Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

В в е д е н и е
Основные обозначения
ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ Р-П-Р-П СТРУКТУР, ВЫКЛЮЧАЕМЫХ ТОКОМ УПРАВЛЕНИЯ (ОБЗОР)
- 1. 1. Общие сведения о р-п-р-п структурах
  - 1. 1. 1. Предпосылки к исследованию многослойных тири-сторных структур
  - 1. 1. 2. Устройство и принцип работы р-п-р-п структур
- 1. 2. Статическая вольт-амперная характеристика р-п-р-п структуры
  - 1. 2. 1. Участок вольт-амперной характеристики структуры в блокируицем состоянии и условие переключения
  - 1. 2. 2. Включенное состояние структуры
- 1. 3. Переходный процесс включения р-п-р-п структуры
  - 1. 3. 1. Физическая картина процесса. 1.3.2. Нестационарное условие переключения р-п-р-п структуры
  - 1. 3. 3. Нарастание тока и установление стационарного состояния
- 1. 4. Выключение р-п-р-п структур
1.4.1. Основные способы и механизмы. 1.4.2. Выключение р-п-р-п структур по аноду. 1.4.3. Выключение р-п-р-п структур импульсом тока управления. 1.4.4. Процесс сжатия токопроводящей области при выключении структур с большой рабочей площадью
1.5. Общая постановка задачи исследования
ГЛАВА II. ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-П-Р-П СТРУКТУРЫ ТОКОМ УПРАВЛЕНИЯ. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ ПОЛЕЙ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ
2.1. Введение
2.2. Выключение р-п-р-п структуры током управления р-базы при высоком уровне инжекции в п-базе
2.3. Влияние встроенных электрических полей на переходный процесс выключения р-п-р-п структуры током управления
2.4. Исследование р-п-р-п структур, выключаемых током управления, с переменной концентрацией примеси в широкой базе
2.5. Влияние слоя с переменной концентрацией примеси в широкой базе на коэффициент выключения запираемых р-п-р-п структур
2.6. Обсуждение результатов
ГЛАВА III. ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-П-Р-П СТРУКТУР.
КШВИШРРВАННЫЙ ВАРИАНТ
3.1. Введение
3.2. Эксперименты по комбинированному выключению и их качественная интерпретация
3.2.1. Эксперименты по комбинированному выключению (73)
3.2.2. Качественная интерпретация процесса комбинированного выключения тиристоров (76)
3.3. К вопросу о корректности определения времени выключения при комбинированном воздействии
3.4. Простая предельная модель механизма выведения электронов из п-базы.
3.4.1. (81). 3.4.2. Недостатки предельной модели (82)
3.5. Условие выключения структуры.
3.5.1. (83). 3.5.2. (88)
3.6. Переходный процесс выключения комбинированного выключения р-п-р-п структуры (детальный анализ)
3.6.1. Постановка задачи (90). 3.6.2. Стационарные распределения носителей заряда (94). 3.6.3. Этапы переходного процесса выключения (95). 3.6.4. Обсуждение результатов (102)
3.7. Обсуждение результатов Ш главы
ГЛАВА 1У. КОНВЕКТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ГРАНИЦЕ «ПЯАЭЛА — ОПЗ» В ЗАПИРАЕМОМ И КШШНИРОВАШО-ВЖЛКЯАЕМШ ТИРИСТОРЕ
4.1. Введение. ПО
4.2. Восстановление прямой блокирующей способности р-п-р-п структуры с остаточной плазмой в слаболегированной области. III
4.2.1. Конвективные процессы в высоковольтных р-п переходах на границе «плазма — ОПЗ» в условиях нестационарного обратного смещения (III). 4.2.2. Условие переключения р-п-р-п структуры (115)
4.3. Обсуждение результатов.
4.4. Оценка времени выключения для комбинированно-выключаемого тиристора.
4.5. Основные результаты по исследованию конвективных процессов
ГЛАВА V. НЕКОТОРЫЕ НЕОДНСМЕРШЕ ПРОЦЕССЫ ПЕРЕНОСА В Р-П-Р-П СТРУКТУРАХ
5.1. Введение
5.2. Влияние магнитного поля на статические и динамические характеристики р-п-р-п структур
5.2.1. (128). 5.2.2. Обсуждение результатов (129)
5.3. Исследование скорости распространения включенного состояния в запираемых р-п-р-п структурах.
5.4. Неодномерные процессы при комбинированном выключении р-п-р-п структур большой площади
5.4.1. Введение (143). 5.4.2. Физика неодномерных процессов в цилиндрической ячейке р-п-р-п структуры (146)
5.4.3. Условие выключения неодномерной структуры (150)
5.4.4. Вычисление эффективности двухмерных распределений остаточного заряда (152). 5.4.5. Обсуждение результатов (155)
5.5. Обсуждение результатов по исследованию неодномерных эффектов
3 а к л юч е н и е

Вопросы глубокого исследования процессов управляемого токопе-реноса в полупроводниках и полупроводниковых структурах являются неотъемлемой частью комплекса, связанного с решением актуальной проблемы твердотельной коммутации больших мощностей, которая, в свою очередь, возникла в плане новых задач энергетики, сильноточной импульсной электроники, транспорта и др.

Основным активным элементом твердотельного коммутатора является управляемый полупроводниковый вентиль — многослойная тири-сторная структура. До последнего времени считалось, что функциональные возможности тиристоров ограничивались процессами управляемого запуска. В то же время управляемые полупроводниковые вентили казались практически неприменимыми в режимах запирания тока, которые, тем не менее, с технической точки зрения оцениваются как очень перспективные для преобразовательных устройств повышенной частоты в системах мощных быстродействующих коммутаторов. Указанная особенность тиристоров связана с физическими особенностями механизмов управления (запуска или выключения) и характером зарядовой обратной связи, поддерживающей биполярную инжекцию плазмы (а, следовательно, и токопрохождение) во включенном состоянии.

Согласно основным принципам работы тиристора процесс его включения осуществляется путем контролируемого накопления небольшого («критического») заряда с последующим дополнительным накоплением за счет специфической регенерации тока. При этом величина «начального» заряда, введенного цепью управления, на 2−3 порядка меньше заряда, накапливаемого за счет внутренней регенерации, что и обеспечивает большой КПД процесса запуска.

Процесс управляемого выключения происходит в обратной последовательности. Для надежного запирания необходимо устойчиво подавить регенеративный процесс биполярной инжекции, что достигается с помощью внешнего воздействия путем резкого уменьшения величины избыточного заряда структуры до критического значения, то есть более чем в сто раз. Значительная часть этого заряда, очевидно, должна быть поглощена генератором управлениятаким образом, эффективность процесса запирания существенно ниже эффективности запуска.

Эта асимметрия, имея место уже в диапазоне малых мощностей, становится крайне критичной при переходе к сильноточной коммутации, что в ряде случаев может поставить под сомнение принцип использования тиристоров как мощных выключателей.

С другой стороны, исследование различных физических механизмов, реализация которых помогла бы существенно улучшить эффективность управляемого выключения, представляется весьма актуальным как в научном, так и в техническом отношении.

Кроме острой практической необходимости, важной предпосылкой для постановки задачи исследования является весьма низкий уровень теоретических представлений о процессе управляемого запирания тока в целом. Эти представления фактически основываются на квазистатической физической модели. В последнее время стали появляться сведения об эффективном применении импульсных режимов, однако физическая картина этих режимов не анализировалась. Мы полагаем, что при координированном воздействии управлякзцих импульсов и рациональном использовании внутренних физических факторов молено достичь существенного прогресса в решении проблемы запирания тиристоров.

Целью диссертации является исследование совокупного действия структурных и режимных факторов на процесс управляемого запирания тока, разработка теории различных обычных и комбинированных режимов выключения. Более конкретной задачей ставится исследование действия различного рода полей (магнитного, поля высокого уровня инжекции, полей градиентно-приме сного происхождения или поля «плавающих потенциалов») на процесс выключения тока и разработка последовательной теории переходных процессов выключения при управлении с помощью импульсов тока в базовом и анодном контурах.

Методика работы заключается в физическом анализе переноса заряда в многослойных структурах и в построении аналитической и численной моделей переходных процессов.

На защиту выносятся следущие новые научные положения, развитые автором.

1. Усовершенствована одномерная диффузионная теория процесса запирания р-п-р-п структуры по базовому электроду, впервые учитывающая совокупное действие импульсов тока управления и внутренних полей в структуре, обусловленных типичными эффектами сильного легирования, самосогласованных нейтрализующих полей, свойственных процессам биполярной инжекции (П глава).

2. Впервые разработана последовательная одномерная теория комбинированного выключения р-г?-/>-л структур под действием скоординированных импульсов отрицательного базового тока и отрицательного анодного напряжения (Ш глава).

3. Впервые исследовано влияние «конвективных» процессов, имеющих место в очень мощных высоковольтных структурах и связанных с динамикой границы между областью объемного заряда и плазмой, на характер неустойчивости регенеративной положительной связи в р-п-р-п структурах. Получено условие выключения высоковольтных структур для произвольного комбинированного импульсного воздействия (1У глава).

4. Исследованы некоторые характерные неодномерные процессы, свойственные для структур большой площади, и выяснена возможность влияния внешнего воздействия на их характер и темп (1У глава),.

5. Разработаны численные методики, которые могут быть использованы в автоматизированных системах производства запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров повышенной мощности, и выработаны рекомендации по созданию и применению этих новых приборов.

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ б — отношение подвижностей электронов и дырок ВАХ — вольт-амперная характеристика (Ъпкоэффициенты диффузии электронов в р-базе и дырок^г (З)р) в п-базе.

§ 77 '-^Р ~ коэффициент диффузии при высоком уровне инжекции Е — электрическое поле.

X — индексы, принимающие (за исключением оговоренных случаев) значения, равные I и 2.

— ток управления 7а — анодный ток сЛ/) — прямой анодный ток.

Упер — ток переключения структуры.

УпрЪ ток пробоя.

— ток удержания тиристора.

А0 — линейно аппроксимированный ток утечки (/г^з — эмиттерные переходы р-п-р-п структуры ^ - коллекторный переход р-п-р-п структуры У<7 — плотность анодного тока.

— плотность тока управления.

— плотность тока утечки эмиттерного перехода К — постоянная Больцмана.

К — коэффициент выключения структуры КВТ — комбинированно-выключаемый тиристор К* К — «диффузионный» и «конвективный» коэффициенты эффективности полного остаточного заряда п-базы ¿-чап) — длина диффузии электронов в р-базе Ьг (1р) — длина диффузии дырок в п-базе — концентрация акцепторов в р-базе ^ - концентрация доноров в п-базе По,(г)^), — концентрации равновесных неосновных носителей в п°г (Роо) р и п-базе соответственно.

— концентрации неравновесных неосновных носителей в пг (Р, Рп) р д п (Зазе соответственно.

ОПЗ — область пространственного заряда ^ - заряд электрона.

7о — заряд включённого состояния тиристора.

— «критический» заряд включения тиристора ^ - управляемый «критический» заряд осг — полный остаточный заряд п-базы ^ - скорость поверхностной рекомбинации ^ - площадь эмиттера Лр — площадь поперечного сечения р-базы tg — время выключения тиристора ^ - длительность импульса тока управления.

— абсолютная температура.

— длительности этапов переходного процесса выключения (с = 1,2,3,4,5).

Уст — анодное напряжение.

— прямое напряжение на структуре УоЪр — обратное напряжение на структуре УпрЪ — напряжение пробоя.

Уу, Уу — напряжение управления толщина р-базы тиристора толщина п-базы тиристора.

— коэффициент усиления составного р-п-р транзистора тиристорной структуры г (</>р) — коэффициент усиления составного п-р-п транзистора тиристорной структуры — коэффициенты переноса составных транзисторов ¿-С — коэффициент инжекции перехода? — диэлектрическая проницаемость ¿-о — диэлектрическая проницаемость вакуума.

— время жизни электронов в р-базе 'Сг ('Ср) — время жизни дырок в п-базе.

— постоянная нарастания на этапе «повторной регенерации» время диффузионного пролета неосновных носителей заряда через сую базу структуры.

Основные результаты работы докладывались на научных семинарах лаборатории физики мощных полупроводниковых приборов ЛФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, были оформлены в виде докладов на ВДНХ СССР, на I Национальной конференции Болгарии в 1972 г., а также содержатся в следующих работах.

1. Исследование р-п-р-п структур запираемых тиристоров. — «Доклады I Национальной конференции по полупроводниковой электронике», Болгария, 1972, т.2, № 34, с.1−18 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном, И. А. Линийчуком и А.Ф.%лекиным).

2. Выключение р-п-р-п структуры током управления рбазы при высоком уровне инжекции в п-базе. — «Радиотехника и электроника», 1973, т.18, № 4, с.829−834 (в соавторстве с И.А.Линийчуком).

3. Влияние встроенных электрических полей на переходный процесс выключения р-п-р-п структуры током управления. — «Радиотехника и электроника», 1973, т.18, № 8, с.1682−1687 (в соавторстве с И.А.Линийчуком).

4. Влияние магнитного поля на статические и динамические характеристики р-п-р-п структур. ЦНИИ «Электроника», 1973, с.1−12 в соавторстве с Д. И. Куракиной, А. А. Лебедевым и И.А.Линийчуком).

5. Исследование р-п-р-п структур запираемых тиристоров. — «Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», 1975, № 7 (66), с.1−2 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном, И. А. Линийчуком и А.Ф.Щулекиным).

6. Исследование скорости распространения выключенного состояния в запираемых р-п-р-п структурах. — «Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», 1975, № 12 (71), с.7−9 (в соавторстве с О. В. Головановой и И.А.Линийчуком).

7. Исследование выключаемых током управления р-п-р-п структур с переменной концентрацией примеси в широкой базе. — «Радиотехника и электроника», 1975, т.20, № 9, с.1993;1995 (в соавторстве с.

И.А.Линийчуком).

8, Быстродействующий прибор ключевого типа — комбинированно-выключаемый тиристор. — «Электричество», 1977, 10, с.82−84 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном, 0.Г.Булатовым, И. В. Греховым и др.).

9. О физических процессах в р-п-р-п структурах при комбинированном выключении. — «Радиотехника и электроника», 1978, т.23, 8, с.1692−1698 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном, И. В. Греховым, И. А. Линийчуком и С.В.Шендереем).

10. Условие включения р-п-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. — «Радиотехника и электроника», 1978, т.23, № 5, с.1039−1045 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном и А.В.Горбатюком).

11. Комбинированно-выключаемый тиристор. — «Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», 1979, № 7 (114), с.6−8 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном, И. В. Греховым, И. А. Линийчуком и С.В.Шендереем).

12. Влияние шунтирования эмиттерного перехода на время выключения р-п-р-п структур в комбинированном режиме. — «Электронная техника», сер. 4, 1981, в.1 (84) с.30−32 (в соавторстве с Р. Э. Аязяном, И. А. Линийчуком и С.В.Шендереем).

13. Восстановление прямой блокирующей способности р-п-р-п структуры с остаточной плазмой в слаболегированной области. — «Радиотехника и электроника» (в печати), (в соавторстве с А. В. Горбатюком и М.В.Поповой).

В заключение хочется выразить свою благодарность доктору физ.-мат. наук, профессору И. В. Грехову за постоянное внимание и интерес к работе, а также Горбатюку A.B., Линийчу-ку И.А., Аязяну Р. Э., Шендерею C.B. за помощь и совместные обсуждения при выполнении работ по диссертации. с.

15 Ю о.

— л/.

— р у п /.

— V / А.

А ——- ;

О СГР./6&-, рис. /д.

IVс О.

О М.

— р /7^Л Л.

V ' 1 ц л и//5 м * о.

СП со.

О сгр. ив рисХЬ Wг д).

Рис. I. Распределения концентраций неравновесных носителей в базах структуры а) во включённой структуре, г = (X — 0.1- 2 — 0.03) см, б) к концу0первого этапа процесса выключения, А/ = 0.03 см, А- = (1,2,3,5 — 0−4.

— ^ - ' 2 ¦ 2 — т., 1.2 А/ г- -3.

2) А/см 1Я = (Г-200−2-100−3-50−4,5−40) А/см, = 150 А/см? Жг =5−10 V см 5.

Рис. 2. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах структуры к конпу второго этапа процесса выключения.

А = 0,/сг = 150 А/см2, A/ct = 5'Ю14 см-3, J* = С X — 200−2 — Ю0−3 — 50−4 — 40) А/см2.

Рис. 3. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах структуры к окончанию третьего этапа (вход в насыщение перехода J± - 2,4) и четвёртого этапа (выход из насыщения перехода — 5) переходного процесса выключения. а = (2,5 — Ю0−4,5 — 40) А/см2, = О, у" = 150 А/см2, Mr = 5-I014 см" 3, Aj = 0.03 см. Параметры структуры:

Г, = I мкс, ¿-г=3 мкс, Di = 33.6 см2/с, Д = 12.2 см2/с, Н = 0.4-Ю" 2 см, Wa = 15*Ю-3 см. О стр. 1 о) р п г — 3.

Рис. 4. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах р-п-р-п структуры (^ = 0.1 А/см2, Лу =0.03 см) а) к окончанию второго этапа (1,1'), к окончанию третьего этапа (вход в насыщение — 2,2), б) к окончанию четвёртого этапа (выход из насыщения — 3,30 для различных значений концентраций акцепторов:

М? = (1,2,3 — 1.7-!', 2³'- 0.2) иАаГ". 2.

— V, стр.

Рис. 5. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах р-п-р-п структуры в момент достижения критического заряда" структуры.

V* = (I — 0.2−2 — 1.7)1015см3, Л, = 0.03 см, = / а =0.1 А/см ,.

Рис. 6. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах р-п-р-п структуры к окончанию третьего (вход в насыщение перехода — 1,2) и четвёртого (выход из насыщения перехода — 3,4,5) этапов переходного процесса выключения для различных токов управления: = (1,5 — 0−4 — 0.2−2,3 — 0.4) А/см2,И4= 5*1014см" 3. Масштабные оси для кривых указаны стрелками.

— 161 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Подводя итог исследованиям настоящей диссертации, отметим наиболее важные положения, разработанные в процессе решения задач, сформулированных в главе I.

Общей задачей диссертации, общей программой этих исследований явилось развитие физических представлений о переходных процессах в полупроводниковых структурах ключевого типа, выключаемых по базовому электроду или управляемых с помощью совокупных (комбинированных) физических воздействий.

Исследования переходных процессов в структурах запираемых тиристоров проведены во П главе. Здесь усовершенствована диффузионная одномерная теория процессов запирания, впервые учитывающая совместное действие импульса управляющего тока и внутренних полей градиентно-примесной природы, обусловленных «эффектом сильного легирования» структуры, нейтрализующего самосогласованного поля плазмы, свойственного процессам биполярной инжекции. Результаты этой модели подтверждены рядом экспериментов и могут быть использованы как для расчета конструкторско-технологических параметров структур при разработке запираемых тиристоров, так и для расчета характерных режимов их работы.

В Ш главе диссертации построена последовательная теория комбинированно-выключаемых р-п-р-п структур под действием скоординированных во времени импульсов отрицательного базового тока и отрицательного анодного напряжения. Методически эта теория рассчитана на использование в системах автоматического проектирования производства в отраслевых условиях.

В 1У главе впервые исследовано влияние конвективных процессов, имеющих место в очень мощных высоковольтных структурах при их коммутации в экстремальных условиях. Эти процессы обязаны быстрым перемещениям границы между блокирующими слоями объемных зарядов и плазмой квазинейтральных участков и, как показал расчет, оказывают чрезвычайно большое влияние на характер неустойчивости регенеративной положительной связи в приборах соответствующих типов. Это влияние рассчитано в рамках теории критического заряда включения, в результате чего получено условие переключения высоковольтных структур для произвольных комбинированных импульсных воздействий и ряд других характеристик, необходимых при разработке высоковольтных частотных приборов.

Наконец, в последней, У главе собран материал экспериментальных и теоретических исследований неодномерных процессов, свойственных приборам с большой площадью единичных управлящих элементов, и выяснены возможные влияния внешних воздействий на их характер и темп.

Эти материалы сгруппированы по виду основных управляющих факторов: поперечного магнитного поля, тангенциального управляющего тока и тангенциального поля плавающих потенциалов и могут быть рекомендованы для разработки соответствующих классов приборов, рассчитанных на большие коммутируемые токи.

Практическая ценность работы в целом состоит в развитии новых теоретических представлений о механизмах функционирования запираемых и комбинированно-выключаеглых тиристоров, а также в выработке конструктивно-технологических рекомендаций, направленных на создание новых приборов этого класса.

Показать весь текст

Список литературы

Алдрих Р., Холоньяк Н. Переключающие полупроводниковые приборы р-п-р-п типа. — В кн. «Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.». Под ред. Гаряинова С. А. -М.-Л.: Гос-энергоиздат, 1962, 24−32.
Алексеев М.Е., Родионов Л. Ф., Сондаевский В. П. Экспериментальное исследование шнурования- тока в четырёхслойных структурах. -«Физика и техника полупроводников», 1974,8,1488−1493.
Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров. -М.: «Наука», 1967,779 с.
Ашкинази Г. А., Григорьев Ю. П., Зумберов В. В., Кузьмин В. Л., Челноков В. Е., Якивчик Н. И. К расчёту силовых кремниевых вентилей на повышенные частоты. В сб. «Силовые полупроводниковые приборы». -М.: «Информэлектро», 1969,22−30.
Аязян Р.Э., Булатов О. Г., Грехов И. В., Лабунцов В. А., Линий-чук И.А., Одынь C.B., Паламарчук А. И., Шендерей C.B. Быстродействующий прибор ключевого типа комбинированно-выключаемый тиристор. -«Электричество», 1977, МО, 82−84.
Аязян Р.Э., Бурцев Э. Ф., Грехов И. В., Линийчук И.А., Исследование процесса выключения р-п-р-п структуры импульсом тока управления. -«Физика и техника полупроводников», 1970,4,219−222.
Аязян Р.Э., Горбатюк A.B., Паламарчук А. И. Условие выключения? ъп-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. -«Радиотехника и электроника», 1979,23,1039−1045.
Аязян Р.Э., Грехов И. В., Голованова О. В., Макевнина Л. И., Щу-лекин А.Ф. Экспериментальное исследование распределения носителей заряда в р-п-р-п структурах при. выключении их токомуправления. «Радиотехника и электроника», 1972,17,1880−1884.
Аязян Р.Э., Грехов И. В., Линийчук И.А.Доследование переходного процесса выключения запираемых тиристоров методом потенциального зонда. «Известия АН Арм. ССР. Физика», 1974, JE 9,72−80.
Аязян Р.Э., Грехов И. В., Линийчук И. А. Проблемы конструирования мощных запираемых тиристоров. -«Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», 1979,№ 9 (116), 20−23.
Аязян Р.Э., Грехов И. В., Линийчук И. А., Паламарчук А. И., Шендерей C.B. О физических процессах в р-п-р-п структуре цри комбинированном выключении. -«Радиотехника и электроника», 1978,23,1693−1698.
Аязян Р.Э., Грехов И. В., Линийчук И. А., Паламарчук А.И, Шендерей C.B., Комбинированно-выключаемый тиристор. -«Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», 1979,№ 7(114), 6−8.
Аязян Р.Э., Линийчук И. А., Паламарчук А. И., Шендерей C.B. Влияние шунтирования эмиттерного перехода на время выключения р-п-р-п структур в комбинированном режиме. -«Электронная т ехника», сер.4,I981,te 1(84), 30−32.
Баширов A.M., Бурханов Ш. Д., Гаршенин В. В. О неодномерности запирания р-п-р-п структуры. -«Физика и техника полупроводников «1969,3,633−635.
Баширов A.M., Гаршенин В. В., Родов В. И., Самров И. П. О процессе выключения р-п-р-п структуры током управления. -«Электронная техника», сер.2,1973,№ 6(78), 43−49.
Воронин К.Д., Дерменжи П. Г. Взаимосвязь стойкости р-п-р-п структур к эффекту dUidt с их параметрами и величинойпредварительного смещения прямой или обратной полярности. -«Радиотехника и электроника», 1973,18,2123−2132.
Воронин К.Д., Дерменжи П. Г. Зависимость времени выключения р-п-р-п структур от их параметров и режимов измерения. -«Радиотехника и электроника», 1973,18,2364−2373.
Дулатов O.P., Одынь C.B. Двухоперационные тиристоры с комбинированной коммутацией в режиме больших анодных токов. -«Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», 1976, të- 7(78), 3−5.
Бурцев Э.Ф., Грехов И. В., Крюкова H.H., Сергеев В. Г. Исследование процесса включения р-п-р-п структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения. -«Физика и техника полупроводников «, 19 69, 3, I 638−1 645 .
Бэнда X., Шпенке Е. Процессы обратного восстановления в мощных кремниевых вентилях. ТИИЭР, 1967,55,№ 8,98−122.
Варламов И.В., Осипов В. В. Шнурование тока в многослойных структурах. -«Физика и техника полупроводников», 1969,3,950−958.
Викулин И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. -М.: «Сов.радио», 1980,296 с.
Горбатюк A.B. Усиление эффекта тангенциального рассасывания заряда в тиристорах с зонами повышенной рекомбинации. -«Электронная техника», сер.4,1979,№ 3,63−67.
Горбатюк A.B. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п структур в неодномерном приближении. «Физика и техника полупроводников», 1980,14,№ 7,1364−1370.
Горбатюк A.B., Уваров А. И. Неоднородное рассасывание избыточного заряда в широкой базе тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. -«Радиотехника и электроника», 1977,22,1755−1758.
Горбатюк A.B., Уваров А. И. Влияние сопротивления растекания тонкой базы на быстродействие тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. -«Электронная техника», сер.4,1979,й 3,58−63.
Горохов В.А., Кошеляев Г. В. Анализ и расчёт переходных процессов при запирании тиристоров по управляющему электроду. -«Радиотехника», 1971,26,№ 12,86−92.
Горохов В.А., Щедрин М. Б. Физические основы применения тиристоров в импульсных схемах. -М.: «Сов.радио» 1972,304 с.
Грехов И.В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с р-п переходами. Автореферат дисс. на соискание учён, степени докт. физ.-мат. наук. -Л., 1972 (ФТИ).
Грехов И.В., Горбатюк A.B., Костина Л. С. О возможности повышения быстродействия мощных тиристоров при выключении. -«Радиотехника и электроника», 1979,24,606−614.
Грехов И.В., Костина Л. С., Сергеев В. Г. О новой возможности уменьшения времени выключения высоковольтных р-п-р-п структур. -«Физика и техника полупроводников», 1971,5,1408−1414.
Грехов И.В., Крылов Л. Н., Линийчук И. А., Тучкевич В. М., Челноков В. Е., Щуман В. Б. Мощные диффузионные кремниевые вентили. -«Электросвязь», 1963,№ 11,42−48.
Грехов И.В., Лебедев A.A., Линийчук И. А. Исследования коэффициентов усиления по току в диффузионных кремниевых р-п-р-п структурах с шунтировкой в эмиттере. В кн. «Физика р-п переходов».-Рига: «Зинатне», 1966,526−528.
Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Исследование распространения включённого состояния вдоль р-п-р-п структуры. -«Физика и техника полупроводников», 1970,4,2149−2156.
Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Уваров А. И. Простая модель распространения включённого состояния вдоль р-п-р-п структуры. -«Физика и техника полупроводников», 1971,5,1111−1115.
Дерменжи П.Г., Евсеев Ю. А. Распространение включённого состояния в р-п-р-п структурах. -«Физика и техника полупроводник ов',' 1973,7,360−364.
Джентри Ф., Гутцвиллер Ф., Голоньяк Н., фон Застров Э. Управляемые полупроводниковые вентили. Пер. с англ. под ред. Туч-кевича В.М. -М.: «Мир», 1967, 455 с.
Дьяконов М.И., Левинштейн М. Е. Теория распространения включённого состояния в тиристоре. -«Физика и техника полупроводников «, I978,12,729−741.
Звёздин А.К., Осипов В. В. Движение шнура тока в магнитном поле в полупроводниках с 5 -образной вольт-амперной характеристикой. -«ЖЭТФ», 1970,58,160−168.
Каракушан Э.И., Стафеев В. И. Магнитодиоды. -«Физика твёрдого тела», 1961,3,677−686.
Каракушан Э.И., Стафеев В. И. Магнитодиоды большой площади. -«Физика твёрдого тела», 1961,3,2031−2040.
Кремниевые вентили. Под ред. Юдицкого С. Б. -М.: «Энергия», 1968, 304 с.
Кузьмин В.А. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых приборов со структурой р-п-р-п во включённом состояний. -«Радиотехника и электроника», 1963,8,171−174.
Кузьмин В.А. Тиристоры малой и средней мощности. -М.: «Сов. радио», 1971, 184 с.
Кузьмин В.А., Сенаторов К. Я. Четырёхсложные полупроводниковые приборы. М.: «Энергия», 1967, 184 е-.
Лабунцов В.А., тугов Н.М. Динамические режимы Эксплуатации мощных тиристоров. -М.: «Энергия», 1977, 192 с.
Лебедев A.A.0 статической вольт-амперной характеристике р-п-р-п структуры в открытом состоянии. -В кн.: «Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов». -Л.: «Наука», 1969,9−12.
Лебедев A.A., Уваров A.HjК теории процесса включения р-п-р-п структуры. -«Физика и техника полупроводников», 1967, 1,211−216.
Лебедев A.A., Уваров А. И., Челноков В. Е. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п структуры. -«Радиотехника и электроника», 1967,12,677−685.
Лебедев A.A., Уваров А. И., Челноков В. Е. Влияние электрического поля на переходные процессы в р-п-р-п структурах. -«Радиотехника и электроника», 1967,12,1461−1468.
Лебедев A.A., Уваров А. И., Челноков В. Е. Переходный процесс выключения р-п-р-я структуры посредством тока управления базы. -«Радиотехника и электроника», 1968,13,115−123.
Линийчук И.А. Исследование р-п-р-п структур, выключаемых по управляющему электроду, и разработка приборов на их основе. Кандидатская диссертация. -Л., 1969 (ФТИ).
Линийчук И.А., Ткаченко А. И., Тучкевич В. М., Челноков В. Е. Экспериментальное исследование процесса выключения р-п-р-п структуры по управляющему электроду. -В сб. «Силовые полупроводниковые приборы». -№.: «Информэлектро», 1969,38−50.
Мэфэм Н. Борьба с эффектами, возникающими при включении управляемых кремниевых выпрямителей. -«Электроника"(русск. перевод), 1962,35,№ 33,29−31.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. -М.: «Сов.радио», 1965, 224 с.
Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. -М.: «Металлургия», 1969, 335 с.
Расчёт силовых полупроводниковых приборов. Под редакцией Кузьмина В. А. -М.: «Энергия», 1980, 185 с.
Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщины полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода. -«Журнал технической физики», 1958,28,1631−1641.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. -М.: «Энергия», 1977, 671 с.
Тогатов В.В., Уваров А. И. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п структуры в условиях высокого уровня инжекции в обеих базах. -«Радиотехника и электроника», 1971,16,1047−1057.
Тучкевич В.М. Силовая полупроводниковая преобразовательная техника. -«Физика и техника полупроводников», 1977,11,2065−2061.
Челноков В.Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. -М.: «Энергия», 1973, 280 с.
Bergman G.D. The gate-triggered turn-on process in thyristors. -«Sol.St.Electronics», 1965, 8, 757−765.
Chimizu J., Oka H., Funakawa Sh., Gamo H., Iida T., Kawakami A. High-voltage high-power gate-assisted turn-off thyristor for high-frequency use.- «IEEE Trans.(Electron Devices)», 1976, ED-22, 883−887.
Dodson W.H., Longini R.L. Probed determination of turn-on spread of large area thyristors.- «IEEE Trans.(Electron Devices)», 1966, ED-12, 478−485.
Irvin J.G. Resistivity of bulk silicon and diffused layers in silicon.- «Bell System Techn. J.», 1962, 41., 387−410.
Klein M. Injection efficiency in double diffused transistors.-«Proc. IRE"(Correspondence), 1961, 1708.
Kroemer H. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors.- «RCA Rev.», 1957, 18, 332−342.
Van Ligten R.H., Uavon D. Base turn-off of p-n-p-n switches.-«IRE Wescon Conv. Rec.», 1960, pt.3, 49−52.
Longini R.L., Melngalis I. Gate turn-on of four-layer switch.-«IEEE Trans. (Electron Devices)», 1963, ED-10, 178−185.
Longo Th.A., Miller M., Derek A.L., Ekraian J.D.- Planar epitaxial pnpn switch with gate turn-off gain.- «IRE Wescon Conv. Rec.», 1962, pt.3, 1−6.
Mertens R.P., De Man H.J., Van Overstraeten R.J. Calculation of the emitter efficiency of bipolar transistors.- «IEEE Trans.(Electron Devices)», 1973, ED-20, 772−778.
Mc Kay K.G. Avalanche breakdown in silicon.- Phys.Rev., 1954, .94, 887−889.
Moore A.R., Webster W.M. The effective surface recombination of a germanium surface with a floating barrier.- «Proc. IRE», 1955, 43, 427−435.
Van Overstraeten R.J., De Man H.J., Mertens R.P. Transport equations in heavy doped silicon.- «IEEE Trans. (Electron Devices)», 1973, ED-20, 290−298.
Raderecht P. S. The development of a gate-assisted turn-off thyristor for use in high frequency applications.- «Int. J. of Electronics», 1974, ?6, 399−416.
Ruhl H. Spreading velocity of the active area boundary in a thyristor.- «IEEE Trans. (Electron Devices)», 1970, ED-17, 672−680.
Sah C.T., Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and n-p junctions characteristics.-«Proc. IRE», 1957, ?5, 1128−1137.
Schlegel E.S. Gate-assisted turn-off thyristors.- «IEEE Trans. (Electron Devices)», 1976, ED-22, 888−892.
Somos I., Piccone D. Plasma spread in high-power thyristors under dynamic and static conditions.- «IEEE Trans. (Electron Devices)», 1970, ED-IJ, 680−687.
Somos I. Switching characteristics of silicon power controlled rectifiers.- «IEEE Trans. (Commun. Electron.)», 1964, 861−871.
Shockley W. Theories of high values of alpha for collector contacts on germanium.- «Phys. Rev.», 1950, 78, 294−295.
Storm H.P. Introduction to turn-off silicon controlled rectifiers.- «AIEE Trans. (Commun. Electron.)», 1963, 82, 375−383.
Tanenbaum M., Thomas D.E. Diffused emitter and base silicon transistors.- «Bell System Techn. J.», 1956, 21» 1−22.
Viol ley E.D. Gate turn-off in p-n-p-n devices.- «IEEE Trans. (Electron Devices)», 1966, ED-JJ3, 590−597.

Заполнить форму текущей работой