies of dual amorphous phases observed in Y-Ti (Nb)-Co ternary systems upon ion beam mixing / W.C. Wang, J.H. Li, F. Zeng, Y.L. Gu and B.X. Liu // Journal of Alloys and Compounds. — 2009. -Vol.478. №№ 1−2. — P. L28-L32.
  156. Wang, Y. Characterization of surface morphology of copper tungsten thin film by surface fractal geometry and resistivity / Y. Wang, K. -W. Xu // Thin Solid Films. 2004. — Vol.468. — №№ 1−2. -P.310−315.
  157. Yang, Qing. The formation of fractal Ag nanocrystallites via y-irradiation route in isopropyl alcohol / Qing Yang, Feng Wang, Kaibin Tang, Chunrui Wang, Zhiwen Chen and yitai Qian // Materials Chemistry and Physics. -2003. Vol.78. — № 2. — P.495−500.
  158. Yihua Wang, Jianyi Lin, Zhe Chuan Feng, Soo Jin Chua, Cheng Hon Huan Alfred. Plasma Enhansed Chemical Vapor Deposition and Characterization of Hydrogenated Amorphous SiC Films on Si. //Materials Science Forum Vols. 338−342, 2000, P. 325−328.
  159. Yihua, W. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Characterization of Hydrogenated Amorphous SiC Films on Si. / W. Yihua, L. Jiianyi // Materials science forum. 2000.- V. 338 — 342. — P. 325 — 328.
  160. Zallen. The Physics of Amorphous Solids. New York: Virginia Tech. Blacksburg, Virginia Wiley Classics Library Edition Published 1998A Wiley-Interscience Publication. — John Wiley & Sons, Inc., 1998. — 254 p.
  161. Zhao, Y.M. Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using A1N as a Buffer Layer / Y.M.Zhao, G.S.Sun, X.F.Liu, J.Y.Li, W.S.Zhao, L. Wang, J.M.Li, Y.P.Zeng // Materials Science Forum. 2009. — Vols. 600−603. -P. 57−61.
  162. Zhiwen, Chen. Fractal formation and tunneling effects on the conductivity of Au/a-Ge bilayer films / Chen Zhiwen, Zhang Shuyuan, Tan Shun, Tian Mingliang, Hou Jianguo and Zhang Yuheng // Thin Solid Films. 1988. -Vol.322. №№ 1−2, P.194−197.
  163. В.И. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В. И. Миронов. М.: Техносфера, 2004. 144 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!