Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63, 65Cu

Диссертация: Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63, 65Cu
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

По особенностям кристаллической структуры соединения системы Cu2. yS подразделяются на три группы: анилит, дигенит, джирит, кристаллическая структура которых основана на кубической упаковке атомов серыджарлеит и халькозин, со структурой, основанной на гексагональной плотнейшей упаковке атомов серыковеллин, яроуит, спионкопит с комбинацией гексагональной упаковки и ковалентной связи атомов серы… Читать ещё >

Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63, 65Cu (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О КРИСТАЛЛИЕСКОЙ СТРУКТУРЕ И ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВАХ НЕСТЕХИОМЕТРИ ЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ Си2.£
    • 1. 1. Диаграммы состояний
    • 1. 2. Кристаллическая структура соединений и фазовые переходы
    • 1. 3. Электрофизические свойства
    • 1. 4. Зонная структура
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАБОТКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ
    • 2. 1. Импульсный спектрометр ЯКР ИС
    • 2. 2. Описание многофункциональной платы N1PCI
    • 2. 3. Коммутация N1 PCI-6251 и ИС
    • 2. 4. Методика проведения измерений параметров спектра ЯКР
    • 2. 5. Измерение проводимости полупроводников
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ЯКР Си63'65 НЕСТЕХИО МЕТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ Си2.£
    • 3. 1. Спектры ЯКР Си63'65 в соединениях системы Cu2S — Cui^^S
    • 3. 2. Спектры ЯКР Си ' в соединениях системы CuS — Cujt#S
    • 1. /ГС
      • 3. 3. Температурные зависимости спектров ЯКР Си ' нестехиометри-ческих полупроводниковых соединений Си2.£
      • 3. 4. Релаксационные характеристики нестехиометрических полупроводниковых соединений Cu2. xS
  • ГЛАВА IV. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ Си
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Электропроводность в халькозине (C^S)
    • 4. 3. Электропроводность в нестехиометрических полупроводниковых соединениях Сщ. х/Я
    • 4. 4. Электропроводность в ковеллине (CuS)
    • 4. 5. Анализ полученных экспериментальных данных

Целенаправленный поиск кристаллов, пригодных для использования в акустоэлектронике, пьезотехнике, квантовой электронике непрерывно связан с всесторонним исследованием их физических свойств и кристаллической структуры. Кристаллы ряда Cu2. xS обладают набором интересных физических свойств и структурных особенностей. Наличие широкого спектра нестехиометричеких соединений в системе Cii2-xS обусловлено тем, что даже ничтожное отклонение состава сульфидов меди от стехиометрии сопровождается структурной перестройкой их кристаллической решетки, т. е. образованием нового полупроводникового индивида [1]. При кристаллизации этих соединений с отклонениями от стехиометрии возникает значительное количество собственных дефектов, влияющих на их свойства. Таким образом, в процессе роста кристаллов можно получать материал с заранее заданными свойствами. Такие особенности соединений Cu2. xS позволяют использовать их в термоэлектрических генераторах преобразования энергии и в твердотельных установках криогенной электроники, в различных гетеропереходах, быстродействующих переключателях, датчиках излучения и термодатчиках.

По особенностям кристаллической структуры соединения системы Cu2. yS подразделяются на три группы: анилит, дигенит, джирит, кристаллическая структура которых основана на кубической упаковке атомов серыджарлеит и халькозин, со структурой, основанной на гексагональной плотнейшей упаковке атомов серыковеллин, яроуит, спионкопит с комбинацией гексагональной упаковки и ковалентной связи атомов серы. Известно, что данные типы кристаллической решетки весьма неустойчивы к различным структурным деформациям, поэтому многие из кристаллов этого типа претерпевают структурные фазовые переходы [2]. Сравнительная простота структур этих кристаллов позволяет считать их модельными объектами для изучения динамических нестабильностей и критических параметров решетки в области фазовых переходов.

Соединения халькозинового ряда относятся к группе сравнительно малоисследованных соединений, кроме того, имеющиеся экспериментальные результаты [3−5] свидетельствуют о значительном расхождении полученных данных, поскольку в большинстве случаев не учитывалось влияние на кинетические параметры отклонений от стехиометрии. Выявление закономерностей электропереноса возможно лишь при корреляции данных для одинаковых концентраций носителей заряда, а также с учетом изменения этих величин при отклонении от стехиометрии. Результаты такого анализа позволяют выявить некоторые особенности изменения электрофизических свойств в полупроводниковых соединениях системы Си2.^.

Цель настоящей диссертационной работы заключалась в систематическом исследовании физических свойств перспективных полупроводниковых соединений системы Cu2-xS методами ЯКР ' Си и электропроводности.

Для её достижения необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать структурные и морфологические свойств полупроводниковых соединений системы Cu2. xS методом спектроскопии ЯКР 63'65Си.

2. Изучить динамику кристаллической решетки системы Cu2. xS методами ядерной релаксации.

3. Изучить влияние нестехиометрии и дефектов на фазовые состояния системы Cu2. yS с использованием температурных ЯКР 63,65Си исследований.

4. Повысить достоверность получаемых результатов за счет увеличения отношения сигнал/шум в результате соответствующей разработки аппаратно-программного модуля для автоматической регистрации и записи спектральных и релаксационных параметров ЯКР.

5. Исследовать электронные транспортные свойства полупроводниковых соединений системы Cu2. xS на основе измерения электрофизических параметров.

Исследование нестехиометрических полупроводниковых соединений системы Cu2-yS в настоящее время проводится самыми различными методами. К их числу относятся методы спектроскопии, дифференциального термического анализа, методы электронной микроскопии. Эти методы позволяют получать достаточно полную информацию о макроскопических свойствах твердых тел. В то же время они оказываются малоинформативными при исследовании физических явлений, происходящих в кристаллах на микроуровне. В первую очередь это касается исследований динамики кристаллической решетки в области фазовых переходов и критических явлений. Поэтому, все большее распространение наряду с традиционными методами, получают методы нейтронографии, колебательной ИК и КР спектроскопии и радиоспектроскопии.

В твердых кристаллических телах ядра со спином I > 1, имеющие электрический квадрупольный момент, находятся в электростатическом поле, обусловленном зарядовым окружением ядра. Если симметрия поля в месте расположения резонансного ядра ниже кубической, то взаимодействие ядерного квадрупольного момента с локальным электрическим полем, приводит к образованию системы энергетических уровней. Переходы между этими уровнями, индуцированные радиочастотным полем, обуславливают эффект ядерного квадрупольного резонанса (ЯКР). Благодаря высокой чувствительности ядерных квадрупольных взаимодействий к динамике внутрикристаллического поля, метод ЯКР может быть эффективно применен как для исследования характера химической связи, фазового состава, электронной структуры соединений, так и исследования динамических процессов, происходящих в кристаллах [6]. На этой основе, данный метод позволяет проводить экспрессную диагностику полупроводниковых кристаллов.

Основная часть результатов данной работы получена при исследовании спектров ядерного квадрупольного резонанса кристаллов нестехиометрических полупроводниковых соединениях системы Сщ-xS.

Актуальность работы обуславливается следующим. Для ряда кристаллов системы Сщ-xS, с огласно результатам рентгеноструктурного анализа, рентгенограммы этих соединений состоят в основном из трех гомогенных участков. Составы, близкие к стехиометрии (х < 0,02), имеют гексагональную структуру с параметрами решетки, а = 3,895- с = 6,690 А при х = 0,012 и, а = 3,890- с = 6,623 А при х = 0,02- атомы серы образуют плотнейшую упаковку. Средняя часть, соответствующая составам от CuIi97S до Cuji82S (0,030 < х < 0,179), относится к ромбической сингонии с параметрами решетки а2 = 11,895- bi = 27,270- ci = 13,900 А при х = 0,03- а3=11,840- &-з=27,000- с3=13,300 А при х = 0,18 [7]. Особый интерес представляла интерпретация спектров, так как в этом случае по данным.

63 65 спектров ЯКР Си ' можно судить о различиях структуры, динамики и дефектах кристаллической решетки, при отклонении от стехиометрии, принимая во внимание данные исследований электропроводности. Это имеет важное значение для подтверждения уже полученной информации об исследуемых соединениях другими методами и получении новых, более детальных данных для малоисследованных полупроводников этого ряда, например джарлеита Culi98S. Актуальность данных исследований определяется тем, что характер особенностей наблюдаемых явлений, таких как соотнесение неэквивалентных позиций атомов, фазовые переходы, является дискуссионным. Последнее относится к низкотемпературному фазовому переходу при 55 К. Исследование структурных фазовых переходов с целью изучения динамики и симметрии решетки, в том числе при низких температурах, является одной из актуальных задач физики полупроводников.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

В данной работе выполнены систематические экспериментальные исследования ядерных квадрупольных взаимодействий меди См63'65 в нестехиометрических полупроводниковых соединениях системы Cu2-xS, импульсным методом ЯКР. Кроме того, в исследуемых соединениях были проведены измерения электропроводности. Основные научные и практические результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Изучены спектры ЯКР Си63'65 в нестехиометрических полупроводниковых соединениях системы Cu2-xS, в широком температурном диапазоне. Обнаружение таких спектров доказывает, что даже ничтожное отклонение состава сульфидов меди от стехиометрии сопровождается структурной перестройкой их кристаллической решетки и образованием нового полупроводникового соединения.

2. Обнаружено существование, по данным ЯКР Си63'65, в исследованных образцах высокомедистых сульфидов — джарлеите Cu! i96S, большого числа кристаллохимически неэквивалентных состояний атомов меди (24 позиции). Резонансные центры наблюдаются в более широком частотном диапазоне, чем в Cu2S, что соответствует заметным структурным искажениям при отклонении от стехиометрии в этой группе полупроводниковых соединений.

3. Установлено возникновение не менее четырех кристаллохимически неэквивалентных позиций в соединениях Cuii6S — CuS, относящихся к группе.

1 /ГС маломедистых сульфидовмультиплетность спектров ЯКР Си ' этих соединений выше, чем соответствующего соединения с предельным составом — CuS, что очевидно связано с усложнением кристаллической структуры. В спектре ЯКР Си63'65 в ковеллине CuS, обнаружена лишь одна пара л /г резонансных линий ЯКР Си ', отнесенных к структурным позициям с тригональной координацией Си (1).

4. Исследована температурная зависимость спектральных параметров ЖР Си63'65 в нестехиометрических полупроводниковых соединениях Cu2.xS. Монотонный характер полученной зависимости доказывает стабильность этих соединений в температурном диапазоне 77−300 К.

5. Для соединения с предельным составом CuS обнаружены аномалии температурных зависимостей ЯКР параметров и аномалии температурной зависимости электрической проводимости, приходящиеся на одинаковую температурную область. Эти аномалии объясняются структурным фазовым переходом, из высокотемпературной гексагональной фазы в низкотемпературную орторомбическую, в этом соединении при 55 К.

6. Повышена достоверность получаемых результатов за счет увеличения отношения сигнал/шум в результате проведенной автоматизации процессов регистрации и записи спектральных и релаксационных параметров ЯКР 63,65Си. Осуществлена коммутация импульсного спектрометра ЖР ИС-3 с персональным компьютером с помощью многофункциональной платы N1 PCI-6251. С использованием программной среды LabView7. x возможно в любой момент зафиксировать данные спектра ЖР, изучить полученный спектр, а также интерпретировать его в цифровом виде.

7. Исследована динамика кристаллической решетки системы Cu2. xS методами ядерной релаксации. Проинтерпретированы соответствующие релаксационные характеристики соединений системы Cu2.xS. В частности, результаты исследований температурной зависимости скорости ядерной спин-решеточной релаксации Т{х в ковеллине CuS подтверждают наличие фазового перехода при 50 К.

8. Изучены электрофизические характеристики соединений системы Cu2.xS. Обнаруженное увеличение электропроводности в ряду Cu2S~ CuS соответствует переходу от узкозонного полупроводника р-типа Cu2S к вырожденным полупроводникам (нестехиометрические полупроводниковые соединения Cu2. xS) и затем к р-металлу CuS. Наблюдаемый характер поведения электропроводности может быть вызван изменением положения уровня Ферми (смещением в валентную зону) и резким увеличением концентрации зарядовых носителей (дырок) при росте вакансий в этом ряду соединений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Ф. Сульфиды меди как индикаторы среды рудообразования «Доклады академии наук», 1997, том 356, № 5, с.657−661.
  2. Горбачев В. В, Полупроводниковые соединения Ai2Bvi. М., «Металлургия», 1980, с. 6.
  3. Г. П., Андроник И. Я., Ковтун Е. В. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975, т.11, № 12, с. 2129 — 2132.
  4. Н.А., Кононец Я Ф. УФЖ, 1971, т.16, № 2, с.237−243.
  5. Abdullaev G.B., Alijarova Z.A., Zamanova E.N., Asadov G.A. Phys. State Sol., 1968, v. 26, № 1, p.65 — 68.
  6. Г. К., Бабушкина T.A., Якобсон Г. Г., Применение ЯКР в химии, «Химия», Л., 1972, с. 43.
  7. Goble R.Y. The relationship between crystal structure, bonding and cell dimentions in copper sulfides «Canadian Miner.» 1985. Vol.23, p.61−76.
  8. В.В. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М., «Наука», 1975,218 с. с ил.
  9. N., Koto К. «Amer. Miner», 1970, v.55, № 1−2, p.106−117.
  10. H., Guastavino F., Bougnot J., Vaissiere J.C. «Mat. Res. bull.», 1972, v.7, № 9, p. 955−962.
  11. П.Глазов B.M., Бурханов A.C., Крестовников A.H. Полупроводниковые соединения А!2 BVI. М., ЦНИИЭ, 1972. 34 с. с ил.
  12. Rau Н. «J. Phys. Chcm. Sol.», 1969, v. 28, p. 903 — 916.
  13. H.S., Richert H.Z. «J. Phys. Chem.», 1972, № 5−6, p. 315 — 319.
  14. A.H. Горелик C.C, Плюснин A.H. «Твердые растворы элементарных полупроводников и их соединений». М., «Металлургия», 1974 (МИСиС. Сб. № 83), с. 168 — 175.
  15. С.С., Дубровина А. Н., Лексина Р. Х. и др. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975, № 1, с. 28 — 32.
  16. B.H., Кудинова В. А. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1973, т. 9, № 7, с. 1132 — 1134.
  17. R., Sudres М., Mahenc J. «J. Chim. Phys. et Phys. Chim. biol.», 1970, v. 67, № 5, p. 1013−1017.
  18. Okamoto K, Kawai S. «Japan J. Appl. Phys.», 1973, v. 12, № 8, p. 11 301 138.
  19. Z., Celustka B. «J. Phys. Chem.» 1969, v. 30, № 1, p. 149−155.
  20. Z., Mestnik В., Turkovic J. «Sol. Stat. Comm.», 1973, v. 12, № 9, p. 857 — 858.
  21. Guastavino F., Luquer H, Bouguot J. In book: «Proc. Pholovol. Pouer and Its appl. in Space and Earth», N.Y., 1973, p. 189 — 194.
  22. R., Mahenc J. «J. Chun. phys. chim. biol.», 1962, v. 65, № 4, p. 1102−1107.
  23. Г. П., Идричан Г. З., Сорокина З. М. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975, т. 11, № 8, с. 1357 — 1360.
  24. Идричан Г. З, Сорокин Г. П. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975, т. 11, № 9, с. 1693−1695.
  25. Г. П., Андроник И .Я., Ковтун Е. В. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975. т. 11, № 12, с. 2129 — 2132.
  26. Г. П., Идричан Г. З., Дергач Л. В. и др. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1974. т. 10, № 6, с. 969 — 974.
  27. В.В., Мустафаев Г. А. «Тезисы 2-й Всесоюзной конференции по химии тверцого тела». Свердловск, Уральский государственный университет, 1978, с. 244 — 245.
  28. В.В., Мустафаев Г. А., Малицкий Е. Е. «Тезисы 3-го Всесоюзного совещания по ферритам». Иваново-Франковск, Черновицкий государственный университет, 1978, с. 18.
  29. Г. А., Горбачев ВВ. Мустафаев Г. А. «Проблемы нестехиометрии и фазовые переходы в полупроводниковых соединениях». М. «Металлургия». 1979 (МИСиС. Сб. № 139), с. 21 — 25.
  30. Горбачев В. В «Тезисы 2-й Всесоюзной конференции по химии твердого тела». Свердловск. Уральский государственный университет, 1978, с. 109.
  31. В., Ogovelec Z. «J. Phys. Chem. Sol.», 1966, v. 27, № 3, p. 957 -960.
  32. Т., Mijalani S. «J. Phys. Soc. Japan», 1977, v. 42, № 1, p. 159 -167.
  33. K. «Ber. Runsenges Phys. Chem.», 1969, v. 73, p. 338 — 344.
  34. F., Luguet H., Bougnot J., Saveili M. «J. Phys. Chem. Sol.», 1975, v. 36, № 5, p. 621 -622.
  35. N. «Japan J. Appl. Phys.», 1969.V. 8, № 4, p. 450 — 462.
  36. В.Ф., Горбачев В.В. В кн.: Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. М., «Наука», 1979, с. 32 — 39.
  37. О.П., Лобанков В. В., Сгибнев И. В., Сурков Б. М. ТВТ, 1972, № 3, с. 654−655.
  38. О.П., Иванова А.Б, -«Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1974. т. 10. № з, с. 546 547.
  39. О.П., Голышев В. Д., Сгибнев И. В. -«Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1973, т. 9, № 5, с. 841 842.
  40. J., Guastavino F., Luquer H., Sodini D. «Phys. Slat. Sol.», 1971, v. 8, № 5, p. 93 -95.
  41. О.П. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975, т. 11, № 8, с. 1506- 1507.
  42. V.V., Putilin I.M. «Phys. Stat Sol.», 1973, v. 16, № 2, p. 553 -559.
  43. B.B., Спицына Л. Г. Физика полупроводников и металлов. М., «Металлургия», 1976, 368 с. с ил.
  44. В.В., Мустафаев Г. А., Квасков В. Б. и др., — «Тезисы 5-го Всесоюзного совещания по росту и легированию полупроводников».
  45. Новосибирск, Новосибирский государственный университет, 1978, с. 27.
  46. О.П., Голышев В. Д. — «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1974, т. 10, № 9, с. 1614 -1618.
  47. В., Ogorelec Z., Ambrozic Z. «Phys. Slate Sol.», 1972, v. 10, № 2, p.359- 364.
  48. Т., Yamamoto O. «J. Electrochem. Soc.», 1972, v. 119, № 2, p. 1735−1740.
  49. Y., Migatani S. «J. Phys. Soc. Japan», 1973, v. 35, № 1, p. 312.
  50. В., Ogovelec Z. «J. Phys. Sol.», 1971, v. 32, № 7, p. 1449 — 1454.
  51. M.H.- «J. Phys. Chem.», 1952, v. 20, № 1, p. 185 190.
  52. K., Wagner C.J. «J. Eleclrochem. Soc», 1957, v. 107, № 1. p. 379 — 384.
  53. S. «J. Phys. Soc. Japan», 1968, v. 24, № 2, p. 328 — 336.
  54. В.В. «Проблемы нестехиометрии и фазовые переходы в полупроводниковых соединениях» М., «Металлургия», 1979 (МИСиС Сб. № 139), с.8−13.
  55. R., Mahenc J. «С. R. Acad. Sci.», 1970, v. 270, № 13, p. 1141 -1143.
  56. A.H. Георгобиани, В. И. Стеблин, ФТП, 1, 968,1967.
  57. L.Eisenmann, Ann.Phys., Paris, 10, 129,1952.
  58. A.C. Бурханов, Автореферат кандидатской диссертации, М., Институт стали и сплавов, 1969, с. 16.
  59. В.И. Фистуль, Сильно легированные полупроводники, М., «Наука», 1967, с. 57−63.
  60. Kong-Sop Song, J.Phys.Chem.Sol., 28, 2003,1967, р.53−55.
  61. О.П., Лобанков В. В., Сгибнев И. В., Сурков Б. М. ТВТ, 1972, № 3,с. 654−655.
  62. В.М., Манюкова Л. Г., Палатник Л. С., Гальничецкий Л. П. -«Изв. АН СССР. Неорганические материалы»., 1967., т. 2., № 6., с. 1138 -1142.
  63. S., Gaign М., Palz W. «Phys. Stat. Sol.», 19 v. 2, № 1, p. 9 -11.
  64. Kerimov K.G., Musaev A.M., Aliev F.Yu. a. o. «Phys. Stat. Sol.», 1971, v. 5, № 3, p. 191−193.
  65. Guastavino F., Luquer П., Bouguot .J., Savelti M. Inter. Conf. on Photovelt. Powder Generation, Hamburg, 1974, p. 269 274.
  66. О.П., Лобанков В.В. TBT, 1972, т. 10, № 4, с. 905−906.
  67. Г. П., Идричан Г. З. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1975, т. 11, № 2, с. 351−352.
  68. Das T.R., Hahn E.L. Nuclear quadrupole resonance spectroscopy. solid state physics 1. Academic press, inc. publishers. New York, London, 1958, p.83−91.
  69. B.C. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах.-М., 1973, с. 264.
  70. Herzog В., Hahn E.L. Transient Nuclear Induction and Double Nuclear Resonance in Solids. Phys.Rev., 1956, v.103, № 1, p. 148−166.
  71. Herzog В., Hahn E.L. Free Magnetic Induction in Nuclear Quadrupole Resonance. Phys.Rev., 1955, v.97, № 6, p. 1699−1709.
  72. А. Ядерная индукция. -M., ИЛ, 1963, c.684.72. http://sine.ni.eom/nips/cds/view/p/lang/en/nid/14 124
  73. Суранов А.Я. LabVIEW 7: справочник по функциям, ДМК, 2005, с. 12.
  74. Физика твердого тела: лабораторный практикум/ под ред. А. Ф. Хохлова. -М.-«Высшая школа», 2001., с. 229−230.
  75. Квантовая радиофизика: Учеб. пособие / Под ред. В. И. Чижика. -СПб.: Издательство С.-Петербургского университета, 2004., с. 446−447.
  76. JI.B., Марфунин А. С. Электронный парамагнитный резонанс в минералах. Итоги науки, сер. геохимии, минер., нетрографии, 1, 1963, Изд-во АН СССР, М., 1965.
  77. А.С. Ядерный магнитный и ядерный квадрупольный резонанс. Итоги науки, сер. геохимии, минер., нетрографии, 2, 19 631 964, Изд-во АН СССР, М., 1965.
  78. А.С. Проблема физики минералов. Изв. АН СССР, сер. геол. № 4,1965.
  79. Djurle С. An X-Ray study of the system Cu-S. Acta Chem. Scand., 1958, v.12, № 7, p. 1415−1426.
  80. И.Ф. Габлина. Сульфиды халькозинового ряда из месторождений медистых песчаников//Минералы и парагенезисы минералов, Зап. Всес. Мин. Общ., 1984, ч. СХШ, вып.4, с.430−443.
  81. Roseboom Е.Н. Djurleite, Cu1>96S, a new mineral. Amer. Miner., 1962, v.47, p. l 181−1186.
  82. Berry L.G., Thompson R.H. X-ray powder data for ore minerals: the Peacock At-las. Geol.Soc.Am.Mem., 1962, v.85, p. 389.
  83. Спектры ЯКР Си и электропроводность в соединениях Cu2. ySI Сафонов А. Н., Погорельцев А. И., Матухин В. Л., Габлина И.Ф.// Изв. ВУЗов «Проблемы энергетики», 2006, т. 1−2, с. 100−102.
  84. Evans Н.Т. Jurleite and low chalcocite. New structural studies. Science, 1979a, v.203, № 4378, p.356−358.
  85. Evans H.T. Structure of low chalcocite. Natur. Phys. Science, 1971, v.232, № 1, p.69−70.
  86. Evans H.T. The crystal structure of chalcocite and jurleite. Zs. Krist., 1979b, Bd 150, H.1, S.299−320.
  87. Kupcik V. Uber das anomale Verhalten des Kupfers in den Sulfosalzen. -Fortsch. Miner, 1972, Bd. 50, H. 1, S. 55−56.
  88. Wuensch B. J, Buerger M. J. The crystal structure of chalcocite, CU2S. -Miner Soc. Am, Spec. Paper 1,1963, p. 164—170.
  89. Otteman J., Frenzel C. Neue microsonden untersuchungen Idait, kovellin und blaubleibendem kovellin//Neues Jahrb. Miner. Monatsh, 1971, H. 2, S. 80−89.
  90. Особенности температурной завистимости частот ЯКР 63Си в соединениях См1+х5УСафонов А.Н., Погорельцев А. И., Пеньков И. Н., Матухин B.JI.// Изв. ВУЗов «Проблемы энергетики», 2005, т.5−6, с. 106 108.
  91. Р. С, Кальчев В. П., Пеньков И. И. ЯКР 63'65Си в ковеллине, CuS //Докл. АН СССР, 1987, т. 294, № 6, с. 1439−1441.
  92. Dehmelt, Н. Kruger, Z. f. Phys., 1951, v.129, p.401.
  93. H. Bayer, Z. f. Phys., 1951,130,227.
  94. H. D. Stidham, J. Chem. Phys., 1968, v.49, p.2041.
  95. Ч. Сликтер, Основы теории магнитного резонанса, «Мир», 1967, с. 219.
  96. В. С. Гречишкин, Н. Е. Айнбиндер, Изв. вузов, «Радиофизика»., 1963, т.6, № 4, с. 729.
  97. В. С. Гречишкин, Ядерные квадроупольные взаимодействия в твердых телах «Наука», 1973, с. 164.
  98. Р.Т.Шуй, Полупроводниковые рудные минералы. Д.: Недра, 1979, с. 279.
  99. Ohmasa М., Suzuki М., Takeuchi Y. A refinement of the crystal structure of covelline, CuS // Miner. J. (Japan), 1974, v. 8, p. 311−319.
  100. Низкотемпературный структурный переход в полупроводнике CuSI Сафонов А. Н., Погорельцев А. И., Пеньков И. Н., Матухин B. JL, Шульгин Д.А.// Изв. ВУЗов «Проблемы энергетики», 2005, т.7−8, с. 100 103.
  101. H.Fjlevang, F. Granvold and S.Stolen. Low-temperature structural distortion in CuS// Zeitschriffc fur Kristallographie, 1988, v. 184, p. 111−121.
  102. А. Ядерный магнетизм . M.: Изд-во иностр. лит., 1963, с. 551.
  103. Van Kranendonk K.I. The theory of the nuclear quadrupole spinlattice relaxation. -Physica, 1954, vol. 20, № 3, p. 781−797.
  104. Meissner W. Messungen mit Hilfe von flussigem Helium. V. Supraleitfahigkeit yon Kupfersulfid.-Z. Phys,.1929, 58, H.7−8, 570−572.
  105. Okamoto K, Kawai S, Kiriyama R. Electrical and magnetic properties of Cu3Se2 and some related compounds, Japan J. Appl. Phys, 1969, № 8, p. 718−724.
  106. Гантмахер В. Ф, Электроны в неупорядоченных средах, -М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003, с. 176.
  107. Сафонов А. Н, Погорельцев А. И, Матухин В. Л, Габлина И. Ф, Спектры ЖР Си и электропроводность в соединениях C^-xSII Изв. ВУЗов «Проблемы энергетики», 2006, т. 1−2, с. 100−102.
  108. В.В. Электронно-ионные процессы в полупроводниковых соединениях A2'Bvi и пути управления физическими свойствами на их основе. Дис. докт. физ.наук.М.: МИСиС, 1985, с.8−14.
  109. В.В. Модель энергетического рельефа и природа физических свойств в халькогенидах меди и серебра, «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1992, т. 28, № 12, с. 2310 2316.
  110. А.Н. Спектры ЖР Си и электропроводность в соединениях Cuj.JSHz б. тезисов международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученных по фундаментальным наукам «Ломоносов-2006″, Москва, 2006, т.2, с. 169−170.
  111. Bouguot J, Guastavino F, Luquer H, Sodini D. „Mat. Res. Bull.“, 1970, v. 5, № 9, p. 763 -768.
  112. Горбачев В. В, Охотин А. С. Физические свойства некоторых материалов, иопользуемых в полупроводниковой электронике», М, МИСиС, 1975, 208 с.
  113. Глазов В. М, Бурханов А. С, Грабчак И. И. Халькогениды меди и серебра, М, ЦНИИЭ, 1977, 66 с. с ил.
  114. В.М., Пашинкин А.С, Бурханов А. С. «Изв. АН СССР. Неорганические материалы», 1979, т. 15, № 2, с. 205 — 208.
  115. В.М., Бурханов А. С. ФТП, 1973, т. 7, № 7, с. 1401 — 1405.
  116. А.Р. «Теория и процессы в полупроводниках и металлах». М. Изд -во АН СССР, 1955. с. 12 — 21.
  117. Т.А., Апанович В. Н., Великанов А. А., Эйчис Б. А. -«Изв. вуз. Цветная металлургия», 1974. № 4. с. 382 384.
  118. А.В., Куликова И. М. ФТТ., 1977., т. 19, № 8. с. 1397 -1400.
  119. R., Mannoni М., Mahenc J. «Rev.Chim. Miner.», 1972, v. 9, № 1, p. 357−364.
  120. Горбачев В. В «Тезисы доклада на 8-м Всесоюзном совещании по спектроскопии», Свердловск, Уральский государственный университет, 1975, с. 94.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!