В настоящее время трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых гетероструктур. Электронные и оптоэлектронные приборы на основе гетероструктур, например, биполярные транзисторы," светодиоды, лазеры широко используются во многих областях техники.
Развитие физики и технологии полупроводниковых гетероструктур шло по пути от двойной гетероструктуры [ 1 ] до гетероструктур с квантовыми ямами [2] и точками [3], при этом в последнее время осваивались новые полупроводниковые материалы, в частности АШЫ [4]. Значительное улучшение характеристик будущего поколения оптоэлектронных приборов на основе гетероструктур может быть достигнуто при использовании микроструктур. Полупроводниковые одномерные, двумерные и трехмерные микрорезонаторы привлекают к себе внимание как с точки зрения исследования их фундаментальных свойств, так и с точки зрения их применения для создания перспективных оптоэлектронных приборов. Так, например, использование трехмерного микрорезонатора может привести к созданию так называемого одномодового светодиода, а также получение оптических интегральных схем на основе микрорезонаторов и фотонных кристаллов может оказаться важным шагом на пути создания квантового компьютера. Без создания микроструктур не всегда удается реализовать свойства, заложенные в исходном наноматериале. Так, для реализации источников одиночных фотонов на основе структур с квантовыми точками необходимы микрорезонаторы. Для развития теории фотонных кристаллов необходимо разработать технологию получения таких микроструктур с заданными свойствами (диаметр, период и глубина элементов). Одним из основных методов создания таких структур в настоящее время остается реактивное ионное травление.
Предметом настоящей кандидатской работы является создание методом реактивного ионного травления на основе полупроводниковых гетероструктур различных новых микроструктур и приборов на их основе, а также исследование их характеристик. Метод реактивного ионного травления давно используется в технологии полупроводниковых приборов. Однако, в последнее десятилетие появились не только новые конструктивные решения, но и новые полупроводниковые материалы, содержащие массивы квантовых точек с разной плотностью и составом, нитриды Ш-группы с твердыми растворами неоднородными по составу. Оказалось, что механический перенос режимов, ранее найденных для традиционных полупроводников, может приводить к значительному уходу заданных размеров и профиля травленой поверхности. Так, например, боковые поверхности микрорезонаторов содержат большое количество внесенных травлением дефектов, что приводит к увеличению безызлучательной рекомбинации носителей на границе воздух/полупроводник. А у светодиодов на основе нитридов III группы токи утечки растут на порядки и квантовая эффективность из-за этого падает с 10% до 0.1%. Таким образом, для получения микроструктур на современных материалах необходима разработка технологии травления. При этом для обеспечения заданного профиля и глубины травленой поверхности, заданной геометрии рисунка и низкой плотности дефектов нужно не только подобрать режим травления, но и режим нанесения масок, а также выбор материала масок.
Следует также отметить, что современные наноматериалы — это сложные самоорганизованные системы, получаемые неравновесными процессами, и это порождает многообразие форм их существования, и, следовательно, для структур, полученных разными производителями, необходим тщательный подбор процесса реактивного ионного травления.
С помощью разработанной в процессе данной диссертационной работы технологии реактивного ионного травления и электронной литографии были получены следующие микроструктуры: микрорезонаторы (микростолбики), фотонные кристаллы, инжекционный лазер с распределенным Брэгговским отражателем воздух/полупроводник. Проводились исследования фотолюминесценции микростолбиков и фотонных кристаллов, изготовленных из структур с квантовыми точками. Были измерены оптические характеристики лазера с глубоко протравленным распределенным Брэгговским отражателем.
В ходе работы рассматриваются также другие возможные применения метода реактивного ионного травления для получения полупроводниковых микроструктур, перспективных в оптоэлектронике. Одним из них является создание светодиодов на основе нитридов III группы. Использование нитридов III группы является в настоящее время единственной практической возможностью перекрыть диапазон длин волн излучения от ультрафиолетового до видимого. Наряду с разнообразным применением в системах записи, хранения, обработки и отображения информации открываются возможности создания экономичных, долговечных твердотельных осветительных приборов, максимально согласованных по спектру с естественным освещением и чувствительностью глаза человека. В связи с ограниченными возможностями химического травления, реактивное ионное травление пока остается единственным методом получения приборов на основе нитридов III группы.
Стоит также отметить, что публикации по исследованиям режимов реактивного ионного травления для нитридов III группы практически отсутствуют. Например, потому, что за рубежом — это уже коммерческий материал и процессы травления являются коммерческой тайной фирм производителей. В настоящей работе была разработана методика реактивного ионного травления GaN через резистивные, трехслойные и металлические маски. Получен режим вертикального профиля травления, а также режим глубокого (более 5 мкм) травления GaN. С использованием этих результатов были созданы светодиоды, имеющие максимальный квантовый выход — около 21% при токе 10 мА, что является достаточно высоким показателем для данной системы.
Многие современные приборы имеют субмикронные размеры. Развитие новых прогрессивных методов создания элементов с субмикронными размерами с разрешением до 10 нм, таких как метод наноимпринта, также ставит задачи не только совершенствования, но и более углубленного понимания процессов реактивного ионного травления, являющегося одним из основных методов создания микроструктур для современных приборов. Также в данной работе метод реактивного ионного травления был использован в разработке нового метода литографии — наноимпринта. Следует отметить, что до недавнего времени в отечественной технологии метод наноимпринта не развивался. Получены кремниевые штампы для наноимпринта, и методом наноимпринта изготовлены микроструктуры с размером элементов до 100 нм.
Основная цель данной работы заключалась в разработке технологии получения полупроводниковых микроструктур на основе соединений АШВУ с помощью метода реактивного ионного травления. Исследования процессов реактивного ионного травления полупроводников GaAs, InAs, GaN, InP, Si и гетероструктур на их основе в различных режимах, в смесях различных газов проводились с целью выяснения потенциальных возможностей метода в технологии получения современных оптоэлектронных приборов. Разрабатывалась технология реактивного ионного травления, обеспечивающая заданную глубину, мииимальные изменения размеров элементов при формировании микроструктур, контролируемый профиль травления (вертикальные или наклонные боковые стенки), низкую плотность дефектов в приповерхностной области. Для реализации поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:
Исследовать процессы реактивного ионного травления гетероструктур АЮаАзЛгЮаАз/ОаАз с массивами квантовых точек ¡-пАб и выяснить потенциальные возможности метода для создания приборных наногетероструктур на этих материалах;
— Разработать технологию получения светоизлучающих микроструктур и фотонных кристаллов на основе гетероструктур А1ПВУ и исследовать оптические свойства полученных структур;
— Разработать технологию получения светодиодных структур на основе нитридов III группы;
— Разработать технологию наноимпринта.
Основные положения, выносимые на защиту:
1. Реактивное ионное травление гетероструктур ЫОаАзЛЗаАБ в газовых смесях на основе СЬ, ВС1з и Аг, а также травление 1пР в смеси СН4, Н2 и Аг позволяет реализовать микроструктуры с глубиной рельефа до нескольких микрон и минимальными линейными размерами до 100 нм.
2. Реактивное ионное травление гетероструктур АЮаЬхАзЮаАз с квантовыми точками 1пАб в активной области при соотношении газовых потоков СЬ: ВСЬ: Аг= 1: 4: 16 см3/мин, давлении газовой смеси в реакторе 1 Па и напряжении автосмещения 200 В позволяет получать эффективные светоизлучающие микроструктуры с размерами элементов от 0.2 до 3 мкм, в которых поверхностная безызлучательная рекомбинация существенно не снижает интенсивность фотолюминесценции.
3. Реактивное ионное травление лазерных структур 1пОаАзЛлаАз в том же режиме (СЬ: ВСЬ: Аг= 1:4: 16 см3/миндавлении 1 Па, напряжение автосмещения 200 В) позволяет получать микролазеры с глубоко протравленным (до 3 мкм) распределенным Брэгговским отражателем на основе периодической структуры полупроводник/воздух, работающие на длине волны 970 нм, с характеристиками: коэффициент отражения 0.73, плотность порогового тока 830Асм" и максимальная выходная мощность 80 мВт.
4. В спектрах отражения и фотолюминесценции периодических микроструктур с гексагональной решеткой отверстий (период элементов 1160 нм и диаметр отверстий 670 нм), сформированных методом реактивного ионного травления, проявляются угловые зависимости интенсивностей, характерные для фотонных кристаллов.
5. Сочетание многослойных металлических (Ni, Au) и резистивных масок (TI 35ES, AZ.
5214, AZ 4562) при реактивном ионном травлении структур AlGalnN/GaN в режиме: CI2: ВСЬ: Аг= 6: 10: 11 см3/мин, давление газовой смеси в реакторе 1 Па и напряжение автосмещения равное 150 В позволяет получить глубокое (до 6 мкм) травление с заданным профилем и гладкими боковыми стенками и создать на этой основе светодиоды с характеристиками: максимальная выходная мощность 550 мВт, максимальная внешняя квантовая эффективность 26%.
6. Создание методом реактивного ионного травления рассеивающего свет микрорельефа на поверхности светодиодных гетероструктур AlGalnN/GaN с удаленной подложкой («lift-off'), а также на поверхности подложки SiC позволяет увеличить внешнюю квантовую эффективность светодиодов на 25−30%.
7. Реактивное ионное травление кремния в потоке SFg со скоростью 10 см /мин при давлении газа в реакторе 0.6 Па и напряжении автосмещения 200 В обеспечивает получение штампов для наноимпринта с гладкими вертикальными стенками, которые используются для изготовления микроструктур фотонных кристаллов.
Основные результаты данной работы сводятся к следующему:
1 Разработана комплексная технология реактивного ионного травления для получения микроструктур на основе GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs в активной области (фотонных кристаллов, микролазера с распределенным Брэгговским отражателем в виде периодической структуры полупроводник/воздух) с контролируемым профилем травления и низкой плотностью дефектов в приповерхностной области.
2 С использованием метода реактивного ионного травления получены микролазеры с распределенным Брэгговским отражателем на основе периодической структуры полупроводник/воздух со следующими характеристиками: коэффициент отражения 0.73, пороговый ток 30 мА, плотность порогового тока 830 Асм" 2, максимальная выходная мощность 80 мВт.
3 Разработана методика реактивного ионного травления нитридов III группы с использованием резистивных, металлических и комбинированных масок. Продемонстрирован режим формирования вертикального профиля травления, а также режим глубокого (более 5 мкм) травления GaN. В результате получены светодиоды AlGalnN/GaN с характеристиками, не уступающими мировому уровню: максимальная выходная мощность 550 мВт, максимальная внешняя квантовая эффективность 26%.
4 Разработана технология создания рассеивающего свет микрорельефа различного характера на обратной стороне подложки SiC с использованием масок из тонкого фоторезиста и реактивного ионного травления, позволившая увеличить внешнюю квантовую эффективность светодиодов AlGalnN/GaN более чем на 25%.
5 Разработана технология реактивного ионного травления Si, с помощью которой получены штампы для наноимпринта — нового перспективного и дешевого метода промышленного изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем с высоким разрешением (до 10 нм).Методом наноимпринта изготовлены микроструктуры на основе GaAs с минимальными размерами элементов до 100 нм. Показано, что сочетание реактивного ионного травления и метода наноимпринта может эффективно использоваться для создания полупроводниковых микроструктур.
Основное содержание диссертационной работы опубликовано в следующих работах:
1. Е. М. Рамушина, В. И. Скопина, Е. М. Танклевская, «Реактивное ионное травление нитрида галлия», Тезисы Докладов 4-го Всероссийского совещания «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 91 (Санкт-Петербург, 2000).
2. Е. М. Рамушина, С. А. Гуревич, «Реактивное ионное травление Ш-нитридов», Тезисы к 29-ой Неделе науки Санкт-Петербургского Государственного Технического Университета, ч. б, стр. 109 (Санкт-Петербург, 2001).
3. M.V.Maximov, B.V.Volovik, С. М. Sotomayor Torres, E.M.Ramushina, V.l.Skopina, E.M.Tanklevskaya, V.M.Ustinov, S.A.Gurevich, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov, D. Bimberg, «Impact of Carrier Lateral Transport and Surface Recombination on the PL Efficiency of Mesas with Self-Organized Quantum Dots», Тезисы к «International Workshop on Microcavity Light Sources» (Paderborn, Germany, 2001);
4. M.V.Maximov, B.V.Volovik, С. M. Sotomayor Torres, E.M.Ramushina, V.l.Skopina, E.M.Tanklevskaya, S.A.Gurevich, V.M.Ustinov, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov and D. Bimberg, «Impact of Carrier Lateral Transport and Surface Recombination on the PL Efficiency of Mesas with Self-Organized Quantum Dots», Phys. stat. sol. (a) 188, No.3, 955−959 (2001).
5. А. Е. Губенко, Г. Б. Венус, И. М. Гаджиев, Е. М. Рамушина, Г. А. Забоев, Е. Л. Портной, «Перестраиваемый генератор терагерцового излучения на основе гетеролазера с нерезонансным дифракционным выводом», Тезисы докладов 4-ого Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», стр. 130 (Минск, Беларусь, 2002).
6. A.E.Gubenko, G.B.Venus, I.M.Gadzhiev, E.M.Ramushina, G.A.Zaboev and E.L.Portnoi, «Tunable Dual-wavelength Grating-coupled Surface-emitting Diode Laser for THz Frequency Optoelectronics», Тезисы к «4* International Conference on Transparent Optical Networks: ICTON 2002», V.2, pp. 81−83 (Warsaw, Poland, 2002).
7. M.V.Maximov, E.M.Ramushina, V.l.Skopina, E.M.Tanklevskaya, B.A.Solov'ev, Yu.M.Shernyakov, I.N.Kaiander, M.A.Kaliteevski, S.A.Gurevich, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Zh.I.Alferov, С. M. Sotomayor Torres and D. Bimberg, «Edge-emitting InGaAs/GaAs lasers with deeply etched semiconductor/air distributed Bragg reflector mirrors», Semicond. Sci. Technol. 17, L69-L71 (2002).
8. С. А. Гуревич, Д. А. Закгейм, И. П. Смирнова, Е. М. Аракчеева, Е. М. Танклевская, А. Л. Закгейм, Е. Д. Васильева, Г. В. Иткинсон, «Высокомощные (70мВт) синие светодиоды на основе меза-структуры AlGalnN с отражающими контактами», Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминияструктуры и приборы», стр. 116 (Санкт-Петербург, 2003).
9. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. И. Бесюлькин, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, С. А. Гуревич, Е. М. Аракчеева, Е. М. Танклевская, Н. Н. Леденцов, Jim Y. Chi, Ru Chin Tu, «Формирование зарощенных мезаполосковых III-N структур с помощью комбинации сухого и жидкостного травления с последующим заращиванием», Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 135 (Санкт-Петербург, 2003).
10. Е. М. Аракчеева, «Получение и исследование лазерной генерации в полупроводниковых структурах с фотонными кристаллами», Тезисы докладов.
Итогового семинара по физике и астрономии по результатам конкурса грантов 2002 года для молодых ученых Санкт-Петербурга", стр. 21 (Санкт-Петербург, 2003).
11. l.M.Gagjiev, G.B.Venus, A.E.Gubenko, N.D.Il'inskaya, S.I.Nesterov, E.M.Araktcheeva and E.L.Portnoi, «1.2 W CW and 13.5 W pulse grating-coupled surface-emitting lasers at 970 nm», Тезисы к 11th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», pp. 25−26 (St. Petersburg, Russia, 2003).
12. С. А. Гуревич, Д. А. Закгейм, И. П. Смирнова, Е. М. Аракчеева, Е. М. Танклевская, А. Л. Закгейм, Е. Д. Васильева, Г. В. Игкинсон, «Высокомощные (70мВт) синие светодиоды на основе меза-структуры AlGalnN с отражающими контактами», «Светодиоды и лазеры» 1−2, 12 (2003).
13. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. И. Бесюлькин, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, С. А. Гуревич, Е. М. Аракчеева, Е. М. Танклевская, Н. Н. Леденцов, Jim Y. Chi, Ru Chin Tu, «Формирование зарощенных мезаполосковых 1II-N структур с помощью комбинации сухого и жидкостного травления с последующим заращиванием», «Светодиоды и лазеры» 1−2, 80 (2003).
14. A.S.Usikov, D.V.Tsvetkov, M.A.Mastro, A.I.Pechnikov, V.A.Soukhoveev, Y.V.Shapovalova, O.V.Kovalenkov, G.H.Gainer, S.Yu.Karpov, V.A.Dmitriev, B. O'Meara, S.A.Gurevich, E.M.Arakcheeva, A.L.Zakhgeim and H. Helava «Indium-free violet LEDs grown by HVPE», Phys. stat. sol. ©, Vol.0, No.7, 2265−2269 (2003).
15. V.A.Shalygin, L.E.Vorobjev, V.Yu.Panevin, D.A.Firsov, S. Hanna, H. Knieling, A. Seilmeier, E.M.Araktcheeva, N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, A.E.Zhukov and V.M.Ustinov" Excited state photoluminescence in stepped InGaAs/AlGaAs quantum wells under picosecond excitation". International Journal of Nanoscience, 2, No.6, 427−435 (2003).
16. D.A.Zakheim, I.P.Smirnova, E.M.Arakcheeva, M.M.Kulagina, S.A.Gurevich, V.W.Lundin, A.F.Tsatsulnikov, A.V.Sakharov, A.F.Fomin, A.L.Zakheim, E.D.Vasil'eva and G.V.Itkinson, «Fabrication of high-power flip-chip blue and white LEDs operating under high current density», Тезисы к «The 5й1 International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes: ISBLLED-2004», pp. 34−35 (Gyeongju, Korea, 2004).
17. Д. А. Закгейм, И. П. Смирнова, Е. М. Аракчеева, М. М. Кулагина, С. А. Гуревич, А. Л. Закгейм, Е. Д. Васильева, Г. В. Иткинсон, «Основные элементы технологии изготовления светодиодов большой мощности на основе AlGalnN», Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 138 (Москва, 2004).
18. А. Л. Закгейм, Д. А. Закгейм, И. П. Смирнова, И. В. Рожанский, Е. М. Аракчеева, М. М. Кулагина, С. А. Гуревич, Е. Д. Васильева, Г. В. Иткинсон, «Высокомощные синие (350мВт) и белые (бОлм) меза-планарные светодиоды на основе AlGalnN квантово-размерных гетероструктур», Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 139−140 (Москва, 2004).
19. I.P.Smirnova, D.A.Zakheim, I.V.Rozhansky, M.M.Kulagina, E.M.Arakcheeva, S.A.Gurevich, A.L.Zakheim, E.D.Vasil'eva, G.V.Itkinson, «Large area InGaN/GaN MQW based LED with two-level contact topology for high-power applications», Тезисы к 12th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», pp. 99−100 (St. Petersburg, Russia, 2004).
20. D. A. Zakheim, I. P. Smirnova, E. M. Arakcheeva, M. M. Kulagina, S. A. Gurevich, I. V. Rozhansky, V. W. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, A. V. Sakharov, A. V. Fomin, A. L. Zakheim,.
E. D. Vasil’eva, G. V. Itkinson, «Fabrication of high-power flip-chip blue and white LEDs operating under high current density», Phys. stat. sol. ©, Vol. 1, No. 10, 2401−2404 (2004).
21. Е. М. Аракчеева, А. В. Нащекин, В. А. Соловьев, Е. М. Танклевская, М. В. Максимов, С. Г. Коиников, С. А. Гуревич, Н. Н. Ледеицов, «Технология получения полупроводниковых микрорезонаторов и фотонных кристаллов», ЖТФ, 75, вып. 2, стр. 78−81 (2005).
22. Д. А. Закгейм, И. П. Смирнова, И. В. Рожанский, С. А. Гуревич, М. М. Кулагина, Е. М. Аракчеева, Г. А. Онушкин, А. Л. Закгейм, Е. Д. Васильева, Г. В. Иткинсон, «Высокомощные синие флип-чип светодиоды на основе AlGalnN», ФТП, 39, вып. 7, стр. 885−889 (2005).
23. Е. М. Аракчеева, Е. М. Танклевская, С. И. Нестеров, М. В. Максимов, С. А. Гуревич, J. Seekamp, C.M.Sotomayor Torres, «Получение фотонных кристаллов в структурах на основе полупроводников и полимеров с использованием метода наноимпринта», ЖТФ, 75, вып. 8, стр. 80−84 (2005).
24. A.V.Nashchekin, E.M.Arakcheeva, S.A.Blokhin, M.V.Maximov, E.M.Tanklevskaya, O.A.Usov, S.G. Konnikov, N.N.Ledentsov, A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, «Fabrication and optical properties of 2D PhCs with active area based on InAs/InGaAs QDs», Тезисы к 13th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», pp. 117−118 (St. Petersburg, Russia, 2005).
25. Д. С. Сизов, Г. А. Онушкин, В. С. Сизов, Г. А. Михайловский, Е. М. Аракчеева, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, «Исследование инжекции носителей в InGaN/GaN светодиодах и роль утечек в ВАХ и эффективности излучения», Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 96−97 (Санкт-Петербург, 2005).
26. Л. К. Марков, Д. А. Закгейм, Е. М. Аракчеева, И. П. Смирнова, М. Р. Рымалис, «Синие светодиоды меза-планарной конструкции на основе AlGalnN гетероструктур с удаленной сапфировой подложкой», Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 130−131 (Санкт-Петербург, 2005),.
27. С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, А. Г. Гладышев, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, Е. М. Аракчеева, Е. М. Танклевская, А. Е. Жуков, А. П. Васильев, Е. С. Семенова, М. В. Максимов, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг, «Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления», ФТП, 40, вып. 4, стр. 482−487 (2006).
28. Е. М. Аракчеева, М. В. Максимов, Е. М. Танклевская, С. А. Гуревич, «Микролазер с глубоко протравленными распределенными брэгговскими отражателями», Изв. РАН, сер. физ., т.70, 3, стр.361−363 (2006).
29. Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Гладышев А. Г., Малеев H.A., Кузьменков А. Г., Аракчеева Е. М., Танклевская Е. М., Жуков А. Е., Васильев А. П., Семенова Е. С., Максимов М. В., Леденцов H.H., Устинов В. М., Шток Э., Бимберг Д., «Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками», ФТП, 40, вып. 9, стр. 1128−1132 (2006).
30. Блохин С. А., Усов O.A., Нащекин A.B., Аракчеева Е. М., Танклевская Е. М., Конников С. Г., Жуков А. Е., Максимов М. В., Леденцов H.H., Устинов В. М.,.
Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области", ФТП, 40, вып. 7, стр. 833−838 (2006).
31. И. П. Смирнова, Л. К. Марков, Д. А. Закгейм, Е. М. Аракчеева, М. Р. Рымалис, «Синие флип-чип светодиоды на основе AlGalnN с удаленной сапфировой подложкой», ФТП, 40, вып. 11, стр. 1397−1401 (2006).
32. И. П. Смирнова, Д. А. Закгейм, М. М. Кулагина, Е. М. Аракчеева, «Оптимизация технологии изготовления отражающих контактов в флип-чип светодиодах большой мощности на основе AlGalnN», Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 63 (Москва, 2007).
33. Blokhin S.A., Maximov M.V., Usov O.A., Nashchekin A.V., Arakcheeva E.M., Tanklevskaya E.M., Gurevich S.A., Konnikov S.G., Zhukov A.E., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., «Variable-angle optical reflectivity and angle-resolved photoluminescence studies of 2D active photonic crystal based on quantum dots», Int. J. Nanoscience, v.6, 3−4, pp. 197−201 (2007).
34. Usov S.O., Tsatsulnikov A.F., Lundin V.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sizov D.S., Musikhin Y.G., Bert N.A., Arakcheeva E.M., Ledentsov N.N., «Analysis of the local indium composition in ultrathin InGaN layers», Semicond. Sei. Technol., v.22, pp. 528−532 (2007).
35. И. П. Смирнова, Л. К. Марков, Е. М. Аракчеева, М. М. Кулагина, А. С. Павлюченко, «Флип-чип светодиоды AlGalnN с р-контактом на основе пленок ITO», Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминияструктуры и приборы», стр. 115 (Санкт-Петербург, 2008).
36. Е. М. Аракчеева, И. П. Смирнова, Л. К. Марков, Д. А. Закгейм, М. М. Кулагина, «Флип-чип светодиоды на основе гетероструктур AlGalnN, выращенных на подложках SiC», Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды Галлия, Индия и Алюминия — структуры и приборы», стр. 67 (Санкт-Петербург, 2008).
В заключении приношу глубокую признательность моему научному руководителю д.ф.-м.н. С. А. Гуревичу за помощью, внимание, руководство работой и предоставленную возможность работать в возглавляемой им лаборатории. Особую признательность и благодарность хочу выразить Е. М. Танклевской и Н. М. Шмидт за плодотворное сотрудничество и полезное обсуждение результатов. Я искренне благодарна своим коллегам И. П. Смирновой, Д. А. Закгейму, Л. К. Маркову, М. М. Кулагиной, А. С. Павлюченко, А. В. Нащекину, М. М. Максимову, С. И Трошкову,.
B.М.Бусову, В. В. Лундину, А. Л. Закгейму, С. А. Блохину, В. А. Соловьеву,.
C.И.Нестерову, чье участие существенно облегчило написание данной работы, а также всему коллективу сотрудников лаборатории полупроводниковой квантовой электроники за благожелательную и деловую атмосферу.
Заключение
.
