Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Диссертация: Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Успехи физики твердого тела и физического материаловедения в значительной мере связаны с успехами в наших представлениях о природе, атомной структуре дефектов. Однако, и в настоящее время многие детали, касающиеся взаимодействия примесей и дефектов при низких температурах и в условиях неравновесности, остаются неясными. Связано это с многообразием типов дефектов и возможных вариантов… Читать ещё >

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. СОБСТВЕННЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ И ПРИМЕСИ В
  • РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ (обзор литературы)
    • 1. 1. Собственные дефекты кристаллической решетки кремния
    • 1. 2. Атомы легирующих и фоновых примесей в решетке кремния
    • 1. 3. Взаимодействие собственных дефектов кристаллической решетки с примесями при облучении и отжиге
    • 1. 4. Пассивация примесей и дефектов в кремнии атомарным водородом
  • Глава II. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И
  • ОБРАБОТКИ РЕЗУЛЬТАТОВ
    • 2. 1. Измерение спектров ИК-поглощения на примесях и дефектах в кремнии
    • 2. 2. Определение концентрации и подвижности свободных носителей заряда (методом эффекта Холла и электропроводности)

    § 2.3. Определение концентрации ионизованных примесей из измерений вольт-фарадных характеристик и параметров центров с глубокими уровнями методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней.

    § 2.4. Измерение температурной зависимости проводимости и вольт-амперных характеристик структур при криогенных температурах.

    § 2.5. Измерения спектральных зависимостей фотопроводимости.

    § 2.6. Приготовление образцов, облучения, термообработки.

    Глава III. ИЗМЕНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ АТОМОВ ФОСФОРА И БОРА В РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ И

    ПОСЛЕДУЮЩИХ ТЕРМИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.

    § 3.1. Трансформация примеси фосфора в кремнии при радиационных воздействиях.

    § 3.2. Восстановление концентрации атомов фосфора в узлах решетки кремния при термообработках после облучения.

    § 3.3. Радиационно-контролируемые изменения системы кремнийлегирующая примесь (В8, Р8) в зависимости от температуры.

    Глава IV. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С БЛОКИРОВАННОЙ ПРЫЖКОВОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ (В1 В (Н)-структур) ПРИ ПАССИВАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ АТОМАРНЫМ ВОДОРОДОМ.

    § 4.1. Влияние водорода на прыжковую проводимость слоев кремния, сильнолегированных бором.

    § 4.2. Исследование характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на полученных пассивацией атомов галлия атомарным водородом.

    § 4.3. Влияние электронного облучения и термических воздействий на электрофизические характеристики В1 В (Н)структур.

Повышение степени интеграции ИС с одновременным увеличением площади кристалла, увеличение быстродействия и снижение энергоемкости приводит к ужесточению требований к качеству кремниевых пластин, диктует поиск новых технологий в микрои наноэлектронике. Многие свойства полупроводников зависят от того, в какой степени реальные твердые тела отклоняются от «идеальных» структур.

Введение

примесей и радиационных дефектов определяют физические свойства кремния, позволяет управлять параметрами полупроводниковых приборов и широко используется в современной микроэлектронике [1]. В то же время дефекты могут играть и отрицательную роль, ухудшая параметры пп приборов. Неконтролируемые примеси кислорода, углерода, водорода и другие, присутствующие в исходных кристаллах или вносимые в ходе технологических обработок в процессе производства полупроводниковых приборов, оказывают решающее влияние на их характеристики и, соответственно, процент выхода годных изделий. Поэтому изучение природы и свойств дефектов является одним из основных направлений современной физики полупроводников.

Каждое воздействие определяет новое равновесное состояние кристалла, которое достигается через взаимодействие дефектов [2]. В приборных структурах электрическая активность дефектов определяется: типом дефекта, взаимодействием друг с другом и с примесями, расположением дефекта по отношению к активным областям прибора, особенностям технологического процесса изготовления прибора. Однако, большинство дефектов, созданных внешним воздействием, термически неустойчиво, а состояние системы в этом случае является неравновесным [3].

Изучение процессов восстановления равновесного состояния в полупроводниках, которое имеет место при термической диссоциации (отжиге) нарушений, дает важные результаты для физики реальных кристаллов. Особый научный и практический интерес при этом представляет изучение релаксационных процессов в исходно неравновесных кристаллах и структурах при генерации точечных дефектов и ионизации в условиях низких температур, в частности, образование междоузельного компонента легирующей примеси. Предполагая, что взаимодействие собственных междоузельных атомов с примесями является следствием неравновесности системы кристалл-примесь в условиях облучения [4], следует ожидать протекание этой реакции при радиационных обработках в кристаллах кремния с концентрацией примеси в узлах выше равновесной при температуре облучения.

Успехи физики твердого тела и физического материаловедения в значительной мере связаны с успехами в наших представлениях о природе, атомной структуре дефектов. Однако, и в настоящее время многие детали, касающиеся взаимодействия примесей и дефектов при низких температурах и в условиях неравновесности, остаются неясными. Связано это с многообразием типов дефектов и возможных вариантов их взаимодействия между собой и с примесями [3]. Эффективным методом исследования дефектов в твердых телах является внедрение атомарного водорода в кремний и изучение процессов его взаимодействия с примесями и дефектами [5]. Водород обладает высокой подвижностью и химической активностью при низких температурах, может встраиваться в кристаллическую решетку в окрестности мелких доноров и акцепторов, комплексов точечных дефектов, изменяя их электрические свойства. Управление электрофизическими параметрами кремния и структур на его основе путем введения атомарного водорода имеет большое значение, обусловленное практическими задачами технологии изготовления полупроводниковых приборов. Из вышесказанного следует, что исследования природы примесных и дефектных центров (в частности, изучение поведения примесей с мелкими уровнями), процессов их взаимодействия и влияния на свойства кристаллического кремния продолжают оставаться актуальными.

В настоящей работе исследовано взаимодействие радиационных дефектов и водорода с легирующими примесями в кремнии в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и дефектов в кристаллах.

Цель и задачи работы. Целью настоящей диссертационной работы являются исследования радиационных процессов и процессов взаимодействия с атомарным водородом в системе кремний — легирующая примесь с различным пересыщением, определяемым концентрацией примеси и температурой.

Для достижения указанной цели были поставлены и решались следующие задачи:

1. провести исследование методом ИК-спектроскопии изменения концентрации фосфора в замещающем положении в кремнии с различным содержанием кислорода и углерода при облучении электронами и последующих отжигах;

2. исследовать методом ИК-спектроскопии изменение концентрации фосфора (Р8) и бора (В5) в узлах решетки кремния при облучении электронами в температурном интервале 20−700 °С;

3. изучить влияние гидрогенизации на прыжковую проводимость по примесной зоне в сильнолегированных слоях кремния р-типа;

4. получить гидрогенизацией структуры с блокированной прыжковой проводимостью на сильнолегированном р-8КОа> и провести экспериментальные исследования их электрофизических и фотоэлектрических характеристик.

Научная новизна работы: 1. На основе совместных измерений концентрации атомов фосфора в узлах методом ИК-спектроскопии, радиационных дефектов методом БЬТБ, свободных электронов экспериментально установлено, что убыль фосфора в узлах превышает концентрацию образующихся известных вакансионных дефектов с фосфором. Это свидетельствует о наличии взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния.

2. Определено влияние концентрации фоновых примесей кислорода и углерода в кремнии на изменение концентрации фосфора в узлах при электронном облучении. Обосновано существование реакции взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния, в частности, вытеснение их в междоузельное положение.

3. Показано, что зависимость изменения концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния от температуры облучения в диапазоне имеет нарастающие и спадающие участки. Полученные результаты интерпретированы исходя из наличия двух процессов: 1) вытеснения примеси из узла в междоузельное положение собственными междоузельными атомами и появления междоузельных комплексов, содержащих легирующую примесь- 2) растворения междоузельной примеси в вакансиях (радиационных и термических).

4. Определена область термической устойчивости радиационно-введенных комплексов в кремнии, в состав которых входят атомы фосфора. Установлено, что восстановление атомов фосфора в узлах связано с областями температур, где отжигаются основные вакансионные дефекты (А-центры, Е-центры, дивакансии).

5. Обнаружено, что гидрогенизация имплантированных слоев кремния р-типа приводит к подавлению прыжковой проводимости по примесной зоне.

6. Предложен и обоснован метод получения блокирующих слоев для фоточувствительных В1 В (Н) — структур путем пассивации мелкой акцепторной примеси атомарным водородом.

Практическая значимость работы:

• Полученные экспериментальные данные о взаимодействии атомов легирующих примесей с радиационными дефектами в кремнии с различным содержанием кислорода и углерода при облучении в широком диапазоне температур имеют практическое значение при прогнозировании радиационной стойкости кремния и полупроводниковых приборов.

• Полученные данные о возможности блокирования прыжковой проводимости по примесной зоне с помощью гидрогенизации кремния р-типа были применены для создания радиационно стойких фоточувствительных линеек ИК-излучения на основе В1 В (Н)-структур.

Результаты исследований были переданы для использования предприятиям электронной промышленности.

Положения и основные результаты, выносимые на защиту:

1. При облучении кристаллов кремния с концентрацией донорной и акцепторной примеси, превышающей растворимость при данной температуре, происходит распад раствора примеси в кристаллах с образованием междоузельных дефектов, включающих примесь. В данном рассмотрении реакция Уоткинса является начальной стадией распада пересыщенных растворов примеси.

2. Увеличение мощности междоузельных стоков в кремнии (концентрации углерода), увеличение концентрации свободных вакансий при росте температуры облучения и отжига определяют стационарную концентрацию междоузельного компонента примеси.

3. Гидрогенизация сильно легированного кремния приводит к пассивации акцепторной примеси атомарным водородом и формированию слоев с толщиной, определяемой диффузией и захватом водорода на примесь. Установлено блокирование прыжковой проводимости по примесной зоне гидрогенизированными слоями кремния.

4. На основе блокирования прыжковой проводимости по примесной зоне гидрогенизированными слоями получены фоточувствительные В1 В (Н)-структуры.

Структура и объем диссертации

Диссертация изложена на 133 страницах: состоит из введения, 4-х глав, выводов и заключения. Работа.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Болотов В. В., Камаев Г. Н., Смирнов JI.C. ИК-спектрометрические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в Si при облучении электронами.- ФТП, 1988, т.22, в.2, с.210−214.

2. Ахметов В. Д., Болотов В. В., Камаев Г. Н., Смирнов JI.C. Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами.- ФТП, 1990, т.24, в.1, с.72−76.

3. Ахметов В. Д., Болотов В. В., Камаев Г. Н., Смирнов JI.C. ИК-спектрометрические исследования перестроек примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературном облучении электронами.-Радиационная физика полупроводников и родственных материалов (тезисы докладов всесоюзной конференции, Ташкент, 30 октября-1 ноября 1984 г.).

4. Akhmetov V.D., Bolotov V.V., Kamaev G.N., Smirnov L.S. The removal kinetics of Boron and Phosphorus atoms from Substitutional Site in Si caused by interaction with radiation defects. -Mat.Sci.Forum., 1989, v.38−41, p.1239−1243.

5. Болотов B. B, Камаев Г. Н., СмирновЛ.С. Изменение узлового состояния атомов фосфора в кремнии при облучении электронами.- Третья республиканская школа-конференция молодых ученых «Актуальные проблемы физики полупроводников»: Тезисы докладов, Киев, 1989 г.

6. Болотов В. В., Камаев Г. Н., Феофанов Г. Н., Эмексузян В. М. Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния легированного галлием.- ФТП, 1990, т.24, в. 10, с. 1697−1704.

7. Болотов В. В., Камаев Г. Н., Карпов А. В., Феофанов Т. Н., Эмексузян В. М. Фоточувствительные элементы на BIB-структурах, полученные пассивацией легирующей примеси водородом.- В сб.:Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Тезисы докладов II научной конференции (Ашхабад, 23−25 октября 1991 г.) — Ашхабад: Ылым, с. 263.

8. А/с N 1 649 974 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В. В., Камаев Г. Н., Эмексузян В.М.- Опубл. В Б.И., 1997 г., № 14.

9. А/с N 1 649 975 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В. В., Камаев Г. Н., Эмексузян В.М.- Опубл. В Б.И., 1997 г., № 14.

10. Эмексузян В. М., Смирнова В. В., Г. Н. Камаев Г. Н., Болотов В. В. Влияние гидрогенизации на прыжковую проводимость в слоях легированного бором кремния.- Тез. докл. 1 Рос. конф. по физике полупроводников, Нижн. Новгород, 1993, с. 337.

11. Болотов В. В., Камаев Г. Н., Феофанов Г. Н., Эмексузян В. М. Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием.- В сб.: Полупроводники. Новосибирск: ВО «Наука», Сибирская издательская фирма, 1993, с.12−13.

12. Эмексузян В. М., Камаев Г. Н., Феофанов Г. Н., Болотов В. В. Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода. -ФТП, 1997, т.31, в. З, с.311−317.

Общее число публикаций: 18.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе исследовано взаимодействие радиационных дефектов и водорода с легирующими примесями в кремнии в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и дефектов в кристаллах. Методом ИК-спектроскопии исследовано изменение концентрации атомов фосфора (Р,) и бора (В8) в узлах решетки кремния при облучении электронами в температурном интервале 20−700 °С. Изучено влияние гидрогенизации на прыжковую проводимость по примесной зоне в сильно легированных слоях кремния р-типа.

Установлено существование реакции взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния, в частности вытеснение их в междоузельное положение с образованием комплексов дефектов. Показано, что гидрогенизация имплантированных слоев кремния р-типа приводит к подавлению прыжковой проводимости по примесной зоне, что позволило предложить и обосновать способ создания В1 В (Н) — структур с высокоомными блокирующими слоями путем пассивации примеси галлия атомарным водородом.

Ф ф Ф Ф Ф «1. Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф.

Ф ф Ф ^ ^ Ф ^ Ф Ф ф Ф ф ф Ф Ф Ф Ф Ф.

Представленная работа выполнялась в лаборатории № 23 «Радиационная стойкость полупроводников и полупроводниковых приборов» ИФП СО РАН и физики полупроводниковых структур ИСМЭ СО РАН под руководством зав.лаб., д.ф.-м.н. Болотова В.В.

В.В.Болотов, являющийся основным соавтором работ, осуществлял руководство работой на всех этапах ее выполнения: при выборе тематики, постановке задачи, поиске путей решения, анализе полученых результатов и оформлении публикаций, за что автор ему глубоко признателен.

Особую благодарность автор выражает профессору Л. С. Смирновуруководителю Новосибирской научной школы радиационной физики полупроводников, за идейный вклад в работу, за постоянный интерес к работе и полезные дискуссии.

В работе по теме диссертации принимали участие сотрудники лаборатории № 23. Их вклад состоял в следующем.

ИК-измерения и измерения эффекта Холла на кремнии, легированном бором, выполнены совместно с Ахметовым В. Д. Он принимал участие в обсуждении результатов и подготовке публикации по высокотемпературному облучению кремния, легированного бором и фосфором, является соавтором публикации.

Цикл исследований по получению и исследованию характеристик кремниевых структур с блокированной прыжковой проводимостью при пассивации легирующей примеси атомарным водородом выполнен совместно с В. М. Эмексузяном, Г. Н. Феофановым, В. В. Смирновой. В. М. Эмексузян принимал активное участие в измерениях фотоэлектрических характеристик В1 В (Н)-структур, в проведении измерений профилей концентрации мелких и глубоких уровней в них емкостными методами, обсуждении полученных результатов, является соавтором публикаций. Модельные расчеты экспериментальных ВАХ В1 В (Н)-структур проведены совместно с Г. Н. Феофановым, который является соавтором соответствующих публикаций. В измерениях температурной зависимости проводимости сильнолегированных бором слоев кремния принимала участие В. В. Смирнова, которая является соавтором публикации.

Плазменные обработки р-кремния и технологические процессы при создании ВЮ-(структур) выполнены при содействии С. Н. Клемина и Н. В. Смирновой.

Автор искренне благодарен всем соавторам и коллегам за участие в работе.

Автор выражает глубокую признательность А. М. Романовой, Р. Р. Севостьяненко, Н. И. Сумченко, С. В. Бородиной, И. В. Ивановой, О. И. Камаевой за химические обработки образцов, за техническую помощь при оформлении экспериментальных результатов, публикаций, диссертационной работы.

Автор благодарит весь коллектив лаб.№№ 10,23 ИФП СО РАН за творческую атмосферу, полезные рабочие дискуссии, консультации.

Апробация работы и публикации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Вопросы радиационной технологии полупроводников/ Под ред. Смирнова Л. С. Новосибирск: Наука, 1980, 296с.
  2. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур.-М.:Радио и связь, 1982.-240с.
  3. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков,— М.: Металлургия,-1988., с. 574.
  4. Л.С., Болотов В. В., Васильев А. В. Роль неравновесности кристаллов полупроводников при радиационных обработках.- ФТП, 1979, т. 13, в.7, с. 14 431 445.
  5. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности.-М.: Наука, 216с.
  6. .И., Бахардыханов М.К, Городецкий С. М., Куликов Г. С. Компенсированный кремний.-Л.: Наука, 1972.- 124с.
  7. Я.И. Введение в теорию металлов.- Изд. 2-е. М.-Л.: Гос. изд. техн.-теор. литер., 1950.- 384с.
  8. Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках.- М.: Металлургия, 1968.- 371с.
  9. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках.- Л.: Наука, Ленингр.отд., 1972.- 384с.
  10. C.B., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействия дефектов в полупроводниках.- М.: Наука, Физматлит, 1977.- 352с.
  11. B.C., Кив А.Е., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках.- М.: Наука, 1981.- 368с.
  12. Физические процессы в облученных полупроводниках Под ред. Л. С. Смирнова.- Новосибирск: Наука, 1977.- 256с.
  13. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981.- 248с.
  14. Емцев В. В, Машовец Т. В., Михнович В. В. Пары Френкеля в германии и кремнии.- ФТП, 1992, т.26, в.1, с.22−44.
  15. Corbett J.W., Bourgoin J.C., Cheng L.J. The status of defect studies in silicon.-In: Radiation Effects in Semiconductors, Conf. Ser., N31, Inst, of Phys. London -Bristol, 1977, p. 1−11.
  16. A.H., Мизрухин JI.B., Осташко Н. И., Шаховцов В. И. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности.- ФТП, 1988, т.22, в.2, с.215−218.
  17. А.Н., Мизрухин JI.B., Осташко Н. И., Шаховцов В. И. Эффективность образования дефектов в n-Si при облучении электронами с энергией 1МэВ.- ФТП, 1985, т.19, в.12, с.2202−2204.
  18. Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках.- В кн.: Точечные дефекты в полупроводниках. Серия НФТТ, вып.9.- М.: Мир, 1979. с.9−162.
  19. Г. Х., Пиз P.C. Смещение атомов твердых тел под действием излучения.- Успехи физ. наук, 1956, т.60, в.4, с.590−615.
  20. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.- М.: Атомиздат, 1969. 310с.
  21. P.M., Борисенко В. Е., Коновалов Д. А., Хайбуллин И. Б., Юдин С. Г. Распад пересыщенного раствора фосфора в кремнии при секундной термообработке.- ФТП, 1987
  22. Gwozdz P. S., Kochler J.S. Changes in AC conductivity of silicon with electron irradiated at 0,5 K.- Phys.Rev. В., 1972, v.6, N.12, p.4571−4574.
  23. Watkins G.D. A review of EPR studies in irradiated silicon.- In: Effects des Rayonnement sur les Semiconducteurs.- Paris: Dunod, 1965, p.97−111.
  24. Watkins G.D., Troxell J.R., Chatterjee A.P. Vacancies and interstitials in silicon.-In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors. -1978, Conf. Ser., N46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979, p.16−30.
  25. Bourgoin J.С., Corbett J.W. Enhanced diffusion mechanisms.- Rad. Eff., 1978, v.36, p.157−188.
  26. A.H., Мизрухин JI.B., Осташко Н. И., Шаховцов В. И. Время жизни первичных радиационных дефектов в кремнии.- ЖТФ, 1988, т.58, в.6, с.1180−1181.
  27. Bourgoin J.C., Corbett J.W. A new mechanism for interstitial migration.- Phys. Lett., 1972, v.38A, N2, p.135−137.
  28. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low-temperature damage processes in silicon. -In: Lattice defects in semiconductors. Conf. 1974. Institute of Physics. London-Bristol, 1975. p. 1−22
  29. M., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория.- М.: Мир, 1984.- 302с.
  30. Seeger A., Foil Н., Frank W. Selfs-interstitials, vacancies and their clusters in silicon and germanium.- In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors. -1978, Conf. Ser., N31, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979, p.12−27.
  31. B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.- М.: Наука, 1967.- 378с.
  32. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов.- М.: Металлургия, 1977. -240с.
  33. С.В., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках.- М.: Наука. Физматлит, 1997.- 352с.
  34. Р. Полупроводники.- М.: Мир, 1982.- 560с.
  35. Kohn W. Shallow impurity states in silicon and germanium.- Sol. St. Phys., 1957, v.5, p.257−320.
  36. A.M. Теория дефектов в твердых телах.- М.: Мир, т.2, 1978, — 358с.
  37. Morin F.J., Maita J.P., Shulman R.G., Hanney N.B. Impurity levels in silicon. -Phys. Rev., 1954, v.96, N.3, p.833.
  38. Дж. Электронная структура доноров в кремнии, определенная с помощью метода двойного электронно-ядерного резонанса.- В кн.: Электронный спиновой резонанс в полупроводниках. -М.: ИЛ, 1962, — с. 13−97.
  39. Pajot В., Kauppinen J., Antilla R. High resolution study of the group V impurities absorption in silicon.- Sol. St. Comm., v.31, 759−763.
  40. Cerofolini G.F., Bez R. Neutral and ionized states of group III acceptors in silicon.- J.Appl.Phys., 1987, v.61, N.4, p.1435−1441.
  41. ., Ланно M. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты.- М.: Мир, 1984. -304с.
  42. В.П., Городкин В. А. Изменение электрической активности примеси фосфора в диффузионной зоне кремния при термических обработках.-ФТП, 1983, т.25, в.7, с.614−616.
  43. Schwenker R.O., Pan E.S., Lever R.F. Arsenic clastering in silicon. -J.Appl.Phys., 1971, v.42, N.8, p.3195−3200.
  44. Joshi M.L., Dash S. Precipitation of phosphorus, arsenic, and boron in thin silicon foils. -IBM Journal, 1967, N.5, 271−283.
  45. Jaccordine R.J. Precipitation formed by high-concentration phosphorus diffusion in silicon.- J.Appl.Phys., 1968, v.39, N.7, 3105−3108.
  46. Технология СБИС: В 2-х ккигах. Кн.1 / Под ред. С.Зи.- М.: Мир, 1986.- 404с.
  47. Г. З., Пекарев А. И., Чистяков Ю. Д. Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов.- Зарубежная электронная техника, 1981 вып11(245), с.3−63.
  48. Fuller C.S., Logan R.A. Effects of heat treatment upon the electrical properties of silicon crystals. -J.Appl.Phys., 1957, v.28, N.12, pl427−1436.
  49. Н.И., Воробьев В. Л., Совершенствование технологии получения монокристаллов кремния для микроэлектроники.- Электр, пром-ть, 1990, N.8, с.59−61.
  50. Kolbesen В.О., Muhlbaur A. Carbon in silicon: properties and impaction devices. -Sol. St. Electr, 1982, v.25, N.8, p.759−777.
  51. О.А., Ильин М. А., Воронина Г. П., Насупкина JI.B. Влияние атмосферы выращивания на содержание углерода в монокристаллах кремния, полученных методом Чохральского. -Цветные металлы, 1982, N.9. с.62−64.
  52. Kishino S., Matsushita J., Kanamori M., Suzuki F. Thermally induced microdefects in Czochralski-grown silicon nucleation and grows behaviour. -JapJ.Appl.Phys., part 1, 1982, v.21, N. l, p. 1−12.
  53. Cehrlein G. G, Lindstrom J.L., Corbett J.W. Carbon-oxygen complexes as nuclei for the precipitation of oxygen in Czochralski silicon. -Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, N.3,p.241−243.
  54. Beam A.R., Newman R.C. The effect of carbon on thermal donor formation in heat treated pulled silicon crystals. -J.Phys.Chem.Solids, 1972, v.33, p.255−268.
  55. Series R.W., Barraclouch K.G., Carbon contamination during growth of Czochralski silicon.- J. Crystal Grows, 1982, v.60, N.2, p.212−218.
  56. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.- М.: Мир, 1977.- 562с.
  57. Н.Н., Двуреченский А. В., Панов В. И., Смирнов JT.C. О пороговой энергии образования радиационных дефектов в полупроводниках.-ФТП, 1971, т.5, в.8, с. 1644−1646.
  58. В. И. Смирнов Л.С. О роли коллективных процессов при образовании первичных радиационных дефектов в кремнии.- ФТП, 1971, т.5, в.1, с.212−215.
  59. Л.С., Стась В. Ф., Хайновская В. В. Роль дислокаций в процессе отжига облученного германия.- ФТП, 1971, т.5, в. 10, с. 1179−1184.
  60. Болотов В. В, Васильев А. В., Смирнов Л. С. О влиянии интенсивности облучения на процессы накопления радиационных дефектов в полупроводниках.- ФТП, 1973, т.7, в.11, с.2132−2136.
  61. Svensson B.G., Svensson J., Lindstrom J.L., Davies G., Corbett J.W. Generation of divacancies in doped silicon.- Appl.Phys.Lett., 1987, v.51, N.26, p. 2257−2259.
  62. Awadelkarim O.O. Divacancies production in irradiated n-type silicon.- Physica B+C, 1988, v.150, N.3, p. 312−318.
  63. Bean A.R., Newman R.C., Smith R.C. Electron irradiation damage in silicon containing carbon and oxygen.- J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31, N.4, p.739−751.
  64. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy. -Phys.Rev., 1965, v.138, N.2A, p.543−555.
  65. Corbett J.W., Watkins G.D. Production of divacancies and vacancies by electron irradiation of silicon.- Phys.Rev., 1965, v. 138, N.24, p. A555−560.
  66. Kimerling L.C. Defect studies in electron -bombarded silicon: Capacitance transient analyses.- Radiation effects in semiconductors, Conf. Ser. N.31-Bristol and London: The Institute of Physics, 1977, p.221−230.
  67. Mascher P., Dannefaer S., Kerr D. Positron annihilation in electron-irradiated silicon. -Mater. Sci. Forum, 1989, v.38−41, p. 1157−1162.
  68. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: EPR of the Si-A center.-Phys.Rev., 1961, v.21, N.4, p.1001−1014.
  69. Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenho R.M., Mc. Donall R.S. Defects in irradiated silicon. IR absorption of the Si-A center.- Phys. Rev., 1961, v. 121, N4, p. l 015−1022.
  70. Akhmetov V.D., Bolotov V.V., Dvurechensky A.V., Kashnikov B.P., Smirnov L.S., Tishkovsky E.G. Accumulation of defects in silicon at superhigh doses of electron irradiation.- Rad. Eff., 1980, N. l-2, p.33−40.
  71. B.B., Васильев A.B., Смирнов JI.C. Влияние концентрации акцепторной примеси на скорость введения комплекса вакансия-кислород в кремнии.- ФТП, 1976, т. 10, N.5, с. 1787−1788.
  72. В.Д., Болотов В. В. Кинетика накопления радиационных дефектов и аннигиляция вакансий и междоузлий в кремнии, содержащем углерод и бор ФТП, 1982, т. 16, N.7, с.1220−1223.
  73. Watkins G.D., Corbett J.W. Defect in irradiated silicon. EPR and ENDR of the Si-E center.- Phys.Rev., 1964, v.134, N.5A, p.1359−1377.
  74. Su Z., Husain A., Farmes J.W. Determination of oxygen in silicon by ratio of Acenter to E-center.- J. Appl. Phys., 1990, v. 67, N.4, p. 1903−1906.
  75. B.C., Исаев Н. У., Мукашев Б. Н., Спицын А. В. Влияние размера атомов донорной примеси на накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии n-типа.- В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, изд-во Белорусского ун-та, 1972, с. 15−17
  76. B.C., Уваров Е. Ф., Чукичев М. В. Зависимость скорости введения радиационных дефектов от концентрации фосфора в образцах кремния, облученных реакторными нейтронами. -ФТП, 1969, т. З, в.12, с.1838−1843.
  77. Kimerling L.C., De Angelis Н.М., Dilbold J.W. On the role of defect charge state in the stability of point defects in silicon. -Solid State Commun., 1975, v. 16, N. l, p.171−174.
  78. Watkins G.D. EPR of trapped vacancy in boron-doped silicon.- Phys.Rev. B, 1976, v.13, N.6, p.2511−2517.
  79. Bains S.K., Banlury P.C. A bistable defect in electron -irradiated boron-doped silicon.- J. Phys. C., 1985, v.18, p. L109-L116.
  80. В.И., Кучинский П. В., Ломако В. М. Дефектообразование в сильнолегированном кремнии при облучении .- ФТП, 1982, т. 16, в.1,с.93−97.
  81. Capizzi М., Mittiga A. Hydrogen in Si: Diffusion and shallow impurity deactivation.- PhysicaB, 1987, v.146, N. l, p.19−29.
  82. Singh V.A., Weigel C., Corbett J.W., Roth L.M. Vibrational and electronic structure of hydrogen -related defects in silicon calculated by the extended Huckel theory.- Phys.Stat.Sol.(b), 1977, v.81, N.2, p.637−646.
  83. Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors.-Appl.Phys. A, 1987, v.43, N.2, p.153−195.
  84. Corbett J.W., Sahu S.N., Shi T.S., L.C.Snyder. Phys.Lett., 1983, V.93A, N.6, p.303−305.
  85. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности.-М.: Наука, 216с.
  86. Stein H.J. Bonding and thermal stability of implanted hydrogen in silicon.-J.Elect.Mat, 1975, v.4, N. l, p. 159−174.
  87. Cardona M. Vibrational spectra of hydrogen in silicon and germanium.-Phys.Stat.Sol.(b), 1983, v. l 18, N.2, p.463−481.
  88. Mukashev B.N., Tamendarov M.F., Tokmoldin S.Zh., Frolov V.V. Hydrogen implantation into silicon.- Phys.Stat.Sol.(b), 1985, v.91, N.2, p.509−522.
  89. С.Ж. Пассивация атомарным водородом дефектов в кристаллическом кремнии.- Автореф.дисс.. .док.физ.-мат.наук.- Алматы, 1998.
  90. Pearton SJ. Electrical and optical effects of hydrogen in semicondutors.- Defect and Diffusion Forum, 1989, v.62/63, p. 1−26.
  91. Johnson N.M., Doland C., Ponce F., Walker J., Anderson G. Hydrogen in crystalline semiconductors. A review of experimental results.- Physica B, 1991, v.170, N. l, p.3−20.
  92. Picraux S. T, Vook F.L. Structure of hydrogen center in D-implanted Si.-Phys.Rev. B, 1978, v.18, N.5, p.2066−2077.
  93. Pankove J.I., Wance R. O, Berkeyheiser J.E. Neutralisation of acceptors in silicon by atomic hydrogen.- Appl.Phys.Lett., 1984, v.45, N.10, p. 1100−1102.
  94. Mikkelsen J.C. Atomic deuterium passivation on boron acceptor levels in silicon.-Appl.Phys.Lett., 1985, v.46, N.9, p.882−884.
  95. Pankove J.I., Magge C.W., Wance R.O. Hole-mediated chemisorption of atomic hydrogen in silicon.- Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, N.7, p.748−750.
  96. B.B., Спиридонов B.H., Эмексузян B.M. Влияние химической обработки на состояние золота в приповерхностных слоях кремния.-Поверхность. Физика, химия, механика, 1988, в.8, с.49−53.
  97. Pearton S.J., Tavendale A.J. Reduction in y-ray damage in hydrogenated silicon.-Rad. Eff. Lett., 1982, v.68, p.25−27.
  98. B.B., Плотников Г. Л., Эмексузян B.M., Шмальц К. Пассивация радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении. -ФТП, 1992, т.26, в.7, с. 1297−1299.
  99. Ramdas A.K., Rodrigues S. Spectroscopy of the solid-state analogues of the hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors.- Rep. Prog. Phys., 1981 v.44, N.12, p.1297−1387.
  100. . Оптические процессы в полупроводниках.-М.:Мир, 1973.
  101. П.С. Физика полупроводников. М., 1969. 592с.
  102. B.Pajot, H.J.Stein, В. Cales, C.Naud. Quantitative Spectroscopy Of Interstitial Oxigen in Silicon.-J.Electrochem.Soc., 1985, v.132, p.3034.
  103. Bullis W.M., Coates L.B. Measurement of Oxigen in Silicon.-1987, v.12, N.3, p.69.
  104. M.A., Коварский В. Я., Орлов А. Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом.- Зав. лаборатория, 1984, т.50, в.1, с.24−32.
  105. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.-М.:Радио и связь, 1985, с. 264.
  106. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников.- JL: Наука, 1972, с. 104.
  107. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.- Л.: Наука, 1981, с. 176.
  108. Lang V.D. .-J.Appl.Phys., 1974, v.45, N.7, р.3023.
  109. Stievenard D., Vaillenme D. .-J.Appl.Phys., 1986, v.60, p.973,.
  110. Lang D.V. Space-Charge Spectroscopy in Semiconductors. In: Topics in Applid Physics, 1979, v.37, p.93.
  111. Sonder E., Templeton L.C.Gamma irradiation of silicon. 1. Levels in n-type material containing oxygen .- J. Appl. Phys., 1960, v.31, N.7, p.1279−1286.
  112. Sonder E., Templeton L.C. Gamma irradiation of silicon. 11. Levels in n-type flote-zone material.- J. Appl. Phys., 1963, v.34, N. l 1, p.3295−3301.
  113. Sonder E., Templeton L.C. Gamma irradiation of silicon. 111. Levels in p-type material.- J. Appl. Phys., 1965, v.36, N.6, p. 1811−1815.
  114. B.C., Глазман В. Б., Исаев Н. У., Мукашев Б. Н., Спицын А. В. Влияние температуры облучения и вида легирующей примеси на процессы дефектообразования в кремнии n-типа, облученного электронами.- ФТП, 1974, т.8, в. З, с.471−475.
  115. Hirata М., Saito Н. The interactions of point defects with impurities in silicon .J. Phys. Soc. Japan, 1969, v.27, N.2, p.405−414.
  116. Watkins G.D. The interaction of irradiation-produced defects with impurities and other defects in semiconductors. EPR studies in silicon.- In: Rad. Eff. Semicond. Сотр. Toulose, 1967, p. Al-A9.
  117. Borgoin J.C., MollotF.- Phys. St. Sol. (b), 1971, v.43, N. l, p.343−355.
  118. Newman R.C., Bean A.R. Irradiation damage in carbon-doped silicon irradiated of low temperatures by 2 Mev electrons- In: Rad. Eff. Semicond. London-N.-Y.-Paris, 1971, p.155−159.
  119. Watkins G.D., Brower K.L. EPR observation of the isolated interstitial carbon atom in silicon.- Phys. Rev. Lett., 1976, v.36, N.22, p.1329−1332.
  120. B.B. Радиационная модификация структур на основе кремния и германия.- Дис. в виде научного доклада на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.- Новосибирск, 1996, 59 с.
  121. Laitwaite К., Newman R.S., Totterdell D.H.J. .- J. Phys. С: Sol. St. Phys., 1975, v.8, N.2, p.236−242.
  122. Akhmetov V.D., Bolotov V.V.- Phys. St. Sol. (a), 1982, у.12, N. l, p.61−68.
  123. И.Д., Семенюк A.K., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии.- Киев: Наукова думка, 1974, 200с.
  124. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных олупроводников.- М.: Наука, 1979.- 416 с.
  125. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М.: Мир, 1982.- 368 с.
  126. ., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках.- М.: Мир, 1985.- 304 с.
  127. Patent № 4 568 960 (USA) / Blocked impurity band detectors.- Petroff M.D., Stapelbrock M.G.-1980.
  128. Brown E.R., Tannenwald P.E. .- Far-Infr. Sei. Techn. SPIE, 1986, v.666, p.3850.
  129. Sclar N.Progr. Quant. Electron., 1984, v.9, p. 149 130. Szmulovicz F., Madarsz F.L. Blocked impurity band detectors .- J. Appl. Phys., 1987, v.62, N.6, p.2533−2540.
  130. Watson D.M., Huffman J.E.- Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, N.19, p.1602−1604.
  131. Martin B.G.- Sol. St. Electron., 1990, v.33, N., p.427.
  132. Norton P.R.- Opt. Eng., 1991, v.30, N., p. 1649.
  133. A.c. 1 649 974 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В. В., Камаев Г. Н., Эмексузян В.М.- Опубл. в Б.И., 1997, № 14.
  134. A.c. 1 649 975 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В. В., Камаев Г. Н., Эмексузян В.М.- Опубл. в Б.И., 1997, № 14.
  135. В.В., Камаев Г. Н., Эмексузян В. М. Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием.- ФТП, 1990, т.24, в. Ю, с. 1697−1704.
  136. В.В., Камаев Т. Н., Эмексузян В. М. Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированного галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода, — ФТП, 1997, т.31, в. З, с.311−317.
  137. Н.Л.Глинка. Общая химия. -Л.: «Химия», 1987, 704с.
  138. Е.М., Исмагилова Ф. М., Литвак-Горская Л.Б., Мельников А. П. Прыжковая фотопроводимость легированных кремния и германия.-ФТТ, 1991, т. 100, в.3(9), с.1029−1041.
  139. Ray R.K., Fan H.Y. Impurity Conduction in Silicon.- Phys. Rev., 1961, v. 121, N.3, p.768−779.
  140. В.В., Камаев Г. Н., Смирнов Л. С. ИК-спектрометрические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в Si при облучении электронами.- ФТП, 1988, т.22, в.2, с.210−214.
  141. В.Д., Болотов В. В., Камаев Г. Н., Смирнов Л. С. Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами.- ФТП, 1990, т.24, в.1, с.72−76.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!