Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Магнитное состояние примесных ионов и дефектов в магнитных полупроводниках и их диэлектрических аналогах

Диссертация: Магнитное состояние примесных ионов и дефектов в магнитных полупроводниках и их диэлектрических аналогах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На раннем этапе исследований в качестве таких материалов использовались ферромагнитные металлы. В ферромагнитных материалах, таких как Бе, Со и N1, носители заряда вследствие их квантовомеханических свойств являются спин-поляризованными. Поляризация происходит из-за дисбаланса между электронами со спином «вверх» и со спином «вниз». Носитель заряда теряет свою поляризацию спина после столкновения… Читать ещё >

Магнитное состояние примесных ионов и дефектов в магнитных полупроводниках и их диэлектрических аналогах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Природа магнитных свойств наночастиц 8п02 и Се02, допированных ионами переходных металлов
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Электронный парамагнитный резонанс ионов Со2+ в наночастицах 25 8п,.хСох
    • 1. 3. ЭПР и магнитометрия в наночастицах 8п|.хРех
      • 1. 3. 1. Ферромагнетизм наночастиц 8п02 допированных ионами Бе
      • 1. 3. 2. Влияние концентрации Бе на спектры ЭПР
      • 1. 3. 3. Влияние температуры отжига образцов 8п|.хРех02 на их 39 магнитные свойства
      • 1. 3. 4. ЭПР ионов Ре""+ в наночастицах 8п0 9950 005О2 на частоте 236 ГГц
      • 1. 3. 5. Анализ и обсуждение
    • 1. 4. Электронный парамагнитный резонанс ионов Сг3+ в наночастицах 50 8П,.чСГч
    • 1. 5. Электронный парамагнитный резонанс ионов №, Со в 56 наночастицах Се1. х№х02 и Се1хСох
      • 1. 5. 1. Магнетизм наночастиц Се]. х№х02 и Се,.хСох02, х =
      • 1. 5. 2. Спектры ЭПР/ФМР в Се,.х№х02 и Се,.хСох02, х =
      • 1. 5. 3. Формирование ферромагнетизма в Се02 допированном N1 и Со
      • 1. 5. 4. Магнитные свойства наночастиц Се|.х№х02 в зависимости от 68 уровня допирования N1 (х)
      • 1. 5. 5. Спектры ЭПР N1 в Се1. х№х02 в зависимости от х и активирования
    • 1. 6. Выводы
  • Глава 2. Синтез нанокерамики SiCN и ее магнитных производных и магнитное состояние примесных ионов в таких соединениях
    • 2. 1. Новый материал для высокотемпературных сенсоров SiCN
    • 2. 2. Нанокерамика SiCN без магнитных примесей
      • 2. 2. 1. Общая характеристика и синтез керамики SiCN
      • 2. 2. 2. Данные ЭПР и их анализ
      • 2. 2. 3. ЯМР исследования керамики SiCN
    • 2. 3. Исследование керамик SiCN, допированных ионами Fe, методами 90 ФМР и ЭПР
      • 2. 3. 1. Синтез керамики SiCN, допированной ионами Fe
      • 2. 3. 2. Результаты ЭПР/ФМР исследований керамики SiCN/Fe и 96 фазообразование при различных температурах пиролиза
      • 2. 3. 3. Температурные зависимости линий ФМР и ЭПР Fe3+
      • 2. 3. 4. Инфракрасное и рамановское исследование керамики SiCN/Fe
      • 2. 3. 5. Рентгеновские порошковые дифрактограммы керамики SiCN/Fe
      • 2. 3. 6. Магнитные свойства керамики SiCN/Fe
    • 2. 4. Исследование керамик SiCN, допированных ионами Мп, методами 111 ФМР и ЭПР
      • 2. 4. 1. Синтез керамик SiCN, допированных Мп
      • 2. 4. 2. Исследования керамик SiCN/Mn методами ЭПР и ФМР
      • 2. 4. 3. Намагниченность керамик SiCN/Mn при комнатной температуре
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Влияние замещения ионов Sr/Ba на магнитные свойства 123 редкоземельных манганитов
    • 3. 1. Влияние замещений ионов в редкоземельной и щелочноземельной подрешетке манганитов
    • 3. 2. Спектры ЭПР. Фазовые переходы от парамагнитной к ферромагнитной фазе
    • 3. 3. Интерпретация ширины линий ЭПР в манганитах, прыжковая 130 проводимость в модели полярона малого радиуса
    • 3. 4. ЭПР исследование манганита (Ьа1/з8т2/з)2/з8гхВа0.зз-хМпОз (х<0.1)
    • 3. 5. Ширина линий ЭПР в модели переменной длины прыжка
    • 3. 6. Разбавленные манганиты: ЭПР твёрдых растворов LaA103 — Lau 145 xSrxMn03 (х = 0.015, 0.03, 0.08) и LaA103 — Ьа0. б7Ва0.ззМпуО3 (у=
    • 0. 04- 0.10)
      • 3. 7. Выводы
  • Глава 4. Фазовые переходы в синглет-триплетных системах: Ва,.хКхВЮ3, У
    • 4. 1. Электронный парамагнитный резонанс и микроволновое 153 поглощение в керамике Baj. xKxB
      • 4. 1. 1. Введение
      • 4. 1. 2. Синтез и структура Ba!.xKxB
      • 4. 1. 3. Экспериментальная установка, данные измерений ЭПР и 156 микроволнового поглощения
      • 4. 1. 4. Возможные конфигурации для твердых растворов Ba]. xKxB

4.2.2. Кристаллическая структура и синтез образцов 168.

4.2.3. Спектры ЭПР Fe3+ и V4+ в монокристаллах V02 171.

4.2.4. Ширина линий ЭПР FeJ+ и V4+ в монокристаллах V02 177.

4.2.5. Механизм температурной зависимости ширины линии ЭПР FeJ+: 183 Механизмы Кубо-Тойозава и Мория-Обата.

4.2.6.

Заключение

186.

4.3. Выводы 187.

Глава 5. Влияние разупорядочения в катионной подрешетке вследствие неизовалентного замещения в монокристаллах YCaA104 и ЬаСаАЮ4 188.

5.1. Электронный парамагнитный резонанс Fe3+ в монокристаллах 188 YCaA104: исследование разупорядочения, связанного с замещением неизовалентных ионов в структуре кристалла.

5.1.1.

Введение

188.

5.1.2. Синтез образцов, структура кристаллов и спектры ЭПР FeJ+ 190.

5.1.3. Параметры спин-гамильтониана Fe3+ 196.

5.1.4. Влияние разупорядочения на ширину линий ЭПР Fe3+ 199.

5.2. Сравнительное изучение влияния разупорядоченности на спектры 205 ЭПР ионов FeJ+ в монокристаллах YCaA104, LaCaA104.

5.2.1. Отличие структур YCaA104 и LaCaA104 205.

5.2.2. Спектры ЭПР Fe3+ в монокристалле LaCaA104 206.

5.2.3. Описание разупорядочения в LaCaA104: возможные конфигурации 211.

5.2.4. Сравнение поведения ширины линий ЭПР и параметров спин- 213 гамильтониана Fe3+ в LaCaA104 и YCaA104.

5.3. Сверхвысокочастотные спектры Fe3+ в монокристаллах CaYA104 на 219 частоте 249.9 ГГц.

5.3.1. ЭПР ионов FeJ+B YCaA104 на сверхвысоких частотах 219.

5.3.2. Параметры спин-гамильтониана 221.

5.4. Выводы 225.

Глава 6. Кристаллическое поле, спектры ЭПР и намагниченность редкоземельных оксидных соединений.

6.1. Кристаллическое поле и магнетизм редкоземельных соединений.

227 227.

6.1.1 Кристаллическое поле и магнетизм редкоземельного перовскита 227 ТшАЮз.

6.1.2 Кристаллическое поле и магнетизм редкоземельных ортованадатов 233 РгУ04 и ТЬУ04.

6.2. Спектры ЭПР Ос13+ Ш3+ и Се3+ в монокристаллах ЬаМЮ4 и РгКЬ04 237.

6.2.1. Спектры ЭПР Оё3+ в монокристаллах Ьа1МЮ4 и РгМЮ4 237.

6.2.2. Спектры ЭПР ионов Ш3+ и Се3+ в монокристаллах ЬаЫЬ04 и 241 Р1^Ь04.

6.2.3. Ширина линий ЭПР и симметрия спектров ЭПР вс1″ ,+ в 247 монокристаллах ЕиА103.

6.3. Исследование структурного разупорядочения в твердых растворах 248 НочУ1. чУ04 и ТтчЬи|.чР04 методом ЭПР.

6.3.1. Спектры ЭПР вс!3+ в НочУ,.хУ04 и ТтхЬи,.чР04 248.

6.3.2. Ширина линий ЭПР Оё3+ в НохУ,.хУ04 и ТтхЬи1. хР04 252.

6.3.3. Изучение кристаллического поля Ег'3+ и взаимодействий '^Но" 5″ 1″ - 254 Ег3+ в монокристаллах НочУ|.хУ04 (х = 0.02 — 1.00) методом ЭПР.

6.4. Выводы 258.

Заключение

260.

Основные результаты работы Благодарности.

В последнее время много усилий прикладывается для поиска новых материалов для спинтроники [1−3]. Как известно, электронные свойства магнитных полупроводников определяются не только переносом заряда, но и переносом спина. В соответствии с этой концепцией, согласно принципу квантования проекции спина на выбранную ось, носители тока разделяются на два типа: электроны (дырки) со спином вверх и электроны (дырки) со спином вниз. Спин поляризуется в магнитном поле. Поляризация включается во внешнем магнитном поле и существует за счет ферромагнитного упорядочения ионов решетки. Существуют различные способы получения поляризации спинов в магнитном полупроводнике, в частности, создание многослойных структур, ферромагнетик/проводник/ферромагнетик, однако мы сконцентрируем наши усилия на поиске и исследовании материалов, где ферромагнетизм и носители заряда существуют в одном объеме. Критерии поиска таких материалов для спинтроники таковы:

1. Мягкий ферромагнетизм, с очень малой коэрцитивностью, для того чтобы иметь возможность быстрого изменения направления поляризации.

2. Ферромагнетизм при комнатной температуре и выше.

3. Проводимость (обычно используется широкозонный полупроводник).

4. Возможность варьирования ширины зоны и величины проводимости при изменении состава и степени легирования проводника.

5. Повышение степени спиновой поляризации носителей заряда.

Мы изучали несколько классов таких соединений, удовлетворяющих вышеприведенным критериям, а именно: а). Разбавленные магнитные полупроводники, проявляющие ферромагнетизм (только в наночастицах) при комнатной температуре: СеСЬ/№, Со (структура флюорита), 8п02/ Ре, Сг, Со (структура рутила). б). Бескислородный материал БЮИ, допированный ионами Бе, Мп, проявляющий мягкий ферромагнетизм и прыжковую проводимость, которая меняется в широком диапазоне в зависимости от температуры отжига (размеров гранул) и допирования. Керамика, полученная методом пиролиза кремнеорганического жидкого полимера, состоит из наночастиц SiCN, окруженных графеновыми слоями. Керамика SiCN, допированная магнитными ионами Fe, Мп, предложена нами как новый материал для высокотемпературной спинтроники. в). Редкоземельные манганиты, проявляющие колоссальное магнитосопротивление, RExA!.xMn03. Они также сочетают полупроводниковую проводимость (прыжковый механизм) и ферромагнетизм.

Во всех этих соединениях объемный ферромагнетизм можно объяснить на основе различных модификаций модели Зенера, а прыжковую проводимость на основе модели Мотта. Носители заряда в таких соединениях, как правило, участвуют как в формировании магнитного упорядочения, так и в процессах переноса заряда.

Такие соединения, как правило, являются многокомпонентными, и в них для достижения необходимых свойств, в частности, магнитосопротивления и сверхпроводимости, необходимо как изовалентное замещение, так и неизовалентное замещение в катионной подрешетке.

В последние годы получили практическое использование сложные многокомпонентные оксидные соединения, в которых велика роль структурного разупорядочения при изовалентном и неизовалентном замещении редкоземельных ионов и ионов переходных металлов, входящих в структуру этих соединений. В реальных соединениях, включая наночастицы, велика роль дефектов, в частности, кислородных дефектов и вакансий. Поэтому изучение влияния структурного разупорядочения и различных дефектов структуры на электрические и магнитные свойства представляет особый интерес. Электронный парамагнитный резонанс является эффективным инструментом для изучения таких соединений. В то же время различные механизмы уширения линий ЭПР накладывают определенные ограничения на выбор объектов для исследований методом ЭПР. Сигналы ЭПР могут не наблюдаться даже в парамагнитной фазе вследствие интенсивного уширения.

Исследование электронных свойств оксидных соединений методами магнитного резонанса, в частности, особой роли кислородных дефектов в процессах переноса заряда, представляет особый интерес в связи с широким практическим применением этих соединений [4].

Методом магнитного резонанса были изучены соединения, представляющие непосредственный практический интерес для спинтроники: так называемые, разбавленные магнитные полупроводники [5], керамика БЮК [6] и редкоземельные манганиты [7]. В этих соединениях прежде всего интересно обнаружение сосуществования ферромагнетизма и локализованных парамагнитных центров в объеме вещества. Магнитный резонанс здесь позволяет идентифицировать объемный ферромагнетизм, ферромагнитные включения, упорядоченные нанокластеры и локализованные парамагнитные центры.

Магнитные полупроводники в спинтронике.

Рассмотрим, как менялись представления о материалах, пригодных для спинтроники. В данном параграфе на основе обзора Чеченина [8], отражающего историю поиска новых материалов для спинтроники с 80-х до начала 2000;х годов, описаны достоинства и недостатки используемых материалов и критерии поиска новых материалов для спинтроники.

На раннем этапе исследований в качестве таких материалов использовались ферромагнитные металлы. В ферромагнитных материалах, таких как Бе, Со и N1, носители заряда вследствие их квантовомеханических свойств являются спин-поляризованными. Поляризация происходит из-за дисбаланса между электронами со спином «вверх» и со спином «вниз». Носитель заряда теряет свою поляризацию спина после столкновения с другим магнитным атомом или вследствие взаимодействия с решеткой за счет спинорбитальной связи. Обычно в качестве основы материалов для спинтроники использовались ферромагнитные металлы, хотя известно, что ферромагнитными свойствами обладает также ряд полупроводников, легированных ферромагнитными элементами. Существенным недостатком ферромагнитных металлов является невозможность создания на их основе усилителей, аналогичных полупроводниковым транзисторам. Для практического использования полупроводниковых устройств спинтроники необходимо получить спин поляризованные материалы с более высокой температурой Кюри и с возможностью более эффективно инжектировать спин поляризованные носители заряда, управлять ими в полупроводниковых гетероструктурах. В частности, они должны допускать создание зон с ри п-проводимостью в одном кристалле. В конце 80-х годов был получен новый класс неравновесных слаболегированных магнитных полупроводников на.

Л с основе, А В и слаболегированных до концентраций в несколько атомных процентов [9]. Это открытие положило начало экспериментам по спиновой инжекции в полупроводниках [10]. Среди перспективных рассматривались.

3 5 2 6 полупроводники, А В и, А В, половинные металлические ферромагнитные оксиды и сплавы Хейслера. Большинство сплавов Хейслера — ферромагнетики с Тс ~ от 200 К до 1100 К [11,12]. Ряд полухейслеровских сплавов (№Мп8Ь, Р1Мп8Ь) и полных хейслеровских сплавов (Со2Мп81, Со2МпОе, Со2Мп8п, Бе2Мп81) имеют до 100% поляризации на уровне Ферми, что делает их половинными металлами [13,14].

В магнитных полупроводниках, описанных выше, наблюдалось сочетание ферромагнетизма и полупроводниковых свойств. Однако проблема заключается в относительно низкой температуре Кюри Тс у этих материалов, обычно составлявшей Тс < 100 К. Ферромагнитные свойства слаболегированных магнитных полупроводников обеспечиваются Ъс1- или 4/ -оболочками ионов переходных или редкоземельных элементов. Типичные примеры: Сс^Со^е, Са1. тМптА8, РЬ|^ЕитТе, а также 8кЕг. Исследования слаболегированных магнитных полупроводников были начаты в конце 1970;х годов [15], когда был использован высокоочищенный Мп для роста массивных образцов А2Вб (Мп) с помощью различных модифицированных методов Бриджмана. Прогресс в исследовании слаболегированных магнитных полупроводников в 1990;е годы связан с использованием для роста кристаллов неравновесных условий, которые осуществляются в методе молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), лазерной абляции. Такими методами достигаются концентрации магнитных примесей значительно более высокие, чем равновесный предел растворимости. В случае полупроводников, А В двухвалентные примесные атомы предоставляют как спины, так и дырки, и использование низкотемпературного метода молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) позволяет получить, например, в Оа^МПдАБ с х до 0.07, концентрацию дырок более Ю20 см" «'. Обнаружение ферромагнетизма, индуцированного носителями заряда в соединениях А2В6, допированных Мп [16,17], в которых Тс может превышать 100 К [18] и, последовавшее за этим предсказание [19] и обнаружение [20,21].

2 6 ферромагнетизма в материалах р-типа (А, Мп) В открыли новые возможности в создании материалов для спинтроники.

Хорошо известна модель электронной структуры в материалах с локализованными магнитными моментами [22]. Согласно этой модели имеется два типа электронных состояний: (1) обычные состояния — зона проводимости и валентная зона, построенные преимущественно из внешних в и р орбиталей атомов матрицы и (2) сильно локализованные состояния, обусловленные с1-оболочкой переходных металлов. Относительное положение уровней примесных атомов и краев зон материалов определяется из электрических свойств гетер о структур [23]. Это дает возможность оценить электрическую активность примеси данного переходного металла в данном материале и изменение зарядового состояния примеси при внедрении. В частности, примесь отдает электрон, если соответствующее донорное состояние находится выше дна зоны проводимости, или дырку, если акцепторное состояние находится ниже верхнего края валентной зоны (например, Мп в ваАБ). При этом, в соответствии с правилом Хунда, локализованный на переходном металле спин должен принимать максимальное значение. Следует отметить, что дефектная структура полупроводников П-У1 существенно меняет их электронное состояние и может влиять на создание предпосылок к ферромагнетизму в таких полупроводниках [24].

Особые свойства слаболегированных магнитных полупроводников обусловлены сильным спин-зависимым взаимодействием между электронами в 8Р полосе полупроводника и электронами на (1-оболочке примеси. Это взаимодействие является одной из форм обменного взаимодействия.

Гейзенберга с гамильтонианом [15,25], где I — обменный интеграл между спином основных носителей (в) и спином переходного элемента (8). В частности, э-электрон в зоне проводимости испытывает б-с! обменное взаимодействие с энергией ~ 0.2 эВ. Энергия взаимодействия много слабее для дырок в валентной зоне, локализованных главным образом на анионах. Однако симметрия допускает гибридизацию р-дырок и с!-состояний переходных металлов. Это приводит к спинзависимому взаимодействию, кинетическому обмену, характеризуемому достаточно большой энергией ~ 1 эВ [15,25]. Это Бр-с! обменная связь приводит к расщеплению полос, которое пропорционально намагниченности локализованного магнитного момента.

В магнитных полупроводниках возникает проблема инжекции примесных магнитных ионов. Равновесный предел растворимости переходных металлов в.

3 5 2 6 полупроводниках.

А В и, А В низок. Необходимая концентрация достигается либо низкотемпературной эпитаксией, либо ионной имплантацией. Исключением является высокая растворимость Мп в полупроводниках II-VI. Это связано с тем, что ё-состояние Мп не сильно возмущает Бр" -связи матрицы, поскольку оба уровня, с15 (донорный) и с16 (акцепторный), располагаются, соответственно, значительно ниже и значительно выше краев зон. Т.о. Мп не вносит и не связывает носители, но только обеспечивает локализованный спин Б =5/2 за счет ЗсГ-орбитали в Мп2+. В свою очередь, в III-V соединениях, где Мп замещает трехвалентные катионы, образуется акцепторное состояние Зс14 в Мп3+ в валентной зоне, по крайней мере в антимонидах и арсенидах. В этом случае примесь дает как дырки, так и локализованные спины, так как основное состояние Мп° соответствует конфигурации (с15 + дырка) [26]. Температура Кюри Тс является одним наиболее важных параметров данной ферромагнитной системы. Другим важным параметром, характеризующим ферромагнитные материалы, является степень поляризации Р носителей заряда в зоне. Величина Р возрастает с ростом отношения величины зонного расщепления для намагниченности насыщения к энергии Ферми. Теоретически степень поляризации может достигать 80% при низких температурах для типичных концентраций Мп и дырок в (ва, Мп) Аз [26] и 100% ниже Тс в легированном (Сё, Мп) Те, где концентрация дырок относительно мала [20,28]. В соответствии с теорией среднего поля отношение спонтанной намагниченности к намагниченности насыщения М/М5а[ растет с уменьшением температуры по закону, описываемому функцией Бриллюэна, которая соответствует I температурной зависимости М/Мза1 ~ (Тс — Т) при Т близкой к Тс и М/Мза1 ~ (1.

5/2.

— М/М8а1) ~ Т при Т «Тс [29]. Ввиду того, что концентрация носителей не увеличивается при понижении температуры, соотношение между намагниченностью и степенью поляризации линейно, и эти величины не следуют функции Бриллюэна.

Метод ЭПР также может дать важную информацию о магнитном состоянии примесных редкоземельных ионов, в частности Ег3+, и марганца в полупроводниковых соединениях [30].

Половинные металлические ферромагнитные оксиды.

Половинные металлы — это необычные ферромагнетики, которые имеют электроны на уровне Ферми в односпиновом состоянии, либо вверх либо вниз Они являются нормальными металлами, но электроны с противоположным спином имеют щель в плотности состояний соответствующих электронов на уровне Ферми М (ЕР), поэтому они не дают вклада в проводимость. Они являются проводниками для электронов одной ориентации, например j, но изолятором или полупроводником для электронов другой ориентации J,. Поэтому носители имеют степень поляризации Р = 100%. Примером является СЮ2 [31]. Половинные металлические свойства теряются с увеличением температуры и концентрации дефектов. К половинным металлам, которые рассматриваются в качестве материалов для применения в спинтронике, относятся Fe304 и полупроводниковые оксиды, такие как ZnO, легированные Со (ZnO: Со) и другими ионами переходных металлов. ZnO, допированный Мп, был впервые предложен в качестве магнитного полупроводника Дитлом с сотр. [5]. У кобальта и никеля расщепление d полосы за счет обменного взаимодействия происходит таким образом, что все пять 3d] подоболочек заполнены, и только 3d[ подоболочки пересекают уровень Ферми. Однако, нерасщепленная 4s полоса в зоне проводимости означает, что как так и I электроны присутствуют на Ер. Чтобы получился половинный металл, необходимо, чтобы дно 4sполосы поднялось выше ЕР. Это можно сделать, сформировав оксид. В этом случае сильное перекрытие 4s состояний металла и 2/?-состояний кислорода создают гибридизированную щель в несколько эВ и тогда состояния 3d оказываются в щели. Таким образом, оксиды 3d металлов становятся хорошими кандидатами для материалов для спинтроники. Однако, как правило, оксиды не являются металлами, и тем более — ферромагнетиками. Даже если оксид является половинным металлом, обменное взаимодействие может быть недостаточным, чтобы увеличить температуру Кюри выше комнатной температуры и дать возможность практического применения оксида в спинтронике.

Отметим, что существует значительная разница между понятиями полуметалл (semimetal) и половинный металл (half-metal). Полуметалл — это металл с незначительным перекрыванием дна зоны проводимости и верха валентной зоны. Они обладают пренебрежимой плотностью состояний носителя заряда на уровне Ферми Ер.

Классификация половинных металлов была, в частности, приведена в [31] и представлена в Таблице 1.

Таблица 1. Классификация половинных металлов.

Тип Плотность состояний Проводимость Т электроны на ЕР 4- электроны на ЕР.

1А Половинный металл Металлическая Делокализованные Нет.

Ю Половинный металл Металлическая Нет Делокализованные.

ПА Половинный металл Неметаллическая Локализованные Нет.

ИВ Половинный металл Неметаллическая Нет Локализованные.

ША Металл Металлическая Делокализованные Локализованные.

ШВ Металл Металлическая Локализованные Делокализованные.

1УА Полуметалл Металлическая Делокализованные Локализованные.

1УВ Полуметалл Металлическая Локализованные Делокализованные.

УА Полупроводник Полупроводниковая Мало, делокализованные Нет.

УВ Полупроводник Полупроводниковая Нет Мало, делокализованные.

Отражены следующие типы половинных металлов, приведём их примеры: (а) тип 1А (например, СЮ2, или Хейслеровский сплав №Мп8Ь), как это описано вышеb) тип IB (например, Sr2FeMo06) половинные металлы имеют только электроны | или | на поверхности Ферми в зависимости от того, заполнена ли 3d полоса менее или более, чем на половину, со щелью для других направлений спинаc) половинные металлы типа II подобны половинным металлам типа I, но имеют узкие зоны. Электроны локализованы, они формируют малые поляроны, имеющие малую подвижность и большую массу, проводимость реализуется путем прыжков с большим искажением окружающей решетки (например, Fe304). d) тип III половинных металлов имеет смесь делокализованных электронов со одним спином и локализованных электронов с другим спином. Примером половинного металла IIIA является Ьао78г0зМпОз, с подвижными электронами Mn (eg)T и неподвижными Mn (t2g) i электронами на уровне Ферми ЕР. Прыжки eg электронов от MnJ+ {taeg) к Mn4+ (?2geg) отвечают за электронную проводимость, а электроны в состоянии t локализованы (S = 3/2) и отвечают за магнетизм системы.

В соответствии с правилом Хунда спины электронов, находящихся в состояниях t2g и eg, ориентированы параллельно друг другу, что является предпосылкой для образования половинного металла. Температура Кюри для редкоземельных манганитов может быть существенно выше комнатной температуры. Обзор магнитных и транспортных свойств редкоземельных манганитов дан в работах [32,33]- e) в некоторых условиях ферромагнитный полуметалл может становиться половинным металлом типа IVf) и наконец, ферромагнитный полупроводник может быть половинным металлом типа V, например EuO, (GaMn)As.

Таким образом, за последнее десятилетие материалы для спинтроники эволюционировали от ферромагнитных металлов к более сложным системам и, в частности, оксидам переходных металлов и редкоземельным манганитам.

Из вышеизложенного ясно, что поиск новых объектов, обладающих необходимыми для спинтроники свойствами, является актуальной задачей. В рамках этой общей задачи есть и более специальная задача: поиск материалов для высокотемпературной спинтроники, с функциональной температурой в диапазоне 1500 — 2000° С. В наших работах впервые рассмотрены разбавленные магнитные полупроводники на основе оксидов переходных и редкоземельных элементов, а также высокотемпературные наногранулированные керамики. Наночастицы таких оксидов (и бескислородная керамика) обладают всеми необходимыми для спинтроники свойствами: имеют температуру Кюри значительно выше комнатной, достаточно высокую намагниченность насыщения, обладают полупроводниковыми свойствами и, в соответствии с Табл. 1, принадлежат к типу V половинных металлов. Размерность частиц приводит к существенному изменению их физических свойств. При переходе от монокристалла с пренебрежимым количеством поверхностных дефектов, к поликристаллам, в которых все еще монокристаллические зерна являются определяющими, физические свойства материала меняются. Следующий этапэто переход к наночастицам, в которых доля поверхностных областей, обогащенных различными дефектами структуры, весьма значительна. Отметим также, что ниже некоторого порога размерности, наночастицы становятся принципиально неупорядоченными системами. Т.о. встает вопрос, где начинаются качественные изменения в физических свойствах наночастиц в зависимости от их размера. Возникает также вопрос, насколько поверхностные области отделены от внутренних областей, сохраняющих в некоторой степени кристаллическую структуру.

Следует разделять также наночастицы в виде порошка, тогда важным оказывается покрытие отдельных наночастиц (инкапсулирование), сохраняющее неизменным структуру поверхности наночастицы, и наночастицы в виде гранул керамики, где важным является межгранулярное заполнение, соединяющее отдельные гранулы.

Существуют также практические вопросы, касающиеся параметров магнитных свойств рассматриваемых соединений, в частности: при каких условиях синтеза наночастиц (температура отжига, концентрация примесных магнитных ионов, тип инкапсулирования) можно получить наилучшие параметры (температура Кюри, намагниченность насыщения, степень поляризации). Решению этих вопросов в последнее десятилетие посвящены многочисленные исследования. На все эти вопросы, в принципе, можно ответить на основе изучения магнитных наночастиц методом магнитного резонанса, дающего сведения о локальных магнитных свойствах наночастиц. Понятно, что в процессе исследования наночастиц методом ЭМР возникают задачи, связанные с интерпретацией спектров магнитного резонанса. В частности: можно ли детектировать сигналы ФМР от ферромагнитных частиц и насколько коррелируют спектры ФМР с данными статической намагниченности? Далее: возможно ли одновременное наблюдение сигналов ФМР и ЭПР от наночастиц оксидов и насколько сигналы ЭПР от локализованных магнитных моментов коррелируют с соответствующими спектрами, полученными для объемных монокристаллов оксидов? На все эти вопросы можно получить ответ, если исследовать рассматриваемые наночастицы оксидов систематически, варьируя условия синтеза, допирование, и контролируя размер наночастиц.

В связи с вышеизложенным ясно, что и исследование структурного разупорядочения в оксидных соединениях представляет интерес само по себе, так как также является источником изменения физических свойств исследуемой системы. Представляет интерес как влияние наличия вакансий (в катионной или кислородной решетке), изовалентного замещения и неизовалентного замещения в таких системах. Все это можно исследовать на модельных системах, как это будет показано в нашей работе.

Магнитные полупроводники на основе наночастиц оксидов металлов переходных групп. После предсказания ферромагнетизма в ZnO: Мп [5] начались поиски наиболее оптимальных оксидных соединений, обладающих свойствами магнитных полупроводников, сначала исследовали тонкие пленки оксидов, напыленные на диэлектрические подложки [34,35], и затем химически синтезированные наночастицы оксидов таких, как ZnO-, ТЮ2, 8п02 [36,37]. Группа проф. Пюннуза из Университета Бойзе, Айдахо, впервые в 2005 [38] предложила использовать наночастицы 8п02] допированных Бе, в качестве ферромагнитных полупроводников. В этом же году мы начали ЭПР исследования образцов ЭпОг, допированных Бе, Со, Сг [39−44], и Се02 [45,46]. Таким образом, в данной работе приведены результаты первого исследования ЭМР (электронного магнитного резонанса) в химически синтезированных наночастицах оксидов, допированных ионами металлов переходной группы. Это простые оксиды, например, 8п02, Се02, частицы которых размером несколько нм, обладают как проводимостью, так и спонтанным ферромагнетизмом и могут быть использованы как материалы для спинтроники. Уникальные свойства таких соединений определяются большим количеством кислородных дефектов в поверхностных областях наночастиц. Метод ЭПР дает возможность изучать пространственно разделенные области, находящиеся в парамагнитном состоянии и магнитно упорядоченные (как паразитные фазы, так и собственно ферромагнитное упорядочение простых оксидов), которые реализуются в разбавленных магнитных полупроводниках.

Магнитные полупроводники на основе нанокерамики 81С1Ч, допированной ионами Ее, Мп. В начале 2000 годов был предложен новый материал для высокотемпературной электроники 8Ю1Ч. Керамика SiCN без примесей является диэлектриком, но при допировании А1, В становится полупроводником с моттовской проводимостью [46,47,48], которая меняется в широких пределах. В то же время, как показали наши исследования [49,50], керамика БЮ!^, допированная магнитными ионами Ре, Мп, обладает объемным ферромагнетизмом с температурой Кюри намного превышающей комнатную температуру. Таким образом, в этом соединении созданы предпосылки для того, чтобы оно стало, при соответствующем допировании, магнитным полупроводником. Существенное преимущество такого материалавозможность функционирования при очень высоких температурах, до 1900° С. В наших работах были разработаны методы синтеза этих нанокерамик и придания им определенной формы на микроуровне [51,52], в частности, метод получения ультратонких, до 10 мкм толщиной, пленок БЮИ [52].

Таким образом, нанокерамики на основе ЗЮИ обладают исключительными термомеханическими и электрическими свойствами и могут быть использованы в высокотемпературной спиновой электронике. Электронное состояние локализованных ионов в таких соединениях, также как и ферромагнитных включений, успешно исследовано нами методом ЭПР.

Магнитные полупроводники на основе манганитов Как уже было отмечено выше, манганиты с общей формулой КЕ0.67А0.ззМпОз, где Яе — трехвалентный редкоземельный ион, Адвухвалентный щелочноземельный ион, являются магнитными полупроводниками типа Ш-А. Они также рассматриваются как перспективные материалы для спинтроники.

В этих манганитах обнаружено сосуществование ферромагнетизма и парамагнитного состояния. Фазовое разделение в манганите (Ьа1/з8т2/з)2/з8г0.зз. хВахМп03 около фазового перехода было обнаружено методом ЭПР для образцов с х = 0.00, 0.01 и 0.03. При более высоких концентрациях Ва переход размывается. Псевдолинейная зависимость ширины линии ЭПР в парамагнитной фазе была нами интерпретирована в рамках модели прыжковой проводимости в приближении Мотта [53,54]. Замещение в редкоземельной и щелочноземельной подрешетках приводит к разупорядочению и изменению характера проводимости и магнитных свойств, в частности, к образованию, так называемой, фазы Гриффитса в парамагнитной фазе соединения. Редкоземельные манганиты имеют структуру перовскита, поэтому изучение разупорядочения в такой структуре представляет большой интерес. Рентгеновский дифракционный анализ не позволяет выявлять локальные отклонения от симметрии, а также наноразмерные кластеры, поэтому методы магнитного резонанса являются в таких структурах весьма действенными. Как обнаружено в наших работах, даже в разбавленных манганитах с общей формулой REA103 — REo.67Ao.33Mn03 сохраняются кластеры, магнитное состояние которых соответствует концентрированным манганитам [55,56].

Возникновение объемного ферромагнетизма в разбавленных магнитных полупроводниках и манганитах объясняется на основе непрямого обменного взаимодействия в рамках модификации модели Зенера [57], в частности, на основе обменного взаимодействия примесных ионов через Fцентры, вакансии кислородных ионов с захваченным электроном [58].

Методом ЭПР нами изучен ряд соединений со структурой перовскита. Предложена модель упорядочения неизовалентных катионов (Ва2+, К+) в Ва^ xKNBi03 со структурой перовскита. В несверхпроводящем состоянии Ва|. ХКХВЮ3 обнаружены сигналы ЭПР, которые указывают на образование локализованных дырочных пар с основным синглетным состоянием [59].

Диоксид ванадия VO2 подвергается фазовому переходу металл-диэлектрик при 340 К. Ниже температуры фазового перехода спины ближайших ионов ванадия спарены, и нижним состоянием оказывается синглет (S = 0). Дальний магнитный порядок отсутствует. Существование основного синглетного (и возбужденного триплетного) состояний пары V4±V4+ оказывает существенное влияние на физику этого соединения и, соответственно, на ширину линий примесного иона Fe3+, которая резко увеличивается задолго до температуры фазового перехода [60]. Были проанализированы различные механизмы уширения линий ЭПР, и механизм Мория и Обата, эффективный для ванфлековских парамагнетиков, оказался предпочтительным в этом случае [61].

Детальное исследование эффектов уширения линий FeJ+ в соединениях YCaA104 и LaCaA104, связанных с неизовалентным замещением в решетке катионов, позволило предложить теоретическую модель, описывающую данное явление и дающую возможность количественно оценить степень разупорядоченности [62,63]. В этих тетрагональных соединениях обнаружено понижение локальной симметрии иона А1 и частичное упорядочение неизовалентных ионов. Эта структура также генетически связана со структурой перовскита и изучение разупорядочения в ней также должно способствовать интерпретации магнитных свойств в многокомпонентных соединениях.

Исследование низкосимметричного кристаллического поля и его влияния на магнитные свойства редкоземельных перовскитов, а именно ТтАЮз, может быть полезно для интерпретации магнитных свойств редкоземельных перовскитов, в частности, вклада подрешетки редкоземельных ионов в общий магнетизм сложных соединений [64]. Исследовано также влияние кристаллического поля на магнитные свойства тетрагонального РгУ04 [65]. В ян-теллеровских кристаллах, например, в ТЬУ04, не только кристаллическое поле и магнитные обменные и диполь-дипольные взаимодействия, но и взаимодействия редкоземельного иона с микрои макродеформациями решетки могут существенно влиять на намагниченность кристалла, особенно в сильных магнитных полях [66].

Исследование состояния магнитных ионов в зависимости от кристаллического поля и его искажений в дефектном (реальном) кристалле также представляет большой интерес. Поэтому методом ЭПР изучен ряд ван-флековских соединений НохУ]. хУ04, ТтхЬи]. хР04, Рг1ч[Ь04, ЕиАЮ3 [67,68,69,70,71]. Дальнейшее развитие теории ЭПР в ван-флековских парамагнетиках было дано в [72,73,74]. Спектры ЭПР примесного иона и температурные зависимости ширины линий спектров ЭПР всГ дают богатую информацию о локальном окружении примесного иона, о характере магнитных взаимодействий примесного иона с окружающими ионами и динамике решетки. Разбавление парамагнетика Ван Флека диамагнитными ионами дает возможность проследить изменение характера взаимодействий примесного иона с окружающими парамагнитными ионами в многокомпонентных соединениях с изменением их концентрации. Основной результат установление некоторых закономерностей распределения парамагнитных ионов в решетке из химически им близких диамагнитных ионов, в частности, обнаружение некоторой пороговой перколяционной концентрации парамагнитных ионов, выше которой наблюдается резкое увеличение эффективности флип-флоп процессов (и, соответственно, резкое увеличение ширины линий ЭПР вс13+) в системе парамагнитных ионов.

Общий итог исследований эффектов разупорядочения методом ЭПР: ионы при изои неизовалентном замещении не располагаются статистически, а стремятся к некоторому упорядочению и кластеризации. На основе результатов, полученных из ЭПР, можно построить конфигурации таких упорядоченных ионов.

В последнее время дальнейшее развитие получили исследования ЭПР на сверхвысоких частотах, которые нашли отражение в обзорах [75,76].

В работе представлены результаты одного из первых исследований угловых зависимостей спектров ЭПР неорганических монокристаллов на сверхвысоких частотах, в инфракрасном диапазоне, и обобщен опыт интерпретации и расчета спектров ЭПР примесных ионов на сверхвысоких частотах, полученных как на монокристаллах, так и на порошках, в том числе наноразмерных порошках [77,78,79].

Таким образом в данной работе впервые методом ЭПР исследованы новые материалы, которые могут стать перспективными для применения в спинтронике, в частности наночастицы оксидов и керамика 8Ю1М. Определено магнитное состояние примесных ионов в этих материалах, они могут иметь локализованные моменты или быть обменносвязанными и составлять ферромагнитный континуум. Впервые на их основе получены ферромагнитные материалы с температурой Кюри, намного превышающей комнатную. Дальнейшие исследования этих систем, в частности степени спиновой поляризации в этих системах, представляются весьма актуальным в свете их практического применения.

6.4. Выводы.

Таким образом из изучения магнитных свойств парамагнетиков Ван Флека, ТтАЮз, ТЬУ04, РгУ04 получены параметры кристаллического поля и на их основе интерпретировано поведение намагниченности при высоких магнитных полях. В частности, объяснен эффект подавления орторомбического искажения решетки ТЬУ04 в полях свыше 2 Тл ниже фазового перехода То = 32 К. Из исследования угловых зависимостей намагниченности ТтА103 в плоскости аЬ определен угол разворота главных магнитных осей иона Тт" '+ в этой плоскости относительно кристаллографических осей а, Ь.

Наиболее важные результаты интерпретации ширины линий ЭПР всГ+ в ван-флековских парамагнетиках, представленные в этой главе, следующие:

1. Относительные значения ширины линий ЭПР для различных ЭПР переходов Оё3+ были интерпретированы в рамках модели уширения линии за счёт флуктуационного механизма.

2. Тензоры gи Аионов Се3+ и Ыс13+ в ЬаТЧЬ03, Рг1ЧЬ03 имеют недиагональные члены и это обусловлено влиянием низкой симметрии.

3. Ширина линий ЭПР 1ЧсГ+ и Се0+ много больше в парамагнитном Рг]^Ь04 вследствие взаимодействий с электронными моментами ионов Рг3+ и непрямого суперсверхтонкого взаимодействия с ядрами |4|Рг (I = 5/2), подобно взаимодействию Ег3+ с ядрами 1б5Но в НохУ|.хУ04.

4. Все параметры спин-гамильтониана (6™) для иона Ос13+, расположенного на положении редкоземельного иона с точечной симметрией С8, в Ьа]ЧЬ04 и Рг№>04 а также ЕиА103, были точно определены при комнатной температуре.

5. Сверхтонкие линии, принадлежащие трем изотопам ионаШ" 1+, наблюдались при температурах ниже 40 К и отчетливо видны при 25 Кглавные оси тензора сверхтонкого взаимодействия не совпадают с магнитными осями ОсГ+.

6. Зависимость ширины линий ЭПР Ос13+ в твердых растворах НохУ1хУ04 ~можно объяснить-образованием перколяционного кластера для концентраций иона, Но х > 0.27.

7. Зависимость ширины линий ЭПР ОсГ+ в твердых растворах ТшхЬи1. хР04 можно объяснить влиянием флуктуационного уширения при концентрациях иона Тш выше х > 0.8 в совокупности с влиянием структурной разупорядоченности вследствие разницы в ионных радиусах Тш и Ьи.

8. Параметры кристаллического поля на положении иона Ег3+ в НохУ!.хУ04 успешно интерпретируют угловую зависимость линии ЭПР Ег3+.

В заключение можно сказать, что в данной главе на основе разработанных автором оригинальных программ, использующих точную диагонализацию матрицы спин-гамильтониана, интерпретированы магнитные свойства низкосимметричных парамагнетиков и показано, как магнетизм таких соединений в совокупности с их реальной структурой может влиять на спектры ЭПР примесных ионов в низкосимметричных положениях.

Заключение

.

В заключение можно подвести некоторые итоги работы. В данной работе впервые исследован новый класс материалов для спинтроники. Впервые методом магнитного резонанса исследованы разбавленные магнитные полупроводники на основе оксидов переходных и редкоземельных элементов, а именно БпОг, Се02, допированные ионами Со, Бе, Сг, N1 а также высокотемпературные наногранулированные керамики 8ГСЫ, допированные ионами Бе, Мп. Выявлены некоторые закономерности поведения параметров таких соединений, как температура Кюри, намагниченность насыщения, пределы существования ферромагнетизма таких соединений в зависимости от уровня допирования, температуры отжига, размеров наночастиц и наногранул керамики. Выявлена корреляция интенсивности линии ФМР и намагниченности насыщения. Установлено, что в достаточно больших наночастицах сосуществуют ферромагнизм в преимущественно поверхностных областях частицы и локализованные магнитные моменты во внутренних областях частицы. Впервые разработаны оригинальные методы для получения магнитных нанокерамик допированных Ре, Мп. Получены оптимальные условия синтеза этих материалов, в частности, температура отжига и способ допирования с использованием жидких полимеров.

Еще один класс материалов, перспективных для спинтроники, редкоземельные манганиты с общей формулой КЕхА]. хМпОз, был нами исследован. В этих соединениях существенное влияние на физические свойства оказывает разупорядочение, которое вызвано неизовалентным замещением в катионной системе ЯЕ — А, а также изовалентным замещением как в редкоземельной, так и в щелочноземельной решетках, в частности, замещением иона 8 г на ион Ва. Обнаружено сильное влияние такого замещения на температуру Кюри, уже 1% Ва сдвигает вниз температуру Кюри на 20 К.

Поэтому нами, в качестве модельных систем, для исследования изовалентного замещения выбрана система НохУ]. хУ04, ТтхЬи1. хР04 и для неизовалентного замещения выбрана система YCaA104, LaCaA104. Построена модель, позволяющая оценить степень разупорядоченности исходя из ширины линий ЭПР примесных ионов Fe3+. Изменение свойств при переходе от концентрированного манганита к диамагнитному алюминату с той же структурой мы изучали на разбавленных системах LaA103 — La0 67А0 33М1Ю3 (А = Sr, Ва). Обнаружено, что даже при существенном разбавлении такая система сохраняет некоторые свойства концентрированного манганита.

Далее, наночастицы с размерами менее некоторого порогового, являются принципиально разупорядоченными объектами вследствие того, что их поверхность обогащена дефектами, и поэтому необходимо исследование эффектов разупорядоченности в оксидных материалах также и вследствие этой причины.

Наиболее важными результатами работы являются:

1. Обнаружение сосуществования ферромагнетизма и локализованных ионов в наноразмерных порошках оксидов переходных металлов.

2. Ферромагнетизм переходных ионов в неорганических керамиках SiCN, состоящих из наноразмерных частиц.

3. Интерпретация спиновой динамики в манганитах ReSrxBai.4Mn03, в рамках модели прыжковой проводимости в парамагнитной фазефазовое расслоение в манганитах ReSrxBai. xMn03.

4. Обнаружение локализованных дырочных пар и упорядочения катионов Ва/К в системе BaixK4Bi03.

5. Интерпретация угловой зависимости ширины линий примесных ионов, связанной с неизовалентным замещением в решетке катионов. Модели упорядочения катионов Y/Ca в подрешетке YCaA104.

6. Выявление влияния различных магнитных взаимодействий на спектры ЭПР в концентрированных и разбавленных парамагнетиках Ван Флека.

7. Обнаружение влияния непрямого суперсверхтонкого взаимодействия на спектры ЭПР крамерсова иона Ег3+ в парамагнетиках Ван Флека.

Благодарности.

Выражаем глубокую признательность сотрудникам Казанского Федерального Университета проф. Б. И. Кочелаеву, проф. Ю. Н. Прошину, проф. Б. З. Малкину, проф. JI.K. Аминову, а также сотрудникам лаборатории MPC, —проф^М.С. Татаровуи -А. А. Родионову за помощь на заключительном этапе работы.

Хотелось бы выразить глубокую признательность также нашим соавторам докторам S.K. Misra (Concordia University, Montreal), A.H. Бажану (Институт физических проблем РАН, Москва), A. Punnoose (Boise University, USA), J. Freed (Cornell University, USA). Автор выражает также благодарность за поддержку этой работы в рамках проектов КФУ РНП-31 (2011 г., Необычные сверхпроводники, эффект близости и системы с сильными электронными корреляциями) и тема Бюджет 12−19 (2012;2014, Необычная сверхпроводимость, системы с сильными корреляциями и эффект близости), а также CRIAQ (Consortium de recherche et d' innovation en Aerospatiale au Quebec), a также докторам H. Buckmaster (Victoria University), С. Rettori (IFGV, Campinas), D. Bahadur (ITI, Mumbai) за полезные обсуждения результатов исследований, а также д.х.н. Ю. П. Удалову (СПТИ, С-Петербург), д.х.н. Н. В. Чежиной (СПГУ, С-Петербург), к.х.н. Т. Ю. Чемековой (ООО Нитридные кристаллы, С-Петербург) и к.х.н. Л. П. Мезенцевой (ИХС РАН, С-Петербург) за предоставленные монокристаллы и образцы керамик. Автор выражает также благодарность своим коллегам, Dr. G. Rinaldi, Dr. A. Leo, J. Wang и всем, кто помогал автору диссертации в его работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Prinz G.A. Magnetoelectronics// Science. 1998. Vol. 282, N.5394.P. 1660−1663.
  2. Wolf S. A., Awschalom D. D., Buhrman R. A., Daughton J. M., von Molnar S., Roukes M. L., Chtchelkanova A. Y., Treger D. M. Spintronics: A Spin-Based Electronics Vision for the Future // Science. 2001. Vol. 294, N. 5546. P.1488−1495.
  3. Zutic I., Fabian J., Das Sarma S. Spintronics: Fundamentals and applications//Reviews of Modern Physics. 2004. Vol. 76, N 2. P. 323−410.
  4. В.А. Развитие квантово-электронных представлений о тугоплавких окисных соединениях //В сб.: Проблемы химии силикатов/ Под ред. М. М. Шульца. Л.: Наука, 1974. 318с.(С.93−104).
  5. Dietl Т., Ohno Н., Matsukura F., Cibert J., and Ferrand D. Zener model description of ferromagnetism in zinc-blende magnetic semiconductors // Science. 2000.Vol.287, N. 5455. P.1019−1022 .
  6. Saha A., Raj R., Williamson D.L. and Kleebe H.-J. Characterization of nanodomains in polymer-derived SiCN ceramics employing multiple techniques // J. Am. Ceram. Soc. 2005. Vol.88, N 1. P.232−234.
  7. Jin S., Tiefel Т.Н., McCormack M., Fastnacht R.A., Ramesh R. Thousandfold change in resistivity in magnetoresistive La-Ca-Mn-O films // Science. 1994.Vol.264, N5157. P.413−415.
  8. Н.Г. Спинтроника // URL: http: / danp.sinp.msu.ru/MagNanoS/ 13. pdf
  9. Munekata H., Ohno H., von Molnar S., Segmuller A., Chang L.L., and Esaki L. Diluted magnetic III-IV semiconductors// Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 63, N. 17. P. 1849−1952.
  10. Fiederling R., Keim M., Reuscher G., Ossau W., Schmidt G., Waag A., and Molenkamp L.W. Injection and detection of spin-polarized current in a light-emitting diodes// Nature. 1999. Vol. 402, N. 6763.P. 787−790.
  11. Webster P.J. Magnetic and chemical order in Heusler alloys containing manganese//J. Phys. Chem. Solids. 1971. Vol. 32, N. 1. P. 1221−1231.
  12. Brown P J., Neumann K.U., Webster P.J., and Ziebeck K.R.A. The magnetization distribution in some Heusler alloys proposed as half-metallic ferromagnets// J. Phys.: Condens. Matter. 2002. Vol. 12, N.8. P. 1827−1836.
  13. Fujii S., Ishida S., and Asano S. Half-metal band structure and Fe2MnZ (Z = Al, Si, P)//J. Phys. Soc. Jpn. 1995. Vol. 64, N.1.P. 185−191.
  14. Hanssen K.E.H.M., Mijnarends P.E., Rabou L.P.L.M., and Buschow K.H.J. Positron-annihilation study of the half-metallic ferromagnet NiMnSb: experiment// Phys. Rev. B. -1990. Vol, 42, N.-3. P. 1533−1540.
  15. Dietl T. Semimagnetic semiconductors in magnetic fields, in Physics in High Magnetic Fields, Springer Series in Solid-State Physics, Vol. 24, edited by Chikazumi S. and MiuraN. Berlin: Springer, 1981. P. 344−354.
  16. Ohno H., Munekata H., Penney T., von Molnar S., and Chang L.L. Magnetic transport properties of p-type (In, Mn) As diluted magnetic semiconductors// Phys. Rev. Lett. 1992. 68, N. 17. P. 2664−2667.
  17. Ohno H., Shen A., Matsukura F., Oiwa A., Endo A., Katsumoto S., and lye Y. (Ga, Mn) As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs// Appl. Phys. Lett. 1996. Vol.69, N. 3. P. 363−365.
  18. Matsukura F., Ohno H., Shen A., and Sugawara Y. Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga, Mn) As// Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57, N.4. P. R2037-R2040.
  19. Dietl T., Haury A., and Merle d’Aubigne Y. Free carrier-induced ferromagnetism in structures of diluted magnetic semiconductors// Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55, N. 6. P. R3347-R3350.
  20. Ferrand D., Cibert J., Wasiela A., Bourgognon C., Tatarenko S., Fishman G., Andrearczyk T., Jaroszyn’ski J., Kole’snik S., Dietl T., Barbara B., and Dufeu D.
  21. Carrier-induced ferromagnetism in p-Zn,.xMnxTe// Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63.P. 85 201
  22. C.B. Магнетизм. M: Наука, 1971. 1032 С.
  23. Langer J.M., Delerue C., Lannoo M., and Heinrich H. Transition-metal impurities in semiconductors and heterojunction band lineups// Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38, N.ll.P. 7723−7739.
  24. А. Г., Немов C.A., Равич Ю. И. Электронные свойства неупорядоченных еистем.-СПб.: Наука, 2000. 72 С. *
  25. Kacman P. Spin interactions in diluted magnetic semiconductors and magnetic semiconductor structures// Semicond. Sci. Technol. 2001. Vol.16, N. 4. P. R25.
  26. В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках (обзор)// ФТП. 1984. Т. 18, № 1. С. 3−23.
  27. Dietl Т., Ohno Н., and Matsukura F. Hole-mediated ferromagnetism in tetrahedrally coordinated semiconductors// Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63. P. 195 205.
  28. Boukari H., Kossacki P., Bertolini M., Ferrand D., Cibert J., Tatarenko S., Wasiela A., Gaj J.A., and Dietl T. Light and electric field control of ferromagnetism in magnetic quantum structures// Phys. Rev. Lett. 2002. Vol.88. P. 207 204.
  29. Дж. Эффективное поле в теории магнетизма. М: Мир, 1968. 272 с.
  30. К.Ф., Магнитные состояния лантаноидов и марганца в соединениях АЗВ5. авт. соиск. д.ф.-м.н. С.-Петербург: СПГПУ, 2005. 29 с.
  31. Coey J.M.D., Venkatesan М. Half-metallic ferromagnetism: Example of СЮ2 (invited)//J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91, N.10. P. 8345−8350.
  32. Coey J.M.D., Viret M., von Molnar S. Mixed-valence manganites// Advances in Physics. 1999. Vol.48, N. 2, P. 167−292.
  33. Salamon M.B., Jaime M. The physics of manganites: Structure and transport// Review of Modern Physics. 2001. Vol. 73, N. 3, P. 583−628.
  34. Ueda K., Tabata H., and Kawai T. Magnetic and electric properties of transition-metal-doped ZnO films // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, N. 7. P. 988−990.
  35. Martinez B., Sandiumenge F., Balcells LI., Arbiol J., Sibieude F., and Monty C., Structure-and magnetic-proper-ties-of Co-doped ZnO nanoparticles // Phys: Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 165 202.
  36. Punnoose A., Hays J., Thurber A., Engelhard M. H., Kukkadapu R. K., Wang C., Shutthanandan V., and Thevuthasan S. Development of high-temperature ferromagnetism in Sn02 and paramagnetism in SnO by Fe doping //Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 54 402.
  37. Misra S.K., Andronenko S.I., Reddy K.M., Hays J., Punnoose A. Magnetic2+resonance studies of Co ions in nanoparticles of Sn02 processed at different temperatures//J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99. 08M106.
  38. Misra S. K., Andronenko S. I., Reddy K. M., Hays J., Thurber A. and Punnoose A. A variable temperature Fe3+ electron paramagnetic resonance study of Sni. xFex02 (0.00 < x < 0.05) // Journal of Applied Physics. 2007. Vol. 101. P.09H120.
  39. Punnoose A., Reddy K. M., Hayes J., Thurber A., Andronenko S., Misra S.K. Dopant spin states and magnetic interactions in transition metal doped semiconductor particles // Applied magnetic resonance. 2009. Vol. 36, N.(2−4). P.331−345.
  40. Misra S. K., Andronenko S. I., Punnoose A., Tipikin D., and Freed J. H. A 236GHz Fe3+ EPR study of nano-particles of the ferromagnetic room-temperature semiconductor Sn. xFex02 (x=0.005)// Applied Magnetic Resonance. 2009. Vol. 36, N.2−4. P. 291−295.
  41. Misra S. K., Andronenko S. I., Reddy K. M., Hays J., Thurber A. and Punnoose A. Cr3+ Electron Paramagnetic Resonance Study of Sn,.xCrx02 (0.00 < x < 0.10) // Journal of Applied Physics. 2009. V.105. P. 07C514.
  42. Misra S. K., Andronenko S. I., Harris J. D., Thurber A., Beausoleil II G. L., and Punnoose A. Ferromagnetism in Annealed Ce0 95C00.05O2 and Ce0.95Ni0.05O2 Nanoparticles // J. Nanosci. Nanotechnol. 2013. Vol. 13, N. 10. P. 6798−6805.
  43. Hermann A.M., Wang Y.T., Ramakrishnan-P.A., Balzar D., An L., Haluschka C., Riedel R. Structure and electronic properties of Si-(B) — C-N ceramics// J. Am. Ceram. Soc. 2001. Vol. 84, N.10. P. 2260−2264.
  44. Nagaiah N. R., Kapat J. S., An L., Chow L. Novel polymer derived ceramic-high temperature heat flux sensor for gas turbine environment// J. Phys.: Conf. Ser. 2006. Vol. 34. P. 458−463.
  45. Trassl S., Puchinger M., Rossler E., Ziegler G. Electrical properties of amorphous SiCxNyHz-ceramics derived from polyvinylsilazane // Journal of the European Ceramic Society. 2003. Vol. 23, N 5. P. 781−789.
  46. Andronenko S.I., Stiharu I., Menard D., Lacroix C., Misra S.K. EPR/FMR, FTIR, X-ray, and Raman investigations of Fe-doped SiCN ceramics // Appl. Magn. Reson. 2010. Vol. 38, N.4. P.385−402.
  47. Andronenko S.I., Leo A., Stiharu I., Misra S.K. EPR/FMR investigation of Mn doped SiCN ceramics // Applied magnetic resonance. 2010. Vol. 39, N. 4. P. 347−356.
  48. Andronenko S. I., Stiharu I., Misra S.K. Synthesis and characterization of polyureasilazane derived SiCN ceramics // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99. P. 11 3907(5).
  49. Leo A., Andronenko S., Stiharu I. and Bhat R. B. Characterization of Thick and Thin Film SiCN for Pressure Sensing at High Temperatures // Sensors. 2010. Vol. 10, N. 2. P.1338- 1354.
  50. Andronenko S.I., Rodionov A.A., Fedorova A.V., Misra S.K. Electron paramagnetic study of (Lao.33Smo.67)o.67Sro.33-xBaxMn03 (x <0.1): Griffiths phase // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2013. V.326. P. 151−156.
  51. С.И. Андроненко, P.P. Андроненко, O.A. Загребельный, H. В. Чежина. ЭПР соединений системы LaA103 Ln0.67Sr0.33MnO3 //Физика и химия стекла. 2009. Т. 35, № 6. С. 860 — 870.
  52. С.И. Андроненко, P.P. Андроненко, Загребельный О. А. Изучение методом ЭПР твердых растворов Ьа^о.ззуВао.зз'уМПуАЬ.уОз (у=0.02,0.04,0.10) // Физика и химия стекла. 2010.Т. 36, № 5. С. 778−785, 2010.
  53. Zener С. Interaction between the d-shells in the transition metals. II. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure // Phys. Rev. 1951. Vol.82, N3. P.403−405.
  54. Coey J.M.D., Douvalls A.P., Fitzgerald C.B., Venkatesan M. Ferromagnetism in Fe-doped SnO thin films // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, N8. P. 1332 -1334.
  55. Misra S.K., Andronenko S.I., Andronenko R.R., Mezentseva L.P. Synthesis of Bai. xKxBi03 ceramic specimens: electron paramagnetic resonance and microwave absorption//Phys. Rev. B. 1996. Vol. 53, N.14. P. 9442−9447.
  56. Misra S.K., Andronenko S.I., Andronenko R.R. Variable-temperature EPR study of Fe3+ in V02 single crystals // Phys. Rev. B. 1998. Vol.57, N.14. P.8203−8210.
  57. Moriya T. and Obata Y. Spin quenching and magnetic resonance // J. Phys. Soc. Jap. 1958. Vol.13, N. 11. P.1333−1344.
  58. Misra S.K., Andronenko S.I. An Fe electron paramagnetic study of YCaA104 single crystal: study of substitutional disorder // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65, N.10. P.10 4435(1−7).
  59. Misra S. K. and Andronenko S. I., EPR of Fe3+ in a LaCaA104 single crystal: effect of substitutional disorder // Phys. Rev. B. 2003. Vol.67, N.2. P. 2 4425(1−6).
  60. С.И., Бажан A.H., Мезенцева Л. П. Магнитная анизотропия и кристаллическое поле в монокристаллах ТптАЮ3// ФТТ. 1990. Т.32, № 3. С.773−777.
  61. P.P., Андроненко С. И., Бажан А. Н. Кристаллическое поле и магнитные свойства Рг3+ в PrV04 // ФТТ. 1994. Т.36, № 8. С.2396−2401.
  62. С.И., Бажан А. Н. Магнитные свойства TbV04 в сильных магнитных полях // ФТТ. 1989. Т.31,№ 2. С.35−41.
  63. Misra S.K., Andronenko S.I. Effect of host paramagnetic ions on the Gd3+ EPR linewidth in diluted Van-Vleck paramagnets TmxLu,.xP04 and HoxY|"xV04, EPR spectra of Er3+ in HoxY,.xV04 //Phys. Rev.B. 1996. Vol. 53, N.17. P. l 1631−11 641.
  64. Misra--S-.K. and Andronenko- SvP. An EPR study of Er3+ crystal-field and 165Ho3+ interaction in single crystals of HoxY,.xV04 (x = 0.02 1.00) // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64, N9. P. 9 4435(1−8).
  65. Misra S.K. and Andronenko S.I. Study of hyperfine and fine interactions ofNd3+ and Ce3+ ions in LaNb04 and PrNb04 by X-band EPR at liquid-helium temperatures // J. Phys. Chem. B. 2004. Vol. 108, N 27. P. 9397−9402.
  66. Andronenko S. I., Andronenko R. R., Misra S. K. An X- and Q-band Gd3+ EPR study of a single crystal of EuA103: EPR linewidth variation with temperature and low-symmetry effects // Physica B. 2012. Vol. 407, N.8. P. 1203−1208.
  67. C.A., Теплов M.A. Магнитный резонанс в ван-флековских парамагнетиках //В сб.: Проблемы магнитного резонанса / Гл. ред. А. М. Прохоров. М: Наука, 1978. 368с. (С. 14−30).
  68. Mehran F. and Stevens K.W.H. Electron spin resonance of impurities in magnetic insulators//Physics Reports. 1982. Vol.85, N 3. P.123−160.
  69. Misra S.K. Evaluation of spin-hamiltonian parameters from EPR data // In: Handbook of Electron Spin Resonance. / Eds. C.P. Poole Jr. and H.A. Farach. N.Y.: AIP Press, 1999. 396 p.
  70. Misra S.K. Multifrequency Electron Paramagnetic Resonance: Theory and Application. Weinheim, Germany: Wiley-VCN, 2011. 724 p.
  71. Misra S. K., Andronenko S. I., Earle K.A., Freed J.H. Single-crystal EPR studies of transition-metal ions in inorganic crystal at very high frequency // Appl. Magn. Reson. 2001-. Vol.21, N 3 /4. Pr549−561.
  72. Misra S.K., Andronenko S.I., Rinaldi G., Chand Prem, Earle K.A. and Freed J.H. Variable- frequency study of Mn2+ -doped NH4CI09I0.1 single crystals at 9.6, 36 and 249.9 GHz: structural phase transition// J. Magn. Res. 2003. Vol. 160. N.l. P. 131 138.
  73. Lee E. J. H., Ribeiro C., Giraldi T. R., Longo E., Leite E. R. and Varela J. A. Photoluminescence in quantum-confirmed Sn02 nanocrystals: evidence of free exciton decay // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol.84, N. 10. P. 1745−1747.
  74. Chiodini N., Paleari A., DiMartino D. and Spinolo G., Sn02 nanocrystals in Si02: a wide-band-gap quantum-dot system // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, N. 9. P. 1702 1704.
  75. Harrison P. G., Lloyd N. C. and Daniell W. The nature of the chromium species formed during the thermal activation of chromium-promoted Mn (IV) oxide catalysts: an EPR and XPS study// J. Phys. Chem. B. 1998. Vol. 102, N. 52. P. 10 672−10 679.
  76. Lee S.-C., Lee J.-H., Oh T.-S. and Kim Y.-H. Fabrication of tin oxide films by sol-gel method for photovoltaic solar cell system // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. Vol.75, N 3−4. P. 481−487.
  77. Pianaro S. A., Bueno P. R., Longo E. and Varela J. A. A new Sn02-based varistor sysem//J. Mater. Sci. Lett. 1995. Vol.14, N. 10. P.692−694.
  78. Е.А., Гормин С. А., Петроченко И. В., Шадрина Л. П. Метод определения удельной статической проводимости полупроводниковых прозрачных тепловых зеркал // Оптика и спектроскопия. 2000. Т. 89, № 6. С. 969−973.
  79. Hays J., Punnoose A., Baldner R., Engelhard M. H., Peloquin J. and Reddy K.M. Relationship between the structural and magnetic properties of Co-doped Sn02 nanoparticles // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72., N. 7. P. 7 5203(7).
  80. Chambers S. A. and Farrow R. F. C. New possibilities for ferromagnetic semiconductors // MRS Bull. 2003.Vol.28, N. 10. P.729−733.
  81. Pearton S. J., Abernathy C.R., Overberg M.E., Thaler G.T., Norton D.P., Theodoropoulou N., Hebard A.F., Park Y.D. Wide band gap ferromagnetic semiconductors and oxides // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93, N. 1. P. 1−13.
  82. Van Komen C., Thurber A., Reddy К. M., Hays J. and Punnoose A. Structure-magnetic properties relationship in transition metal (M = V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni) doped Sn02 nanoparticles // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103, N. 7. P. 07D 141(3).
  83. А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов: пер. с англ./под ред. Альтшулера С. А., Скроцкого Г. В. М.: Мир., 1972. Т.1. 651 с.
  84. Yamaka Е. and Barnes R. G. Paramagnetic resonance of the cobalt ion in rutile single crystals // Phys. Rev. 1962. Vol.125, N. 5. P. 1568−1569.
  85. Miyako Y. and Kazumata Y. Electron spin resonance on rutile (Ti02) with cobalt ions combined with oxygen vacancies // J. Phys. Soc. Jpn. 1971. Vol. 31, N. 6. P. 1727−1730.
  86. Miyako Y. Electron spin resonance of Co ions combined with defects in rutile (Ti02) // Phys. Lett. 1967. Vol.24A, N. 12. P 635−636.
  87. Nagata K. and Ishihara A. EPR of ultrafine magnetic particles // J. Magn. Magn. Mater. 1992. Vol.104−107, N. 3. P.1571−1573.
  88. Punnoose A., Seehra M. S., van Tol J. and Brunei L. C. High-frequency electron magnetic resonance and magnetic studies of ferrihydrite nanoparticles and evidence of phase transition // J. Magn. Magn. Mater. 2005. Vol.288. P. 168−172.
  89. MacDonald A.H., Schiffer P., Samarth N. Ferromagnetic semiconductor: moving beyond (Ga, Mn) As //Nat. Mater. 2005. Vol.4, N.3. P. 195−202.
  90. Coey J.M.D., Venkatesan M., Fitzgerald C.B. Donor impurity band exchange in dilute ferromagnetic oxides //Nat. Mater. 2005. Vol. 4, N.2. 173 -179.
  91. Hong N.H., Sakai J., Huong N.T., Poirot N., Ruyter A. Role of defects in tuning ferromagnetism in diluted magnetic oxide thin films// Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72, N.4. 45 336.
  92. Philip J., Punnoose A., Kim B.I., Reddy K.M., Layne S., Holmes J.O., Satpati B., Leclair P.R., Santos T.S., Moodera J.S., Carrier-controlled ferromagnetism intransparent oxide semiconductors // Nat. Mater. 2006. Vol.5, N.4, P. 298−304.
  93. Geng W.T., Kim K.S. Structural, electronic, and magnetic properties of a ferromagnetic semiconductors: Co-doped Ti02 rutile// Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 125 203.
  94. Edmonds K.W., Boguslawski P., Wang K.Y., Campion R.P., Novikov S.N., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., Sawicki M., Dietl T., Nardelli M.B.,
  95. Bernholc J. Mn interstitial diffusion in (Ga, Mn) As // Phys. Rev. Lett. 2004. Vol. 92. P. 37 201.
  96. Mathew X., Hays J., Mejia-Garcia C., Contreras-Puente G., Punnoose A. Effect of annealing conditions on the Fe incorporation and ferromagnetism of Sni. xFex02: A Raman spectroscopic investigation // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99. P. 08M101.
  97. Dusausoy Y., Ruck R., Gaite J.M. Study of the symmetry of Fe3+ sites in Sn02 by electron paramagnetic resonance// Phys. Chem. Miner. 1988. Vol. 15, N. 3. P. 300−303.
  98. Rhein W. and Rosinski C. ENDOR investigations on the superhyperfine interactions of Fe3+ in Sn02// Phys. Stat. Solidi B. 1972.Vol. 49, N. 2. P. 667−672.
  99. Bartkowski R.R., Tunhein J. A. Electron paramagnetic resonance of a new Fe3+ center in Sn02// J. Phys. Chem. Solids. 1972. Vol. 33, N. 11. P. 2023−2029.•J L
  100. Wickman H.H., Klein M.P., Shirley D.A. Paramagnetic resonance of Fe in polycrystalline ferrichrome A // J. Chem. Phys. 1965. Vol. 42, N. 6. P. 2113 -2116.
  101. Troup G.J., Hutton D.R. Paramagnetic resonance of Fe3+ in kyanite // Br. J. Appl. Phys. 1964. Vol. 15, N. 12, P. 1493 -1500.
  102. Punnoose A., Seehra M. S., Park W. K. and Moodera J. S. On the room temperature ferromagnetism in Co-doped Ti02 films // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93, N. 10. P.7867−7869.
  103. Buckmaster H. A. and Delay D. B. Electron paramagnetic resonance of transition metal, lanthanide and actinide ions in solids // Magn. Res. Rev. 1974. Vol.3, N. 2. P.127−170.
  104. Hikita H., Takeda K., Kimura Y. Analytical determination of the local oxygen structure around Cr in Sn02 rutile-type crystals by use of electron paramagnetic resonance // Phys. Rev. B. 1992. Vol.46, N. 22. P. 14 381−14 386.
  105. Thurber A., Reddy K. M. and Punnoose A. High-temperature magnetic-field-induced activation of room-temperature ferromagnetism in CeixNix02 // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101, N. 9. P. 09N506(3).
  106. Thurber A., Reddy K.M., Shutthanandan V., Engelhard M. H., C. Wang, Hays J. -and Punnoose A. Ferromagnetism in chemically synthesized Ce02 nanoparticles by Ni doping // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 76. P. 1 652 068 pages.
  107. Kumar S., Kim Y. J., Koo B.H., Lee C. G. Structural and Magnetic properties of Ni doped Ce02 Nanoparticles // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2010. Vol. 10, N. 11. P. 7204−7207.
  108. Tiwari A., Bhosle V. M., Ramachandran S., Sudhakar N., Narayan J., Budak S. and Gupta A. Ferromagnetism in Co doped Ce02: observation of giant magnetic moment with a high Curie temperature //Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 142 511.
  109. Song Y. Q., Yang Q. H., Zhang H. W., Peng L., Shah L. R. Ferromagnetism in sputtered Co doped Ce02 thin film on A1203 (0001) substrate // J. Phys.: Conf. Ser. 2009. Vol. 152 P. 12 038.
  110. Song Y. Q., Zhang H. W., Wen Q.Y., Peng L. and Xiao J. Q. Direct evidence of oxygen vacancy mediated ferromagnetism of Co doped Ce02 thin films on Al203(0001) substrates // J. of Physics: Condensed Matter. 2008. Vol. 20. P. 255 210.
  111. Wen Q.Y., Zhang H.W., Song Y.Q., Yang Q.H., Zhu H. and Xiao J. Q. Room temperature ferromagnetism in pure and Co doped Ce02 powders // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. Vol. 19. P. 246 205.
  112. Fernandes V., Klein J. J., Mattoso N., Mosca D. H., Silveira E., Ribeiro E., Schreiner W. H., Varalda J. and de Oliveira A. J. A. Room temperature ferromagnetism in Co-doped Ce02 films on Si (001) // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 121 304®.
  113. Vodungbo B., Zheng Y., Vidal F., Demaille D., Etgens V. H., and Mosca D. H. Room temperature ferromagnetism of Co doped CeO 2-j diluted magnetic oxide: effect of oxygen and anisotropy // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 62 510.
  114. Colis S., Bouaine A., Moubah R., Schmerber G., Ulhaq-Bouillet C., Dinia A., Daheron L., Petersen J., and Becker C. Extrinsic ferromagnetism in epitaxial Co-doped Ce02 pulsed laser deposited films // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 53 910.
  115. Colis S., Bouaine A., Schmerber G., Ulhaq-Bouillet C., Dinia A., Choua S., Turek P. High-temperature ferromagnetism in Co-doped Ce02 synthesized by the coprecipitation technique // Phys. Chem. Chem. Phys. 2012. Vol.14, N.20. P. 72 567 263.
  116. Jedrecy N., von Bardeleben H. J., Zheng Y. and Cantin J. L. Electron paramagnetic resonance study of ZnixCox02: A predicted high temperature ferromagnetic semiconductor// Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. P. 41 308.
  117. Chong S. V., Kadowaki K., Xia J. and Idriss H. Interesting magnetic behavior from reduced titanium dioxide nanobelts // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 232 502.
  118. Jagodic M., Jaglicic Z., Jelen A., Lee Jin Bae, Kim Young-Min, Kim Hae Jin and Dolinsek J. Surface-spin magnetism of antiferromagnetic NiO in napoparticle and bulk morphology // J. Phys.: Condensed Matter. 2009. Vol. 21, P. 215 302.
  119. Hoch M. J. R., Nellutla S., van Tol J., Choi Eun Sang, Lu Jun, Zheng H., Mitchell J.F. Diamagnetic to paramagnetic transition in ЬаСоОз // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 214 421.
  120. Lommens P., Loncke F., Smet P. F., Callens F., Poelman D., Vrielinck H., andл ,
  121. Hens Z. Dopant Incorporation in Colloidal Quantum Dots: A Case Study on Co Doped ZnO // Chem. Mater. 2007. Vol. 19. P. 5576−5583.
  122. Kikoin K., Fleurov V. Superexchange in dilute magnetic dielectrics: application to (Ti, Co)02 // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74. P. 174 407.
  123. Achkeev A., Vakhitov I.R., Khabibullin R.I., Tagirov L.R. On the nature of ferromagnetism in oxide semiconductors doped with 3d-elements // J. Phys.: Conf. Ser. 2012. Vol. 394. P. 12 018 (6).
  124. Alanko G.A., Thurber A., Hanna Ch. and Punnoose A. Size, surface structure, and doping effects on ferromagnetism in Sn02 // J. Appl. Phys. 2012. Vol. Ill, 07C321.
  125. И.В., Зонн 3.H., Иоффе В. А. Электрические свойства монокристаллов двуокиси церия // ФТТ. 1968. Том. 9, № 12. С. 3369 3374.
  126. И.В., Иоффе В. А. Электропроводность и коэффициент диффузии кислорода в монокристаллах Се02// ФТТ. 1969. Том 11, № 9. С. 257 260.
  127. Chen S. Y., Lu Y. Н., Huang T.W., Yan D.C., and Dong C.L. Oxygen Vacancy Dependent Magnetism of Ce02 Nanoparticles Prepared by Thermal Decomposition Method // J. Phys. Chem. C. 2010. Vol. 114, N. 46, P. 19 576−19 581.
  128. Зонн 3.H., Катышев A.H., Митрофанов Ю. В., Польский Ю. Е. Исследование механизма зарядовой компенсации тригональных центров в Се02 методом двойного электронно-ядерного резонанса // ФТТ. 1969. Т. 11, № 2. С. 357−361.
  129. Вагг Т. L. An ESCA study of the termination of the passivation of elemental metals //J. Phys. Chem. 1978. Vol. 82, N. 16. P. 1801−1810.
  130. Uhlenbrock St., Scharfschwerdt Ch., Neumann M., Illing G. and Freund H-J. The influence of defects on the Ni 2p and О Is XPS of NiO // J. Phys: Condens. Matter. 1992. Vol.4, N. 40. P.7973−7978.
  131. Deshpande S., Patil S., Kuchibhatla S. and Seal S. Size dependence variation in lattice parameter and valency state in nanocrystalline cerium oxide // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 87, N. 13. P.13 3113(3).
  132. Wang J. B., Tai Yu.-L., Dow W.-P., Huang T.-J. Study of ceria-supported nickel catalyst and effect of yttria doping on carbon dioxide reforming of methane // Appl. Catal. A. 2001. Vol.218, N. 1−2. P. 69−79.
  133. Madou M. J. Fondamentals of microfabrication and nanofabrications. Third edition. Boca Raton. Fl: CRC Press. 2011. 1992 P.
  134. Weigl H.J., Paduano J.D., Frechette L.G., Epstein A.H., Greitzer E.M., Bright M., Strazisar A. J. Active stabilization of rotating stall and surge in a transonic single stage axial compressor//ASME J. Turbomach. 1998. Vol. 120, N. 4. P 625−636.
  135. Zhao Y.L., Zhao L.B., Jiang Z.D. High temperature and frequency pressure sensor based on silicon-on-insulator layers // Meas. Sci. Technol. 2006. Vol. 17, N. 3.P. 519−523.
  136. Fonseca M.A., English J.M., Vonarx M., Allen M.G. Wireless micro machined ceramic pressure sensor for high temperature applications // J. Micro Electro Mech. Syst. 2002. Vol. 11, N.4. P.337−343.
  137. Zhang L., Wang Y., Wei Y., Xu W., Fang D., Zhai L., Lin K.C., An L. A silicon carbonitride ceramic with anomalously high piezoresistivity// J. Am. Ceram. Soc 2008. Vol. 91, N. 4. P. 1346−1349.
  138. Liew L.A., Zhang W., An L., Shah S., Lou R., Liu Y., Cross T., Dunn M.L., Bright V., Daily J.W., Raj R., Kristi A. New materials, innovative processing and future applications//J.Am. Ceram. Soc. 2001. Vol. 80, N 5. P. 25−31.
  139. Lee, C.Y., Wen, C.Y., Hou H.H., Yang R.J., Tsai C.H., Fu L.M. Design and characterization of MEMS based flow rate and flow direction microsensor // Microfluid. Nanofluid. 2009. Vol. 6, N. 3. P. 363−371.
  140. Liew Li-Anne, Liu Y., Luo R., Cross T., An L., Bright V.M., Dunn M.L., Daily J. W., Raj R. Fabrication of SiCN MEMS by photopolymerization of pre-ceramic polymer// Sensors and Actuators. A. 2002. Vol.95, N. 2−3. P. 120−134.
  141. Trassl S., Kleebe H-J., Stormer H., Motz G., Rossler E. and Ziegler G. Characterization of the Free Carbon Phase in Precursor-Derived SiCN Ceramics Part II: Comparison of Different Precursors // J. Am. Ceram. Soc. 2002. Vol. 85, N. 5. P. 1268−1274.
  142. Trassl S., Motz G., Rossler E. and Ziegler G. Characterization of the freecarbon phase in precursor-derived SiCN ceramics // J. Non-Cryst. Sol. 2001. Vol. 293−295. P.261−267.
  143. Trassl S., Motz G., Rossler E. and Ziegler G. Characterization of the free-carbon phase in precursor-derived SiCN ceramics: I. Spectroscopic methods // J. Am. Ceram. Soc. 2002. Vol. 85, N. 1. P.239−244.
  144. Li Y.-L., Kroke E., Riedel R., Fasel C., Gervais C. and Babonneau F. Thermal cross-linking and pyrolytic conversion of poly (ureamethylvinil)silazanes to silicon-based ceramics // Appl. Organometal. Chem. 2001. Vol. 15, N. 10. P.820−832.
  145. Resta N., Kohler C. and Treblin H.-R. Molecular dynamics simulations of amorphous Si-C-N ceramics: composition dependence of atomic structure // J. Am. Ceram. Soc. 2003. Vol. 86, N. 8. P.1409−1414.
  146. Beuneu F., l’Huillier C., Salvetat J.-P., Bonard J.-M. and Forro L. Modification of multiwall carbon nanotubes by electron irradiation: An ESR study // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59, N. 8. P.5945−5949.
  147. Dyson J.F. Electron spin resonance absorption in metals. II. Theory of electron diffusion and the skin effect // Phys. Rev. 1955. Vol.98, N. 2. P.349−359.
  148. Misra S.K. Role of exchange interaction in effecting spin-lattice relaxation: new interactions of data on CrJ+ in Cu2+xCr2xSn2.2x spinel and dangling bonds in amorphous silicon // Phys. Rev.B. 1998. Vol.58, N. 22. P14971−14 977.
  149. Fujimori H., Ohnuma S., Kobayashi N., Masumoto T. Spintronics in metal-insulator nanogranular magnetic thin films // J. Magn. Magn. Mater. 2003. Vol.304, N.l.P.32−35.
  150. Bill J., Kamphowe T. W., Muller A., Wichmann T., Zern A., Jalowieki A., Mayer J., Weinmann M., Schuhmacher J., Muller K., Peng J. Q., Seifert H. J. and
  151. Aldinger F. Precursorderived Si-(B-)C-N Ceramics: Thermolysis, Amorphous State and Crystallization // App. Organometallic Chem. 2001.Vol. 15, N. 10. P.777−793.
  152. Saha A., Raj R. and Williamson D.L. A model of the nanodomains in polymer-derived SiCO // J. Am. Cer. Soc. 2006. Vol. 89, N. 7. P. 2188−2195.
  153. Saha A. and Raj R. Crystallization map for SiCO amorphous ceramics // J. Am. Ceram. Soc. 2007. Vol. 90, N.2. P.578−583.
  154. Saha A., Shah S.R., Raj R. and Russek S.E. Polymer derived SiCN composite with magnetic properties // J. Mater. Res. 2003. Vol. 18, N. 11. P.2549−2551.
  155. Dumitru A., Ciupina V., Stamatin I., Prodan G., Morozan A., Mirea C. Plasma polymerization of ferrocene with silane and silazane monomers for design of nanostructured magnetic ceramics // J. Optoelectron. Adv. M. 2006. Vol. 8, N. 1. P.50 54.
  156. Dumitru A., Stamatin I., Morozan A., Mirea C., Ciupina V. Si-C-N-Fe nanostuctured ceramics from inorganic polymer precursors obtained by plasma polymerization // Materials Science and Engineering C. 2007. Vol. 27, N. 5−8. P.1331−1337.
  157. Li Y., Zheng Z., Reng C., Zhang Z., Gao W., Yang S. and Xie Z. Preparation of Si-C-N-Fe magnetic ceramics from iron-containing polysilazane // Appl. Organometal. Chem. 2003. Vol. 17, N. 2. P. 120−126.
  158. Li J., Zhang Z., Zheng Z., Guo L., Xu G. and Xie Z. Preparation and Magnetic Properties of Fe/Si/C/N Ceramics Derived from a Polymer Precursor // J. Appl. Polym. Sci. 2007. Vol. 105, N. 4. P.1786−1792.
  159. Т. С., Бреслер М. С., Горюнов Ю. В. Ферромагнитное упорядочение примесей железа в кондо-полупроводнике SmB6 // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 81, № 9. С. 591−594.
  160. Sawatzky Е. Magnetic and magnetooptical properties of sputtered Fe5Si3 films //IEEE transactions on magnetics. 1971. Vol. 7, N. 3. P.374−376.
  161. JI.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. Часть 1. Серия: Теоретическая физика, t.V. М.: Наука, 1976. 584 с.
  162. А.З., Покровский B.J1. Флуктуационная теория фазовых переходов. 2-изд. М.: Наука, 1982. 197 с.
  163. Bahloul D., Pereira М. and Gerardin С. Pyrolysis chemistry of polysilazane precursors to silicon carbonitride Part 1. Thermal degradation of the polymers // J. Mater. Chem. 1997. Vol. 7, N.l. P. 109−116 .
  164. Tuinstra F. and Koenig J.L. Raman Spectrum of Graphite // J. Chem. Phys. 1970. Vol. 53, N. 3. P. l 126−11 130.
  165. Dillon R.O., Woollam J.A. and Katkanant V. Use of Raman scattering to investigate disorder and crystallite formation in as-deposited and annealed carbon films // Phys.Rev. B. 1984. Vol.29, N. 6. P. 3482−3489.
  166. MacLachlan M. J., Ginzburg M., Coombs N., Coyle T. W., Raju N. P., Greedan J. E., Ozin G. A., Manners I. Shaped Ceramics with Tunable Magnetic Properties from Metal-Containing Polymers // Science. 2000. Vol. 287, N. 5457. P. 1460 -1463.
  167. Liew L.-A., Zhang W., Bright V. M., An L., Dunn M. L., Raj R. Fabrication of SiCN ceramics MEMS using injectable polymer-precursor technique // Sensors and Actuators A. 2001. Vol. 89, N. 1−2. P.64−70.
  168. Tomasella E., Rebib F., Dubois M., Cellier J., Jacquet M. Structural and optical properties studies of sputtered a-SiCN thin films // Journal of Physics: Conference Series. 2008. Vol. 100. P.82 045.
  169. Kobayashi K., Yokoyama H., Endoh M. Leakage current and paramagnetic defects in SiCN dielectrics for copper diffusion barriers // Applied Surface Science. 2008.Vol. 254, N.19 P.6222−6225.
  170. Hauser R., Francis A., Theismann R., Riedel R. Processing and magnetic properties of metal-containing SiCN ceramic micro- and nano-composites // J. Matter. Sci. 2008. Vol. 43, N.12. P. 4042−4049.
  171. Yan X. H., Cheng X. N., Han G. C., Hauser R., Riedel R. Synthesis and Magnetic Properties of Polymer Derived Metal/SiCN ceramic composites // Key Engineering Material. 2007. Vol. 353−358. P. 1485−1488.
  172. Siirgers C., Potzger K., Fischer G. Magnetism of carbon doped Mn5Si3 and Mn5Ge3 // Journal of Chemical Science. 2009. Vol.121, N.2. P. 173−176.
  173. Gopalakrishnan B., Siirgers C., Montbrun R., Singh A., Uhlarz M., v. Lohneysen H. Electronic transport in magnetically ordered Mn5Si3Cx films // Phys. Rev.B. 2008. Vol. 77, N.10. P.10 4414(10).
  174. Huanyin Guo, Ning Liu, Guoqing Yan, Wei Tong. Transport Property of Lao 67-xSmxSr0 33MnO3, at Heavy Samarium Doping (0.40< x < 0.60) // Journal of rare earths. 2006. Vol. 24, N 2. P. 206 213.
  175. Huber D.L., Laura-Ccahuana D., Tovar M., Causa M.T. Electron spin resonance line of width, susceptibility, and conductivity in doped manganites // Journal Magnetism and Magnetic Materials. 2007. Vol. 310, N. 2. part 1. P. e604-e606.
  176. Huber D.L., Alejandro G., Caneiro A., Causa M.T., Prado F., Tovar M. and Oseroff S.B. EPR linewidths in La,.ACaAMn03: 0
  177. Zakharov D., Deisenhofer J., Krug von Nidda H.-A., Loidl A., Nakajima T. and Ueda Y. Electron Spin Resonance across the Charge-ordering Transition in YBaMn206 //Phys. Rev. B. 2008. Vol.78, N 23. P. 235 105−2351 10.
  178. Kochelaev B.I., Shilova E., Deisenhofer J., Krug von Nidda H.-A., Loidl A., Mukhin A.A., Balbasov A.M. Phase transitions and spin-relaxation in La0 95Sr005MnO3 //Modern Phys. Lett. B. 2003. Vol. 17, N 10 / 12. P.459−467.
  179. Bahadur D., Yewondwossen M., Koziol Z., Foldeaki M., Dunlap R.A. Physical properties of the giant magnetoresistive perovskite system La-Er-Ca-Mn-0 // J. Phys. Condens. Matt. 1996. Vol.8, N. 28. P. 5235−5245.
  180. Asthana S., Bahadur D., Nigam A.K. and Malik S.K. Electronic phase separation in (Lai/3 Smi/3)Aj/3 Mn03 (A = Ca, Sr, and Ba) compounds // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P.10H711.
  181. Asthana S., Bahadur D., Nigam A.K., Malik S.K. Magneto-transport studies of (Pr 1/3 Smi/3)A!/3Mn03 (A Ca, Sr, and Ba) compounds // J. Phys. Condens. Matt. 2004. Vol.16, N. 29. P. 5297−5307.
  182. Asthana S., Nigam A. K., Malik S.K., Bahadur D. Lattice effect on the magnetic and magneto-transport properties of (Lai/3Sm2/3)2/3Bao33.xSrxMn03 (x=0.0, 0.1, 0.2 and 0.33) compounds // J. Alloys Compd. 2008. Vol.450, N. 1−2. P. 136−141.
  183. Lofland S. E., Kim P., Dahiroc P., Bhagat S. M., Tyagi S. D., Karabashev S. G., Shulyatev D. A., Arsenov A. A. and Mukovskii Y. Electron spin resonance measurements in La, SrxMn03 // Phys. Lett. A. 1997.Vol.233, N 4−6. P. 476−480.
  184. Shengelaya A., Zhao Guo-meng, Keller H., Muller K. A., Kochelaev B. I. EPR in La,.xCaxMn03: Relaxation and bottleneck // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, N 9. P. 5888−5890.
  185. Rubinstein M., Gillespie D.J., Snyder J.E. and Tritt T.M. Effects of Gd, Co and Ni doping in Ьа2/зСа1/зМпОз: Resistivity, thermopower, and paramagnetic resonance // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 56, N 9. P. 5412 -5423.
  186. C.B., Якубовский А. Ю., Горбенко О. Ю., Кауль А. Р. Изучение спиновой динамики системы (Ъа^Рг^отСаО 3Мп03 методом ЭПР // ФТТ. 2004. Том.46, № 11. С. 2025−2032.
  187. Joshi J. P., Vijaya Sarathy К., Sood А. К., Bhat S. V. and Rao С. N. R. An electron paramagnetic resonance study of electron-hole asymmetry in charge ordered Pr,.xCaxMn03 (x = 0 64, 0.36) // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. Vol.1, N. 16. P. 2869−2878.
  188. Oseroff S.B., Torikachvili M., Singley J., Ali S., Cheong S-W., Schultz S. Evidence for collective spin dynamics above the ordering temperature in Lai. YCa, Mn03+5 //Phys. Rev B. 1996. Vol.53,N. 10. P.6521−6525.
  189. Causa M.T., Alejandro G., Zysler R., Prado F., Caneiro A. and Tovar M. JahnTeller effects on the superexchange interactions in LaMn03 //J. Magn. Magn. Mater. 1999. Vol. 196−197. P.506−508.
  190. Ulyanov A. N., Quang H. D., PismenovaN.E. and Yu S.-C. EPR and Resistivity Study of Pr0 7Ba0 3Mn03 Manganite // IEEE Trans, on Magn. 2005. Vol.41, N.10. P. 2745−2747.
  191. P.M., Яцык И. В., Муковский Я. М., Круг фон Нидда Х.А., Лондл А. Определение области существования ферромагнитных нанообразований в парафазе La,.xBaxMn03 методом ЭПР // Письма в ЖЭТФ. 2007. Т.85, № 1. С.57−60.
  192. Deisenhofer J., Braak D., Krug von Nidda H.-A., Hemberger J., Eremina R. M., Ivanshin V. A., Balbashov A. M., Jug G., Loidl A., Kimura T. and Tokura Y.
  193. Observation of a Griffiths Phase in Paramagnetic Lai. xSrxMn03 // Phys. Rev. Lett 2005. Vol. 95, N 25. P.257 202.
  194. Chen X. J., Zhang C. L., Almasan C. C., Gardner J. S. and Sarrao J. L. Small-polaron hopping conduction in bilayer manganite Lai 2Sri 8Mn207 // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67, N. 9. P.94 426.
  195. Zhao Guo-meng, Keller H., Greene R. L. and Muller K. A. Physics of Manganites / Ed. Kaplan T. A. and Mahanti S. D. New York: Plenum, 1999. 221p.
  196. Worledge D.C., Snyder G. J., Beasley M.R., Geballe T.H., Hiskes R., DiCarolis S. Anneal-tunable Curie temperature and transport of La0 67Ca0 33Mn03 // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80, N9. P. 5158−5161.
  197. Huanyin G., Ning L., Guoqing Y., Wei T. Transport Property of La067-xSmxSr033MnO3, at Heavy Samarium Doping (0.40< x < 0 .60) // Journal of rare earths. 2006. Vol. 24, N2.P. 206 213.
  198. Huang Q., Santoro A., Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Peng J.L., Greene R.L. Structure and magnetic order in undoped and doped manganites // Phys. Rev. B. 1997. Vol.55, N22. P.14 987−14 999.
  199. Zhang Y.B., Li S., Sun C.Q., Gao W. Possible origin of magnetic transition ordering in La1/3A2/3Mn03 oxides // Mater. Sci. Eng.B. 2003. Vol. 98, N1. P. 54−59.
  200. Yassin O. A., Mohamed M. I. and Bhatia S. N. Effects of quenched disorder on Griffiths phase and EPR line width in La0 67−2.rNd2.rCa0 33^SrlMn03 manganites // Phys. stat. sol. (b). 2008.Vol.245, N4. P.745−749.
  201. Griffiths R.B. Nonanalytic Behavior Above the Critical Point in a Random Ising Ferromagnet // Phys. Rev. Lett. 1969. Vol.23, N. 1. P. 17−19.
  202. Mori H. Transport, collective motion and Brownian motion // Prog. Theor. Phys. 1965. Vol. 33, N. 3. P. 423−455.
  203. Causa M. T. and Passeggi M. C. G. Temperature dependence of the EPR spectra of KNiF3 // Phys. Lett. A. 1983. Vol. 98, N 5−6. P. 291−294.
  204. Chauvet O., Stoto T. and Zuppiroli L. Hopping conduction in a nanometers-size crystalline system: A SiC fiber // Phys. Rev. B. 1992. Vol.46, N. 13. P. 8139−8146.
  205. Srivastava C. M., Banerjee S., GunduRao T. K., Nigam A. K. and Bahadur D. Evidence of spin transition and charge order in Cobalt substituted La0 7Ca0 3Mn03 // J. Phys. Cond. Matt. 2003. Vol.15, N.14. P.2375−2388.
  206. Bray A. J. Nature of the Griffiths phase // Phys. Rev. Lett. 1987. Vol. 59, N5. P. 586−589.
  207. Vekilov Yu. Kh., Mukovskii Ya. M. Variable range hopping conductivity in manganites // Solid State Communications. 2012. Vol. 152, N13. P. 1139−1141.
  208. Mott N.F., Metal-Insulator transitions, Taylor and Francis, London, 1990. 286 p.
  209. Coey J.M.D., Viret M., Ranno L., Ounadjela K. Electron localization in mixed-valence manganites//Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75, N21. P. 3910−3913.
  210. Viret M., Ranno L. and Coey J.M.D. Magnetic localization in mixed-valence manganites // Phys. Rev. B. 1997. Vol.55, N13. P. 8067−8070.
  211. Ivanshin V.A., Deisenhofer J., Krug von Nidda H.A., Loidl A., Mukhin A.A., Balbashov A.M. and Eremin M.V. ESR study in lightly doped Lai. xSrxMn03 // Phys.Rev.B. 1999. Vol.61,N.9. P.6213−6219.
  212. Richerson D.V. Modern Ceramic Engineering. 2nd.ed. New York: Dekker, 1992. 843 p.
  213. Cordishchi D., Faticanti M., Minelli G., Occhiuzzi M. and Porta P. LaAl,. xMnx03 perovskite-type oxide solid solutions: structural, magnetic and electronic properties //Phys. Chem. Chem. Phys. 2003. Vol.5,N.7. P. 1467−1473.
  214. H.B., Кузьмич M.B. Состояние атомов и межатомные взаимодействия в сложных перовскитоподобных оксидах. XVII. Магнитное разбавление в системе Lao б? Ва0 33Мп03 LaA103 // ЖОХ. 2004. Т.74,№.4. С. 535−538.
  215. Н.В., Кузнецова И. В. Состояние атомов и межатомные взаимодействия в сложных перовскитоподобных оксидах. X. Спиновые состояния атомов кобальта (III) и никеля (III) в LayYiyCaMxAli. x04 // ЖОХ. 1999. Т. 69. Вып. 2. С. 177−180.
  216. Pei S., Jorgensen J.D., Dabrowski В., Hinks D.G., Richards D.R., Mitchell A.W., Newsam J.M., Sinha S.K., Vakhin D. and Jacobson A.J. Structural phase diagram of the Ba,.xKxBi03 system // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41, N 7. P.4126−4141.
  217. Rice M.J. and Wang Y.R. Interpretation of Bai. xKxBi03 as a doped Peierls insulator. // Physica C. 1989. Vol. 157, N 1. P. 192−197.
  218. Mattheiss L.F., Gyorgy E.M. and Johnson D.W. Superconductivity above 20 К in the Ba-K-Bi-0 system // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37, N 7. P.3745−3746.
  219. Morales F., Escudero R., Hinks D.G. and Zheng Y. The temperature energy gap evolution ofBao6Ko4Bi03 by electronic tunneling // Physica B. 1991. Vol.169, N. 14. P.705−706.
  220. Hellman E.S., Miller В., Rosamillia J.M., Hartford E.H. and Baldwin K.W. Variable range-hopping transport in Bai. xKxBi03 (0
  221. Karlow M.A., Cooper S.L., Kotz A.L., Klein M.V., Han F.D. and Payne D.A. Optical conductivity of Baj. xKxBi03 through the metal-semiconductor transition // Phys. Rev.B. 1993. Vol.48, N 9. P.6499−6505.
  222. Thomann H., Klemm R.A., Johnston D.C., Tindall P.J., Jin H. and Goshorn D.P. Observation of triplet hole pairs and glassy spin-waves in La2.x.zSrxCu04.y by electron spin resonance // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38, N 10. P. 6552−6560.
  223. Т., Долгов С. А., Фельдбах Э., Савихин Ф. А., Мерилло И. Влияние электронов подпороговых энергий на СВЧ-поглощение и люминесценцию безмедных сверхпроводников Ва,.хКхВЮз // ФТТ. 1992. Т. 34, № 11. С. 34 293 433.
  224. Н.В., Богуславский Ю. В., Головашкин А. И., Иванова Л. И., Крынецкий И. Б., Русаков А. П. Аномальное тепловое расширение в системе Ва). ХКХВЮ3 //ФТТ. 1993. Т. 35, № 6. С.1415−1419.
  225. Chaillout С., Remeika J.P., Santoro A. and Marezio M. The determination of the Bi valence state in BaBi03 by neutron powder diffraction data // Solid St. Commun. 1985. Vol. 56, N 10. P. 829−831.
  226. Mattheiss L.F. and Hamman D.R. Electronic structure of the high-Tc superconductor Bai-xKxBi03 // Phys.Rev. Lett. 1988. Vol. 60, N 25. P. 2681−2684.
  227. Nagoshi M., Suzuki Т., Fucuda Y., Ueki K., Tokiwa A., Kikuchi M., Syono Y., Tachiki M. Electronic states of BaBi03. s and K-doping effects studied by photoelectron spectroscopy // J. Phys.: Cond. Matt. 1992. Vol.4, N. 26. P.5769−5781.
  228. Pei S., Zaluzek N.J., Jorgensen J.D., Dabrowski В., Hinks D.G., Mitchell A.W. and Richards D.R. Charge-density waves and superconductivity in the BaixKxBi03. y //Phys. Rev. B. 1989. Vol.39, N 1. P. 811−814.
  229. H.B., Головашкин A.M., Иванова Л. И., Русаков А. П. Фазовый переход диэлектрик- сверхпроводник и особенности физических свойств в системе Ва- К- Bi- О // Сверхпроводимость. 1992.Vol.5, № 4. С.644−648.
  230. Дж., Болтон Дж. Теория и практика применения метода ЭПР. М.: Мир, 1975. 548 с.
  231. Affronte М., Marcus J., Escribe-Filippini С., Sulpice A., Racoto Н., Broto J.M., Ousset J.C., Askenazy S. and Jansen A.G.M. Upper critical field of Ba|.xKxBi03 single crystals // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49, N 5. P. 3502−3510.
  232. Fleming R.M., Marsh P., Cava R.J. and Krajevski J.J. Temperature dependence of the lattice parameters in the 30 К superconductor Ва0. бК0.4ВЮ3 // Phys. Rev. B. 1988. Vol.38, N 10. P.7026−7028.
  233. В.И. Идентификация фаз в системах Ba-Bi-О и K-Ba-Bi-0 методами просвечивающей электронной микроскопии. Автореферат на соискание степени д.ф.м.н. 2009, ИПМТ РАН. Черноголовка. 52 с.
  234. Yakubovskii A., Gudenko S., Rusakov A., Golovashkin A., Verkhovskii S. EPR observation of localized hole pairs in BKBO and BPBO systems // Physica C: Superconductivity. 1997. Vol. 282, Part. 3. P. 1929−1930.
  235. А.Ю., Гуденко C.B., Аншукова H.B., Головашкин А. И., Иванова Л. И., Русаков А. П. Наблюдение аномальных триплетных состояний всистемах Ва,.хКхВЮ3 и BaPbyBi,.y03 методом ЭПР // ЖЭТФ. 1999. Том 115, № 4. С.1326−1336.
  236. Golovashkin A.I., Yakubovskii A., Gudenko S., Rusakov A.P. EPR observation of anomalous triplet states in Bai. xKxBi03 and BaPbyBi. y03 systems // Physica C, Superconductivity. 1999.Vol. 317−318. P. 432−435.
  237. Andersson G. Studies on vanadium oxides // Acta Chem. Scand. 1954. Vol. 8, N 9. P.1599−1606.
  238. A.A., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 182 с.
  239. D’Haenens J.P., Kaplan D. and Tuchendlier J. Electron spin resonance in cromium doped V02// J. Solid State Commun. 1974.Vol. 15, N 3. P.635−638.
  240. D’Haenens J.P., Kaplan D. and Merenda P. Electron spin resonance in V. xCr402 // J. Phys. C: Solid State Physics. 1975. Vol. 8, N 14. 2267−2273.
  241. В.А., Андроненко P.P. Исследование температурной зависимости ширины линии спектра ЭПР иона Fe3+ в монокристаллах диоксида ванадия // ФТТ. 1983. Т.25, №.7. С. 2212−2213.о I
  242. Carter D.L. and Okaga A. Electron paramagnetic resonance of Fe in Ti02 (rutile) // Phys Rev. 1960. Vol. 118, N 6. P. 1485−1490.
  243. Andersson P.O., Kolberg E.L. and Jelensky A. Extra EPR spectra of iron-doped rutile//Phys. Rev. B. 1973. Vol. 8, N 11. P. 4956−4965.
  244. McWhan D.B., Marezio M., Remeika J.P. and Dernier P.P. X-ray diffraction study of metallic V02// Phys. Rev. B. 1974. Vol.10, N 2 P.490−495.
  245. Magarino J., Tuchendler J. and D’Haenens J. P. High-frequency EPR experiments in niobium-doped vanadium dioxide // Phys. Rev. B. 1976. Vol.14, N 3. P. 865−871.
  246. М.Л. и Самойлович М.И. Введение в спектроскопию ЭПР активированных монокристаллов. М.: Атомиздат, 1977. 267 с.
  247. В.А., Андроненко P.P. Зависимость электрических свойств монокристаллов диоксида ванадия от условий синтеза // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы. 1984. Т.20, №.1. С. 102 104.
  248. P.P., Гончарук И. Н., Давыдов В. Ю., Чудновский Ф. А., Шадрин Е. Б. Прямое наблюдение мягкой моды при фазовом переходе полупроводник металл в диоксиде ванадия // ФТТ. 1994. Т.36, № 7. С. 2082 -2087.
  249. MacChesney J.P. and Guggenheim H.J. Grown and electrical properties of vanadium dioxide single crystals containing selective impurity ions // J. Phys. Chem. Solids. 1969. Vol. 30, N 2. P. 225−234.
  250. Hayashi Y., van Landuyt J. and Amelinckx S. Electron microscopic study of the substructure of V02 due to the monoclinic to tetragonal phase transformation // Phys. Stat. Sol.(b). 1970. Vol.39,N l.P.189−196.
  251. Ioffe V.A., Andronenko S.I., Zonn Z.N. EPR of Mn in some pyrovanadates // in Proceedings of XX th Congress AMPERE. Magnetic resonance and related phenomena. Tallinn. 21−26 August 1978: Berlin. Springer-Verlag. 1979. P. 305.
  252. Misra S.K. Evaluation of spin-Hamiltonian parameters from EPR data by the method of least-squares fitting//J. Magn. Res. 1976. Vol. 23, N.3. P. 403−410.
  253. Grunin V.S., Ioffe V.A. and Patrina I.B. Les spectres RPE des ions V4+ dans les monocristaux V02 // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. Vol. 63, N 2. P.629−634.
  254. Kosuge K., Ueda Y., Kachi S., Shinjo Т., Takada Т., Takano M. Magnetic properties of Fe. V^Cb (0
  255. Misra S.K. Estimation of the Mn zero-field splitting parameter from a polycrystalline EPR spectrum // Physica В. 1994.Vol.203, N 1−2. P. 193−200.
  256. Kubo R. and Toyozawa Y. Application of the method of generating function to radiative and non-radiative transitions of a trapped electron in a crystal // Prog. Theor. Phys. 1955. Vol.13, N2. P.160−182.
  257. Merenda P., Kaplan D. and Sommers C. Near band gap optical absorption in semiconducting V02 // J. de Physique. Colloque C4, supplement to no. 10. 1976. Vol. 37. C4. C59−62.
  258. Rosewear W. H. and Paul W. Hall effect in V02 near the semiconductor-to-metal transition // Phys. Rev. B. 1973. Vol.7, N 5. P.2109−2111.
  259. Pebler J. Paramagnetic hyperfine structure Iron (57) in VI. xFex02 // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. Vol. 78, N 2. P. 589−594.
  260. Goto T., Nishimura K., Kabashima S. and Kawakubo T. Relaxation process in electron spin resonance of Ti-doped V02 // J. Phys. Soc. Jpn. 1971. Vol.30, N 6. P.1654−1661.
  261. Yamaga M., Macfarlane P.I., Holliday K., Henderson B., Kodama N. and Inoue Y. A study of substitutional disorder in Cr3+: CaYA104: I. Fluorescence line narrowing // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. Vol. 8, N 19. P. 3487−3503.
  262. Yamaga M., Yosida T., Naitoh Y. and Kodama N. Electron paramagnetic resonance and optical spectroscopy of Ti-doped CaYA104 // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. Vol., N 23. P.4381−4394.
  263. Yamaga M., Henderson B., Yosida T., Kodama N. and Inoue Y. Inhomogeneous broadening of electron-paramagnetic-resonance and optical spectra of V4+ in CaYA104 // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51, N 6. P. 3438−3448.
  264. Yamaga M., Yosida T., Fukui M., Takeuchi H., Kodama N., Inoue Y., Henderson B., Holliday K. and Macfarlane P.I. A study of substitutional disorder ino «
  265. Cr: CaYA104: II. Electron spin resonance and polarization of optical spectra // J. Phys.: Cond. Matt. 1996. Vol.8, N 49. P. 10 633−10 646.
  266. Kirkpatrick E. S., Miiller K. A. and Rubins R. S. Strong axial electron paramagnetic resonance spectrum of Fe3+ in SrTiC>3 due to nearest-neighbor charge compensation // Phys. Rev. 1964. Vol. 135, N 1 A. P. A86-A90.
  267. Henderson B., Wertz J. E., Hall T. P. P. and Dowsing R. D. An e.p.r. study of vacancy-impurity association in MnO // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1971. Vol. 4, N 1. P. 107−116.
  268. Numerical Recipes. / Eds. W.H. Press, Teukolsky S.A., Vetterling W.T. and Flannery B.P. New York: Cambridge University Press, 1992. 375 p.
  269. Oudalov J. P., Daoudi A., Joubert J.C., Flem G.L. and Hagenmuller P. Sur une nouvelle serie d’aluminates doubles de calcium et elements lanthanidiques de structure K2NiF4 //Bull. Soc. Chim. France. 1970. Vol. 10. P. 3408−3410.
  270. Zvereva I., Smirnov Yu. and Choisnet J. Demixion of the K2NiF4-type aluminate LaCaA104: precurcor role of the local ordering of lanthanum and calcium // Matter. Chem. Phys. 1990. Vol.60, N 1. P. 63−69.
  271. Ю.Е., Зверева И. А. Распределение катионов и межатомные взаимодействия в оксидах с гетеровалентным изоморфизмом. IV. Температурная зависимость параметров ближнего порядка в оксиде YCaA104 // ЖОХ. 2001. Т. 71, № 7. С. 1070 -1074.
  272. Newman D.J. Theory of lanthanide crystal fields // Adv. Phys. 1971. Vol.20, N. 84. P. 197−256.
  273. Newman D.J. and Urban W. Interpretation of S-state ion EPR spectra // Adv. Phys. 1975. Vol. 24, N 6. P. 793−844.
  274. Freed J.H. New technologies in electron spin resonance // Annu. Rev- Phys. Chem. 2000. Vol.51. P. 655−689.2+
  275. Misra S.K. Estimation of Mn zero-field splitting parameters from a polycrystalline EPR spectrum: case of orthorhombic distortion // Physica B. 1997. Vol. 240, N 1−2. P. l83−197.
  276. Lynch W.B., Earle K.A. and Freed J.H. 1-mm wave ESR spectrometer // Rev. Sci. Instrum. 1968. Vol. 59, N 8. P.1345−1351.
  277. Earle K.A., Budil D.E. and Freed J.H. Electron spin resonance at 250 GHz using quasioptical techniques. Advances in Magnetic and Optical Resonance / Ed. Warren S. Warren. N.Y.: Academic, 1989. Vol.19. P. 253−323.
  278. Sugawara К, Huang C.Y. and Cooper B.R. Paramagnetic resonance of Gd» as a probe of exchange and crystal field effects in singlet-ground state system // Phys. Rev. B. 1975. Vol. 11, N. l 1. P 4455−4462.
  279. Sugawara K. and Huang C.Y. EPR studies of Gd3+, Dy3+ and Ce3+ in some Van Vleck Paramagnets // J. Phys. Soc. Jpn. 1976. Vol. 41, N.5. P. 1534−1539.
  280. Kubo R. and Tomita K. A general theory of magnetic resonance absorption // J. Phys. Soc. Jpn. 1954. Vol.9, N 6. P. 888−919.
  281. JI.K., Богатова Т. Б., Куркин И. Н., Салихов И. Х., Сахаева С. И., Теплов М. А. Релаксация центров парамагнитной примеси через ионы решетки в ван-флековских парамагнетиках // ЖЭТФ. 1986. Т.91, № 1. С.262−273.
  282. JI.K., Куркин И. Н., Салихов И. Х., Сахаева С. И. Спин-решеточная релаксация примесных редкоземельных ионов в ванфлековском парамагнетике LiTmF4 при низких температурах // ФТТ. 1990. Т.32, № 9. С. 2705−2710.
  283. Aminov L.K., Teplov М.А. Magnetic resonance and relaxation in dielectric crystals of rare earth compounds. N.Y.: Harwood, 1990. 159 p.
  284. Davidov D., Zevin V., Levin R., Shaltiel D., Baberschke K. Fluctuation spectra in weakly coupled Van Vleck paramagnets: Some theoretical and experimental aspects//Phys. Rev. B: Solid State. 1977. Vol. 15, N. 5. P.2771−2790.
  285. И.А., Мезенцева Л. П., Андроненко С. И. Способ выращивания монокристаллов ортоалюмината редкоземельного элемента // Авторское свидетельство № 1 522 793 от 15 июля 1989 г.
  286. Dernier P. D., Mainer R. G. High pressure synthesis and crystal data of the rare earth orthoaluminates // Mater. Res. Bull. 1971. Vol. 6, N. 6. P. 433−440.
  287. Antonov V. A., Arsenev P. A., Bienert К. E., Potemkin A. V. Spectral properties of rare earth ions in YA103 crystals //Phys. St. Sol. A. 1973. Vol. 19, N 1. P. 289−299.
  288. А. О., Мочалов И. В., Ткачук А. М., Федоров В. А., Феофилов П. П. Спектральные характеристики иона туллия и каскадная генерациявынужденного излучения в кристаллах YA103 Tu3+, Сг3+// Квант, электр. 1975. Т. 2, № 1. С. 188−190.
  289. O’Hare J. M., Donlan V. L. Crystal-field determination for trivalent thulium in yttrium orthoaluminate//Phys. Rev. B. Condens. Matter. 1976. Vol. 14, N 9. P. 3732−3743.
  290. В. П., Скворцов А. П. Эффект Штарка в f-f спектрах кристаллов YA103 Тт3+ // Опт. и спектр. 1980. Т. 28, № 4. С. 758−763.
  291. Hiifner S., Holmes L., Varsanyi F., Van Uitert L. G. Investigation of magnetic interactions in TbA103 by optical spectroscopy // Phys. Rev. 1968. Vol. 171, N 2. P. 507−513.
  292. Aminov L. K., Kaminskii A. A., Chertanov M. Theory of luminescence anisotropy of YA103: Nd3+ single crystals I. //Phys. St. Sol. B. 1985. Vol. 130, N 2. P. 757−766.
  293. Deb К. K. Crystal field splittings and luminescence properties for Nd3+, Er and DyJ in ittrium orthoaluminate (YA103) // J. Phys. Chem. Solids. 1982. Vol. 43, N 9. P. 819−823.
  294. R. T., Lyons К. В., Fleury P. A. Low-frequency dynamics of a cooperative Jahn-Teller transition: TbV04 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1980. Vol. 13, N 18. P. L447-L453.
  295. Baglio J.A., Sovers О.J. Crystal structure of the rare-earth orthovanadates //J. Solid. St. Chem. 1971. Vol. 3, N. 3. P. 458−465.
  296. С.И. Магнитные свойства редкоземельных парамагнетиков со структурой циркона. Автореф. дисс. канд. физ-мат. наук. Ленинград: ФТИ, 1985. 17 с.
  297. С.И., Бажан А. Н., Бондарь И. А., Иоффе В. А., Малкин Б. З., Л.П. Мезенцева. Нелинейная статическая магнитная восприимчивость ван-флековского парамагнетика ТтР04 // ФТТ. 1983. Том.25, № 2. С.423−429.
  298. С.И., Бажан А. Н., Мезенцева Л. П., Бондарь И. А., Иоффе В. А. Магнитные свойства ТЬР04 в сильных магнитных полях // ФТТ. 1984. Том.26, № 8.' С. 2473 -2479.
  299. З.А., Снегирев В. В., Брото Ж.-М., Ракото X., Ян-теллеровский магнетик в TbV04 сильном магнитном поле до 50 Тл// Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 82, № 9. С. 688−692.
  300. В.Р., Андроненко С. И. Потенциал кристаллического поля в редкоземельных соединениях со структурой циркона // ФТТ. 1984. Т.26, № 11. С.3440−3442.
  301. А.А. Эффекты кристаллического поля и квадрупольных взаимодействий в редкоземельных цирконах. Автореф. дисс. канд физ.-мат. наук. Москва: МГУ, 2000. 20с.
  302. L. Н., Whitney J.A., Zumsteg F.C. and Jones G.A. Ferroelasticity in the LnNb04 type rare earth niobates // Mater. Res. Bull. 1977. Vol. 12, N 1. P. 17−24 .
  303. Kaminskii A.A. Laser crystals: their physics and properties. New York: Springer-Verlag, 1990. 456c.
  304. А.А., Федоров В. А., Нгок Чан. Трехмикронное стимулированное излучение ионов Но3+ в кристаллах LaNb04 // Неорганические материалы. 1978. Т. 14, № 7. С. 1357.
  305. Л.Н., Бир Г.Л., Мыльникова И. Е. ЭПР иона Gd3+ в сегнетоэлектрике YNb04 //ФТТ. 1970. Т. 12, № 7. С. 1885−1887.
  306. А.А., Байкова Р. А., Куркин И. Н., Шекун Л. Я. ЭПР и спин-решеточная релаксация Nd3+ в монокристаллах LaNb04 // ФТТ. 1969. T. l 1, № 1. С. 22−30.
  307. А.А., Байкова Р. А., Климашевский Б. Б., Куркин И. Н., Цветков Е. Н., Шленкин В. И. ЭПР и спин-решеточная релаксация ионов CeJ+ и Yb3+ в монокристаллах LaNb04 // ФТТ. 1971. Т. 13, № 6. С. 1657−1663.
  308. И.Н., Чиркин Ю. К., Шленкин В. И. Спин-решеточная релаксация ионов Мо5+ в монокристаллах LaNb04 // ФТТ. 1972. Т.14, № 9. С. 2719−2723.
  309. Aminov L.K., Ivanshin V.A. and Kurkin I.N. Raman scattering and paramagnetic relaxation of LaNb04 single crystals and powders // Ferroelectrics. 1992. Vol.125(1−4), N 1. P. 395−400.
  310. Jeitschko W., Sleight A. W., McClellan W.R. and Weiher J.F. A comprehensive study of disordered and ordered scheelit-related Bi3(Fe04)(Mo04)2 // Acta Cryst.B. 1976. Vol. 32, N.3. P. 1163−1170.
  311. К. И и Тимофеева Н. И. Кислородные соединения Р.З.Э. М.: Металлургия, 1986. 480 с.
  312. В.К., Ефремов В. А., Великодный Ю. А., Аверина И. М. Строение кристаллов YNb04 при комнатной температуре // Кристаллография. 1981. Т. 26, №. 1. С. 67−71.
  313. Mehran F., Stevens K.W., Plaskett T.S., Fitzpatrick W. J. Exchange and dipolar interactions in PrV04: Gd // Phys. Rev.B. 1980. Vol.22, N.5 P.2206−2212.
  314. Mehran F., Stevens K.W., Plaskett T.S. Dynamical interaction in EuAs04(Gd3+) and EuV04(Gd3+) // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 22, N.5. P. 1817−1823.
  315. H.A., Толстой M.H., Феофилов П. П. Люминисценция неодима в ниобатах и танталатах // Оптика и спектроскопия. 1967. Т. 23, № 5. С.756−761.
  316. Orton J.W. Electronic Paramagnetic Resonance: An introduction to transition group ions in crystals. London: ILIFFE Books LTD, 1968. 240 P.
  317. С.И., Королева Л. Н., Бондарь И.А, Иоффе В. А. Влияние уровней терма 7 °F, Eu3+ на спектры ЭПР Gd3+ в ЕиА103 // ФТТ. 1982. Т.24, № 5. С. 1538 -1539.
  318. Holmes L., Sherwood R., Van Uitert L.G., Htifner S. Paramagnetic anisotropy and crystal-field splitting in EuA103//Phys. Rev. 1969. Vol. 178, N.2. P. 576−579.
  319. Harley R.T. and Manning D.I. Jahn-Teller induced elastic constant charges in TmP04 //J. Phys. C. 1978. Vol.11,N 15. P. L633-L636 .
  320. В.А., Андроненко С. И., Бондарь И. А., Мезенцева Л. П., Бажан А. Н., Базан Ч. Анизотропия магнитных свойств парамагнетика Ван-Флека ТтР04 // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т.34, № 11. С. 586 -590.
  321. Clark R.G., Allsop A.L., Stone N.J. and Bowden G.J. Enhanced nuclear order in H0VO4 revisited. 1. A nuclear orientation study // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1987. Vol. 20, N. 6. P. 797−814.
  322. Abragam A., Bouffard V., Fermon C., Fournier G., Gregg J., Jacquinot J.-F. et Roinel Y. Ordre magnetique nucleaire des spins de l69Tm dans le ТП1РО4 // C. R. Acad. Sci. Ser 2. 1984. Vol. 299, N 9. P. 509−513.
  323. Suzuki H., Nambudripad N., Bleaney В., Allsop A.L., Bowden G.J., Campbell I.A. and Stone N.J. Enhanced nuclear cooling and antiferromagnetism in HoV04 // J. Physique C. 1978. Vol. 6, N 8. Coll. 6/2. P. 800−802.
  324. Rappaz M., Boatner L.A. and Abraham M.M. EPR investigation of Gd3+ in single crystals and powders of the zircon-structure orthophosphates YP04, ScP04, and LUPO4 // J. Chem. Phys. 1980. Vol.73, N 3. P. 1095−1103.
  325. Rosenthal J. Electron paramagnetic resonance of Gd3+ in YV04 // Phys. Rev -1967. Vol.164, N2. P. 363−365.
  326. Mehran F., Plaskett T.S., Stevens K.W.H. Jahn-Teller induced random strain effects in TmP04// Phys.Rev. B. 1977. Vol.16, N. l P. 1−3.
  327. Mehran F. Stevens K.W.H., Plaskett T. and Fitzpatrick W.J. Slowly fluctuating random strain in the T1TLPO4 Jahn-Teller system // Phys. Rev. B. 1983. Vol.27, N.l. P. 548−549.
  328. Mehran F., Stevens K.W.H. and Plaskett T.S. Indirect superhyperfine interaction in H0VO4 (Gd) // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 20, N 3. P. 867−870.
  329. Mehran F., Stevens K.W.H., Plaskett T.S. and Fitzpatrick W.J. «Static» JahnTeller induced random strain in ТтхУ,.хУ04 // Phys. Rev. B. 1982. Vol.25, N 3. P. 1973−1976.
  330. И.Ф., Казаков Б. Н., Климачев А. Ф., Столов A.JI. Неоднородное уширение линий в трифторидах редких земель, обусловленное разупорядоченностью катионного окружения // ФТТ. 1985. Т. 27, № 12. С. 35 343 538.
  331. Misiak L.E., Misra S.К. and Mikolajczak P. EPR of GdJ+ doped single crystals of LiY. xYbxF4 // Phys. Rev. B. 1988. Vol.38, N 13. P. 8673−8682.1. С ^
  332. Misiak L.E., Misra S.K. and Orhun U. Study of temperature variation of EPR linewidth of Gd3+ doped LiYbxYi. xF4 single crystals. Estimation of Yb3+ spin-lattice relaxation times // Phys. Stat. Sol.(b). 1989. Vol. 154, N 1. P. 249−258 .
  333. Misra S.K. and Orhun U. Site percolation and spin-diffusion model as applied to Gd3+ EPR linewidth behaviour in PrxLai. xF3 // J Phys.: Condens. Matter. 1992. Vol. 4, N30. P. 6459−6466.
  334. Misra S.K. and Orhun U. Effect of paramagnetic percolation on1. Gd EPRlinewidth in LiYbxY,.xF4 // Phys. Rev. B. 1990. Vol.41, N 4. P. 2577−2580.
  335. Smith S.H. and Wanklin B.M. Flux grown of rare earth vanadates and phosphates //J. Cryst. Growth. 1974. Vol. 21, N 1. P. 23−28.
  336. Dess H.M. and Bolin S.R. Czochralski grown and properties of yttrium vanadate crystals // Trans. Metal. Soc. IIME. 1967. Vol.239, N 3. P. 359−364.
  337. Aminov L.K., Kostetskii Yu.Yu. Temperature dependence of EPR linewidth of impurities in Van-Vleck paramagnets // Phys. stat. sol. (b). 1990. Vol. 158, N. 2. P. 595−602.
  338. Kuse D. Optische absorptionsspektren und kristallfeldaufspaltungen des Er3±ions in YP04 und YV04 // Z. Physik. 1967. Vol. 203, N 1. P.49−58.
  339. Capobianco J.A., Kabro P., Ermeneux F.S., Moncorge R., Betinelli M. and Cavalli E. Optical spectroscopy, fluorescence dynamics and crystal-field analysis of Er3+ in YV04 // Chem. Phys. 1997. Vol. 214, N 2−3. P. 329−340.
  340. Ranon U. Paramagnetic resonance of NdJ+, DyJ+, ErJ+, and Yb3+ in YV04 // Phys. Lett. A. 1968. Vol. 28, N 3. P. 228−229.
  341. С.И., Бажан А. Н., Иоффе В. А., Удалов Ю. П. Магнитные свойства HoV04 в сильных магнитных полях // ФТТ. 1985.Т.27,№ 3. С. 609−613.
  342. Freeman A.J. and Watson R.E. Theoretical investigation of some magnetic and spectroscopic properties of rare-earth ions // Phys. Rev. 1962. Vol. 127, N 6. P. 20 582 075.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!