Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями
Диссертация
Анализ энергетических спектров идеальных кристаллов и положение уровней дефектов, а также согласование теоретических расчетов с экспериментальными, проведенными на основе этих работ, дает основание предположить, что ограниченный успех метода Костера-Слетера при конкретных расчетах объясняется недостаточно полным учетом деталей зонной структуры. Поэтому при решении задач об электронной структуре… Читать ещё >
Список литературы
- Lanno М., Bourgoin J. Point defects in semiconductors. Theoretical aspects. Berlin etc., Springer, 1981, 2б5р.
- Емцев В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М., Радио и связь, IS81, 248 с.
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, IS77, 368 с.
- Филлипс Д. Оптические спектры твердых тел. М., Мир, 1968, 176с.
- Pantelides S.T. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors. Reviews of moderii physics, 1978, V.50, N.4, p.797−858.
- Мастеров В.Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях АШВУ. ФТП, 1978, т.12, вып.4, с.625−652.
- Мастеров В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках. ФТП. 1984, т.18, вып.1, с.3−23.
- Тележкин В.А., Толпыго К. Б. Теория электронной структуры радиационных дефектов в полупроводниках. ФТП, 1982, т.16. вып.8, с.1337−1364.
- Полуэмпирические методы расчета электронной структуры /Под ред. Дж. Сигала. Пер с англ. В 2-х т., М., Мир, 1980. т.1, 328 е., т.2, 372 с.
- Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М., Мир, 1973, 557 с.
- Chadi D.J., Cohen M.L. Tight-binding calculations of the valence bands of diamond and zincblende crystals. Phys. Status Solidi B, 1975, V.68, НИ, p.405−419.
- Proyen S., Harrison W.A. Elementary prediction of linear combination of atomic orbitals matrix elements. Phys.Rev. Б, 1979, V.20, N.6, p.2420−2422.
- Harrison W.A. New tight-binding parameters for covalent solids obtained using Louie peripheral states. Phys.Rev. B, 1981, V.24, N.10, p.5835−5843.
- Weaire D., Thorpe M.P. Electronic properties of an amorphous solid. I.A. Simple tight-binding theory. Phys.Rev. B, 1971, V.4, N.8, p.2508−2520.
- Thorpe M.P., Weaire D. Electronic properties of an amorphous solid. 2 Further aspects of the theory. Phys.Rev. B, 1971, V.4, N.10, p.3518−3527.
- Thorpe M.F., Weaire D., Alben R. Electronic properties of an amorphous solid. 2 The cohesive energy and the density of states. Phys.Rev. B, 1973, V.7, N.8, p.3777−3788.
- Talwar D.N., Ting C.S. Deep levels due to isolated single pair vacancies in C, Si and Ge. J.Phys. C. Solid State Phys.1982, V.15, p.6573−6584.
- Talwar D.N., Ting C.S. Tight-bindihg calculations for the electronic structure of isolated vacancies and impurities in 3−5 compound semiconductors. Phys.Rev. B, 1982, V.25, N.4,p-r2660−2680.
- Hirabayashi K. Intrinsic surface states in semiconductors. Diamond type crystals. J.Phys.Soc.Jap., 1969, V.27, N.6, p.1475−1484.
- Pantelides S.T., Harrison W.A., Structure of the valence bands of zinc-blende-type semiconductors. Phys.Rev. B, 1975, V.11, N.8, p.3006−3021.
- Chen А.В., Sher A. Valence-band structures of 3−5 compounds and alloys-bond-orbital and coherent-potential approximations.
- Phys.Rev. В, 1978, V.17, N.12, p.4726−4743
- Локализация и делокализация в квантовой химии. / Под ред.
- Г. М.Еидомирова. Пер. с англ. М., Мир, IS78, 412 с.
- Adams W.H. On solutions of Hartree-Pock equation in terms oflocalized orbitals. J.Chem.Phys., 1961, V.34, N.1, p.89−102.
- Anderson P.W. Self-consistent pseudopotentials and ultraloca-lized functions for energy bands. Phys.Rev.Lett., 1968, V.21, N.11, p.13−16.
- Баженов В.К., Нахабин А. В., Петухов А. Г. Гамильтониан сильной связи ковалентного полупроводника. ФТП, 1983, т.17, вып.7, с. 1356.
- Смирнов В.П. Фурье разложение гамильтониана кристаллов. Изв. высш. учеб.заведений. Физика, 1981, т.24, й7, с.101−105.
- Alstrup I., Johansen К. Empirical third neighbour LOAO energy bands of silicon. Phys. Status Solidi, 1968, V.28, N.2, рт555−5б4.
- Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. В 2-х т., М., Мир, 1983, т.1, 381 е., т * 2 9 с •
- Рассеивание света в твердых телах. /Под ред. М.Кардоны. Пер. с англ. М., Мир, 1979.
- McFeely P.R., Kowalczyk S.P., Ley L., Cavell R.G., Pollak R.A. and Shirley D.A. X-ray photoemission studies of diamond, graphite, and glassy carbon valence bands. Phys.Rev. B, 1974,1. V.9, N.12, p.5268−5278.
- Ley L., Pollak R.A., Mcfeely F.R., Kowalczyk S.P., Shirley D.A. Total valence-band densities of states of 3−5 and 2−6 compounds from X-ray photoemission spectroscopy. Phys.Rev. B, 1974, V.9, N.2, p.600−621.
- Eastman D.E., Grobman W.D., Freeouf J.L., Erbudak M. Photoemission spectroscopy using synchrotron radiation. I. Overviews of valence-band structure for Ge, GaAs, GaP, InSb, ZnSe, CdTe and Agl. Phys.Rev. B, 1974, V.9, N.8, p.3473−3488.
- Economou E.N. Greens functions in quantum physics. Springer-Verlag, Berlin Heidelberg New York, 1979, 249 p.
- Лифпшц И.М. 0 вырожденных регулярных возмущениях. I. Дискретный спектр. ЖЭТФ, 1947, т.17, вып. II, с.1017−1025.
- Любарский Г. Я. Теория групп и ее применение в физике. Гос. издат. техн-теорет. лит., М., 1957, 354 с.
- Хейне В. Теория групп в квантовой механике. М., ИИ, 1963, 522 с.
- Штрайтвольф Г. Теория групп в физике твердого тела. М., Мир, 1971, 262 с.
- Koster G.F., Slater J.С. Simplified impurity calculation. -Phys.Rev., 1954, V.96, N.5, p.1208−1223.
- Koster G.P., Slater J.G. Wave function for impurity levels.-Phys.Rev., 1954, V.95, N.5, p.1167−1176.
- Calais J.L., Ribbing C.G. Use of orthogonalized atomic orbi-tals in the Koster-Slater method for impurities. Phys.Rev. B, 1971, V.4, N.2, p.376−382.
- Callaway J., Hughes A.J. Localized defects in semiconductors. Phys.Rev., 1967, V.156, N.3, p.860−876.
- Callaway J. Electronic structure of the single vacancy in silicon. Phys.Rev. B, 1971, V.3, N.8, р.255б-25бЗ.
- Lannoo M., Lenglart P. Study of the neutral vacancy in semiconductors. J. Physical Chemical Solids, 1969, V.30, p.2409−2435.
- Callaway J., Hughes A.J. Localized defects in semiconductors. The divacancy in silicon. Phys.Rev., 1967, V.164, N.3,p.1043−1049.
- Lee T.F., Gill Т.О. Semiempirical calculation of deep levels: Divacancy in Si.J.Phys.C: Solid St.Phys., 1973, V.6, N.23,p.3438- 3450.
- Foulkner R.A. Toward a theory of isoelectronic impurities in semiconductors. Phys.Rev., 1968, V.175, N.3, p.991−1009.
- Papp G., Beleznay P. Changing in the density of states cansed by vacancy in GaP and InP. Acta phys. et chem. Szeged, 1983, V.29, N.1−2, p.3−15.
- Kobayashi A., Sankey O.P., Daw J.D. Deep energy levels of defects in the wurtzite semiconductors AlN, CdS, CdSe, ZnS and ZnO. Phys.Rev. B, 1983, V.28, N.2, p.946−956.
- Barnoussi M., Bouhelat A., Albert J.P., Gout C. Study of ideal vacancies in ZnS and ZnO (wurtzite). Solid State Commun., 1983, V.45, N.9, p.845−847.
- Омельяновский Э.М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М, Металлургия, 1983, 192 с.
- Del Giallo P., Moretti P., Pieralli F. Computation of impurity Greens functions in the tight-binding scheme.-II Nuovo Cimento D, 1983, V.2, N.3, p.721−730.
- Williams A.R., Feibelman P.J., Lang N.D. Greens-function methods for electronic-structure calculations. Phys.Rev. B, 1982, V.26, N.10, p.5433−5444.
- Reifman S.P., Shulichenko B.V. The calculation of the electronic structure of a vacancy by the Greens function theory. -Phys.Status Solidi B, 1979, V.96, p.537−544.
- Петухов А.Г., Нахабин А. В., Баженов В. К. Метод химического псевдопотенциала для вакансий в ковалентном кристалле. -Первая Всесоюзная конференция по квантовой химии твердого тела. Л., Изд-во ЛГУ, 1982, с.73−74.
- Bernholc J., pantelides S.T. Scattering-theoretic method for defects in semiconductors. Tight-binding description of vacancies in Si, Ge and GaAs. Phys.Rev. B, 1978, V.18, N.4, p.1780 1789.
- Vogl P. Chemical trends of deep impurity levels in covalent semiconductors. Festkorperproblem XXI, 1981, p.191−219.
- Каллуэй Д. Теория энергетической зонной структуры. М., Мир, 1969, 360 с.
- Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. М., Мир, 1968, 264 с.
- Слэтер Д. Электронная структура молекул. М., Мир, 1965, 587 с.
- Zak J. Determination of symmetry of localized orbitals in solids. Phys.Rev.Lett., 1981, V.47, N.6, p.450−453.
- Левин А.А. Введение в квантовую химию твердого тела. Л., Химия, 1974, 240 с.
- Дьюар М. Теория молекулярных орбиталей в органической химии. Пер. с англ. М., Мир, 1972, 590 с.
- Hjalmarson Н.Р., Buttner Н., Dow J.D. Theory of core excitons. Phys.Rev. B, 1981, V.24, N.10, p.601o-6019.
- Messmer P.R. Semi-empirical LCAO band structures. Ghem.Phys. Letters, 1971, V.11, N.5, p.589−592.
- Shimizu Т., Shii N.I. Semiempirical LCAO band structure calculation for InSb with zincblende and rocksalt structure.
- Physics Letters, A, 1977, V.62, N.2, p.122−124.
- Chelikowsky J., Cohen M.L. Nonlocal pseudopotential calculations for the electronic structure of eleven diamond and zinc-blende semiconductors. Phys.Rev. B, 1976, V.14, N.2, p.556−582.
- Slater J.C., Koster G.P. Simplified LCAO method for the periodic potential problem. Phys.Rev., 1954, V.94, N-6, p.1498−1524.
- Pantelides S. Universal valence bands for rocksalt-type compounds and their connection with those of tetrahedral crystals. Phys.Rev. B, 1975, V.11, N.12, p.5082−5093.
- Unger K., Neumann H. Antisymmetric gap and total widht of valence band of binary compound crystals. Phys. Status Solidi B, 1974, V.64, к. п p-117−122.
- Chadi D.J., Cohen M.L., Grobman W.D. Atomic pseudopotentials and the ionicity parameter of Phillips and Van Vechten. -Phys.Rev. B, 1973, V.8, N.12, p.5587−5591.
- Kowalczyk S.P., Ley L., McFeely F.R., Shirley D.A. An ionicity scale based on photoemission valence-band spectra of ANB8~N and anB10~N type crystals. J.Chem.Phys., 1974, v.61, N.7,p.2850−2856.
- Баженов В.К., Багдасаров X.G., Тимофеенко В. В. Ширина верхней валентной зоны фторидов щелочных земель. ФТП, 1977, т.19, вып.6, с.1638−1642.
- Мырваков Д. И., Петухов А. Г. Зонная структура и плотность состояний слоистого селенида галлия. Болгарский физический куриал У, 1978, т.5, с.454−460.
- Adams W.H. Orbital theories of electronic structure. J.Chem. Phys., 1962, V.37, N.9, p.2009−2018.
- Mann A., Privman V. Localized symmetry adapted perturbation theory and new tight-binding expansion. Phys.Rev.Lett., 1982, V. 49, N.15. р. Юб8−1071.
- Doni E., Resca L., Resta R., Girlanda R. Relationships between the semiempirical and the Hartree-Fock method in band structure calculations. Solid State Commun., 1980, V.34, N.6,p.461−465.
- Weeks J.D., Anderson P.VV., Davidson A.G.H. Non-hermitian representations in localized theories. Journal of Chemical Physics, 1973, V.58, N.4, p.1388−1395
- Pandey K.C., Phillips J.C. Tight-binding calculations of surfaces states of Si (111). Solid St.Commun., 1974, V.14, N.6, p.439−441.
- Pandey K.C., Phillips J.C. Realistic tight-binding calculations of surface states of Si and Ge (111). Phys.Rev.Lett., 1974, V.32, N.25, p.1433−1436.
- Pandey K.C., Phillips J.C. Atomic densities of states near Si (111) surfaces. Phys.Rev. B, 1976, V.13, N.2, p.750−760.
- Соболев В.В. Собственные энергетические уровни твердых телтугруппы, А . Кишинев, Штиинца, 1978, 205 с.
- Larsen Р.К., van der Veen J.P., Mazur A., Pollman J., Weave J.H., Joyce B.A. Surface electronic structure of GaAs (001)-(2×4): Angle-resolved photoemission and tight-binding calculations. Phys.Rev. B, 1982, V.26, N.6, p.3222−3237.
- Chadi D.J. Localized-orbital description of wave functions and energy bands in semiconductors. Phys.Rev. B, 1977, V.16, N.8, p.3572−3578.
- Соболев В.В. Оптические фундаментальные спектры соединений группы АШВ^. Кишинев, Штиинца, 1979, 288 с.
- Й8: Пихтин А. Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. уТП, IS77, т. II, вып. З, с.425−455.
- Shevchik N.J., Tejeda J., Cardona M. Densities of valence of amorphous and crystalline 3−5 and 2−6 semiconductors. Phys. Rev. B, 1974, V.9, N.6, р.2б27−2б48.
- Lawaetz P. Valence-band parametr in cubic semiconductors. -Phys.Rev. B, 1971, V.4, N.10, p.3460−3467.
- Алферов Z.Id. Полупроводниковые гетероструктуры. уШ, 1977, т. II, вып. II, с.2072−2083.
- Baldereschi A., Hess Е., Maschke К., Neumann Н., Shulze K.R., Unger К. Energy band structure of A1 Ga1 «As. J.Phys.C:a i —jl
- Solid State Physics, 1977, V.10, N.23, p.4709−4717.
- Chen A.B., Sher A. Electronic structure of pseudobinary semiconductor alloys A1 Ga1 As, GaP As, ahd Ga In. P. Phys. jv 1 ««л л i шл x i **x
- Rev. B, 1981, V.23, N.10, p.5360−5374
- Panteliaes S.T., Pollman J. Critique of the empirical tight-binding method for semiconductor surfaces and interfaces.
- Richardson D. The effect of atomic displacement on energy gap bowing in zincblende semiconductor alloys. J.Phys. C: Solid State Physics, 1972, V.5, L27−30.
- Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединении элементов Ш и 7 групп. М., Ыир, 1967, 478 с.
- Bedair S.M. Composition dependence of the Al Ga1 Sb energy1. X I™xgaps. J.Appl.Phys., 1976, V.47, N.9, p.4145−4147.
- Биркшин Ю.Ф., Буль С. П., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. 0 заврь-симости ширины запрещенной зоны нелигированного твердого раствора Al Ga1 Sb от состава (0<х"&-1) и тегшературы (4.2
- Т< 200 К). ФТП, 1983. т.17, вып.1, с.103−107.
- Stroud D., Ehrenreich Н. Band structure of SiGe: Coherent-potential approximation. Phys.Rev. B, 1970, V.2, N.8,p.3197−3209.
- Stroud D. Band gaps of semiconductors alloys. Phys.Rev. B, 1972, V.5, N.8, p.3366−3368.
- Van Vechten J.A., Bergstresser Т.К. Electronic structure of semiconductor alloys. Phys.Rev. B, 1970, V.1, N.8, p.3351−3358.
- Yoshioka H., Sonomura H., Miyauchi T. On intrinsic bowing parameters of the direct energy gaps in 3−5 ternary alloys.-Japn.J.Appl.Phys., 1979, V.18, N.9, p.1857−1858.
- Hill R. Energy-gap variations in semiconductor alloys. -J.Phys. C: Solid State Physics, 1974, V.7, p.521−526.
- Чалдышев В.А., Гриняев С.Н., Расчет электронного спектра соен1 удинений, А В и твердых растворов на их основе методом модельного псевдопотенциала. Известия высших учебных заведений, Физика, 1983, т. ХШ, J53, с.38−61.
- Alibert С., Joullie А., Joullie A.M. Modulation-spectroscopy study of the Ga1 AL Sb band structure. Phys.Rev. B, 1983, i — a. jv1. V.27, N.8, p.4946−4954.
- Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковыхтт ytсоединений, А В . -Кишинев, Штиинца, 1980, 156 с.
- Anda E.V., Majeis J. Band structure calculations of semiconductors and alloys with diamond and zincblende-crystals lattices. II Nuovo Cimento, B, 1973, V.15, H.2, p.225−244.
- Эварестов P.А., Котомин E.A., Ермошкин A.H. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. Рига, Знание, 1983, 287 с.
- Kunz А.В. Application of the orthogonalized plane wave method to lithium chloride, sodium chloride and potassium chloride.-Phys.Rev., 1968, V.175, N.3, p.1147−1155
- Poole R.T., Jenkin J.G., Lieeegang J., Leckey R.C.J. Electronic band structure of the alkali halides. 1. Experimental parameters. Phys.Rev. B, 1975, V.11, N.12, p.5179−5189.
- Рашба Э.И. Симметрия энергетических зон в кристаллах типа вюртцита. ФТП, 1952, т.1, вып. З, с.407−421.
- Streitwolf H.W. Selection rules for the space group Cgv (wur-tzite). Phys. Statys Solidi, 1969, V.33, N.11, p.225−233.
- Bassani P., Greenway D.L., Fischer G. Investigation of the band structure of GaS and GaSe. Proc.Intern.Gonf.Phys.Semi-cond., Paris, 1964, p.51.
- Bassani P., Parravicini G.P. Band structure and optical properties of graphite and of the layer compounds GaS and GaSe.-Nuovo Cimento, 1967, V.50, N.1, p.95−128.
- Kamimura H., Hakao K. Band structure of the semiconducting laer compounds. J.Phys.Soc.Japan, 1966, V.21, Suppl. p.27−30.
- Kamimura H., Hakao K. Band structures and optical properties of semiconducting layer compounds GaS and GaSe. J.PhysSoc. Japan, 1968, V.24, p.1313−1325.
- Bashenov V.K., Garyanov S.A., Marvakov D.J. Band structure of GaSe. Phys. Status Solidi, B, 1977, V.82, p. K95
- Баженов В.К., Марваков Д. И., Петухов А. Г. Зонная структура селенвда галлия в двухмерном приближении. ФТП, 1978, т.12, вып.8, с.1442−1444.
- Nagel S., Baldereschi A., Maschke К. Tight-binding study of the electronic states in GaSe polytypes. J.Phys. C: Solid State Physics, 1979, V.12, N.9, p.1625−1639.
- Robertson J. Electronic structure of GaSe, GaS, InSe, GaTe.-J.Phys. C: Solid State Physics, 1979, V.12, N.22, p.4777−4789.
- Петухов А.Г. Влияние неоднородного распределения валентных электронов на зонную структуру и динамику решетки ковалент-ных кристаллов. Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1981, 18 с.
- Schluter М. The electronic structure of GaSe. II Nuovo Cimento, B, 1973, V.13, N.2, p.313−360.
- Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A., Piacentini M. Electronic properties of the 3−6 layer compounds GaS, GaSe and InSe. II Nuovo Cimento, 1979, V.51, N.1, p.154−180.
- Larsen P.K., Chiang T.C., Smith P.L. Determination of the valence band structure of InSe by angle-resolved photoemis-sion using synchrotron radiation. Phys.Rev. B, 1977, V.15, N.6, p.3200−3210.
- Balzarotti A., Girlanda R., GrassO V., Doni E., Piacenti-ni M. Wave-lehgth modulation absorption in InSe above the fundamental edge. Lett. Nuovo Gimento, 1978, V.21, N.2, p.49−53.
- Вычислительные методы в теории твердого тела. /Под'ред. А. А. Овчинникова. Пер с англ. М., Мир, 1975, 400 с.
- Anda E.V., Majlis N. Band structure calculation of semiconductors and alloys with diamond and zincblende crystal lattices. II Nuovo Gimento, 1973, V.15 B, N.2, p.225−236.
- Fazzio A., Caldas M.J., Leite J.R. Point defects in covalent semiconductors a molecular cluster model. Proc. of the international symposium of atomic, molecular and solid-state theory. — 1979, V.13, p.349−361.
- Илыш Н.П., Мастеров В. Ф. Электронная структура глубоких центров в арсениде галлия, легированном переходными элементами группы железа. ФТП, 1977, т. II, вып.8, с.1470−1477.
- Osbourn G.C., Smith D.L. Transmission and reflection coefi-cients of carriers at an abrupt GaAs (100) interface. -Phys.Rev. 1979, V.19, N.4, p.2124−2133.
- Das Sarma S., Madhukar A. Study of the ideal-vacancy induced neutral deep levels in 3−5 compounds semiconductors and their ternary alloys. Phys.Rev. B, 1981, V.24, N.4, p.2051−2068.
- Daw M.S., Smith D.L. Vacancies near semiconductor surfaces. -Phys. Rev. B, 1979, V.20, N.12, p.5150−5156.
- Bachelet G.B., Baraff G.A., Shluter M. Defects in diamond: unrelated vacancy and substitutional nitrogen. Phys.Rev. B, 1981, V.24, N.8, p.4736−4744.
- Rest J., Pecheur P. Electronic structure of the ideal vacancies in Ge, GaAs and ZnSe crystals. J.Phys. C: Solid State Physics, 1984, V.17, p.85−95
- Messmer R.P., Watkins G.D. Molecular-orbital treatment for deep levels in semiconductors: substitutional nitrogen and the lattice vacancy in diamond. Phys.Rev. B, 1973, V.7, N.6, p.2568−2590.
- Lowther J.E. Cluster modelB of diamond and GaAs: band structure and the vacancy problem. J.Phys. C: Solid State Phys., 1976, V.9, N. 13, p.2519−2532.
- Lowther J.E. Electronic nature of vacancies in tetrahedrally coordinated semiconductors. Phys.Rev. B, 1977, V.15, N.8, p.3928−3934.
- Mainwood R. Relaxation about the vacancy in diamond. J.Phys. C: Solid State Physics 1978, V.11, N.13, p.2703−2710.
- Bernholc J., Lipari N.O., Pantelides S.T. Scattering-theoretic method for defects in semiconductors. Self-consistent formulation and application to the vacancy in silicon. -Phys.Rev. B, 1980, V.21, N.8, 3545−3562.
- Jaros M., Rodrigues, G.O., Brand S. Self-consistent pseudo-potential calculation of electronic states associated with a reconstructed silicon vacancy. Phys.Rev. B, 1979, V.19, N.6, p.3137−3151.
- Papaconstantopoulos D.'A., Economou E.N. Slater-Koster para-metrization for Si and the ideal-vacancy calculation-*- Phys.
- Rev. Б, 1980, V.22, N.6, p.2903−2907.
- Lindefelt U. A study of the neutral undistorted vacancy in silicon. J.Phys. C: Solid State Physics, 1978, V.11, N.17, p.3651−3660.
- Bernholc J., Lipari N.O., Pantelides S.T. Self-consistent method for point defects in semiconductors. Application to the vacancy in silicon. Phys.Rev.Lett., 1978, V.41, N.13, p.895−899.
- Baraff G.A., Schluter M. New self-consistent approach to the electronic structure of localized defects in solids. Phys. Rev. B, 1979, V.19, N. 10, p.4965−4979.
- Baraff G.A., Kane E.O., Schluter M. Silicon vacancy: a possible «Anderson negative U» system. — Phys.Rev.Lett., 1979, V.43, N.13, p.956−959.
- Baraff G.A., Kane E.Q., Schluter M. Simple parametrized model for Jahn-Teller systems. Vacancy in p-type silicon. -Phys.Rev. B, 1980, V.21, N.8, p.3563−3570.
- Lowther J.E. Structural bonding of deep level defects and the nature of amphoteric centres in silicon. J.Phys. C: Solid State Physics, C, 1980, V.13, N.19, p.3665−3679.
- Lowther J.E. Carrier capture at amphoteric deep level defects in silicon. J.Phys. C: Solid State Physics, 1980, V.13, N.13, p.3681−3696.
- Louie S.G., Schluter M., Chelikowsky J.R., Cohen M.L. Selfconsistent electronic states for reconstructed Si vacancy models. Phys.Rev. B, 1976, V.13, N.4, p.1654−1663.
- Casula P., Ossicini S., Selloni A. Electronic vacancy states in silicon by the chemical pseudopotential method. Solid State Communications, 1978, V.28, N.1, p.141−145
- Lindefelt U. The localized vacancy state in Ge. J.Phys. C: Solid State Physics, 1979, V.12, N.11, p. L419−423.
- Das Sarma S., Madhukar A. Cation and anion ideal vacancy induced in some 3−5 compound semiconductors. Solid State Communications, 1981, V.38, N.3, p.183−186.
- Jaros M., Brand S. Localized defects in 3−5 semiconductors. -Phys.Rev. B, 1976, V.14, N.10, p.4494−4505.
- Ильин Н.П., Мастеров В. Ф. Электронные состояния нейтральных вакансий в арсениде и фосфиде галлия. ФТП, 1876, т.10, вып.5, с.836−840.
- Ильин Н.П., Мастеров В. Ф., Саморуков Б. Е., Штельмах К. Ф. О природе глубокого донорного центра в фосфиде галлия, легированном кислородом. -ФТП, 1976, т.10, вып.8, с.1581−1583.
- Jaros М., Srivastava G.P. Localized states in the presence of a phosphorus vacancy in GaP. J.Phys.Chem.Solids, 1977, V.38, N. 12, p.1399−1401.
- Srivastava G.P. Electronic structure of a neutral phosphorus vacanca in GaP and InP. Phys. Status Solidi, B, 1979, V.93, N.2, p.761−765.
- Osbourn G.C. Hydrostatic-pressure dependence of the ideal-neutral vacancy levels in GaAs. Phys.Rev. B, 1980, V.22, N.6, p.2898−2902.
- Fazzio A., Leite J.R., De Siqueria M-L. Multiple scatering-X. cluster model of GaAs. Electronic states of isolated vacancies and substitutional impurities. J.Phys. C: Solid State Physics, 1979, V.12, N.17, p.3469−3481.
- Majewski К. V impurity states in ZnS by the Greens function method. Phys. Status Solidi, B, 1980, V.99, N.2, p. K141−143.
- Brescansin L.M., Passio A. Theoretical study of single vacancies in GaSb. Phys. Status Solidi, B, 1981, V.105, N. 1, p.339−345.
- Pecheur P., Kauffer E., Gerl M. Tight-binding calculation of the P center and of the isoelectronic defects in ZnS. -Phys.Rev. B, 1976, V.14, N. 10, p.4521−4526.
- Lowther J.E. Calculation of the electronic structure of charged vacancies in semiconductors: the zinc vacancy in ZnSe. J.Phys. C: Solid State Physics, 1977, V.10, N.8, p.1247−1254.
- Изюмов Ю.А., Медведев M.B. Теория магнитоупорядоченных кристаллов с примесями. М., Наука, 1970, 272 с.
- Bernholc J., Lipari N.O., Pantelides S.T. Scattering-theoretic method for defects in semiconductors. Self-consistent formulation and application to the vacancy in silicon. -Phys.Rev. B, 1980, V.21, N.8, p.3545−3562.
- Verges J.A. Comment on «Critique of the tight-binding method: Ideal vacancy and surface states». Phys.Rev. B, 1982, V.26, N.2, p.1059−1062.
- Krieger J.B., Laufer P.M. Critique of the tight-binding (orbital removal) method: Ideal vacancy and surface states. -J.Vac.Sci.Technol., 1981, V.19, N.3, p.307−312.
- Krieger J.B., Laufer P.M. Critique of the tight-binding method: Ideal vacancy and surface states. Phys.Rev. B, 1981,1. V.231 N.8, p.4063−4075.
- Kobayashi A., Sankey O.F., Dow J.D. Deep energy levels of defects in the semiconductors A1N, CdS, CdSe, ZnS and ZnO. -Phys.Rev. B, 1983, V.28, N.2, p.946−956.
- Barnoussi M., Bouhelat A., Albert J.P., Gout C. Study of ideal vacancies in ZnS and ZnO (wurtzite). Solid State Communications, 1983, V.45, N.9, p.845−847.
- Allen R.E., Dow J.D., Hjalmarson H.P. Electronic energy levels of point defects at the GaSb (110) surface. Solid State Communications, 1982, V.41, N.5, p.419−422.
- Bashenov V.K., Baumann I., Petukhov A.G. Resonance levels of isoelectronics impurities in GaAs. Phys. Status Solidi, B, 1980, V.100, p. К105−108.
- Kleiman G.G., Fracastoro-Decker M. Nitrogen states in Ga (As, P) and the long-range, short-range model: A systematic study. Phys.Rev. B, 1980, V.21, N.8, p.3478−3490.
- Bratashevskii Y.A. Energy calculation of electrons in solid solutions of isovalent substitution. Solid State Communications, 1976, V.19, p.1133−1135.
- Singh J., Madhukar A. Method for calculatihg the electronic structure induced by short-ranged defects in semiconductors. Phys.Rev. B, 1982, V.25, N.12, p.7700−7712.
- Hjalmarson H.P., Vogl P., Wblford D.J., Dow J.D. Theory of substitutional deep traps in covalent semiconductors. Phys. Rev.Lett., 1980, V.44, N.12, p.810−813.
- Bernholc J., Lipari N.O., Pantelides S.T., Scheffler M. Electronic structure of deep sp-bonded substitutional impurities in silicon. Phys.Rev. B, 1982, V.26, N.10, p.5706−5715.
- Альтшуль В.Я., Нахабин А. В., Петухов А. Г. Энергетический спектр изовалентных цримесей в арсениде галлия.-Тез. докл. У1 Республиканской школы молодых физиков. Ташкент, 1981, т.2, с. 256.
- Phillips J.С. Covalent bonding in crystals, molecules and polymers. Univ. Chicago Press, Chicago, 1970.
- Humphreys R.G., Brand S., Jaros M. Electronic structure of the divacancy in silicon. J.Phys. C: Solid State Physics, 1983, V.16, p. L337−343.
- Lowther J.E. Calculation of electronic structure of charged vacancies in semiconductors: the zinc vacancy in ZnSe. J. Phys. C: Solid State Physics, 1977, V. 10, N.8, p. 1247−1254.
- Weigel C., Ammerlaan C.A.J. Iterative EHT calculations for the positive divacancy in silicon. phys. Status Solidi, B, 1979, V.94, N.2, p.505−516.
- Kauffer E., Pecheur P., Gerl M. Electronic structure of complex defects in silicon: divacancy and split 100 intersiti-al. Rev.Phys.Appl., 1980, V.15, N.4, p.849−852.
- Watkins G.D., Gorbett J.W. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy. Phys.Rev. 1965, У.138, N.2, p. A543−555
- Lee Y.H., Gorbett J.W. EPR study of defects in neutron-irradiated silicon: quenched-in alignment under 110 uniaxial stress. Phys.Rev. B, 1974, V.9, N.10, p.4351−4361.
- Brower K.L. Structure of multiple-vacancy (oxygen) centers in irradiated silicon. Radiat.Eff., 1971, V.8, N.3−4,p.213−219.
- Lee Y.H., Gorbett J.W. EPR studies in neutron-irradiated silicon: a negative charge state of a non-planar five-vacancy cluster (V~). Phys.Rev. B, 1973, V.8, N.6, p.2810−2826.
- Sankey O.P., Hjalmarson H.P., Dow J.D., Wolford D.J., Stre-etman B.G. Substitutional defect pairs in GaAs1 P. Phys. Rev-Lett., 1980, V.45, N.20, р.1б5б-1б59.
- Sankey O.P., Dow J.D. Deep levels associated with nearest-neighbor substitutional defect pairs in GaAs. Appl.Phys. Lett., 1981, V.38, N.9, p.685−687.
- Sankey O.P., Dow J.D. Electronic energy levels of substitutional defect pair in Si. Phys.Rev. B, 1982, V.26, N.6, p.3243−3248.