Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур

Диссертация: Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

N (м,) = +——, м> = д££0 { йУн где ч>* — глубина поверхностного обедненного слоя, — концентрация примеси на этой глубине (Ы*<0 соответствует акцепторной примеси, Ы*>0 — донорной), д — абсолютное значение заряда электрорующей примеси, резкую границу обедненного слоя и отсутствие в его пределах носителей тока. В ряде случаев эти допущения приводят к возникновению значительных ошибок в рассчитанном… Читать ещё >

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Методы исследования профилей легирования. Анализ существующих подходов
    • 1. 1. Методы исследования полупроводниковых структур
    • 1. 2. ВФХ полупроводниковых структур и их использование для определения профилей легирования
    • 1. 3. Недостатки и ограничения традиционного метода
    • 1. 4. Недостатки традиционного метода коррекции уширения вычисленных по ВФХ резких профилей легирования
    • 1. 5. Методы численного моделирования ВФХ для определения констант, характеризующих профиль легирования
    • 1. 6. Методы экспериментального измерения емкости обедненного слоя
    • 1. 7. Выводы
  • 2. Анализ ВФХ изотипных полупроводниковых структур
    • 2. 1. Аналитическая коррекция дебаевского уширения профилей легирования, рассчитанных по ВФХ
    • 2. 2. Расчет ВФХ для изотипно легированных полупроводниковых структур
    • 2. 3. Проверка применимости коррекции профилей легирования на дебаевское уширение с использованием теоретических ВФХ
    • 2. 4. Моделирование ВФХ неоднородно легированных по площади контакта полупроводниковых структур
    • 2. 5. Выводы
  • 3. Анализ ВФХ полупроводниковых структур с /"-и-й^еХодами
    • 3. 1. Классификация типов обедненных слоев. Г:.,
      • 3. 1. 1. Обедненный слой на поверхности
      • 3. 1. 2. Обедненный слой в объемном/>-и-переходе
      • 3. 1. 3. Выступающий на поверхность ?>-л-переход
      • 3. 1. 4. Смыкание соседних /?-и-переходов в объеме
      • 3. 1. 5. Смыкание поверхностного обедненного слоя и обедненного слоя объемногор-п-перехода
    • 3. 2. Определение профилей легирования по ВФХ для структур с выступающим на поверхность /ь-л-переходом
    • 3. 3. Определение профилей легирования по ВФХ структур с расположенным вблизи поверхности />-и-переходом
    • 3. 4. Выводы
  • 4. Развитие экспериментальных методов исследования профилей легирования полупроводниковых структур
    • 4. 1. Преимущества и недостатки систем ЭП и ЭДП при измерении ВФХ полупроводниковых структур
    • 4. 2. Эквивалентная схема полупроводниковой структуры при наличии поверхностных состояний
    • 4. 3. Развитие двухимпульсной методики измерения ВФХ
    • 4. 4. Автоматизированная экспериментальная установка для измерения емкости полупроводниковых структур
    • 4. 5. Используемые полупроводниковые структуры
    • 4. 6. Экспериментальные результаты
      • 4. 6. 1. Результаты исследования структуры со ступенчатым профилем легирования
      • 4. 6. 2. Результаты исследования структуры с имплантационным профилем легирования
      • 4. 6. 3. Результаты исследования структуры с двухступенчатым профилем легирования
      • 4. 6. 4. Результаты исследования структуры с выходящим на поверхность-переходом
    • 4. 7. Выводы

Актуальность темы

.

С развитием микроэлектроники начинают применяться новые материалы и их комбинации для получения заданных свойств полупроводниковых приборов. Для таких приборов распределение легирующей примеси в объеме полупроводника является одной из важнейших характеристик.

Наличие внешнего электрического поля на поверхности, а также неоднородность концентрации неподвижных ионизированных атомов примеси в объеме полупроводника приводит к перераспределению свободных носителей тока. Это является причиной возникновения в полупроводнике областей, обладающих локально некомпенсированным зарядом — так называемых областей пространственного заряда (ОПЗ). Избыток или недостаток свободных носителей заряда вызывает изменение проводимости в ОПЗ. Поэтому, как правило, именно ОПЗ определяют разнообразие электрофизических свойств полупроводников и характеристик полупроводниковых приборов. В неоднородно легированном полупроводнике формирование объемных ОПЗ обычно связано с изменением концентрации легирующей примеси, а поверхностных — наличием поверхностных состояний и внешним электрическим полем.

Уменьшение размеров базовых элементов полупроводниковых приборов и ограничения формы профиля легирования, накладываемые технологией их производства, стали причиной того, что большинство используемых структур состоит из набора чередующихся однородно легированных слоев. Основными параметрами, определяющими локализацию ОПЗ, а, следовательно, и электрофизические свойства таких структур, являются толщины и уровни легирования образующих структуру слоев. С одной стороны, основываясь на этих параметрах возможно анализировать распределение потенциала и плотности свободных носителей заряда при заданных внешних условиях и, таким образом, предсказывать характеристики исследуемых структур (прямая задача). С другой стороны, исходя из полученных экспериментально вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, можно пытаться восстановить исходные значения параметров структуры (обратная задача). Последняя задача представляет наибольший интерес.

Наиболее чувствительными методами, позволяющими получить информацию о толщинах и уровнях легирования используемых слоев, являются емкостные измерения, основанные на зависимости ширины поверхностного обедненного слоя от профиля легирования и приложенного напряжения. Они позволяют проводить анализ профилей легирования полупроводников в диапазоне толщин от нанометров до сотен микрон. К признанным достоинствам этих методов можно отнести быстроту и относительную простоту осуществления эксперимента. В настоящее время традиционным является метод нахождения профиля легирования из измеренной при обедняющих потенциалах вольт-фарадной характеристики (ВФХ) по формулам [1] на, а — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, £о — диэлектрическая постоянная, сзс — измеряемая емкость ОПЗ полупроводника, а У$ - поверхностный потенциал. Основной недостаток этого метода состоит в использовании приближения сильного обеднения, предполагающего полную ионизацию леги.

7 (?С~2Х1.

-.т*/ * — ^ 1 Г *.

N (м,) = +——, м> = д££0 { йУн где ч>* - глубина поверхностного обедненного слоя, — концентрация примеси на этой глубине (Ы*<0 соответствует акцепторной примеси, Ы*>0 — донорной), д — абсолютное значение заряда электрорующей примеси, резкую границу обедненного слоя и отсутствие в его пределах носителей тока. В ряде случаев эти допущения приводят к возникновению значительных ошибок в рассчитанном по приведенным формулам профиле. Так, из-за пренебрежения зарядом, связанным с диффузией основных носителей тока, возникает так называемое «дебаевское уширение» определяемых профилей легирования. Его появление объясняется размытием края обедненного слоя за счет диффузии основных носителей тока, которое приводит к тому, что определяемый традиционным методом профиль изменяется в зависимости от координаты медленнее по сравнению с реальным распределением примеси в полупроводниковой структуре. Дебаевское уширение наиболее заметно в структурах с существенными изменениями концентрации легирующей примеси на расстояниях, соизмеримых с локальным радиусом дебаевского экранирования. Другим недостатком традиционного метода является рассмотрение влияния на ВФХ носителей тока только одного типа, что приводит к значительным трудностям при их интерпретации для структур с р-п-переходами.

Таким образом, традиционный подход не может быть применен к анализу ВФХ наиболее широко используемых в настоящее время слоистых полупроводниковых структур.

В настоящей работе развиты методы обработки данных емкостных измерений, основанные на развитии теории, учитывающей резкий перепад концентрации легирующей примеси между слоями и наличие в структуре ¿-«-"-переходов. В частности, предложен аналитический (без решения прямой задачи) метод коррекции на дебаевское уширение определяемых традиционным методом профилей легирования изотипных структур (содержащих один тип легирующей примеситолько донорную или только акцепторную — по всему объему полупроводника), а также методы обработки ВФХ с целью опре6 деления профилей легирования полупроводниковых структур с р-п-переходами.

Для проверки применимости предлагаемых в работе моделей, которые связывают значения параметров, описывающих форму профиля исследуемых структур с ВФХ, использовалась процедура обратного моделирования. Ее основная идея состоит в том, что подлежащие определению параметры считаются заданными с некоторой, возможно малой, точностью. По этим данным проводится решение прямой задачи (вычисление теоретической ВФХ), а потом, на основании отличий теоретической и экспериментальной характеристик, производится коррекция исходного набора параметров. После этого описанная процедура повторяется. При сходимости итераций и соответствии полученной формы профиля заранее известной (например, из технологического цикла изготовления структуры) информации, модель, на основании которой искалось решение прямой задачи, может считаться правильной. Проблема получения экспериментальных ВФХ полупроводниковых структур потребовала развития импульсной методики измерения емкости, что позволило расширить диапазон измеряемых емкостей, а также повысить точность измерения емкости поверхностной ОПЗ в присутствии поверхностных состояний и при наличии токов утечки. Расчет ВФХ по заданному профилю легирования проводился по оригинальным, описываемым в настоящей работе, алгоритмам.

Цель работы.

Целью проведенного исследования являлось развитие емкостных методов определения профилей легирования полупроводниковых структур в ситуациях, когда традиционный способ обработки ВФХ не позволяет получить достоверную информацию: при наличии в структуре /"-«-переходов либо сильном влиянии дебаевского уши-рения.

В соответствии с этой целью решались следующие задачи:

1. Разработка для слоистых полупроводниковых структур моделей ОПЗ, позволяющих производить теоретический анализ ВФХ таких структур.

2. Разработка методов определения профиля легирования полупроводниковых структур по ВФХ с учетом влияния дебаевского уши-рения обедненного слоя и в пренебрежении вкладом неосновных носителей тока для структур с резко изменяющейся концентрацией легирующей примеси.

3. Разработка методов определения параметров полупроводниковых структур с одним или несколькими /7-й-переходами по измеренным ВФХ.

4. Экспериментальная проверка разработанных моделей и методов определения параметров полупроводниковых структур по ВФХ, включающая дальнейшее развитие методики измерения емкости. Проверка применимости используемых приближений путем численного моделирования процессов, происходящих в ОПЗ полупроводниковых структур.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, списка используемой литературы из 88 наименований, содержит 46 рисунков. Общий объем диссертации составляет 155 страниц.

5. Общие выводы.

Можно сформулировать следующие основные результаты работы:

1. Для полупроводниковых структур с резким изменением концентрации легирующей примеси исследовано влияние перераспределения основных носителей тока на точность определяемых по ВФХ профилей легирования. Показано, что традиционный метод не позволяет правильно определять профиль легирования таких структур без применения коррекции на дебаевское уширение.

2. Предложена процедура коррекции на дебаевское уширение найденных традиционным методом по ВФХ профилей легирования. Проведен анализ условий применимости этой коррекции.

3. Для структур с р-я-переходами предложены методы определения их профилей легирования по ВФХ.

4. Приведены алгоритмы расчета и развиты модельные представления, которые были использованы для построения теоретических ВФХ изотопных полупроводниковых структур и слоистых структур с /7-и-переходами, позволившие:

1) проверить применимость предложенной методики коррекции на дебаевское уширение на множестве изотипных структур,.

2) осуществить процедуру обратного моделирования,.

3) теоретически предсказать наличие минимума на ВФХ структуры с расположенным вблизи поверхности р-и-переходом.

5. Исследовано влияние неравномерности распределения легирующей примеси на измеряемые традиционным методом профили легирования. Показано, что при неоднородном по площади травлении из-за неравномерности профиля под барьерным контактом на определяемом профиле возможно появление ложных пиков и ступеней.

6. Предложено усовершенствование методики измерения емкости с помощью малых по амплитуде импульсов тока, сутью которого является подключение параллельно с исследуемой полупроводниковой структурой балластного конденсатора. Показано, что наличие такого конденсатора позволяет расширить диапазон измеряемых емкостей, а также повысить точность измерения емкости поверхностного обедненного слоя полупроводника при наличии токов утечки и поверхностных состояний.

7. С помощью усовершенствованной методики измерения высокочастотной емкости получены результаты, подтверждающие правильность представленной в работе методики коррекции профилей легирования на дебаевское уширение для изотипных структур, а также показавшие возможности практического применения предложенных способов определения профилей легирования по экспериментальным ВФХ для структур с /"-«-переходами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kennedy D.P., Murley Р.С., Kleinfelder W. On the measurement of impurity atom distributions in silicon by the differential capacitance technique. IBM Journal of Research and Development, 1968, vol.12, N5, p.399−409.
  2. Hudek P., Rangelow W.I., Kostic I. Submicro- and nanometer structure fabrication using direct electron-beam writing and reactive ion etching mask-making. Electron-Technology, 1995, vol.28, N4, p.251−225.
  3. Cho A.Y., Arthur J.R. Molecular beam epitaxy. Progress in Solid State Chemistry, 1975, vol.10, pt.3, p. 157−191.
  4. A.B., Зиновьев В. А., Марков В. А. Механизм структурных изменений поверхности Si(lll) под воздействием низкоэнергетических ионных импульсов в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. ЖЭТФ, 1998, т.114, N6, с.2055−2064.
  5. Г. Н., Криштаб Т. Г., Шеховцов Л. В., Садофьев ЮГ. Микроструктура германиевых пленок, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на арсенид-галлиевых подложках. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.22, N5−6, с.75−80.
  6. Griffiths R.J.M., Chew N.G., Cullis A.G., Joyce G.C. Structure of GaAs-Ga!.xAlxAs superlattices grown by metal organic chemical vapour deposition. Electronics Letters, 1983, vol.19, N23, p.988−990.
  7. Avetisjan G.H., Kulikov V.B., Kotov V.P., Erkin A.K., Zalevsky I.D. Quantum well infrared photodetector array on a basis of GaAs-AlGaAs MQW, grown by MOCVD. Proceedings of the SPIE, 1996, vol.2790, p.30−37.
  8. Basu P.K., Chakravarty B.C., Singh S.N., Dutta P., Kesavan R. Measurement of shallow dopant impurity profile in silicon using anodic sectioning and 19e method of Hall measurement. Solar Energy Materials and Solar Cells, 1996, vol.43, N1, p.15−20.
  9. Tomokage H., Yanahira Т., Yoshida M. On the basic assumption to obtain carrier concentration profile by differential Hall coefficient measurement. Japanese Journal of Applied Physics, 1996, vol.35, pt. l, N3, p. 1824−1825.
  10. П.Павлов Л. П. Методы определения параметров полупроводников. -М.: Высшая школа. 1987. 239с.
  11. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985.-264с.
  12. Е., Merlos А., Сапе С. Influence of the degradation on the surface states and electrical characteristics of EOS structures. Surface Science, 1991, vol.251−252, p.364−368.
  13. Biavati M., Perez Quintana I., Poggi A., Susi E. Study of the electrical active defects induced by reactive ion etching in n-type silicon. -J.Vac.Sci.Technol. В., 1995, vol.13, N5, p.2139−2141.
  14. Poggi A., Susi E. Surface damage induced by reactive ion etching in n-type silicon. Diffusion and Defect Data Part B, 1996, vol.47−48, p.383−390.
  15. Berg E.W., Pang S.W. Time dependence of etch-induced damage generated by an electron cyclotron resonance source. J.Vac.Sci.Technol. В., 1997, vol.15, N6, p.2643−2647.
  16. Ditizio R.A., Hallet W.L., Fonash S.J. Detrimental effects of low pressure electron cyclotron resonance plasmas: impact on dry etching and dry cleaning. Proceedings of conf. «Defects in Silicon II». Electro-chem. Soc., Pennington, USA, 1991, p.493−500.
  17. Castaldini A., Cavallini A., Gombia E., Mosca R., Tarricone L., Mott A., Bora L. Lifetime and diffusion length inhomogeneity controlled by point and extended defect interaction in w-GaAs LEC. Applied Surface Science, 1993, vol.63, N1−4, p.208−212.
  18. Auret F.D., Goodman S.A., Myburg G. Electrical characterization of defects introduced during plasma-based processing of GaAs. Materials Science Forum, 1993, vol.258−263, pt.2, p. 1045−1050.
  19. Faur M., Flood D.J., Bailey S., Goradia M. Electrolyte for ec-v profiling of InP and GaAs based structures. IPRM 1996. IEEE, New York, USA, 1996, p.632−635.
  20. Peroni M., D’Eustacchio P., Di. Virginio N., Graffitti R., Gasparotto A. Electrical behavior of implanted carbon impurities in fluorine со implanted GaAs. Journal of Applied Physics, 1996, vol.80, N7, p.3834−3839.
  21. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. -М.: Наука. 1990.-688с.
  22. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. Journal of Applied Physics, 1974, vol.45, N7, p.3023−3032.
  23. Blood P. Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers. Semicond. Sci. Technol., 1986, vol.7, p.7−27.
  24. Baccarani G., Rudan M., Spadiny G. Interpretation of c-v measurements for determining the doping profile in semiconductors. Sol.-St.Electron., 1980, vol.23, p.65−71.
  25. Kennedy D.P., O’Brien D.P. On the measurement of impurity atom distribution by the differential capacitance technique. IBM J. Res. Develop., 1969, N13, p.212−214.
  26. Zohta Y. Rapid determination of semiconductor doping profiles in MOS structures. Sol.-St.Electron., 1973, vol.16, N1, p.124−126.148
  27. Gummel H.K., Scharfetter O.L. High injection in epitaxial transistors. -Journal of Applied Physics, 1967, vol. 38, p.2148−2152.
  28. Zeigler K., Klausmann E., Kar S. Determination of semiconductor doping profile right up to its surface using the MIS capacitor. Sol.-St.Electron., 1975, vol.18, p.189−198.
  29. Lin S.T., Reuter J. The complete doping profile using MOS CV technique. Sol.-St.Electron., 1983, vol.26, N4, p.343−351.
  30. Kinder R., Frank H. Determination of doping profiles for low boron ion implantation in silicon. Sol.-St.Electron., 1988, vol.31, N2, p.265−268.
  31. Schroder D.K., Guldberg J. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MIS capacitor. Sol.-St.Electron., 1971, vol.14, N12, p. 1285−1297.
  32. Small D.W., Pierret R.F. Separation of surface and bulk components in MOS-C generation rate measurements. Sol.-St.Electron., 1976, vol.19, N6, p.505−511.
  33. Brown S.T., Connery R.J. Doping profiles by MOSFET deep depletion C (V). J.Electrochem.Soc., 1975, vol.122, N1, p.121−127.
  34. Johnson W.C., Panousis P.T. The influence of Debye length on the C-V measurement of doping profiles. IEEE Transactions on Electron Devices, 1971, vol. ED-18, N10, p.965−973.
  35. Wu C.P., Douglas E.C., Mueller C.W. Redistribution of ion-implanted impurities in silicon during diffusion in oxidizing ambients. IEEE Transactions on Electron Devices, 1976, vol. ED-23, N9, p.1095−1097.
  36. Lehovec K. C-V profiling of steep dopant distributions. Sol.-St.Electron., 1984, vol.27, N12, p.1097−1105.
  37. Blacksin J.M. A Poisson C-Vprofiler. IEEE Transactions on Electron Devices, 1986, vol. ED-33, N9, p.1387−1389.
  38. Toyabe T., Matsuo H., Yamamoto S., Masuda H. Determination of doping profile in sub-Debye-length region. International Electron De149vices Meeting. Technical Digest IEEE, New York, USA, 1989, p.699−702.
  39. Kourkoutas C.D., Papaioannou G.I. A fast solution of Poisson’s equation in FETs. Sol.-St.Electron., 1994, vol.37, N2. p.373−376.
  40. Kuznetsov M.G., Kokin A.A., Kokin S.A. C-V model of the MOS structures with a shallow p-n junction for electro-physical parameters and profile of the doping determination. SPIE, 1995, vol.2636, p. 124 131.
  41. Kuzmicz W. Application of a genetic algorithm to doping profile identification. J.Vac.Sci.Technol. В., 1996, vol.14, N1, p.408−413.
  42. Arnold E. Double-charge-sheet model for thin silicon-on-insulator films. IEEE Transactions on Electron Devices, 1996, vol.43, N12, p.2153−2163.
  43. Р.П. Введение в вычислительную физику. М.: Изд. Московского физико-технического института. 1994. — 526с.
  44. Fogel D.B. Asymptotic convergence properties of genetic algorithms and evolutionary programming: analysis and experiments. Cybernetics and Systems, 1994, vol.25, N3- p.389−407.
  45. Chudobiak M.J. A simple circuit for measuring C-V profiles at kilovolt voltages. Review of Scientific Instruments, 1995, vol.66, N6, p.3703−3105.
  46. Tschirner B.M., Morier-Genoud F., Martin D., Reinhart F.K. Capacitance-voltage profiling of quantum well structures. Journal of Applied Physics, 1996, vol.79, N9, p.7005−7013.
  47. Fang L., Gong D., Wang J., Wang Q., Sun H., Wang X. Capacitance-voltage characteristics of Schottky junction containing SiGe/Si quantum wells. Physical Review B, 1996, vol.53, N8, p.4623−4629.
  48. Bobylev B.A., Kovalevskaya Т.Е., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N. Capacitance-voltage profiling of multiquantum well structures. Sol.-St.Electron., 1997, vol.41, N3, p.481−486.
  49. Tschirner B.M., Moriergenoud F., Martin D., Reinhart F.K. Capacitance-voltage profiling of quantum-well structures. Journal of Applied Physics, 1996, vol.79, N9, p7005−7013.
  50. Д.Н., Константинов O.B. Теория контактного поля в барьерной структуре металл-полупроводниковая сверхрешетка. -ФТП, 1994, Т.28, Вып.7, с.1257−1267.
  51. Д.Н., Константинов О. В., Плеханов Н. М. Теория «моттовского» плато на вольт-фарадной характеристике диода Шотки с гетеропереходом. ФТП, 1991, Т.25, Вып.4, с.660−669.
  52. Brattain W.H., Boddy P.J. The interface between germanium and a purified neutral electrolyte. J.Electrochem.Soc., 1962, vol.109, N9, P.574−582.
  53. M.А. Характер адсорбции из водных электролитов и природа воздействия примесей различных групп металлов на электрофизические свойства поверхности германия. канд. дисс. ЛГУ, Л., 1976.-210с.
  54. В.Б., Яфясов A.M., Романов О. В., Соколов М. А., Монахов В. В. Способ измерения электрофизических параметров межфазной границы электролит-полупроводник, его варианты. -Патент РФ N127295
  55. В.В., Яфясов A.M., Романов О. В., Соколов М. А. Способ определения концентрации примесей в полупроводниках. Патент РФ N1304674
  56. В.В., Клочков И. В., Комолов А. С., Уткин А. Б., Кожедуб А. В., Кашин А. Н. Компьютерная установка для измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур. Вестник СПбГУ, Сер.4, 1997, Bbin. l (N4), с.106−109.
  57. И.В., Монахов В. В., Кожедуб А. В., Кашин А. Н., Половцев И. Н., Уткин А. Б. Компьютерная установка для измерения параметров полупроводниковых структур. тез. докл. междунар. конф. ФИЗПРОМ-96, Голицино, Московская обл., 1996, с.285−286.
  58. В.В., Уткин А. Б. Коррекция дебаевского уширения профилей легирования, рассчитанных по вольт-фарадным характеристикам. Вестник СПбГУ, Сер.4, 1997, Вып. З, N18, с.84−89.
  59. А.Б. Коррекция дебаевского уширения профилей легирования, рассчитанных по ВФХ. тез. докл. первой городской студенческой науч. конф. по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, С-Петербург, Россия, 1997, с. 34.
  60. Lo S.H., Lee С.Р. Two dimensional simulation of the drain-current transient effect in GaAs MESFETs. Sol.-St.Electron., 1991, vol.34, N4, p.39.7−401.
  61. Khalil N., Faricelli J., Huang C.L., Selberherr S. Two-dimensional dopant profiling of submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using nonlinear least squares inverse modeling. -J.Vac.Sci.Technol. В., 1996, vol.14, N1, p.224−230.
  62. Fjeldly T.A., Shur M.S. Simulation and modeling of compound semiconductor devices. International Journal of High-Speed Electronics-and Systems, 1995, vol.6, N1, p.237−284.
  63. Conti P., Heiser G., Fichtner W. Three dimensional transient simulation of complex silicon devices. Extended abst. of the 22nd Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, 1990, p. 143−146.
  64. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. T. l, M.: Мир. 1984. -455с.
  65. Kim J., Ihn В., Kim В. Extraction of device parameters and channel doping profile of vertical double-diffused MOS transistors. SolidState Electronics, 1996, vol.39, N4, p.541−546.
  66. Miyake M., Okazaki Y. Capacitance-voltage characteristic of buried-channel MOS capacitors with a structure of subquarter-micron pMOS. IEICE Transactions on Electronics, 1996, vol. E79-C, N3, p.430−436.
  67. B.B., Уткин А. Б. Эффект смыкания обедненных слоев в полупроводниковых структурах. Вестник СПбГУ, Сер.4, 1995, Вып.4, N25, с.100−105.
  68. О.В. Электрофизические свойства поверхности германия в контакте с электролитом. канд. дисс. ЛГУ, Л., 1965. — 152с.
  69. С.Н. Электрофизические свойства поверхности кремния в контакте с электролитом. канд. дисс. ЛГУ, Л., 1980. -226с.
  70. В.В. Электрофизические свойства поверхности Si, InP, InAs, InSb в контакте с электролитами. канд. дисс. ЛГУ, Л., 1986, — 179с.
  71. А. Фотоэлектролиз под действием солнечного излучения при использовании полупроводниковых электродов. в кн. Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела. -М.: Энергоиздат. 1982, с.106−150.
  72. С.Р. Химическая физика поверхности твердого тела. -М.: Мир. 1980.-488с.
  73. Ю.А., Плесков Ю. В. Фотохимия полупроводников. М: Наука. 1983.-312с.78.0всюк В.H. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. 1984. — 253с.
  74. П.П., Тарантов Ю. А., Касьяненко Е. В. Электронные и ионные процессы в системе кремний-диэлектрик-электролит. в кн. Проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука. 1978, с.247−287.
  75. С.Г. Двойной слой и его эффекты в полярографии. -М.: Наука. 1971.-88с.
  76. П.П., Электрофизические процессы на поверхности полупроводников в системе полупроводник-электролит. докт. дисс. ЛГУ, 1970−347с.
  77. Gerischer H. Electrochemistry of the exited electronic state. J. Elec-trochem. Soc., 1978, vol.125, N5, p.218−226.
  78. B.A., Плесков Ю. В. Электрохимия полупроводников. -M.: Наука. 1965.-338с.
  79. Nakhmanson R.S. Equivalent circuit of multicharge centers in semiconductors. Radio Engineering and Electronic Physics (пер. с рус.: Радиотехника и электроника), 1971, vol.16, N3, р.511−518.
  80. Kuhn M. A quasi-static technique for MOS С-F and surface state measurements. Sol.-St.Electron., 1970, vol.13, N6, p.873−885.
  81. Т.Н., Неизвестный И. Г., Овсюк B.H. Процессы захвата носителей заряда в МДП структурах. в кн. Электронные процессы на поверхности полупроводников. — Новосибирск, 1974, с.71−82.
  82. В.В., Ваганов В. П., Макаров Н. А., Платов С. А., Уткин А. Б. Способ определения электрофизических параметров полупроводников. -ПатентРФ 1 697 568, пр. 18.10.89
  83. В.В., Кожедуб А. В., Кашин А. Н., Половцев И. Н. Интегрированная среда 'BARSIC средство автоматизации эксперимента. — Всерос. науч. техн. конф. «Перспективные информацион154ные технологии в высшей школе» (ПИТ-95), Тамбов, 1995, с. 147 148.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!