Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Структура и морфология поверхности кремния (III) при адсорбции кислорода и золота

Диссертация: Структура и морфология поверхности кремния (III) при адсорбции кислорода и золота
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На современном этапе развития нанотехнологий все более актуальным становится разработка новых и совершенствование уже существующих методов контроля морфологии поверхностей кристаллов с точностью на уровне одного монослоя, с целью создания двуходнои нуль-мерных нанообъектов. Для этого необходима детальная информация о кинетике и механизмах взаимодействия с поверхностными стоками не только адатомов… Читать ещё >

Структура и морфология поверхности кремния (III) при адсорбции кислорода и золота (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ СУБЛИМАЦИИ И АДСОРБЦИИ (обзор литературы)
    • 1. 1. Диффузионные процессы на атомно-чистой поверхности кристалла
    • 1. 2. Движение атомных ступеней
    • 1. 3. Адсорбция кислорода на поверхности кремния
    • 1. 4. Структурные перестройки поверхности при осаждении металлов
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ И АППАРАТУРА
    • 2. 1. Отражательная электронная микроскопия (ОЭМ)
    • 2. 2. Формирование контраста изображений в ОЭМ
    • 2. 3. Система испарителей и прецизионного напуска газов
    • 2. 4. Препарирование образцов для электронной микроскопии
    • 2. 5. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. АТОМНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИНИЦИИРОВАННЫЕ АДСОРБЦИЕЙ КИСЛОРОДА
    • 3. 1. Начальные стадии окисления поверхности кремния
    • 3. 2. Образование поверхностных вакансий
    • 3. 3. Ступенчато-слоевой механизм травления
    • 3. 4. Поверхностная диффузия вакансий
    • 3. 5. Формирование двумерных островков
    • 3. 6. Морфология поверхности при экспозиции в кислороде
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ АДСОРБЦИЯ ЗОЛОТА НА
  • ПОВЕРХНОСТЬ КРЕМНИЯ
    • 4. 1. Начальные стадии адсорбции золота
    • 4. 3. Осаждение золота при высоких температурах
    • 4. 4. Морфология поверхности кремния при отжиге
    • 4. 5. Особенности процесса эшелонирования ступеней
    • 4. 6. Адсорбция золота и электромиграция
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. ДИФФУЗИЯ ЗОЛОТА В ОБЪЕМ КРЕМНИЯ
    • 5. 1. Эффект смещения атомных ступеней при адсорбции золота
    • 5. 2. Кинетика двумерных островков при адсорбции золота
    • 5. 3. Генерация адатомов при диффузии золота в объем кремния
    • 5. 4. Объемная диффузия заряженных точечных дефектов в кремнии
  • Выводы

Одним из актуальных направлений в современной физике твердого тела является создание структур пониженной размерности на поверхности полупроводниковых кристаллов [1,2]. Существенную роль в процессах формирования наноструктур играет диффузия атомов и реакции точечных дефектов на поверхности, границах раздела и в объеме кристалла [3].

В настоящее время создание полупроводниковых приборов базируется на технологиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), позволяющих создавать тонкие слои и субмонослойные покрытия в сверхвысоковакуумных условиях с контролем температуры, скорости осаждения и химического состава эпитаксиальных слоев. Разработанные на основе экспериментальных данных теоретические модели, описывающие механизмы эпитаксиального роста, основаны на представлениях о диффузии адсорбированных на поверхности кристалла атомов и их взаимодействии с атомными ступенями, дислокациями и другими дефектами поверхности [4, 5]. В то же время, наличие поверхностных вакансий, всегда формирующихся на грани кристалла при отличных от абсолютного нуля температурах, в большинстве случаев не рассматривается, так как эпитаксиальный рост кристаллов в методе МЛЭ происходит в условиях высокого пересыщения по адатомам и существованием вакансий можно пренебречь. Однако для описания физических процессов таких, как сублимация, плавление и травление кристалла наличие поверхностных вакансий необходимо учитывать [6].

Визуализация на атомном уровне этих процессов, протекающих при повышенных температурах, затруднена. Значительные колебания атомов в узлах кристаллической решетки, а также быстрая диффузия осложняют анализ атомной структуры и морфологии поверхности, например, методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), широко используемой для анализа атомной структуры поверхности. Однако информацию о механизмах взаимодействия адсорбированных атомов с поверхностными стоками при повышенных температурах можно получать из анализа поведения атомных ступеней, дислокаций, двумерных островков в процессах сублимации, гомои гетероэпитаксиального роста и травления газами [7, 8, 9].

Взаимодействие кислорода с поверхностью кремния представляет интерес для технологических применений, поскольку формирование диэлектрических слоев из окисленного кремния является одной из важнейших стадий в производстве современных полупроводниковых устройств. С фундаментальной точки зрения эта задача важна для понимания атомных механизмов формирования поверхности и границ раздела полупроводник — диэлектрик. Исследования взаимодействия кислорода с поверхностью кремния при повышенных температурах показывают, что микроморфология поверхности может изменяться в процессах термического травления кремния [10, 11, 12]. Тем не менее, детального анализа морфологических и структурных перестроек поверхности кремния с учетом ансамбля поверхностных вакансий, которые могут формироваться на террасах при взаимодействии с кислородом, не проводилось.

На современном этапе развития нанотехнологий все более актуальным становится разработка новых и совершенствование уже существующих методов контроля морфологии поверхностей кристаллов с точностью на уровне одного монослоя, с целью создания двуходнои нуль-мерных нанообъектов. Для этого необходима детальная информация о кинетике и механизмах взаимодействия с поверхностными стоками не только адатомов и вакансий, но также и чужеродных атомов, всегда присутствующих на поверхности кристалла в виде примесей. Система «золото на кремнии» является модельным примером адсорбции атомов металлов на полупроводник и интенсивно изучается, поскольку золото является хорошим материалом для создания контактов, а также используется для контроля времени жизни основных носителей заряда. Анализ литературных данных показывает, что большинство работ, посвященных изучению начальных стадий адсорбции атомов золота на поверхности кремния, проводились при низких температурах подложки, когда сублимацией кремния и адсорбата можно пренебречь. В то же время особенности формирования микрорельефа в процессе осаждения золота при повышенных температурах остаются не выясненными из-за трудностей визуализации элементов структуры поверхности на атомном уровне. В связи с этим, представляет интерес экспериментальное исследование структурных перестроек поверхности кремния в условиях осаждения золота при повышенных температурах с возможностью прямого наблюдения этих перестроек. В настоящее время наметилось два пути решения данной проблемы [13, 14].

Широкими возможностями для проведения такого рода экспериментальных исследований обладают электронно-микроскопические методы, которые в сочетании с высокоразрешающими методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) открывают новые возможности для получения информации о структурных процессах на поверхности кристалла на атомном уровне [15]. Среди методов электронной микроскопии особо следует выделить in situ методы, позволяющие в процессе эксперимента контролировать структуру и микроморфологию поверхности исследуемого кристалла. Одним из таких методов, сочетающих в себе высокое пространственное разрешение с возможностью проведения in situ экспериментов, является метод сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии (СВВ ОЭМ) [16].

Целью данной работы является определение атомных механизмов структурных и морфологических трансформаций вицинальной поверхности кремния (111) в условиях термического травления в потоке кислорода и при адсорбции золота при повышенных температурах.

Для достижения поставленной цели в настоящей работе решались следующие основные задачи:

1. Выяснение механизмов термического травления поверхности кремния в молекулярном кислороде при низких давлениях газа.

2. Определение закономерностей взаимодействия с атомными ступенями поверхностных вакансий, формирующихся в процессе термического травления кремния в кислороде.

3. Определение влияния адсорбции золота на стабильность морфологии поверхности кремния (111) при повышенных температурах.

4. Анализ влияния поверхностной и объемной диффузии атомов золота в приповерхностной области кремния на процессы формирования морфологии поверхности кремния (111) при повышенных температурах.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ 1.

На основе анализа атомных механизмов взаимодействия поверхностных вакансий с атомными ступенями на поверхности кремния (111) определена энергия активации поверхностной диффузии вакансии (1.35 ±0.02 эВ), характеризующая процессы массопереноса. Из кинетики движения атомных ступеней в условиях термического травления кремния молекулярным кислородом оценена равновесная концентрация поверхностных вакансий (==0.02 монослоя) на поверхности кремния (111) при 900 °C.

Установлена зависимость морфологических переходов регулярные ступени {PC} <=> эшелоны ступеней {ЭС} на поверхности кремния (111) от степени покрытия золотом в интервалах концентраций золота 0.1−0.7 МС.

Определено влияние постоянного электрического тока, нагревающего кристалл, на пространственное распределение атомных ступеней при субмонослойном осаждении золота в интервале температур 830−1260°С.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ.

• Разработана методика создания подложек кремния (111) с заданным распределением атомных ступеней, ограничивающих террасы размером 1−10 мкм, для применений в области эпитаксиальных технологий.

• Разработана технология создания наноструктур (массивов отрицательных островков моноатомной глубины) на поверхности кремния (111) в условиях термического травления кремния в потоке молекулярного кислорода при повышенных температурах подложки.

• Предложен способ уменьшения атомной шероховатости поверхностей подложек и пленок кремния с ориентацией (111), основанный на контролируемом управлении распределением атомных ступеней при взаимодействии с кислородом и осаждении субмонослойных покрытий золота.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих российских и международных научных конференциях:

IV, V и VI Российских конференциях по физике полупроводников, (Новосибирск, 1999, Нижний Новгород, 2001, Санкт-Петербург, 2003) — International Autumn School on Electron Microscopy «Diffusion and Reactions at Solid-Solid interfaces», (Halle, Germany 2001) — International Workshop «Scanning Probe Microscopy-2001, 2002, 2003» (Nizhny Novgorod) — V Международной школе-семинаре «Эволюция Дефектных Структур в Конденсированных Средах», (Барнаул, 2000) — XVIII Российской Конференции по Электронной Микроскопии, (Черноголовка, Россия 2000) — 5th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces, (Vladivostok, 2002) — Международное рабочее совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний-2002», (Новосибирск, 2002) — XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, (Черноголовка, 2003) — III Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, «Кремний 2003», (Москва 2003) — 12th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», (St Petersburg, 2004) — Симпозиум «Ha-нофизика и Наноэлектроника» 25−29 марта, (Нижний Новгород, 2005) — International Autumn School on «Microscopy of Tomorrow’s Industrial Materials», (Berlin, 2005) — III Российское международное совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства «Кремний-2006», (Красноярск, 2006), XI ежегодный симпозиум «На-нофизика и наноэлектроника», (Нижний Новгород, 2007) — VIII Российская конференция по физике полупроводников «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2007», Екатеринбург, 3.09 — 5.10, 2007; 15-th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, June 25 — 29, 2007; V конференция молодых ученых CO РАН, посвященная М. А. Лаврентьеву, Новосибирск, Россия, 20 — 22 ноября, 2007, XXII Российская конференция по электронной микроскопии (РКЭМ-2008), Черноголовка, Россия, 3−6 июня, 2008; XIII Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2008), Москва, 17−21 ноября, 2008; первая международная школа-семинар по фундаментальным проблемам микрои нано-системной техники (MNST' 2008), Новосибирск, 10−13 декабря, 2008.

ПУБЛИКАЦИИ.

Основные результаты исследований по теме диссертации изложены в 14 рецензируемых статьях и 20 расширенных тезисах ведущих отечественных и международных конференций.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ: и.

1. Взаимодействие кислорода с поверхностью кремния (111) при повышенных температурах и низких давлениях газа приводит к смещению атомных ступеней со скоростью пропорциональной ширине прилегающих к ступени террас. Смещение ступеней обусловлено встраиванием в атомные ступени поверхностных вакансий, образующихся на террасах при взаимодействии с кислородом.

2. Увеличение плотности поверхностных вакансий за счет увеличения давления кислорода приводит к возрастанию скорости перемещения ступени, уменьшению длины миграции адатомов кремния и формированию двумерных отрицательных островков.

3. Нестабильность системы регулярных атомных ступеней на поверхности кремния (111) при осаждении золота, обусловлена процессами электромиграции адатомов кремния и золота во внешнем электрическом поле.

4. Направление движения атомных ступеней при осаждении золота, зависит от полярности приложенного к образцу напряжения при нагреве подложки кремния постоянным электрическим током.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, заключения с общими выводами и списка литературы из 287 наименований. Общий объем диссертации — 205 страниц, включая 53 рисунка и одну таблицу.

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах:

1. С. С. Косолобов, А. В. Латышев, Атомные ступени на поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота. II Известия РАН,-(2008).- Т. 72, С. 193.

2. С. С. Косолобов, А. В. Латышев, Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111). II Вестник НГУ. Серия: Физика.- (2007).- Т. 2. Вып. 2. С. 40.

3. S.S. Kosolobov, Se Ahn Song, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev. Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures. II ФТП.- (2007).- Т.- 41. С. 462.

4. С. С. Косолобов, А. В. Латышев, Се Ан Цонг, Л. И. Федина, А.К. Гутаков-ский. Нестабильность распределения атомных ступеней на Si (lll) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах. II Письма в ЖЭТФ.- (2005).- Т. 81. С. 149.

5. A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, Se Ahn Song, A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Lifshits. In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface. II Phys. Stat. Sol. (a).- (2005).- V. 202, — P. 2344.

6. S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev. Atomic force microscopy of silicon stepped surface. II Phys. Low-Dim. Struct.- (2002).- V. 5/6.-pp.231−237.

7. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, A.L. Aseev. Atomic steps on a single crystal surface studied with in situ UHV Reflection-Electron Microscopy. II in M. Kotrla et al (eds), Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, Kluwer Academic Publishers.- (2002).- pp.281−299.

8. С. С. Косолобов, А. Л. Асеев, А. В. Латышев. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии. И ФТП.- (2001).-Т. 35. С. 1084.

9. С. С. Косолобов, А. В. Прозоров, С. В. Белкин, А. В. Латышев. Эволюция морфологии поверхности кремния при термическом травлении кислородом. II Известия Высших Учебных Заведений, Физика.- (2000).- № 11. с. 110.

10.А.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, V.N. Savenko and A.L. Aseev. Atomic steps on the single crystal surface during epitaxy, sublimation and gas reaction. II Journal of Japanese Association of Crystal Growth.- (2002).- V. 29.-P. 39.

11.A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, and A.L. Aseev. Characterization of stepped silicon surface by reflection electron microscopy. II Journal of Electron Microscopy.- (2002).- V. 15. P. 561.

12.A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, S.S. Kosolobov and A.L. Aseev. In situ REM studies of a Si (lll) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments. //Inst. Phys. Conf. Ser.- (2002).- V. 169.-pp. 153−162.

13.E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.V. Sheglov, D.A. Nasimov, Se Ahn Song, A.V. Latyshev. Atomic steps on sublimating Si (001) surface observed by atomic force microscopy. II Phys. Low-Dim. Struct.- (2004).- V. ½. P. 9.

14.D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, L.I. Fedina, S.A. Teys and A.V. Latyshev, AFM and STM studies of quenched Si (lll) surface. II Phys. Low-Dim. Struct.- (2003).- V. ¾. P. 146.

В заключение, автор выражает искреннюю благодарность научному руководителю чл. корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышеву за активное участие, научную поддержку и всестороннее обсуждение полученных результатов. Автор благодарен ак. А. Л. Асееву за критические замечания и обсуждения результатов работы.

Особую благодарность автор выражает оппонентам представленной работы: д.ф.-м.н. Б. З. Олынанецкому, д.ф.-м.н. за критические дискуссии и полезные замечания по представлению и оформлению работы. Автор выражает благодарность к.ф.-м.н. С. А. Тийс, к.ф.м.н. Л. И. Фединой, к.ф.-м.н. А. К. Гутаковскому, к.ф.-м.н. А. И. Торопову, к.ф.-м.н. С. И. Чикичеву, к.ф.-м.н. С. Н. Косолобову за всестороннее обсуждение основных результатов работы. Автор благодарен к.х.н. В. Ш. Алиеву за помощь в разработке системы напуска газов.

От всей души автор выражает глубокую благодарность коллективу лаборатории № 20 (Нанодиагностики и нанолитографии) за сотрудничество и поддержку при проведении данной работы. Автор благодарен к.ф.-м.н. Д. В. Щеглову, Д. А. Насимову, Е. Е. Родякиной, К. Н. Гарбузову за сотрудничество и помощь в проведении экспериментальных исследований. Автор выражает благодарность С. В. Ситникову, Д. И. Рогило и Т. В. Козловой за помощь в оформлении диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. // Отв. Редактор A.JI.
  2. Асеев, — Новосибирск: изд-во СО РАН.- (2004).- 368 с.
  3. Introduction to nanotechnology. // by Charles P. Poole Jr and Frank. J. Owens.
  4. John Willey & Sons, Inc.- (2003).- 388p.
  5. E.D. Williams. Nanoscale Structures Lability, Length Scales, and Fluctuations. //
  6. MRS Bulletin.-(2004).-P. 621−629
  7. A.A. Чернов. Слоисто-спиральный рост кристаллов. // УФН 73 (1961) 277.
  8. A. Pimpinelli and J. Villian. What does an evaporating surface look like? // Physica
  9. A.- (1994).- V. 204.-P. 521−542.
  10. A.B. Латышев, A.JI. Асеев. Атомные ступени на поверхности кремния. // Новосибирск: Издательство СО РАН. (2006).- 242 с.
  11. Н.-С. Jeong and E.D. Williams. Steps on surfaces: Experiment and theory. // Surf
  12. Sci. Rep.- (1999).- V. 34.-P. 171−294.
  13. P. Finnie, Y. Homma. Epitaxy: the motion picture. //Surf. Sci.- (2002).- 500. 500.1. P. 437−457.
  14. R.E. Schlier and HE. Farnsworth. Structure and Adsorption Characteristics of
  15. Clean Surfaces of Germanium and Silicon. // J. Chem. Phys.- (1959) V. 30, — P. 917.
  16. J.B. Hannon, M.C. Bartelt, N.C. Bartelt, and G.L. Kellogg. Etching of the Si (001)surface with molecular oxygen. //Phys. Rev. Lett.- (1998).- V.8L-P. 4676.
  17. S. Ozawa, A. Yamanaka, K. Kobayashi. A new technique to produce clean andthin silicon films in situ in a UHV electron microscope for TEM-TED studies of surfaces. //Jpn. J. Appl. Phys.- (1990).- V. 29.-P. L655.
  18. С. Teichert. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. //
  19. Phys. Rep. 365 (2002) 335.
  20. F.Rosei. Nano structured surfaces: challenges and frontiers in nanotechnology. //
  21. J. Phys.: Cond. Matter 16 (2004) si373.
  22. B.A. Быков. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей: Дис. dp-а. техн. наук.-М., 2000 г.-393 с.
  23. К. Yagi. Reflection electron microscopy studies of surfsce structures and surfacedynamic processes. // Surf. Sci. Rep. (1993).- V. 17.- P. 305.
  24. Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности. II пер. с англ.- М. Мир.- (1989).- 564 с.
  25. М. Праттон. Введение в физику поверхности. II Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000. -256 с.
  26. F.G. Allen, J. Eisnger, H.D. Hagstrum, J.T. Law. Cleaning of silicon surfaces by heating in high vacuum. II J. Appl. Phys.- (1959).- V. 30.- P. 1563.
  27. R.C. Henderson, R.B. Marcus, and W.J. Polito. Carbide Contamination of Silicon Surfaces. II J. Appl. Phys.- (1971).- V. 42, — P. 1208.
  28. Г. Фарнсуорт. Атомарно-чистые поверхности твердых тел. Приготовление и испытание. II в кн. Межфазовая граница газ-твердое тело, под.ред.
  29. Э. Флада, изд-во «Мир».- М.- (1970).- С. 359.
  30. D. Dijkkamp, E.J. van Loenen, A.J. Hoeven, J. Dieleman. Scanning tunneling microscopy study of Si (001) and Si (110) surface structures resulting from different thermal cleaning treatments. 11 J. Vac. Sci. Technol. A.- (1990).- V. 8.- P. 218.
  31. Nakayama Т., Tanishiro Y. and Takayanagi K. Biatomic layer-high steps on Si (001)-2xl surface. И Jpn. J. Appl. Phys. 1987. — V. 26. — P. L280-L282.
  32. Inoue N., Tanishiro Y. and Yagi K. UHV-REM study of changes in the step structures on clean (100) silicon surfaces by annealing. II Jpn. J. Appl. Phys. 1987. -V. 26. — P. L293-L295.
  33. J.A. Becker, E.J. Becker, R.G. Brandes. Reactions of oxygen with pure tungsten and tungsten containing carbon. I I J. Appl. Phys.- (1961).- V. 32.- P. 411.
  34. J.F. Morar, B.S. Meyerson, U.O. Karlsson, F.J. Himpsel, F.R. McFeely, D. Rieger, A. Taleb-lbrahimi, JA. Yarmoff. Oxygen removal from Si via reaction with adsorbed Ge. И Appl. Phys. Lett.- (1987).- V. 50.- P. 463.
  35. H.E. Farnsworth, R.E. Schlier, Т.Н. George and R.M. Burger. Application of the Ion Bombardment Cleaning Method to Titanium, Germanium, Silicon and Nickel as determined by Low-energy electron diffraction. I I J. Appl. Phys.- (1958).- 29.1150.
  36. H.E. Farnsworth, R.E. Schlier, Т.Н. George, R.M. Burger. Ion Bombardment Cleaning of Ge and Ti as Determined by LEED. И J. Appl. Phys.- (1955).- V. 26.-P. 252.
  37. J.C. Kim, J.-Y. Ji, J.S. Kline, J.R. Tucker, T.-C. Shen. Preparation of atomically clean and flat Si (100) surfaces by low-energy ion sputtering and low-temperature annealing. Appl. Surf. Sci.- (2003).- V. 220.- P. 293−297.
  38. H.-J. Ernst. The pattern formation during ion bombardment of Cu (100) investigated with helium atom beam scattering. //Surf. Sci.- (1997).- V. 383.- P. L755.
  39. S.P. Wolsky. Preparation and regeneration of clean germanium surfaces. J. Appl. Phys.- (1958).- V. 29.- P. 1132.
  40. J.J. Lander, G.W. Gobeli, J. Morisson. Structural properties of cleaved silicon and germanium surfaces. II J. Appl. Phys.- (1963).- V. 34, — P. 2298.
  41. В. Г. Лифшиц, С. M. Репинский. Процессы на поверхности твердых тел. П Владивосток: Дальнаука.- (2003).- 704 с.
  42. Межфазовая граница газ-твердое тело. И под.ред. Э. Флада, изд-во «Мир». -М.- (1970).- С. 150.
  43. Я.Е. Гегузин, Н. Н. Овчаренко. Поверхностная энергия и процессы на поверхности твердых тел. УФН.- (1962).- V.- 76.- Р. 622.
  44. D. Haneman. Surface Structures and Properties of Diamond-Structure Semiconductors. II Phys. Rev.- (1961).- V. 121.- P. 1093.
  45. K.C. Pandey. Reconstruction of Semiconductor Surfaces Buckling, Ionicity, and ir-Bonded Chains. II Phys. Rev. Lett.- (1982).- V. 49.- P. 223.
  46. J.J. Lander. Chemisorption and odered surface structures. II Surf. Sci.- (1964).-V.I.- P. 125
  47. K. Miki, Y. Morita, H. Tokumoto, T. Sato, M. Iwatsuki, M. Suzuki and T. Fukuda. Real time observation of the Si (l 11):(7×7)-(lxl) phase transition by scanning tunneling microscopy. II Ultramicroscopy.- (1992).- V. 42−44.- P. 851.
  48. J.V. Florio, W.D. Robertson. Phase transformations of the Si (lll) surface. II Surf Sci.- (1970).- V. 22.- P. 459.
  49. A. Blandin. Remarks on phase transitions of surfaces. II Phys. Lett. A.- (1973).-V. 45A.- P. 275
  50. P.A.Bennett and M.W.Webb. The Si (lll) «7×7» to «1×1» transition. II Surf.Sci.- (1981).- V. 104, — P. 74.
  51. J.J. Lander and J. Morisson. Structures of clean surfaces of germanium and silicon. 1П. Appl. Phys.- (1963).- V. 34.- P. 1403.
  52. D.J. Chadi. New adatom model for Si (lll)-7×7 and Si (lll)-5×5 reconstructed surfaces. II Phys. Rev. В.- (1984).- V. 30.- P. 4470.
  53. W.A. Harisson. Surface reconstruction on semiconductors. // Surf. Sci.- (1976).-V. 55,-P. 1.
  54. G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel. 7×7 Reconstruction on Si (lll) resolved in real space. II Phys. Rev. Lett.- (1983).- V. 50.- P. 120.
  55. K. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi and M.Takahashi. Structure analysis of Si (l 1 l)-7×7 reconstructed surface by transmission electron diffraction. II Surf. Sci.- (1985).- V. 164.- P. 367.
  56. A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov and S.I. Stenin. Transformations on clean Si (lll) stepped surface during sublimation. И Surf Sci.- (1989).- V. 213.- P. 157−169.
  57. А.В. Латышев, А. Л. Асеев, А. Б. Красильников, А. В. Ржанов, С. И. Стенин. Поведение моноатомных ступеней на поверхности Si (lll) при сублимации в условиях нагрева электрическим током. II ДАН.- (1988).- Т. 300.- с. 84.
  58. R.E. Honig. Sublimation studies of silicon in the mass spectrometer II J. Chem. Phys. (1954). — V. 22. — P. 1610−1611
  59. G. Enrlich, F.G. Hudda. Atomic View of Surface Self-Diffusion: Tungsten on Tungsten. I I J. Chem. Phys.- (1966).- V. 44.- P. 1039.
  60. R.L. Schwoebel, E.J. Shipsey. Step motion on crystal surfaces II J. Appl. Phys.-(1966). V. 37. — P. 3682−3686.
  61. A. Saul, J.-J. Metois, and A. Ranguis. Experimental evidence for an Ehrlich-Schwoebel effect on Si (lll). // Phys. Rev. В.- (2002).- V. 65.- P. 75 409.
  62. M. Sato, M. Uwaha. Growth law of step bunches induced by the Ehrlich-Schwoebel effect in growth. // Surf. Sci.- (2001).- V. 493.- P. 494.
  63. E.D. Williams, E. Fu, Y.N. Yang, D. Kandel, J.D. Weeks. Measurement of the anisotropy ratio during current-induced step bunching. II Surf. Sci.- (1995).- V. 336.- P. L746-L752.
  64. K. Fujita, M. Ichikawa. Size-scaling exponent of current-induced step bunching on silicon surface. И Phys. Rev. В.- (1999).- V. 60.- P. 16 006.
  65. Y.N. Yang, E. Fu, E.D. Williams. An STM study of current-induced step bunching on Si (111). //Surf. Sci.- (1996).- V. 356.-P. 101−111.
  66. B.J. Gibbons, J. Noffsinger, J.P. Pelz. Influence of Si deposition on the electromi-gration induced step bunching instability on Si (lll). II Surf. Sci.- (2005).- V. 575.-P. L51.
  67. Y. Homma, R.J. McClelland and H. Hibino. DC-resistive-heating-induced step bunching on vicinal Si (lll). И Jpn. J. Appl. Phys.- (1990).- V. 29.- P. L2254.
  68. Y. Homma, M. Suzuki and H. Hibino. Step band structures on vicinal Si (lll) surfaces created by DC resistive heating. II Appl. Surf. Sci.- (1992).- V. 60/61.- P. 479−484.
  69. К. Yagi, Н. Minoda, М. Degawa. Step bunching, step wandering and faceting: self-organization at Si surfaces. II Surf. Sci. Rep.- (2001).- V. 43.- P. 45−126.
  70. C. Alfonso, J.C. Heyraud and J.J. Metois. About the sublimation of Si surfaces vicinal of {111}. И Surf. Sci. Lett.- (1993).- V. 291.- P. L745.
  71. A.B. Латышев, А. Б. Красильников, А. Л. Асеев, С. И. Стенин. Влияние электрического тока на соотношение площадей доменов (2×1) и (1×2) на чистой поверхности кремния (001) в процессе сублимацию. II ПЖЭТФ.- (1988).- Т. 48.-С. 484.
  72. L.V. Litvin, A.B. Krasilnikov and A.V. Latyshev. Transformations of stepped Si (001) surface structure induced by specimen heating current. II Surf. Sci. Lett.-(1991).- V. 244.- P. L121-L124.
  73. H. Kahata and K. Yagi. REM observation on conversion between single-domain surfaces of Si (001) 2×1 and 1×2 induced by specimen heating current. II Jpn. J. Appl. Phys.- (1989).- V. 28.- P. L858-L861.
  74. F .J. Nielsen, M.S. Pettersen, J.P. Pelz. Anisotropy of mass transport on si (001) surface heated with direct current. II Surf. Sci.- (2001).- V. 480.- P. 84−96.
  75. M. Yoon, S.G.J. Mochrie, D.M. Zehner, G.M. Watson, D. Gibbs. Periodic step-bunching on a miscut Pt (111) surface. II Surf. Sci.- (1995).- V. 338.- P. 225−235.
  76. N. Shimoni, M. Wolovelsky, O. Biham, O. Millo. Surface electromigration and self-diffusion on gold films studied via STM. II Surf. Sci.- (1997).- V. 380.- P. 100 104.
  77. D.-J. Liu and J.D. Weeks. Quantitative theory of current-induced step bunching on Si (lll). // Phys. Rev. В.- (1998).- V. 57.- P. 14 891−14 900.
  78. J.J. Metois, S. Stoyanov. Impact of the growth on the stability-instability transition at Si (111) during step bunching induced by electromigration. II Surf.Sci. 440 407 (1999).
  79. S. Stoyanov. Electromigration induced step bunching on Si surfaces How does it depend on the temperature and heating current direction? Jpn. J. Appl. Phys.-(1991).-V. 30,-P. 1−6.
  80. A.V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi. Adatom effective charge in morphology evolution on Si (lll) surface. II Appl. Surf. Sci.- (1998).- V. 130−132.-P. 60.
  81. H. Minoda. Study of an effective charge of Si adatoms on a Si (ll 1)1×1 surface. II J. Phys. Soc. Jap.- (2002).- V. 71.- P. 2944.
  82. E.S. Fu, D.J. Liu, M.D. Johnson, E.D. Williams, J.D. Weeks. The effective charge in surface electromigration. II Surf. Sci.- (1997).- V. 385.- P. 259.
  83. S. Stoyanov, J.J. Metios, V. Tonchev. Current induced bunches of steps on the Si (111) surface a key to measuring the temperature dependence of the step interaction coefficient. II Surf. Sci.- (2000).- V. 465.- P. 227.
  84. S. Stoyanov, Formation ofbilayer steps during growth and evaporation ofSi (OOl) vicinal surfaces. II Europhys. Lett.- (1990).- V. 11.- P. 361.
  85. S. Stoyanov. Heating current induced conversion between 2×1 and 1×2 domains at vicinal (001) Si surfaces Can it be explained by electromigration of Si adatoms? И Jpn. J. Appl. Phys.- (1990).- V. 29.- P. L659.
  86. О Piere-Louis. Step bunching with general step kinetics: stability analysis and macroscopic models. II Surf. Sci.- (2003).- V. 529.- P. 114.
  87. D. Kandel, E. Kaxiras. Microscopic theory of electromigration on semiconductor surfaces. II Phys. Rev. Lett.- (1996).- V. 76.- P. 1114.
  88. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. II изд-во «Наука». -Ленингр. отд., Л, — (1972).- 384 с.
  89. В.Б. Фикс. Увлечение ионов электронами в полупроводниках. II ФТТ.-(1959).- Т. 1.-С. 1321.
  90. В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. II изд-во «Наука».- М, — (1969).- 296 с.
  91. S. Stoyanov. New type of step bunching instability at vicinal surfaces in crystal evaporation affected by electromigration. II Surf. Sci.- (1998).- V. 416.- P. 200.
  92. H. Хенней. Химия твердого тела. II изд-во «Мир».- М. (1971).
  93. Ф.Ф. Волькенштейн. Физико-химия поверхности полупроводников. II изд-во «Наука».- М.- (1973).
  94. Ф.Ф. Волькенштейн. Активированная адсорбция на полупроводниках. II УФН.- (1953).- Т. 50.- С. 253.
  95. И. Ленгмюр. Химия поверхности. // УФН.- (1934).- Т. 14, — С. 208.
  96. С. Брунауэр, Л. Коупленд и Д. Кантро. Теории Ленгмюра и Брунауэра, Эм-метта и Теллера (БЭТ). II в кн. Межфазовая граница газ-твердое тело, под.ред. Э. Флада, изд-во «Мир».- М.- (1970).- С. 77.
  97. H.D. Hagstrum. Oxygen Adsorption on Silicon and Germanium. // J. Appl. Phys.-(1961).-V. 32.-P. 1020.
  98. Carl Wagner. Passivity during the Oxidation of Silicon at Elevated Temperatures. Я J. Appl. Phys.- (1958).- V. 29.- P. 1295.
  99. M.R. Baklanov, V.N. Kruchinin, S.M. Repinsky, A.A. Schklyaev. Initial stages of the interaction of nitrous oxide and oxygen with the (100) silicon surface under low pressures. //React. Sol.- (1989).- V. 7, — P. 1.
  100. C.M. Репинский. Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела. II ФТП.- (2001).- Т. 35.- С. 1050.
  101. A.A. Shklyaev, Т. Suzuki. Initial reactive sticking coefficient of O2 on Si (lll)-7×7 at elevated temperatures. II Surf. Sci.- (1996).- V. 351.- P. 64.
  102. A.A. Shklyaev, M. Aono, T. Suzuki. Critical oxide cluster size on Si (lll). II Surf. Sci.- (1999).- V. 423,-P. 61.
  103. I.S. Hwang, R.-L. Lo, T.T. Tsong. Mechanisms and energetic of site hopping and chemical reactions of 02 molecules at Si (lll)-7×7 surfaces. Surf. Sci.- (1998).- V. 399.- P. 173.
  104. M. Tabe, Т.Т. Chiang, I. Lindau and W.E. Specier. Initial stage of thermal oxidation of the Si (lll)-(7*7) surface. II Phys. Rev. В.- (1986).- V.34.- P. 2706.
  105. B.E. Deal and A.S. Grove. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon. II J. Appl. Phys.- (1965).- V. 36.- P. 3770.
  106. P. Gupta, C.H. Мак, P.A. Coon, and S.M. George. Oxidation kinetics of Si (lll) 7×7 in the submonolayer regime. II Phys. Rev. В.- (1989).- V. 40 11, — P. 7739.
  107. F.M. Ross, J.M. Gibson. Dynamic observations of interface propagation during silicon oxidation. II Phys. Rev. Lett.- (1992).- V. 68.- P. 1782.
  108. Takahashi, K. Nakano, J. Harada, T. Shimura, M. Umeno. Structure of silion oxide on Si (001) grown at low temperatures. II Surf. Sci.- (1994).- V. 315, — P. L1021.
  109. T. Hasegawa, M. Kohno, S. Hosaka, S. Hosoki. Initial stages of oxygen adsorption onto a Si (lll)-7×7 surface studied by STM. II Surf. Sci.- (1994).- V. 312.- P. L753.
  110. J.V. Seiple, J.P. Pelz. Scanning tunneling microscopy study of oxide nucleation and oxidation-induced roughening at elevated temperatures on the Si (001)-(2 х- 1) surface. II Phys. Rev. Lett.- (1994).- V. 73, — P. 999.
  111. K.E. Johnson, T. Engel. Direct measurement of reaction kinetic for the decomposition of ultrathin oxide on Si (001) using scanning tunneling microipscopy. II Phys. Rev. Lett.- (1992).- V. 69.- P. 339.
  112. J.R. Engstrom, D.J. Bonser, M.M. Nelson, T. Engel. The reaction of atomic oxygen with Si (100) and Si (lll). И Surf. Sci.- (1991).- V. 256.- P. 317.
  113. K. Murooka, Y. Tanishiro and K. Takayanagi. Dynamic observation of oxygen-induced step movement on the Si (111)7×7 surface by high-resolution reflection electron microscopy. II Surf. Sci.- (1992).- V. 275.- P. 26.
  114. T. Doi, A. Ishizaka, M. Ichikawa, S. Hosoki, K. Ninomiya. Observation of 1-nm-high structures on a Si (001) surface using a differential interference optical microscope. II Jpn. J. Appl. Phys.- (1995).- V. 34.- P. 2986.
  115. F. Donig, A. Feltz, M. Kulakov, H.E. Hessel, U. Memmert, and RJ. Behm. Gas phase etching of Si (l 1 l)-7×7 surfaces by oxygen observed by scanning tunneling microscopy. // J. Vac. Sci. Technol. В.- (1993).- V. 11.- P. 1955.
  116. A. Ando, K. Sakamoto, K. Miki, K. Matsumoto, T. Sakamoto. Oxidation of spatially controlled atomically flat Si (001) surface. II Appl. Surf. Sci.- (1998).- V. 130−132,-P. 197.
  117. M.I. Larson, H. Bethge, U. Kohler, S. Menke and M. Henzler. Random-walk mechanism for step retraction on hydrogen-etched Si (lll). II Phys. Rev. B.-(1997).-V. 56.-P. 1021.
  118. K. Wurm, R. Kliese, Y. Hong, B. Rottger, Y. Wei, H. Neddermeyer, I.S.T. Tsong. Evolution of surface morphology ofSi (100)-(2*l) during oxygen adsorption at elevated temperatures. И Phys. Rev. В.- (1994).- V. 50.- P. 1567.
  119. N. Shimuzu, Y. Tanishiro, K. Kobayashi, K. Takayanagi and K. Yagi. Reflection electron microscope study of the initial stages of oxidation of Si (l 1 l)-7×7 surfaces. II Ultramicroscopy.- (1985).- V. 18.- P. 453.
  120. P. Bedrossian, T. Klitsner. Anisotropic vacancy kinetics and single-domain stabilization on Si (100)-2*1. И Phys. Rev. Lett.- (1992).- V. 68.- P. 646.
  121. U. Hofer, P. Morgen, W. Wurth, and E. Umbach. Initial stages of oxygen adsorption on Si (111). II. The molecular precursor. Phys. Rev. В.- (1989).- V. 40.- P. 1130.
  122. C. Misbah, O. Pierre-Louis, A. Pimpinelli. Advacancy-induced step bunching on vicinal surfaces. //Phys. Rev. В.- (1995).- V. 51.- P. 17 283.
  123. Y. Ono, M. Tabe, H. Kageshima. Scanning-tunneling-microscopy observation of thermal oxide growth on Si (lll)7*7 surfaces. II Phys. Rev. В.- (1993).- V. 48, 19.-P. 14 291.
  124. Ph. Avouris, In-Whan Lyo, F. Bozso. Atom-resolved surface chemistry. II J. Vac. Sci. Technol. В.- (1991).- V. 9.- P.- 424.
  125. В.Г. Лифшиц. Формирование поверхностных фаз и процессы на поверхности кремния: Дис. на соиск. уч. степени док.физ.-мат.наук. Владивосток, 1986.-360 с.
  126. Л.А. Болынов, А. П. Напартович, А. Г. Наумовец, А. Г. Федорус. Субмонос-лойные пленки на поверхности металлов. II УФЫ.- (1977).- Т. 122.- С. 125.
  127. V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Surface phases on silicon: Preparation, Structures ans Properties. И L.: John Wiley ans Sons.- (1994).- 460 c.
  128. D. Katzer, K. Meinel. Growth modes of Au on Si (lll) and the mechanism of the silicide formation. И J. Cryst. Growth.- (1989).- V. 98.- P. 690.
  129. G. LeLay. Physics and electronics of the noble-metal/elemental-semiconductor interface formation: A status report. II Surf. Sci.- (1983).- 132.- P. 169.
  130. J. Yuhara, M. Inoue, K. Morita. Commensurate incommensurate phase transition between 6×6 and 3×3 + satellite structures of the An/Si (111) surface. II J. Vac. Sci. Technol. A.- (1992).- V. 10.- P.- 3486.
  131. T. Nagao, S. Hasegawa, K. Tsuchiem, S. Ino, C. Vouges, G. Klos, H. Pfnur, M. Henzler. Structural phase transitions of Si (l 1 l)-(sqrt3. *sqrt[3])R30°-Au: Phase transitions in domain-wall configurations. II Phys. Rev. В.- (1998).- V.- 57, — P. 10 100.
  132. C. Seifert, R. Hild, M. Horn-von-Hoegen, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Au induced reconstructions on Si (lll). II Surf. Sci.- (2001).- V. 488.- P. 233.
  133. R. Plass, L.D. Marks. Submonolayer Au on Si (111) phase diagram. // Surf. Sci.1997).- V. 380.- P. 497.
  134. K. Aoki, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi. REM studies of adsorption-indeuced phase transitions and faceting in the Si (lll)-Au system. II Surf. Rev. Lett.1998).- V. 5.- P. 653.
  135. Y. Tanishiro, K. Yagi and K. Takayanagi. Gold adsorption processes on Si (lll)7×7 studied by in-situ reflection electron microscopy. II Surf. Sci.-(1990).- V. 234.-P. 37.
  136. A.B. Krasilnikov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Transformation of a Si (lll) stepped surface during the formation of a Si (3xl)Ca superstructure. // Surf. Sci.-(1993).- V. 290.- P. 232.
  137. A.B. Krasilnikov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev and S.I. Stenin. Monoatoimic stepiclustering during superstructural transitions on Si (111) surface. II J. Cryst. Growth.- (1992).- V. 116.- P. 178.
  138. H. Minoda, Y. Takahashi, Y. Tanishiro and K. Yagi. In situ reflection electron microscopy study of Cu-induced step bunching on Si (111) vicinal surfaces. I I Surf. Sci.-(1999).- V. 438.- P. 68.
  139. H. Minoda, K. Yagi. Dynamics of Au-adsorption-induced step bunching on a Si (OOl) vicinal surface studied by reflection electron microscopy. // Phys. Rev. B.1999).- V. 60.-P. 2715.
  140. H. Minoda, Т. Shimakura, К. Yagi, F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. Horn-von-Hoegen. Formation of hill and valley structures on Si (001) vicinal surfaces studied by spot-profile-analyzing LEED. И Phys. Rev. В.- (2000).- V. 61.- P. 5672.
  141. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, L.V. Sokolov, A.L. Aseev and S.I. Stenin. REM study of clean Si (lll) surface reconstruction during the (7×7)-(lxl) phase transition. II Surf. Sci.- (1991).- V. 254.- P. 90.
  142. A.V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi. Electromigration and gold-induced step bunching on the Si (lll) surface. II Surf. Sci.- (1998).- V. 401, — P. 22.
  143. M.Sato, M. Uwaha and Y.Saito. Instabilities of steps induced by the drift of ada-toms and effect of the step permeability. 11 Phys. Rev. В.- (2000).- V. 62.- P. 8452.
  144. H. Minoda. Periodic step density wave on Si (111) vicinal surfaces studied by reflection electron microscopy. II Phys. Rev. В.- (2001).- V. 64.- P. 233 305.
  145. D. Grozea, E. Bengu, L.D. Marks. Surface phase diagrams for the Ag-Ge (lll) and Au-Si (l 11) systems. II Surf. Sci.- (2000).- V. 461.- P. 23.
  146. S. Ino. Surface studies by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction). И MSA Bulletin.- (1993).- V. 23.- P. 109.
  147. T. Ichinokawa, H. Iizumi, C. Haginoya and H. Itoh. Electromigration of metallic islands on the Si (001) surface. II Nanotechnology.- (1992).- V. 3.- P. 147.
  148. T. Ichinokawa, H. Iizumi, C. Haginoya and H. Itoh. Electromigration of metallic islands on the Si (001) surface. Phys. Rev. В.- (1993).- V. 47, — P.9654.
  149. A. Yamanaka, Y. Tanishiro, K. Yagi, in: A. Yoshimori, T. Shinjo, H. Watanabe (Eds.). Surface electromigration of Au on Si (lll) studied by REM. II In Ordering at Surfaces and Interfaces. Springer, Berlin.- (1992).- V. 17, — p. 215.
  150. W. Swiech, E. Bauer, M. Mundschau. A low-energy electron microscopy study of the system Si (lll)-Au. Surf. Sci.- (1991).- V. 253, — P 283.
  151. A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, A.L. Aseev. UHV-REM study of gold adsorption on the Si (lll) surface. II Thin Solid Films.- (2000).- V. 367.- P. 142.
  152. A.V. Latyshev, А.В. Krasilnikov, A.L. Aseev. UHV REM study of the anti-band structure on the vicinal Si (l 11) surface under heating by direct electric current. II Surf. Sci.- (1994).-V. 311.-P. 395−403.
  153. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. In situ REM study of monatomic step behaviour on Si (lll) surface during sublimation. II Ultramicroscopy.-(1993).- V. 48.- P. 377.
  154. K. Thurmer, D. Liu, E.D. Williams, J.D. Weeks. Onset of step antibanding instability due to surface electromigration. Phys. Rev. Lett.- (1999).- V. 83, — P. 5531.
  155. M. Horn-von-Hoegen, H. Minoda, K. Yagi, F. Meyer zu Heringdorf, D. Kahler. Macroscopic one-dimensional faceting of Si (100) upon Au adsorption. II Surf. Sci.- (1998).- V. 402−404.- P. 464−469.
  156. R. Hild, C. Seifert, M. Kammler, F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. Horn-von-Hoegen, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Kinetics of Au induced faceting of vicinal Si (l 11). II Surf. Sci.- (2002) V, — 512.- P. l 17−127.
  157. E. Ruska. The development of the electron microscope and of electron microscopy. II Phys.- (1933).- V. 83.- P. 492.
  158. Э. Руска. Развитие электронного микроскопа и электронной микроскопии. //УФН.- (1988).- Т. 154.- С. 243.
  159. Р.Е.Н. Nielsen, J.M. Cowely. Surface imaging using diffracted electrons. II Surf. Sci.-(1976).- V. 54.-P. 340.
  160. Osakabe N., Tanishiro Y., Yagi K. and Honjo G. Image contrast of dislocation and atomic steps on (111) silicon surface in reflection electron microscopy II Surf. Sci. 1981.-V. 102.-P. 424.
  161. A.V. Latyshev, А.В. Krasilnikov and A.L. Aseev. Application ofUHVREMfor the study of clean silicon surface in sublimation, epitaxy and phase transitions. И Microscopy Research and Technique.- (1992).- 20, 341.
  162. A.A. Крошков, Э. А. Баранова, O.A. Якушенко, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, С. И. Стенин. Устройство для дифференциальной сверхвысоковакуумной откачки электронного микроскопа. //ПТЭ, 1, 199 (1985).
  163. А.В. Латышев, Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходах: Дис. на соиск. уч. степени док. физ.-мат. наук.- Новосибирск, 1996. 412с.
  164. N. Osakabe, Y. Tanishiro, К. Yagi and G. Honjo. Reflection electron microscopy of clean and gold deposited (111) silicon surfaces II Surf. Sci. 1980. — V. 97. — P. 393−408.
  165. J. Ishikawa, N. Ikeda, M. Kenmochi and T. Ichinokawa. UHV-SEM observation of cleaning process and step formation on silicon (111) surfaces by annealing. И Surf. Sci. 1985. — V. 159. — P. 256−264.
  166. O. P. Pchelyakov, R. N. Lovyagin, B.A. Krivorotov, A. L Toropov, L.N. Alekxandrov and S.I. Stenin. Silicon homoepitaxy with ion sputtering. II Phys. Stat. Sol.(a), 17(1973), 339−351.
  167. V.A. Bykov, Scanning probe microscopy and nanotechnology. II В коллективной монографии под редакцией С. Nicolini «Molecular Manufacturing», Plenum Press, New York and London, Vol.2, pp. 66−76, 1996.
  168. G. Binnig, G. Rohrer. Scanning tunneling microscopy. II Helv. Phys. Acta.-(1982).- V. 55.-P. 726.
  169. G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E.Weibel. Tunneling through controllable vacuum gap. II Appl. Phys. Lett.- (1982).- V. 40, — P. 178.
  170. G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope. И Phys. Rev. Lett.-(1986).- V. 56.- P. 930.
  171. W.A. Ducker, R.F. Cook, D.R. Clarke. Force measurement using an AC atomic force microscope. И J. Appl. Phys.- (1990).- V. 67.- P. 4045.
  172. H. Ueyama, М. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita. Atomically resolved InP (llO) surface observed with noncontact ultrahigh vacuum atomic force microscope. II Jpn. J. Appl. Phys.- (1995).- V. 34.- P. L1086.
  173. V.A. Bykov, V.A. Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation. II In Spectroscopy of Biolog. Molecules, ed. by J.C.Merlin, S. Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ., Dordrecht Boston. London, (1995) 471−472.
  174. M.-H. Whangbo, S.N. Magonov, H. Bengel. Tip-sample force interactions and surface stiffness in scanning probe microscopy. II Probe Microscopy.- (1997).- V. 1.-P.23.
  175. The Characterization of High Temperature Vapors. II ed. J. Margrave.- John Wiley & Sons, Inc.- (1967).
  176. C.C. Косолобов, A.JI. Асеев, А. В. Латышев. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковаку-умной отражательной электронной микроскопии. // ФТП.- (2001).- Т. 35.- С. 1084.
  177. Y. Tanishiro, К. Takayanagi and К. Yagi. On the phase transition between the (7×7) and (1×1) structures of silicon (111) surface studied by reflection electron microscopy. 11 Ultramicroscopy.- (1983).- V. 11.- P. 95.
  178. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov and A.L. Aseev. Direct REM observation of structural processes on clean silicon surfacec during sublimation, phase transition and epitaxy. 11 Appl. Surf. Sci.- (1992).- V. 60/61.- P. 397.
  179. S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev. Atomic force microscopy of silicon stepped surface. II Phys. Low-Dim. Struct.-(2002).- 5/6.- P.231.
  180. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, A.L. Aseev. Atomic steps on the single crystal surface during epitaxy, sublimation and gas reaction. II Journal of Japanese Association of Crystal Growth.- (2002).- V. 29.- P. 39.
  181. N. Osakabe, Y. Tanishiro, K. Yagi and G. Honjo. Direct observation of the phase transition beetween the (7×7) and (lxl) structures of clean (111) silicon surface II Surf. Sci.- (1981). V. 109. — P. 353.
  182. N.C. Bartelt, R.L. Einstein, E.D.Williams. The influence of step-step interactions on step wandering. II Surf. Sci.- (1990).- V. 240, P. L591.
  183. J.M. Bermond, J.J. Metois, J.C. Heyraud, C. Alfonso. Reflection electron microscopy studies of the step meandering and evaporation on vicinal surfaces of silicon. II Surf. Sci.- (1995).- V. 331−333, P. 855.
  184. A.V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi. Dynamical step edge stiffness on the Si (lll) surface. И Phys. Rev. Lett.- (1996).- V. 76.- P. 94.
  185. Y. Saito, M. Uwaha. Fluctuation and instability of steps in a diffusion field. И Phys. Rev. В.- (1994).- V. 49.- P. 1067.
  186. Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizawa. Sublimation of the Si (lll) surface in ultrahigh vacuum. // Phys. Rev. В.- (1997).- V. 55.- P. R10237.
  187. Y. Saito, M. Uwaha. Fluctuation of steps in a surface diffusion field. II Journal of Crystal Growth.- (1993).- V. 128.- P. 87.
  188. Y. Saito, M. Uwaha. Roughening and smoothing of steps with surface diffusion. II Surf. Sci.- (1993).- V.283.- P.366.
  189. A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, S.S. Kosolobov and A.L. Aseev. In situ REM studies of a Si (111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments. //Inst. Phys. Conf. Ser.- (2002).- V. 169.-pp. 153−162.
  190. A. Pimpinelli and J. Metois. Macrovacancy nucleation on evaporating Si (001). II Phys. Rev. Lett.- (1994).- V. 72.- P. 3566.
  191. S. Stoyanov. New development in the theory of MBE growth of Si: a confrontation with experiment. Appl. Surf. Sci.- (1992).- V. 60.- P. 55.
  192. Y. Homma. Sublimation and phase transitions on Si (111) surface observed by ultrahigh vacuum scanning electron microscopy. II Surface Review and Letters.-(1998).- V. 5.- P. 685.
  193. Y.-N. Yang, E.D. Williams. High atom density in the «1×1 «phase and origin of the metastable reconstructions on Si (lll). II Phys. Rev. Lett.- (1994).- V. 72.- P. 1862.
  194. Latyshev A.V., Aseev A.L., Krasilnikov A.B. and Stenin S.I. Initial stages of silicon homoepitaxy studied by in situ reflection electron microscopy. II Phys. Stat. Sol.(a).- (1989).- V. 113.- P. 421.
  195. A.V. Latyshev and A.B. Krasilnikov. In situ REM study of silicon surface during MBEprocesses. II Materials Science Forum.- (1991).- V. 69.- P. 159.
  196. H. Bracht, E.E. Haller. Silicon self-diffusion in isotope heterostrucutures. II Phys. Rev. Lett.- (1998).- V. 81.- P. 393.
  197. C.C. Косолобов, A.B. Латышев. Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111). II Вестник НГУ. Серия: Физика.» (2007).- Т. 2.- С. 40.
  198. E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.V. Sheglov, D.A. Nasimov, Se Ahn Song, A.V. Latyshev. Atomic steps on sublimating Si (001) surface observed by atomic force microscopy. //Phys. Low-Dim. Struct.- (2004).- V. ½.- P. 9.
  199. A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, Se Ahn Song, A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Lifshits. In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface. II Phys. Stat. Sol. (a).- (2005).- V. 202.- P. 2344.
  200. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov and A.L. Aseev. In situ reflection electron microscope observation of two-dimensional nucleation on Si (lll) during epitaxial growth. II Thin Solid Films.- (1996).- V. 281/282.- P. 20.
  201. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, A.L. Aseev. Atomic steps on a single crystal surface studied with in situ UHV Reflection
  202. Electron Microscopy. II in M. Kotrla et al (eds), Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, Kluwer Academic Publishers.- (2002).- P.281.
  203. J.A. Venables. Atomic processes in crystal growth. II Surf. Sci., 299/300 (1994) 798−817.
  204. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov and A.L. Aseev. Self-diffusion on Si (lll) surfaces. II Phys. Rev. В.- (1996).- V. 54.- P. 2586.
  205. T.Miyazaki, H. Hiramoto and M.Okazaki. Ab initio study of elementary processes in silicon homoepitaxy Adsorption and diffusion on Si (100). II Jpn. J. Appl. Phys.-(1990).- V. 29.- P. LI 165-L1168.
  206. T.Doi and M.Ichikawa. Anisotropic diffusion of Si (adsorbates on a Si (001) surface. // Jpn. J. Appl. Phys.- (1995).- V. 34.- P.3637.
  207. J.H. Neave, P. J Dobson. B.A. Joyce. Reflection high-energy electron diffraction oscillations from vicinal surfaces new approach to surface diffusion measurements. II Appl. Phys. Lett.- 1985. — V. 47. — P. 100.
  208. Y. Tanishiro, K. Takayanagi. Dynamic observation of gold adsorption on Si (l 11)7×7 surface by high-resolution reflection electron microscopy. II Ultrami-croscopy.- (1989).- V. 31.- P. 20.
  209. A.L. Aseev, A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, L.V. Litvin. In situ UHV, REM study of the structure of silicon surfaces. // Inst. Phys. Conf. Ser.- (1991).- V. 117.-P. 427.
  210. M. Фолмер Кинетика образования новой фазы. II Издательство М.: Наука.-(1986).- 205 с.
  211. М. Volmer and A. Weber. // Z. Phys. Chem.- (1926).- V. 119.- P. 277.
  212. K. Yagi, H. Minoda, M. Shima. Reflection electron microscopy study of thin film growth. II Thin Solid Films.- (1993).- V. 228.- P. 12.
  213. M. Copel, M.C. Reuter, E. Kaxiras and R.M. Tromp. Surfactants in epitaxial growth. I I Phys. Rev. Lett.- (1989).- V. 63.- P. 632.
  214. H. Minoda, Y. Tanishiro, N. Yamamoto and K. Yagi. Growth of Si on Si (l 11) ф x ф-In surfaces studied by UHV-REM. II Surf. Sci.- (1993).- V. 287/288.-P 915.
  215. H. Minoda and K. Yagi. REM studies of surface dynamics: growth of Ge on Au-deposited Si (l 11) surface. /I Ultramicroscopy.- (1993).- V.- 48.- P. 371.
  216. G. Le Lay, M. Manneville, R. Kern. Isothermal desorption spectroscopy for the syudy of two-dimensiona condensed phases. Surf. Sci.- (1977).- V. 65.- P. 261.
  217. Le Lay. The Au/Si (l 11) interface: Growth mode, energetics, structural and electronic properties. II J. Cryst. Growth.- (1981).- V. 54.- P. 551.
  218. S.S. Kosolobov, Se Ahn Song, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev. Initial stages of gold adsoprtion on silicon stepped surface at elevated temperatures. // ФТП.-(2007).-V. 41.-P. 462.
  219. C.C. Косолобов, А. В. Латышев, Се Ан Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский. Нестабильность распределения атомных ступеней на Si (lll) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах. II Письма в ЖЭТФ, — (2005).- Т. 81.- С. 149.
  220. Т. Kamino, Т. Yaguchi, М. Tomita, Н. Saka. In situ high resolution electron microscopy study on a surface reconstruction of Au-deposited Si at very high temperatures. И Philos. Mag. A.- (1997).- V. 75.- P. 105.
  221. J. Krug. Introduction to step dynamics and step instabilities. // Int. Ser. Num. Math.- (2005).- V. 149.- P.69.
  222. O. Pierre-Louis. Step bunching with general step kinetic: stability analysis and macroscopic models. II Surf. Sci.- (2003).- V. 529, — P. 114.
  223. J. Krug. New mechanism of impurity induced step bunching. Europhys. Lett.-(2002).- V. 60.-P. 788.
  224. S. Liu, L. Bonig, J. Detch, H. Metiu. Submonolayer growth with repulsive impurities: island density scaling with anomalous diffusion. I I Phys. Rev. Lett.- (1995).-V. 74.- P. 4495.
  225. M. Degawa, Н. Minoda, Y. Tanishiro, К. Yagi. Direct-current-induced drift direction of silicon adatoms on Si (l 1 l)-(lxl) surfaces. И Surf. Sci.- (2000).- V. 461.-P. L528.
  226. Y. Homma, N. Aizawa. Electric-current-induced step bunching on Si (lll). II Phys. Rev. В.- (2000).- V. 62.- P. 8323.
  227. H. Yasunaga, A. Natori. Electromigration on semiconductor surfaces. I I Surf. Sci. Rep.- (1992).- V. 15.- P. 205.
  228. H. Yasunaga, E. Sasuga. Surface electromigration and diffusion of Au on Si (l 11)7×7. И Surf. Sci.- (1990).- V. 231.- P. 263.
  229. W. van Roosbroeck. The transport of added carriers in a homogeneous semiconductor. II Phys. Rev.- V. 91 (1953).- P. 282.
  230. C.C. Косолобов, А. В. Латышев, Атомные ступени на поверхности кремнияlll) npu субмонослойной адсорбции золота. И Известия РАН.- (2008) — Т. 72.-С. 193.
  231. Mo Li. Defect-induced topological order-to-disorder transitions in two-dimensional binary substitutional solid solutions. И Phys. Rev. В.- (2000).- V. 62.-P. 13 979.
  232. H. Hibino, K. Sumitomo, T. Fukuda, Y. Homma, T. Ogino. Disordering of Si (lll) at high temperatures. II Phys. Rev. В.- (1998).- V. 58.- P. 12 587.
  233. Y. Fukaya and Y. Shigeta. Precursor to surface melting of Si (lll) at high temperature. II Phys. Rev. В.- (2002).- V. 65.- P. 195 415.
  234. E.G. McRae and R.A. Malic. A new phase transition at Ge (lll) surface observed by low-energy-electron diffraction. I I Phys. Rev. Lett.- (1987).- V. 58.- P. 1437.
  235. A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina and S.S. Kosolobov. Some advantages ofAFM involvement in epitaxial nanotechnology. I I Microscopy & Analysis.-(2005).-V. 19. P. 9.
  236. К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин, А. В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности. II -М: Наука.- (2006).- 90 с.
  237. N. Israeli, D. Kandel. Profile Scaling in Decay of Nanostructures. II Phys. Rev. Lett.- (1998).- V. 80.- P. 3300.
  238. B. Voigtlander. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth. I I Surf. Sci. Rep.- (2001).- V. 43.-P. 127.
  239. M. Zinke-Allmang, L.C. Feldman, M.H. Grabow. Clustering on surfaces. II Surf. Sci. Rep.- (1992).-V. 16.- P. 377.
  240. Л.Д. Ландау и E.M. Лившиц. Статистическая физика. М.: Наука, 1969.
  241. W. Theis, N.C. Bartelt, R.M. Tromp. Chemical potential maps and spatial correlations in 2D-island ripening on Si (001). I I Phys. Rev. Lett.- (1995).- V. 75.- P. 3328.
  242. J.G. McLean, B. Krishnamachari, D.R. Peale, E. Chason, J.P. Sethna, B.H. Cooper. Decay of isolated surface features driven by the Gibss-Thomson effect in an analytic model and a simulation. II Phys. Rev. В.- (1997).- V. 55, P. 1811.
  243. Y. Tanaka, K. Ishiyama, A. Ichimiya. Thermal decay of silicon islands and craters on silicon surfaces by scanning tunneling microscopy. II Surf. Sci.- (1996).- V. 357−358.- P. 840.
  244. A. Ichimiya, Y. Tanaka, K. Ishiyama. Quantitative Measurements of Thermal Relaxation of Isolated Silicon Hillocks and Craters on the Si (lll)-(7×7) Surface by Scanning Tunneling Microscopy. I I Phys. Rev. Lett.- (1996).- V. 76.- P. 4721.
  245. A. Kraus, S. Hildebrandt, R. Kulla, G. Wilhelmi, H. Neddermeyer. In situ observation of thermal annealing processes of nanoholes on Si (l 11)7×7. II Appl. Phys. A.- (1998).- V. 66.- S953.
  246. A. Ichimiya, K. Hayashi, Y. Tanaka. Thermal relaxation of silicon islands and craters on silicon surfaces. Surf. Sci.- (1997).- V. 386.- P. 182.
  247. H. Hibino, C.W. Ни, Т. Ogino, I.S.T. Tsong. Decay kinetics of two-dimensional islands and holes on Si (lll) studied by low-energy electron microscopy. II Phys. Rev. В.- (2001).- V. 63.- P. 245 402
  248. N.C. Bartelt, J.L.Goldberg, T.L.Einstein, E.D.Williams, J.C. Heyraud, and J.J. Metois. Brownian motion of steps on Si (lll). // Phys. Rev. В.- (1993).- V. 48.-P. 15 453.
  249. E.S. Fu, M.D. Johnson, D.-J. Liu, J.D. Weeks and Ellen D. Williams. Size Scaling in the Decay of Metastable Structures. 11 Phys. Rev. Lett.- (1996).- V. 77.- P. 1091.
  250. A. Ichimiya, K. Hayashi, E.D. Williams, T.L. Einstein, M. Uwaha, K. Watanabe. Decay of silicon mounds: scaling laws and description with continuum step parameters. II Appl. Surf. Sci.- (2001).- V. 175−176.- P. 33.
  251. K.F. McCarty, J.A. Nobel, N.C. Bartelt. Surface dynamics dominated by bulk thermal defects: the case of NiAl (l 10). 11 Phys. Rev. В.- (2005).- V. 71.- P. 85 421.
  252. Дж. П. Старк. Диффузия в твердых телах. II пер. с. англ.- М.: Энергия.-(1980).-240 с.
  253. P.M. Fahey, Р.В. Griffin and J.D. Plummer. Point defects and dopant diffusion in silicon. // Rev. Mod. Phys.- (1989).- V. 61.- P. 289.
  254. H. Bracht. Diffusion Mechanisms and Intrinsic Point Defect Properties in Silicon. II MRS Bulletin/ June.- (2000).- P. 22.
  255. F.C. Frank, D. Turnbull. Mechanism of diffusion of copper in germanium. II Phys. Rev.- (1956).- V. 104, — P. 617.
  256. W.C. Dash. Gold-induced climb of dislocations in silicon. II J. Appl. Phys.-(1960).-V. 31.-P. 2275.
  257. W.R. Wilcox, T J. LaChapelle. Mechanism of gold diffusion into silicon. II J. Appl. Phys.- (1964).- V. 35, — P. 240.
  258. U. Goesele, W. Frank and A. Seeger. Mechanism and kinetic of the diffusion of gold in silicon. // Appl. Phys.- (1980).- V. 23.- P. 361.
  259. U. Goesele, F. Morehead, W. Frank, A. Seeger. Diffusion of gold in silicon: A new model II Appl. Phys. Lett.- (1981).- V. 38.- P. 157.
  260. U. Goesele, H. Strunk. High-temperature diffusion of phosphorous and boron in silicon via vacancies or self-interstitials. II Appl. Phys.- (1979).- V. 20.- P. 256 273.
  261. M. Hill, M. Lietz, R. Sittig. Diffusion of gold in silicon. И J. Electrochem. Soc.-(1981).- V.129.- P.1579.
  262. J.A. Van Vechten, U. Schmid and Q.S. Zhang. Surface treatment effects on atomic diffusion in Si explained without self interstitials. II J. Electron. Mater.-(1991).-V. 20.-P. 431.
  263. F. Morehead, N.A. Stolwijk, W. Meyberg, U. Goesele. Self-interstitial and vacancy contribution to silicon self-diffusion determined from the diffusion of gold in silicon. I I Appl. Phys. Lett.- (1983).- V. 42.- P. 690.
  264. D. Mathiot. Gold, self-, and dopant diffusion in silicon. II Phys. Rev. В.- (1992).-V. 45.-P. 13 345.
  265. S. Coffa, J.M. Poate, D.C. Jacobson, W. Frank, W. Gustin. Determination of diffusion mechanisms in amorphous silicon. 11 Phys. Rev. В.- (1992).- V. 45.- P. 8355.
  266. M.G. Goldiner, A.V. Vaysleyb. Kinetic approach to multiple pathway diffusion with traps. И Phys. Rev. В.- (1995).- V. 52.- P. 10 060.
  267. S. Coffa, V. Privitera, F. Frisina, F. Priolo. Three-dimensional concentration profiles of hybrid diffusers in crystalline silicon. II J. Appl. Phys.- (1993).- V. 74, — P. 195.
  268. С. Poisson, A. Rolland, J. Bernardini, N.A. Stolwijk. Diffusion of gold into poly-crystalline silicon investigated by means of the radiotracer 195Au. II J. Appl. Phys.-(1996).- V. 80.-P. 6179.
  269. J. Hauber, N.A. Stolwijk, L. Tapfer, H. Mehrer, W. Frank. U- and W-shaped diffusion profdes of gold in silicon. // Journal of Physics C.- (1986).- V. 19.- P. 5817.
  270. N.A. Stolwijk, J. Holzl, W. Frank and E.R. Weber. Diffusion of gold in dislocation-free or highly dislocated silicon measured by the spreading-resistance technique. //Appl. Phys. A.- (1986).- V. 39.- P.37−48.
  271. E.G. Seebauer, K. Dev, M.Y.L. Jung, R. Vaidyanathan, C.T.M. Kwok, J.W. Ager, E.E. Haller and R.D.Braatz. // Control of defect concentration within semiconductor through adsorption. Phys. Rev. Lett.- (2006).- V.97.- P. 55 503.
  272. T.Y. Tan, U. Goesele and F.F. Morehead. On the nature of point defects and the effect of oxidation on substitutional dopant diffusion in silicon. Appl. Phys. A.-(1983).- V. 31.-P. 97.
  273. A.L. Parakhonsky, E.B. Yakimov, D. Yang. Nitrogen effect on gold diffusion in CzSi. II PhysicaB.- (2001).-V. 308−310, — P. 396.
  274. E.B. Yakimov, G. Mariani, B. Pichaud. Temperature dependence of dislocation efficiency as sinks for self-interstitials in silicon as measured by gold diffusion. II J. Appl. Phys.- (1995).- V.78.- P.1495.
  275. H. Bracht. Self- andforeign-atom diffusion in semiconductor isotope heterostruc-tures. I. Continuum theoretical calculations. II Phys. Rev. В.- (2007).- V. 75.- P. 35 210.
  276. H. Bracht, H.H. Silvestri, I.D. Sharp, E.E. Haller. Self and foreign-atom diffusion in semiconductor isotope heterostructures. II. Experimental results for silicon. //Phys. Rev. В.- (2007).- V. 75, — P. 35 211.
  277. R.B. Fair. The role of vacancies and self-interstitials in impurity diffusion in silicon. И Defect and diffusion forum.- (1984).- V. 37.- P. 1.
  278. G.D. Watkins. Lattice vacancies and interstitials in silicon. II Chinese J. of Phys.- (1977).- V. 15.-P. 92. гоГ4 /-С /
  279. A.F.W. Willoughby. Anomalous diffusion effects in silicon (A Review). II J. Mat. Sci.- (1968).- V. 3.- P. 89.
  280. W. Shockley, J.T. Last. Statistics of the charge distribution for a localized flaw in semiconductors. II Phys. Rev.- (1957).- V. 107.- P. 392.
  281. J. Bardeen, W.H.Brattain, and W. Shockley. Investigation of Oxidation of Copper by Use of Radioactive Cu Tracer. // J. Chem. Phys.- (1946).- V.14.- P.714.
  282. A.D. Kurtz, R. Yee. Diffusion of boron into silicon. II J. Appl. Phys.- (I960).- V. 31.-P. 303.
  283. T. Klein and J.R.A. Beale. Simultaneous diffusion of oppositely charged impurities in semiconductors. // Solid-State Electronics.- (1966).- V. 9. P.59
  284. S. Zaromb. An Analysis of Diffusion in Semiconductors. II IBM J. Res. Dev.-(1957).-V. l.-P. 57.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!