Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром

Диссертация: Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Межзонная модель оказалась особенно плодотворной для описания сег-нетоэлектрика, находящегося во внешних полях. Пользуясь межзонной теорией, можно объяснить ряд фотосегнетоэлектрических явлений. Классическому фотосегнетоэлектрическому эффекту — зависимости температуры структурного перехода от концентрации оптически генерированных носителей — вибронная теория дает естественное объяснение. В рамках… Читать ещё >

Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Микроскопическая теория сегнетоэлектричества
  • Электронный вклад в динамику решетки
    • 1. 1. Модельные теории структурной неустойчивости в сегнетоэлектриках типа смещения
    • 1. 2. Межзонная модель сегнетоэлектрика
    • 1. 3. Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости
    • 1. 4. Влияние концентрации носителей на сегнетоэлектрическую устойчивость
    • 1. 5. Влияние внешних воздействий на свойства сегнетоэлектриков
  • Глава 2. Зависимость свойств сегнетоэлектриков от электронного спектра и внешних воздействий
    • 2. 1. Сведения об электронных спектрах сегнетоэлектриков
    • 2. 2. Проявление связи между электронными и сегнетоэлектрически-ми свойствами в узкощельных полупроводниках А1УВУ
    • 2. 3. Фотосегнетоэлектрические явления в высокоомных полупроводниках и диэлектриках
    • 2. 4. Поведение сегнетоэлектрического кристалла в поле интенсивного лазерного излучения
    • 2. 5. Отклик сегнетоэлектрического кристалла на внешние воздействия в зависимости от направления спонтанной поляризации
  • Глава 3. Узкощельные сегнетоэлектрики-полупроводники РЬТе, РЬ!.хОехТе, веТе
    • 3. 1. Измерение диэлектрической проницаемости РЬТе методом резонансного прохождения магнитоплазменных волн
    • 3. 2. Температурный ход диэлектрической проницаемости
  • РЬ1хОехТе, легированного Оа
    • 3. 3. Зависимость температуры фазового перехода в РЬ1хОехТе от освещения и гидростатического давления
    • 3. 4. Влияние акустомеханических воздействий на поляризованные кристаллы веТе
  • Глава 4. Изменение свойств фотосегнетоэлектрика 8Ь81 в поле интенсивной лазерной волны
    • 4. 1. Методика исследования диэлектрических свойств сегнетоэлек-триков при воздействии сильных электромагнитных полей
    • 4. 2. Влияние интенсивного лазерного облучения на диэлектрическую проницаемость и температуру фазового перехода
    • 4. 3. Переход фотосегнетоэлектрика 8Ь81 в состояние с периодической структурой в интенсивном электромагнитном поле
  • Глава 5. Влияние внешних воздействий на сегнетоэлектрики с широкой запрещенной зоной
    • 5. 1. Изменение диэлектрической проницаемости и температуры фазового перехода титаната бария в поле интенсивной электромагнитной волны
    • 5. 2. Зависимость коэффициента поглощения от интенсивности света в кристаллах ВаТЮ3 и РЬТЮ
    • 5. 3. Влияние гидростатического давления и «отрицательного химического пресса» на температуру фазовых переходов в сегнетоэлектриках и антисегнетоэлектриках типа смещения
    • 5. 4. Взаимосвязь между электронными и сегнетоэлектрическими параметрами кристаллов с широкой запрещенной зоной
  • Глава 6. Распространение интенсивной световой волны по и против спонтанной поляризации
    • 6. 1. Оценка ожидаемых эффектов и особенности постановки эксперимента
    • 6. 2. Полярное поглощение и асимметрия оптической прочности
    • 6. 3. Полярная составляющая коэффициента преломления в неравновесном сегнетоэлектрике
    • 6. 4. Теоретическое объяснение оптических полярных эффектов

Физика сегнетоэлектриков является одной из наиболее обширных областей физики твердого тела. Описанию свойств сегнетоэлектрических кристаллов и теории этого явления посвящено большое количество монографий, обзоров и учебников [1−12].

Первые качественные соображения о причинах возникновения спонтанно — поляризованного состояния в некоторой области температур были высказаны еще в 30-х годах И. В. Курчатовым [13]. Основы микроскопической теории сегнетоэлектричества были заложены работами Дж. Слэтера [14,15].

В 50-х годах сформировалась феноменологическая теория сегнетоэлектричества, основанная на идеях Л. Д. Ландау и В. Л. Гинзбурга [16−19]. В настоящее время эта теория входит в том или ином контексте практически во все монографии и учебники по сегнетоэлектричеству [2,3,7,9,11].

При построении феноменологической теории В. Л. Гинзбургом впервые было указано на то, что коэффициент при квадратичном члене разложения свободной энергии по степеням параметра порядка непосредственно связан с коэффициентом упругости кристалла относительно некоторого нормального колебания решетки, а обращение в нуль этого коэффициента в точке фазового перехода II рода должно соответствовать существованию в системе критического колебания, частота которого стремится к нулю при Г—" Тс [19].

Дальнейшее развитие эта идея получила в работах П. В. Андерсона [20] и В. Кокрена [21,22], окончательно связавших вопрос о возникновении спонтанной поляризации с проблемой динамики решетки. В качестве причины, приводящей к «размягчению» активного оптического поперечного колебания, при этом предполагается сокращение вклада сил близкои дальнодействия в его частоту. 6.

Теория Гинзбурга-Андерсона-Кокрена (ГАК) получила непосредственное подтверждение при экспериментальном изучении фононных спектров ряда сегнетоэлектриков типа смещения методами инфракрасной спектроскопии, комбинационного рассеяния света и неупругого рассеяния тепловых нейтронов, обнаруживших «мягкие» ТО колебания решетки в этих кристаллах [3,6,9].

Микроскопическая теория фазовых переходов в слабоангармонических сегнетоэлектриках типа смещения на языке решеточного (фононного) гамильтониана получила логическое завершение в работах П. Квока, П. Миллера [23] и В. Г. Вакса [4], в которых было получено микроскопическое выражение коэффициентов феноменологического разложения для свободной энергии через параметры решеточного гамильтониана.

Последующее развитие теории сегнетоэлектричества было связано с учетом электрон-фононного взаимодействия. Данные многочисленных экспериментов свидетельствовали о том, что при сегнетоэлектрических фазовых переходах существенно затрагивается и электронная подсистема (можно указать, например, на высокое значение оптического показателя преломления и аномалию его в точке Кюри). О том же говорят и результаты исследования сегнетоэлектриков-полупроводников типа, А В, у которых температура фазового перехода существенным образом зависит от концентрации носителей.

Работы по учету электрон-фононного взаимодействия были стимулированы публикациями по физике молекул. Ещё в 1937 году была сформулирована теорема Яна — Теллера [24,25], согласно которой геометрическая конфигурация ядер многоатомной нелинейной молекулы, допускающая в силу своей симметрии существование орбитально вырожденного электронного состояния, является потенциально нестабильной. Идея о роли зонно-фононного (вибронного) взаимодействия в определении структуры кристаллов нашла конкретное воплощение в работе К. Синха и А. Синха [26]. Исследуя цепочку.

Т14± О2″ - Т1А+ как фрагмент структуры ВаТЮ3, они пока7 зали, что вибронное взаимодействие разделенных энергетически состояний (псевдоэффект ЯТ) может привести к устойчивой конфигурации системы, обладающей электрическим дипольным моментом.

Межзонная теория сегнетоэлектричества сформировалась в 60 — е годы. Основу её составляют работы И. Б. Берсукера, Б. Г. Вехтера [27,28], П. И. Консина и H.H. Кристофеля [29,30], в которых теоретически была показана принципиальная возможность возникновения сегнетоэлектрического фазового перехода, обусловленного межзонным электрон-фононным взаимодействием. Дальнейшее развитие эта теория получила в работах Б. А. Волкова, О. В. Панкратова, Б. И. Стурмана, В. И. Белиничера, Я. Г. Гиршберга и других авторов [31−50,96−99]. В [37,38] было показано, что электрон-фононное взаимодействие приводит к сильной перенормировке исходной константы связи Г0 так, что при всех температурах Г] - (т/Е^ «1 (Е — энергетическое расстояние между центрами активных зон), что даёт возможность использовать методы теории возмущений. Включение в рассмотрение межзонного обменного рассеяния электронов на критических колебаниях привело к разумной температурной зависимости критического колебания и параметра порядка.

Межзонная модель оказалась особенно плодотворной для описания сег-нетоэлектрика, находящегося во внешних полях. Пользуясь межзонной теорией, можно объяснить ряд фотосегнетоэлектрических явлений. Классическому фотосегнетоэлектрическому эффекту — зависимости температуры структурного перехода от концентрации оптически генерированных носителей — вибронная теория дает естественное объяснение [8,36]. В рамках этой теории был проведен расчет основных оптических свойств широкощельных сегнетоэлектриков, в том числе дисперсии, дихроизма края основного поглощения и температурной зависимости двулучепреломения [40]. С использованием простой модели электронного спектра удалось найти соотношения, 8 описывающие поведение сегнетоэлектрика в электрических [32], магнитных [91−94] и интенсивных электромагнитных полях [42,87−90,330].

На основе межзонной теории Э. В. Бурсианом и Я. Г. Гиршбергом [43,44] был предсказан ряд новых полярных эффектов, обусловленных электрон-фононным взаимодействием. К ним относятся поведение сегнето-электриков во внешних полях, полярные термо — ЭДС и теплопроводность, образование магнитного момента при освещении, различные эффекты, возникающие в сегнетоэлектриках при воздействии на них мощной электромагнитной волны.

В последние годы теоретики вновь обратились к идее Дж. Слэтера о поляризационном (дипольном) механизме сегнетоэлектрической неустойчивости [58−62], но уже на квантовом уровне. В работах O.E. Квятковского [4549] из первых принципов было показано, что межъячеечное диполь-дипольное взаимодействие понижает частоты полярных ТО — мод и не влияет на частоты неполярных колебаний. На основе точного решения задачи о выделении вклада при q = 0 части межъячеечного диполь — дипольного (полярного) взаимодействия было получено решение для электрической поляризации соединений типа перовскита. Также без использования модельных соображений показано, что в сегнетоэлектриках — полупроводниках aivbvi реализуется поляризационный (дипольный) механизм смягчения полярной ТО — моды колебаний решетки, эффективность которого обусловлена аномальными диэлектрическими свойствами электронной подсистемы.

Однако, несмотря на ощутимые успехи, достигнутые физикой сегнето-электриков в исследовании и объяснении эффектов, связанных с электрон-фононным взаимодействием, до сих пор нет законченной картины связи между электронными и фононными свойствами кристалла, мало исследовано поведение сегнетоэлектрика в интенсивных электромагнитных полях, остаётся открытым вопрос о возможности существования полярных эффектов при распространении электромагнитных волн в неравновесных сегнетоэлектриках. 9.

Целью данной работы является исследование эффектов, возникающих при нестандартных и сильных внешних воздействиях на ряд сегнетоэлектриков, имеющих различные электронные спектры, с целью установления связи между электронной и фононной подсистемами и механизмов влияния электронной подсистемы на сегнетоэлектрические свойства кристаллов.

В качестве объекта исследования были выбраны вещества с различной шириной запрещенной зоны: РЬТе, РЬ1хОехТе, ОеТе = 0,2 +05 эВ), 8Ь81 (Её — 2 эВ), 8гТЮ3, ВаТЮз, РЬТЮ3 {Е% «3 эВ) и 1л*ГЬ03 (Её «4 эВ).

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать температурную зависимость диэлектрической проницаемости узкощельных полупроводников — сегнетоэлектриков РЬ1. хОехТе, а также влияние гидростатического давления и освещения на свойства этих соединений.

2. Изучить влияние гидростатического сжатия и «растяжения» (путем внедрения гелия) на широкий класс веществ: типичный сегнетоэлектрик ВаТЮз, параэлектрик 8гТЮз, антисегнетоэлектрик КаЫЪ03 и слоистый сегнетоэлектрик 8г2Та207.

3. Изучить влияние сильного (но не разрушающего кристалл) внешнего электромагнитного поля на диэлектрические (для 8Ь81, ВаТЮз) и оптические (для 8Ь81, ВаТЮз РаТЮ3) свойства сегнетоэлектрика, а также на температуры сегнетоэлектрических фазовых переходов.

4. Получить информацию о поведении сегнетоэлектрика в сильных (вплоть до разрушающих) электромагнитных полях, распространяющихся в кристалле по и против спонтанной поляризации (на примере ЫЫЬОз).

5. Сопоставить экспериментальные результаты, полученные в сильных полях, с теоретическими оценками изменения электронного спектра, происходящего в таких полях.

Подобные исследования представляют интерес, поскольку позволяют дать рекомендации о выборе сегнетоэлектрических материалов для конкретных применений. Особый интерес представляет исследование влияния внешнего воздействия на свойства сегнетоэлектриков в окрестности фазового перехода, где кристаллическая решетка наиболее неустойчива, и свойства кристаллов нелинейны и экстремальны. Результаты этих исследований актуальны для коррекции существующих теорий и построения новых.

С другой стороны, обнаружение и исследование полярных компонентов распространения электромагнитных волн в сегнетоэлектриках должно стимулировать развитие теоретических представлений нелинейной электродинамики сред с полярной осью.

Научная новизна. Применение импульсной методики при изучении воздействия света на сегнетоэлектрики типа смещения позволило обнаружить фотодиэлектрический эффект, не связанный с увеличением концентрации свободных носителей при освещении, как выше, так и ниже температуры перехода. Экспериментально обнаружено смещение фазового перехода под действием сильного электромагнитного поля для 8Ь81 и ВаТЮ3. В полях Е МО3 В/см для ВаТЮ3- РЬТЮ3 экспериментально обнаружено оптическое просветление. Установка, сконструированная для наблюдения явлений, которые разыгрываются в сегнетоэлектрическом кристалле в поле мощной световой волны, позволила обнаружить различие скорости и затухания электромагнитной волны при распространении ее по и против направления спонтанной поляризации. Все эти результаты получены впервые.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Константа Кюри-Вейсса для узкощельных полупроводников-сегнетоэлектриков РЬьхОехТе имеет тот же порядок, что и для перовскитов. Температура Кюри зависит от внешних воздействий: снижается при освещении и гидростатическом сжатии (с1ТсНР = -12,0 К/ кбар).

2. При интенсивном лазерном облучении в монокристаллах 8Ь81 появляется периодическая структура. Данная структура наблюдается в температурном интервале ниже фазового перехода на 10 -НЗ К при напряженности поля Е ~105 В/см и длине волны 650 ч- 660 нм. Период структуры зависит от интенсивности излучения.

7 2.

3. При интенсивности освещения /> 10 Вт/см температура сегнетоэлек-трических фазовых переходов БЬ81 и ВаТЮ3 увеличивается, а диэлектрическая проницаемость кристаллов возрастает пропорционально четвертой степени напряженности поля.

4. Для титаната бария в парафазе в полях 105 < Е < 2*105 В/см коэффициент поглощения падает (оптическое просветление), в полях Е >Е = 2*105.

В/см вновь начинает расти. Пороговое значение поля Е, с которого поглощение света начинает расти в кристаллах титаната бария, практически не зависит от примесей и температуры. Для титаната свинца наблюдается аналогичная зависимость коэффициента поглощения от интенсивности излучения, но максимум пропускания сдвинут в область более низких интенсивностей поля.

5. Внедрение в кристаллы атомов гелия приводит к эффекту противоположному, возникающему при гидростатическом сжатии: температура сегне-тоэлектрических фазовых переходов увеличивается (ВаТЮз), а антисегнето-электрических уменьшается (№№>Оз).

6. В монокристаллах ниобата лития в полярной фазе появляется полярный компонент поглощения, который пропорционален интенсивности и при с о.

1(Г Вт/см достигает 5±2%.

7. Коэффициенты преломления монодоменных кристаллах ниобата лития, легированных ионами Бе и Мп, для распространяющихся по и против полярной оси лазерного импульсов различны. При напряженности электрического поля волныЕ> 2*105 В/см величина (ип — «п)/я ~ 2*10~5.

Практическая и научная значимость. Практическое применение сегне-тоэлектриков обусловлено, в частности, сильной зависимостью диэлектрических и оптических свойств этих кристаллов от внешнего воздействия: температуры, давления, электромагнитного поля и т. д. Благодаря этим свойствам сегнетоэлектрические кристаллы широко используются в качестве исходных материалов для создания различных датчиков, элементов лазерной техники (преобразователи, затворы, дефлекторы), сред для записи информации топографическими методами.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представления о влиянии внешних воздействий, в частности, интенсивного лазерного излучения на сегнетоэлектрические свойства кристаллов с различным электронным спектром. Данные результаты являются важными как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения. Первая глава представляет собой обзор существующих в настоящее время теоретических подходов к описанию структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках типа смещения и механизмов влияния внешних воздействий на параметры сегнетоэлектрического кристалла. Вторая глава посвящена обзору экспериментальных работ, связанных с исследованием влияния внешних воздействий на сегнетоэлектрические кристаллы с различными электронными спектрами. В третьей главе приводятся результаты автора по исследованию диэлектрических свойств узкощельных полупроводниковсегнетоэлектриков и влиянию на их свойства освещения, гидростатического сжатия, механических напряжений. В четвертой главе изложена методика исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков в интенсивных лазерных полях, и обсуждаются полученные автором результаты по влиянию излучения на свойства фотосегнетоэлектрика 8Ь81. Пятая глава содержит описание результатов по изучению воздействия интенсивного лазерного излучения на диэлектрические и оптические свойства титаната ба.

Основные результаты диссертации докладывались на IV Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Ленинград, 1977) — XXVI Научно-технической конференции МИРЭА по физике диэлектрических материа.

239 лов и материалов квантовой электроники (Москва, 1977) — X Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве (Минск, 1982) — XI Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве (Черновцы, 1987) — Дальневосточных школах-семинарах «Физика и химия твердого тела» (Благовещенск, 1985, 1988, 1994 г. г) — IV Японо-Советском симпозиуме по сегнетоэлектричеству (Цукуба, Япония, 1988) — XII Всесоюзной конференции по сегнетоэлектрикам (Ростов-на-Дону, 1989) — Всесоюзной конференции «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (Александров, 1990) — региональной конференции «Физика твердого тела» (Барнаул, 1993) — Международной научно-практической конференции (Томск, 1994) — II Международной конференции «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (Александров, 1995) — III Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1997). По теме диссертации опубликовано более сорока работ. Содержание диссертации полностью отражено в работах [298, 303, 304, 308, 310, 311, 313, 318, 319, 324−326, 328, 340, 345, 353−358, 376−378].

Автор выражает глубокую благодарность научному консультанту Э. В. Бурсианусоавторам В.В. Маслову, Г. Н. Пряхину, В. В. Казакову, В.Н. Баха-реву, в ходе совместной работы с которыми были получены основные экспериментальные результатыЕ.И. Головенчицу, В. А. Саниной за предоставленную возможность выполнить часть измерений на созданной ими установкеЯ.Г. Гиршбергу, H.H. Трунову, А. Ф. Баранову за обсуждение и помощь в теоретической интерпретации результатовВ.А. Ляховицкой, Р. М Рахманкулову, A.B. Ружникову, В. П. Якунечеву, И. А. Драбкину, Г. С. Буш-мариной, Б. Ф. Грузинову, Ю. С. Харионовскому за выращивание кристаллов и приготовление образцовТ.Н. Барышниковой за помощь в оформлении и подготовке диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Экспериментально исследована связь между электронными и сегнето-электрическими параметрами сегнетоэлектриков с различной шириной запрещённой зоны. Исследовано влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства кристаллов. Новым направлением в исследовании свойств сегнетоэлектриков является изучение влияния интенсивного оптического излучения на низкочастотную диэлектрическую проницаемость и температуру Кюри. Открыты ранее неизвестные оптические полярные эффекты. Предлагаются теоретические объяснения наблюдаемых эффектов.

Основные научные результаты, полученные автором.

1. Методом магнитоплазменных волн измерена решеточная диэлектрическая проницаемость РЬТе при температуре 77 К. Для РЬТе и-типа с концентрацией п = 6*1017 см" 3 е = 800 ± 100.

2. Непосредственно из емкости образца в широком температурном интервале измерена диэлектрическая проницаемость РЬ1хОехТе (0,02 < х < 0,07). Показано, что константа Кюри — Вейсса для узкощельных полупроводников — сегнетоэлектриков РЬ>1.хОехТе имеет тот же порядок, что и для перовскитов.

3. Обнаружено, что при освещении температура фазового перехода в узкощельных сегнетоэлектриках — полупроводниках РЬ1. хОехТе снижается.

4. Исследована зависимость температуры фазового перехода от гидростатического давления в РЬ1хОехТе (при х = 0,05 и х = 0,07). Показано, что гидростатическое сжатие приводит к уменьшению температуры фазового перехода (с1ТсШР — -12,0 К/кбар).

5. Обнаружено появление периодической структуры в монокристаллах 8Ь81 в интенсивном лазерном поле. Структура наблюдается для длин.

237 волн 650 -г- 660 нм при некотором пороговом поле Е> Е* (Е* ~105 В/см) в окрестности ниже фазового перехода (Гс— Т < 11К). Величина порогово го поля Е растет по мере удаления от точки фазового перехода, период структуры зависит от интенсивности излучения.

6. Предложена методика измерения диэлектрической проницаемости при импульсном освещении кристалла, позволяющая отделить эффект влияния сильного поля от влияния неравновесных носителей и нагревания образца.

7 2.

7. При интенсивности освещения/> 10 Вт/см обнаружен фотодиэлектрический эффект в сегнетоэлектриках (SbSI, ВаТЮз), не связанный с возрастанием концентрации свободных носителей. Диэлектрическая проницаемость кристалла возрастает с увеличением интенсивности освещения (Asi/s ~ I (2'2 ± °'2)). Температура Кюри в поле сильной электромагнитной волны повышается.

8. Выявлен немонотонный характер изменения коэффициентов поглощения для титаната бария при изменении интенсивности света. В полях 105 < Е < 2*105 В/см коэффициент поглощения падает (оптическое просветление), в полях Е > Е*~ 2*105 В/см вновь начинает расти. Пороговое значение поля Е* в кристаллах титаната бария практически не зависит от примесей и температуры. Для титаната свинца наблюдается аналогичная зависимость, но максимум пропускания сдвинут в область более низких интенсивностей поля.

9. Разработан метод внедрения гелия в сегнетоэлектрические кристаллы в тлеющем разряде при высокой температуре.

10. Исследовано влияние внедренного гелия на температуры фазовых переходов и свойства сегнетоэлектриков типа смещения. Установлено, что гелий, внедренный в кристаллы, приводит к эффекту, противоположно.

238 му гидростатическому сжатию: температуры сегнетоэлектрических фазовых переходов повышаются (ВаТЮз), а антисегнетоэлектрическихпонижаются (КаМЮз).

11. Предложена методика измерения скорости и затухания интенсивных световых волн, распространяющихся вдоль и против спонтанной поляризации. Для этого разработаны специальные приборы: полярный фотометр и встречный интерферометр.

12. В монокристаллах ниобата лития, легированных железом и марганцем, обнаружен полярный компонент поглощения при интенсивности осве.

8 2 щения / > 10 Вт/см. Показано, что полярная часть коэффициента поглощения пропорциональна интенсивности и при полях Е ~ 105 В/см достигает (5 6)% .

13. В монодоменных кристаллах ниобата лития, легированных ионами Бе и Мп, обнаружен полярный компонент скорости распространения лазерного импульса вдоль полярной оси. При напряженности электрического поля волныЕ> 105 В/см величина Оп — ип)/и «2*10» 5.

14. Установлено, что эффект накопления (возрастание коэффициента поглощения с числом импульсов) имеет полярный характер. Для лазерного импульса, распространяющегося вдоль спонтанной поляризации, эффект накопления больше, чем при распространении в обратном направлении.

15. Отмечено различие порога разрушения поверхности ниобата лития при распространении мощных световых импульсов вдоль и против полярной оси: порог разрушения выше при распространении света против спонтанной поляризации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ф., Ширане Д. Сегнетоэлекрические кристаллы /Перевод на русский под редакцией J1.A. Шувалова. — М.: Мир, 1965. — 555 с.
  2. И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968. -462 с.
  3. Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики М.: Наука, 1971. — 476 с.
  4. В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков.- М.: Наука, 1973.-327 с.
  5. Э.В. Нелинейный кристалл. Титанат бария М.: Наука, 1974. -295 с.
  6. Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики /Перевод с английского под редакцией JI.A. Шувалова. М.: Мир, 1975. — 398 с.
  7. В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976.— 408 с.
  8. В.М. Фотосегнетоэлектрики. -М.: Наука, 1979. 464 с.
  9. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы /Перевод с английского под редакцией В. В. Леманова, Г. А. Смоленского М.: Мир, 1981.- 736 с.
  10. Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. — 400 с.
  11. П.Струков Б. А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах .- М.: Наука, 1995. 302 с.241
  12. О.Е., Максимов Е. Г. Микроскопическая теория динамики решетки и природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах //УФК- 1988,-Т.154, № 1. С. З- 48.
  13. И. В. Сегнетоэлектрики- М.- JL: ГТТИ, 1933- Избр. труды /Под ред. А. П. Александрова. М.: Наука, 1982 — Т. 1. — С. 281.
  14. Slater J. The theory of transition in KH2P04 //Journ. Chem. Phys. 1941. -V.9.-P.16.
  15. Slater J. The Lorentz correction in barium titanate //Phys. Rev 1950 -V.78, № 6. — P.748−761.
  16. Л.Д. К теории фазовых переходов I. //Собрание трудов. Т.1. -М.: Наука, 1969.-С.234- 252.
  17. Л.Д. К теории фазовых переходов II. //Собрание трудов. Т.1. -М.: Наука, 1969. — С.253 — 261.
  18. В. Л. Теория сегнетоэлектрических явлений //УФН. 1949. -Т.38, № 4. — С.490 -525.
  19. В.Л. Несколько замечаний о фазовых переходах второго рода в микроскопической теории сегнетоэлектриков //ФТТ. 1960. — Т.2. -С.2031.
  20. П.В. Качественные соображения относительно статистики фазового перехода в сегнетоэлектриках типа ВаТЮ3 //Физика диэлектриков: Труды II Всесоюзной конференции. М.: Изд-во АН СССР, — I960.- С. 290 -296.
  21. Cochran W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity //Phys. Rev. Lett.-1959,-V.3, № 9. P.412 — 414.
  22. Cochran W. Crystal stability and ferroelectric theory. II Piezoelectric crystals //Adv. Phys. 1961.-V. 10,-P.401.242
  23. Kwok P.C., Miller P.B. Free energy of displacive ferroelectrics.//Phys. Rev. -1966.-V.151, № 2.- P.387- 400.
  24. Ян Г. А., Теллер Э. Устойчивость многоатомных молекул с вырожденными электронными состояниями. I. Орбитальное вырождение // Р. Нокс, А. Голд, Симметрия в твердом теле /Перевод с англ. под редакцией
  25. B.Л. Бонч-Бруевича. М.: Наука, 1970. — С.209 — 226.
  26. Ян Г. А. Устойчивость многоатомных молекул с вырожденными электронными состояниями. II. Спиновое вырождение //Р. Нокс, А. Голд, Симметрия в твердом теле /Перевод с англ. под редакцией В.Л. Бонч-Бруевича. -М.: Наука, 1970. С. 227 — 242).
  27. Sinha К.Р., Sinha А.Р. Role of Jahn-Teller effects in the origin of ferroelectricity: occurrence of ordered phase in perovskite-type ferroelectrics //Indian J. Pure. Appl. Phys. -1964. V.2, № 3. — P.91−94.
  28. Bersuker I.B. On the origin of ferroelectricity in perovskite-type crystals //Phys. Lett. 1966. — V.20. — P.589 — 590.
  29. И. В., Вехтер Б. Г. Межзонное взаимодействие и спонтанная поляризация кристаллических решеток //ФТТ. 1967. — Т.9, № 9.1. C.2652 2655.
  30. Kristofel N.N., Konsin P.I. Pseudo-Jahn-Teller effect and other phase transitions in crystals // Phys. State. Sol. 1967. — V.21, № 2. — P. K39 — K43.
  31. H.H., Консин П. И. О возможности сегнетоэлектрического фазового перехода в связи с электрон-фононным взаимодействием // Изв. АН СССР. Сер. физ.-мат. 1967. — Т. 16, № 4.-С.431- 437.
  32. Kristoffel N., Konsin P. Displacive vibronic phase transitions in narrow-gap semiconductors // Phys. Stat. Sol.- 1968. V.28. -P.732−739.243
  33. П.И., Кристофель Н. Н. К зависимости частот мягких сегнето-электрических мод от электрического поля //ФТТ. 1968. — Т. 10, № 7. -С.2250 — 2252.
  34. И.В., Бехтер Б. Г. Межзонная теория спонтанной поляризации кристаллов и сегнетоэлектрические фазовые переходы //Изв. АН СССР. Сер. физ. -1969. Т.ЗЗ. — С. 199 — 203.
  35. .А., Кушнир В. П., Панкратов О. А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 при структурных фазовых переходах //ФТТ. 1982. — Т.24, № 2. — С.415 — 422.
  36. Н.Н., Консин П. И. Теория вибронных фазовых переходов широкощельных сегнетоэлектриков //ФТТ. -1971. -Т. 13, № 9. С. 2513 -2520.
  37. П.И., Кристофель Н. Н. О зависимости точки Кюри широкощель-ного сегнетоэлектрика от неравновесной концентрации носителей //Кристаллография 1972. — Т. 17. — С.712 — 715.
  38. Я.Г., Тамарченко В. И. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзонным взаимодействием //ФТТ. -1976. Т. 18, № 4-С.1066 -1072.
  39. Я.Г., Тамарченко В. И. Фазовый переход и параметр порядка в системах с межзонной связью //ФТТ. 1976. — Т. 18, № 11. — С.3340 -3348.
  40. Zharski V.I., Girshberg Ya.G., Bursian E.V. First order phase transition in ferroelectrics. Model with interband electron-phonon coupling //Abstr. The fourth Int. Meeting on Ferroelectricity. Leningrad. 1977, Sept. 18−23 -P.105.
  41. Kristoffel N., Gulbis A.V. Some optical properties of a vibronic ferroelectric and the anomalous bulk photovoltaic effect //Z. Phys. 1980. — V.39B, № 1. -P.143 -149.244
  42. Girshberg Ya.G., Bursian E.V., Trunov N.N. Nonequilibrium modulated structures in ferroelectrics in a strong external field //Ferroelectrics. 1981. -Y.36, № 1−4.- P.305.
  43. Э.В., Гиршберг Я. Г., Трунов H.H. Межзонная модель сегнето-электричества. Теория и эксперимент. //Изв. ВУЗов. Физика. 1981. -№ 8. — С.94 -109.
  44. Э.В. Полярные и когерентные эффекты в сегнетоэлектриках //Межзонная модель сегнетоэлектрика: Сб. научных трудов. Д.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1987. С. 88 -107.
  45. Э.В., Гиршберг Я. Г. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. М.: Прометей, 1989. — 198 с.
  46. О.Е. Диполь-дипольное взаимодействие в кристаллах и сег-нетоэлектрические свойства А4В6 //ФТТ. -1986. Т.28, № 4. — С.983 — 990.
  47. О.Е. Квантовая теория волн электрической поляризации в кристаллических диэлектриках и природа сегнетоэлектричества //Физикохимия силикатов и оксидов: Сб. научн. трудов /Под. ред. акад. М. М. Шульца. С.-Пб.: Наука, 1998. — С.86 — 94.
  48. О.Е. Происхождение сегнетоэлектричества в окислах со структурой перовскита //Известия РАН. Сер. физ. -1996. Т.60, № 10. -С.4−10.
  49. О.Е. Теория спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках типа смещения //ФТТ. -1996. Т.38, № 3. — С.728 -740.
  50. О.Е. Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах //ФТТ. -1997. Т.39, № 4. — С.687−693.
  51. М., Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток -М.: ИЛ, — 1958.-488 с.245
  52. Luttinger J. M., Tisza L. The theory of dipole interaction in crystals //Phys. Rev. 1946. — V.70. — P.954- 1947. — У.12. — P.257.
  53. Акустические кристаллы /Под ред. М. П. Шаскольской. М.: Наука, 1982, — 632 с.
  54. Dvorak V., Janovec V. On the interpretation of infra-red spectra and the lattice dynamics of cubic BaTi03 //Czech J. Phys. Ser. B. 1962. — V.12, № 3 -P.461- 470.
  55. Dvorak V. Group analysis of lattice vibrations of cubic perovskites ABO3 //Phys. Stas. Sol. 1963. — V.3, № 12. — P.2235- 2240.
  56. Lucovsky G., Martin R. M., Burstein E. Localized effective charges in diatomic crystals //Phys. Rev. B. 1971. — V.4, № 4. — P. 1367−1374.
  57. Консин П. И, Кристофель H.H. О вибронной теории сегнетоэлектриков //Межзонная модель сегнетоэлектрика: Межвузовский сб. научных трудов. Л.: ЛГПИ — 1987. — С.32- 68.
  58. R. М Comment on calculations of electric polarization in crystals //Phys. Rev. B. 1974. — V.9, № 4. — P. 1998 -1999.
  59. Rabe K.M., Joannopoulos J.D. Ah initio relativistic pseudopotential study of the zero- temperature structural properties of SnTe and PbTe //Phys. Rev. B. -1985. V.32, № 4. — P.2302−2314.
  60. Rabe K.M., Joannopoulos J.D. Structural properties of GeTe at T = 0 //Phys. Rev. B. 1987. — V.36, № 6. — P.3319 -3324.
  61. Zein N.E., Zinenko V.I., Fedorov A.S. Ab initio calculations of phonon frequencies and dielectric constants in A4B6 compounds //Phys. Lett. A. 1992. V.164, № 1.-P.115−119.
  62. Cohen R.E. Origin of ferroelectricity in perovskite oxides //Nature (Gr. Brit.). 1992. — V.358, № 6382. -P.136 -138.246
  63. Vanderbilt D. First-Principles theory of structural phase transitions in cubic perovskites //J. Korean Phys. Soc. 1997. — V.32, Suppl. — P. S103- SI06.
  64. O.E. Об эффектах внутреннего поля в полупроводниках и диэлектриках //ФТТ. -1985. Т.27, № 9. — С.2673 -2682.
  65. О.Е. Структура дипольного тензора и влияние диполь-дипольного взаимодействия на диэлектрические свойства и длинноволновые оптические колебания решетки в кристаллических диэлектриках и полупроводниках //ФТТ. -1993. Т.35, № 8. — С.2154 -2164.
  66. Sham L.J. Electronic contribution to lattice dynamics in insulating crystals //Phys. Rev. -1969. -V.188, № 3. P. 1431−1439.
  67. Pick R.M., Cohen M.H., Martin R.M. Microscopic theory of force constants in the adiabatic approximation //Phys. Rev. B. 1970. — V. l, № 2. — P.910 -920.
  68. E. Г., Каган Ю. M. Фононы в переходных металлах //УФН. -1974. Т. 112, № 3 — С. 369 — 426.
  69. Е. Г., Каган Ю. М. О фононном спектре металлов //ЖЭТФ. -1967. Т.52, № 2. — С.557−574.
  70. Гуревич B. JL, Ларкин А. И., Фирсов Ю. А. О возможности сверхпроводимости у полупроводников //ФТТ. 1962. — Т.4, № 1. — С. 185−190.
  71. У. Электронная структура и свойства твердых тел. М.: Мир, 1983. -Т.2. Гл. 14.
  72. Hallers J.J., Caspers W.T. On the influence of conduction electrons on the ferroelectric Curie temperature //Phys. St. Sol. 1969. — V.36, № 2. — P.587−592.
  73. Trunov N.N., Bursian E.V. The influence of charge carriers on the transversal mode in ferroelectrics // Phys. Stas. Sol. (b). 1974. — V.65. — P. K129 — K130.247
  74. Natterman Th. On the influence of screening on the ferroelectric Curie Point //Phys. Stas. Sol. (b).- 1972.- V.51, № 1. P.395 -405.
  75. B.M. Некоторые эффекты, обусловленные электрон-фононным взаимодействием при фазовом переходе в сегнетоэлектрике-полупроводнике //Письма ЖЭТФ. 1966. — Т. З, № 6. — С.252 — 255.
  76. Дж. Принципы теории твердого тела М.: Мир, 1974. — 472 с.
  77. В.В. Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках: Кан. дисс. JUL 11И им. А. И. Герцена. Ленинград. -1983. 140 с.
  78. Samara G.A. Pressure and temperature dependences of the dielectric properties of the perovskites BaTi03 and SrTi03//Phys. Rev. -1966. V.151, № 2. -P.378 -386.
  79. Samara G.A. The effect of hydrostatic pressure on ferroelectric properties //Advances in high pressure research. New-York, 1969. V.3. — P. 159−239.
  80. Samara G.A., Peercy P. S. Dependence of dielectric constant from temperature and pressure and raman spectra of Ti02 //Phys. Rev. B. 1973. — V.7, № 3. -P.l 131−1136.
  81. .А., Кушнир В. П. Поведение полупроводника А4В6 в статическом электрическом поле //ФТТ. 1983. -Т.25, № 6. — С.1803 — 1811.
  82. В.М., Гореславский С. П., Елесин В. Ф. Электрические и магнитные свойства полупроводника в поле сильной электромагнитной волны //ЖЭТФ. 1969. -Т.57, № 1. — С.207−217.
  83. В.Ф. Когерентное взаимодействие электронов полупроводника с сильной электромагнитной волной //ЖЭТФ. 1970. — Т.59, № 2. — С.602 -613.248
  84. В.М., Елесин В. Ф. Резонансное взаимодействие электромагнитного поля в полупроводниках.- М.: Энергоатомиздат, 1986. 192 с.
  85. В.Ф. К теории поглощения сильного электромагнитного поля в полупроводниках // ЖЭТФ. 1975. — Т.69, № 2. — С.572 — 581.
  86. О.Н. Коэффициент усиления и эффект насыщения в полупроводниках при однородном возбуждении //ФТТ. 1965. — Т.7, № 9. -С.2612 -2619.
  87. A.JI. Фотоиндуцированная неустойчивость и фазовый переход полупроводник-металл в системе Пайерлса //ФТТ. 1998. — Т.40, № 11. -С.2113 -2118.
  88. Волков B. JL, Литвинов В. И. Индуцированный сильным полем фазовый переход в узкощельном сегнетоэлектрике //ФТТ. 1980. — Т.22, № 2. -С.617- 619.
  89. В.И., Валуев К. А., Волков В. Л. Фазовая диаграмма узкощелевого сегнетоэлектрика в поле сильной световой волны //ФТТ. 1980. -Т.22, № 8. — С.2514 — 2516.
  90. В.И., Валуев К. А., Товстюк К. Д. Пороговая неустойчивость при структурном фазовом переходе в узкощелевых полупроводниках А4В6 в поле сильной электромагнитной волны //ФТТ. 1980. — Т.22, № 2. -С.370 — 373.
  91. Валуев К. А Влияние когерентного излучения на структурный фазовый переход в узкощелевых полупроводниках: Автореферат канд. дис. -Черновцы, 1988. 16 с.
  92. .Г., Зенченко В. П., Берсукер И. Б. Влияние магнитного поля на фазовые переходы в вибронных сегнетоэлектриках //ФТТ. 1976. — Т. 18, № 8.-С.2325 -2330.249
  93. В.Л., Литвинов В. И. Индуцированный сильным магнитным полем фазовый переход в узкощельном сегнетоэлектрике //ФТТ. 1980. -Т.22, № 2. — С.617- 619.
  94. В.П., Вехтер Б. Г., Берсукер И. Б. Влияние магнитного поля на фазовые переходы в вибронных сегнетоэлектриках //ЖЭТФ. 1982. -Т.82, № 5. — С.1628−1639.
  95. В.И., Волков В. Л. Магнитная восприимчивость вибронного полупроводника сегнетоэлектрика //ФТТ. -1979. — Т.21, № 2. — С.584 -589.
  96. В.М., Попов Б. Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках //УФН. 1978. — Т. 126, № 4. — С.23 — 28.
  97. В.И., Малиновский В. К., Стурман Б. И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках //Автометрия. 1976. — Т.4. — С.23- 28.
  98. В.И., Стурман Б. И. Фотовольтаический эффект в средах без центра инверсии //УФН. -1980. Т.130. — С.415- 458.
  99. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках. -В кн.: Проблемы современной физики. -Л., 1980. С. 275 — 293.
  100. .И., Фридкин В. М. Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии и родственные явления. -М.: Наука., 1992. 208 с.
  101. Kristoffel N., Gulbis A.V. The bulk photovoltaic effect in vibronic ferroe-lectrics //Ferroelectrics. 1980. — V.3, № 1−2. — P.5 — 6.
  102. Von Baltz R., Kraut W. Theory of the bulk photovoltaic effect in pure crystals //Phys. Rev. B. 1981. — V.23, № 10. -P.5590 -5596.
  103. Э.В., Гиршберг Я. Г., Трунов H.H. Аномальный фотовольтаический эффект в системах с электронным и фононным параметром порядка //ЖЭТФ. 1982. — Т.82, № 4. — С. 1170 -1175.250
  104. А.П. Оптика рассеивающих сред. Минск: Наука и техника, 1969.-309 с.
  105. Girshberg Ya. G., Kalimullin R.Kh., Egorov V.A., Bursian E.V. Polar ther-moelectromotive power and polar heat conductivity in ferroelectrics //Sol. State. Communs. 1985. -V.53. -P.633−636.
  106. Э.В., Гиршберг Я. Г., Калимуллин P.X., Клецкин А. В., Харио-новский Ю.С. Полярная теплопроводность в сегнетоэлектрике //ФТТ. -1985. Т.27, № 9. — С.2825−2826.
  107. П.М. О фототоке в полупроводниках без центра симметрии //Письма ЖЭТФ. 1968. — Т.7, № 9. — С.355−357.
  108. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS. -M.: Наука, 1968.-361 с.
  109. Н.Х., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. M.: Наука, 1975. — 195 с.
  110. В.В. Собственные энергетические уровни соединений AIVBVI-Кишенев: Штиинца, 1981. 284 с.
  111. М.А. Теллурид германия и его физические свойства— М.: Наука, 1986. -103 с.
  112. Lovett D. Semimetals and narrow bandgap semiconductors L.: Point. Imt., 1977.-256 p.
  113. P. Полупроводники /Перевод с английского под редакцией Н. А. Ленина. М.: Мир, 1982. — 589 с.
  114. И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-640 с.251
  115. Herman F., Kortum R.L., Otenburger I.B., van Dyke J.P. Relativistic band structure of Ge, PbTe, PbSe and PbS //J. Phys. 1968. — V.29, suppl. 11/12. -P.C4−64 — C4−77.
  116. Otenburger I.B., Rudge W.E. Band structure of the rhombohedrally distorted form of GeTe //Bull. Amer. Phys. Soc. 1973. — V18, № 3. — P.323BF8.
  117. Cohen M.L., Falicov L.M., Golin S. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors //IBM J. Res. and Develop. 1964. — V.8, № 7. — P.215 -223.
  118. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe //Phys. Rev. 1969. -V. 180, № 3. — P.823- 826.
  119. Cohen M.L., Tung Y.W. Relativistic band structure of IV-VI compounds //J. Phys. 1968. — V.29, suppl. 11/12. -P.64 — 78.
  120. Poladoglou H.M., Teodonou G., Economou N.A. Band structure of cubic and rhombohedral GeTe //Lect. Notes. Phys. 1982. — № 152. — P.221 — 225.
  121. H.B., Лев Е.Я., Сысоева Л. М. Электрические свойства и модель валентной зоны GeTe //ФТТ. 1964. — Т.6, № 3. — С.706 — 713.
  122. Levis J.E. Optical properties and energy gap of GeTe from reflectance studies//Phys. Stat. Sol. (b). 1973. — V.59, № 1.-P.367 — 377.
  123. Yamanaka S., Ogawa S., Morimoto I., Ueshima Y. Electronic structures and optical properties of GeTe and Ge2Sb2Te5 //Jap. Jour. App. Phys. Part 1. -1998.-V.37.-P.3327- 3333.
  124. Е.М., Зломанов В. П., Яценко О. Б. Фотопроводимость кристаллов PbixSnxTe, выращенных из пара //ФТП. -1978. Т.12, № 6. -С.1212−1214.
  125. .Б., Джамагидзе Ш. З., Швангирадзе P.P. Оптическая эффективная масса дырок в, а и у -GeTe //ФТП. 1981. — Т. 15, № 8. — С. 1585 -1588.
  126. Conklin J.B., Johnson L.E. and Pratt G.W. Energy Bands in PbTe //Phys. Rev. A.- 1965.-V.137.-P.1282
  127. П.И. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны ил IVt-" VIэлектронных спектров сегнетоэлектриков-полупроводников, А В //ФТТ. 1982. — Т.24, № 5. — С.1321- 1327.
  128. A.M. Электрофизические свойства поверхностей РЬТе и (PbSn)Te //ФТП. 1994. -Т.28, № 4. — С.619- 624.
  129. Г. В., Кикодзе P.O., Бродовой A.B. Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pbi.xSnxTe (х = 0,18) //ФТП. 1978. — Т12, № 6. — С.1066 — 1073.
  130. A.A., Гуриева Е. А., Ефимова Б. А., Стильбанс Л. С. Исследования твердых растворов на основе РЬТе при всестороннем давлении //ФТП. 1978.-Т12, № 6.-С.1144- 1148.
  131. В.П., Лихтер А. И., Пель Э. Г., Тананаева О. И. Электрические свойства монокристаллов PbxSnixTe при высоком давлении //ФТП. -1975. Т.9, № 7. — С.1396 -1398.
  132. .А., Рябов Л. И., Яценко О. Б., Чудинов С. М. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pb.xSnxTe с примесью In при изменении их состава под давлением //ФТП. -1979. -Т.13, № 4. С.752−759.
  133. A.A., Кайданов В. И., Мельник Р. Б. О природе примесных состояний в теллуриде свинца //ФТП. 1971. — Т.5, № 1. — С.91−95.253
  134. Г. С., Грузинов Б. Ф., Драбкин И. А., Лев Е.Я., Нельсон И. В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах Pbi. xGexTe, легированных Ga //ФТП.- 1977.-T.il, № 10.-С.1874 -1881.
  135. Е.П., Некрасов А. Н., Пелехов Д. В., Рябова Л. И., Сидоров В. И. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами //ФТП. -1994. Т.28, № 9. — С. 1626 -1635.
  136. Ю.А., Гавриленко В. И., Красильник З. Ф., Козлов И. Н., Сераго В. П., Стафеев В. И. Фотопроводимость Pb.xSnxTe (In) в миллиметровой области спектра //ФТП. -1994. Т.28, № 3. — С.533 -538.
  137. С.А., Мусихин С. Ф., Попов В. В., Прошин В. И., Шамшур Д. В. Сверхпроводящие и электрофизические свойства тонких пленок SnixGexTe: In //ФТТ. 1995. — Т.37, № 11. — С. 3366 -3373.
  138. В.И. Теория аномальной проводимости сегнетоэлектриков-полупроводников AIVBVI //ФТТ. 1984. — Т.26, № 11.- С. 3426 — 3431.
  139. Katayama S. Anomalous resistivity in structural phase transition of IV VI compound//Sol. State Communs. — 1970. — V.19. — P.381 — 383.
  140. Takaoka S., Murase K. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn) Te alloy semiconductors // Phys. Rev. B. 1979. -V.20.-P.2823 — 2333.
  141. C.A., Равич Ю. И., Прошин Т. Г., Абайдулин Т. Г. Явления переноса в твердом растворе (РЬо.78 $п0.22)о.971по.озТе в области прыжковой проводимости//ФТП. 1998. — Т.32, № 3. — С.311 -314.
  142. С.П., Воронова И. Д. Электропроводность Pb078Sn022Te и PbixGexTe «-типа в сегнетоэлектрической области //ФТТ. 1995. — Т.37, № 9. — С.2732 -2744.
  143. В.В., Лебедев А. И., Рябов Л. И. Изменение зонной структуры в PbTebxSx при фазовом переходе //ФТТ. 1993. — Т.35, № 1.- С. 169 — 172.254
  144. Е.И., Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики типа А5В6С7. М: Наука, 1982.-228 с.
  145. Yamada Y., Chihara Н. On the band structure of SbSI //J. Phys. Soc. Jap. -1966. Y.21, № 3. — P.2085 — 2086.
  146. А.Г., Никифоров И. Я. Зонная структура сегнетоэлектрика -полупроводника SbSI //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1970. — Т.34, № 12. -С.2480 — 2484.
  147. И.Я., Хасабов А. Г. Плотность электронных состояний и оптические свойства SbSI //ФТТ. -1971.-Т.13,№ 12.-С.3589 -3591.
  148. А. Основы теории фотопроводимости / Перевод на русский под редакцией С. М. Рывкина. М.: Мир, 1966. — С. 192.
  149. Fong C.Y., Petroff Y., Kohn S., Shen Y.R. Wavelength modulation spectra of SbSI and its electronic band structure //Sol. St. Comm. 1974. — V.14, № 8. — P.681- 685.
  150. Nako K., Balkanski M. Electronic band structures of SbSI in para- and ferroelectric phases //Phys. Rev. B. 1973. — V.8, № 12. — P.5759 — 5780.
  151. Alword J.F., Fong C.Y., El-Batanouny M., Wooten F. Electronic and optical properties of SbSBr, SbSI and SbSel //Sol. St. Comm. 1978. — V.25, № 5. -P.307 — 310.
  152. Д.М., Небола И. И., Берча И. В. Межцепочечные корреляции и энергетический спектр в цепочечных кристаллах //ФТТ. 1978. — Т.20, № 5. — С.1320 -1325.
  153. В.М., Герзанич Е. И., Грошик И. И., Ляховицкая В. А. Край поглощения в сегнетоэлектриках-полупроводниках SbSBr, BiSBr, SbSI //Письма ЖЭТФ. 1966. — Т.4, № 6. — С.201 — 205.255
  154. Е.И. О форме края собственного поглощения в сегнетоэлек-трике-полупроводнике SbSI //ФТТ. -1967. Т.9, № 10. — С.2995- 2986.
  155. Е.И., Борец А. Н., Ковач Д. Ш. Непрямые переходы и поглощение в средней ИК области спектра в кристаллах SbSI //Оптика и спектроскопия. 1972.-Т.32, № 6. -С.1141 — 1147.
  156. Chepur D.V., Berch D.M., Turyanica I.D., Slivka Y.Yu. Peculiarities of the energy spectrum and edge absorption in the chain compounds AVBVICVI1 //Phys. St. Sol. 1968. — V.30, № 2. -P.461 — 468.
  157. A.H., Ковач Б. П. Особенности плотности состояний в цепочечных кристаллах с простой ромбической решеткой //ФТТ. -1975. Т. 17, № 2. — С.574 — 576.
  158. Kahn А.Н., Leyendecker A.I. Electronic energy bands in strontium titanate //Phys. Rev. 1964.- V.135. — P. A1321 — A1325.
  159. Michel-Calendini F., Mesnard M.G. Structure de bande titanate de baryum dans sa phase cubique // Phys. St. Sol. (b). 1971. — V.44. — P. K117 — K121.
  160. Michel-Calendini F., Mesnard M.G. Band structure and optical properties of tetragonal BaTi03 //J. Phys. C. 1973. — V.6. — P. 1709 — 1722.
  161. Gawiller Ch. Eintlub des electrischen fields auf die fundamentale absorptionskate von Bariumtitanat //Phys. Kond. Materie. 1967. — V.6. — P.269 -289.
  162. Kala Т. Electronic properties of Pb (ZrTi)03 solid solutions //Phase. Transit.
  163. B.-1991.-V.36, № 1- 4. P.65 — 88.
  164. С.А., Тарасевич Ю. Ю., Тесленко H.M. Электронное строение цирконата и титаната свинца //Укр. физ. Ж 1992. — Т.37, № 5.1. C.712 716.256
  165. Douillard L., Jollet F., Bellin C., Gautier M., Duraud J. P. The electronic structure of KNb03: an XPS and XAS study //J. Phys.: Condens. Mater. -1994. V.6, № 27. — P.5039 — 5052.
  166. China W. Y., Gu Zong-Quan, Xu Yong-Nian. First-principles calculation of the electronic and optical properties of LiNb03 //Phys. Rev. B. 1994. -V.50, № 3.-P.1992- 1995.
  167. Horie Т., Kawabe K., Sawada S. Optical behaviours of multidomain single crystal of BaTi03 in dependence of temperature //J. Phys. Soc. Japan.1954. V.9.-P.823- 825.
  168. Horie Т., Kawabe K., Tachiki M., Sawada S. Thermal transition of transparency in ferroelectric single crystal of barium titanate //J. Phys. Soc. Japan.1955.-V.10.-P.541 549.
  169. К.А., Фридкин B.M. Об аномальном температурном сдвиге края собственного поглощения монокристаллов ВаТЮ3 в области фазового перехода //ФТТ. 1966. — Т.8, № 6 — С. 1620 — 1621.
  170. М.А., Рабкин J1.M., Коневская Д. С., Фесенко Е. Г. Оптические свойства монокристаллического PbTi03 в области края собственного поглощения //Кристаллография. 1974. — Т. 19, № 4. — С.873 — 877.
  171. В.Н., Бурсиан Э. В., Гиршберг Я. Г. Проводимость, термо-эдс и поглощение света монокристаллами NaNb03 //Сб. Полуметаллы и сег-нетоэлектрики. Л.:ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1977. С. 21 — 25.
  172. Н.П., Малицкая М. А., Проскопало О. М., Смотроков В. Г., Фесенко Е. Г. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость монокристаллов KNb03 и NaNb03 //ФТТ. 1977. — Т. 19, № 2. — С.492 -494.
  173. В.Н., Зайковский О. И. Оптическое поглощение сегнетоэлек-трических твердых растворов. I. Форма края основного поглощения257
  174. Сб. Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. Л.:ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1979.-С.66 -70.
  175. В.Н., Бирке Э. Х. Оптическое поглощение сегнетоэлектриче-ских твердых растворов. II. Ширина запрещенной зоны и температура перехода //Сб. Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. Л.:ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1979. С. 73 — 76.
  176. С.И., Данишевский A.M., Субашиев В. К. Исследование характера краевого поглощения в кислородно октаэдрических сегнетоэлектриках методом двухфотонной спектроскопии //ФТТ. — 1984. — Т.26, № 1. — С.179 -186.
  177. В.Н., Зайковский О. И. Ширина запрещенной зоны твердых растворов на основе титаната бария //Межзонная модель сегнетоэлек-трика: Межвузовский сб. научных трудов. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герце-на.1987. -С.153 155.
  178. Capissi М., Frova A. Optical gap of strontium titanate.(Deviation from Urbach tail behavior) //Phys. Rev. Lett. 1970. — V.25. — P. 1298 — 1305.
  179. Cohen M.I., Blunt R.F. Optical properties of SrTi03 in the region of the absorption edge // Phys. Rev. -1968. -V.168. P.929 — 933.
  180. Frova A. The absorption edge of КТаОз and its dependence on electric fields //Nuovo Cimento. 1968. — V.55B, № 1. -P.l — 14.
  181. Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Ruzhnikov A.V. The correlation between optical absorption spectra, carrier mobility and phase transition temperature in some ferroelectrics. Phys. Stat. Sol.(b). 1976. — V.74, № 4. — P.689.
  182. Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Grushevskiy Y.A. The mobility anisotropy in tetragonal ВаТЮз in small polaron model //Ferroelectrics. 1973. — V.6. -P.53 — 55.258
  183. А.В. Фотовольтаическая константа в ряде сегнетоэлектриков // Сб. Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. Л.:ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1979. С. 49 — 51.
  184. А.В., Рождественская М. В. Электропроводность и спектры оптического поглощения проводящих кристаллов //Сб. Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. Л.:ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1983. -С.56 60.
  185. Э.В., Гиршберг Я. Г., Трунов Н. Н. Локализация носителей и фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках //Сб. Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. Л.:ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1979. С. 43 — 46.
  186. Sawada Y., Burstein Е., Carter D.L., Testardi L. Magneto-optical study of PbTe at microwave frequencies. Plasma effects in solids Dunod. Paris, 1964.-P.71.
  187. Cochran W., Cowley R.A., Dolling G., Eicomb M.M. The crystal dynamics of lead telluride //Proc. Roy. Soc. 1966. — V. A293. — P.433 — 451.
  188. Powley G.S., Cochran W., Cowley R.A., Dolling G. Diotomic ferroelectrics //Phys. Rev. Lett.- 1966. -V.17. -P.753 -755.
  189. Powley G.S. Evidence of ferroelectricity in IV-VI compounds //J. Phys. -1968. V.29, № 11/12. — P. C4−145 — C4−150.
  190. Goldak J., Barret C.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe //J. Chem. phys. 1966. — V.41. — P.3323 — 3325.
  191. Iizumi M., Hamaguchi D.F., Kamatsubara S., Kato Y. Phase transition in SnTe with low carrier concentration //J. Phya. Soc. Jap. 1975. — V.38. -P.443 — 449.
  192. Akiko Natori. Displacive phase transition in narrow-gap semiconductors //J. Phys. Soc. Jap. 1976. — V.40, № 1. — P. 163−171.259
  193. Sugai M., Murase К., Katayama S., Takaoka S., Kawamura H. Carrier density dependence of soft TO-phonon in SnTe by Raman scattering //Sol. State. Communs. 1977. — V.24. — P.407 — 409.
  194. E.B. Четный по полю ток в одноосных сегнетоэлектриках: Автореферат канд. дисс. Ростов-на-Дону, 1996. — 23 с.
  195. Foley G.M.T., Langenberg D.N. Room temperature static lattice dielectric constant of lead telluride by a microwave cavity-perturbation technique //Sol. State Communs. 1976. — V.18. -P.351 — 353.
  196. Bate R.T., Garter D.L., Wrobel J.S. Paraelectric behavior of PbTe //Phys. Rev. Lett. 1970. — V.25, № 3. — P. 159 — 162.
  197. Kinch M.A., Buss D.D. Far IR determination of the transverse optic lattice mode in PbTe at low temperature //Sol. State Communs. 1972. -V.il.-P.319 — 322.
  198. Muldawer L. New studies of the low temperature transformation in SnTe //J. Nonmetals. 1973. -№ 1. -P.177 — 182.
  199. Ю.А., Прозоровский В. Д., Харионовский Ю. С. Фазовый переход в Pb bxSnxTe //ФТП. 1975. -Т.9, № 8. — С.1612 -1613.
  200. Takano S., Hatta S., Kawamura H., Kato Y., Kaboyashi K.L.I., Komatsubara K.F. Studies of dielectric properties and band parameters of n-Pbi.xSnxTe by magneto-plasma waves //J. Phys. Soc. Jap. 1974. — V.37, № 4. — P. 10 071 015.
  201. Kawamura H., Murase K, Nishikawa S., Nishi S., Katayama S. Dielectric constant and soft mode of PbixSnxTe by magnitoplasma reflection //Sol. State. Comm. 1975.-V. 17, № 3.-P.341 -344.
  202. P.A. Связь температуры фазового перехода в узкощельных сегнетоэлектриках-полупроводниках PbixSnxTe с параметрами элек260тронного спектра вблизи инверсии зон: Автореферат кан. дисс. Ленинград, 1983. — 15 с.
  203. B.C., Кучеренко И. В. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов PbixSnxTe (х = 0,25) //ФТТ. 1991. — Т. ЗЗ, № 9 — С. 2572 — 2578.
  204. Dolling G., Buyers W.J.L. Soft modes and Landau transitions in Pbi. xSnxTe alloys //J. Nonmetals. 1973. -V.l. — P. 159 — 164.
  205. Kawamura H. Electron-phonon interaction induced phase transition in IV-VI compounds //Physics of narrow gap semiconductors. Proceed, of the third Int. Conf. Warszawa, 1978. — P.7 — 24.
  206. А.И., Случинская И. А. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические переходы в Pb, xSxTe и PbixGexTe //ФТТ. 1993. -Т.35, № 3. — С.629 — 635.
  207. А.И., Случинская И. А., Демин В. Н., Манро И. Нецентральность примесных атомов РЬ и Sn, индуцированная сильным локальным напряжением в решетке GeTe //ЖЭТФ. 1996. — Т.63, № 8. — С.601 — 604.
  208. А.И., Случинская И. А., Демин В. Н., Манро И. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe //Изв. РАН. Сер. физ. 1996. — Т.60, № 10. — С.46 — 52.
  209. А.П., Осипов В. В., Сигов А. С., Собянин А. А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов //ЖЭТФ. 1979. — Т.76, № 1. — С.345 -368.
  210. Alperin Н.А., Pickart S.J. Softening of the transverse optic mode in PbTe //Phys. Lett. 1972. — V.40A. — P.295 — 297.
  211. Ueda S., Tatsusaki I., Schinodo J. Change in the dielectric constant of SbSI caused by illumination //Phys. Rev. Lett 1967. — V. l8. — P.453 — 454.261
  212. .П., Григас И. П., Беляцкас Р. П. Температурный гистерезис фазового перехода в сульфоиодате сурьмы //ФТТ. 1967. — Т.9, № 5 -С.1532- 1534.
  213. JI.M., Грошик И. И., Ляховицкая В. А., Носов В. Н., Фридкин В. М. Фоточувствительный фазовый переход в сегнетоэлектрике-полупроводнике SbSI //Письма в ЖЭТФ. 1967. — Т.6. — С.481 — 484.
  214. А.И. Влияние поляризации и освещения на сдвиг точки Кюри в SbSI //Сегнетоэлектрики и диэлектрики: Сб. научных трудов. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1967. — С.27 — 29.
  215. И.И., Ионов П. В., Фридкин В. М. Сдвиг температуры Кюри в сегнетоэлектрике-полупроводнике, обусловленный освещением и неравновесными носителями //ФТП. 1968. — Т.2, № 11. — С.1630 — 1635.
  216. А.Ю., Сухинский А. Н., Осипов Р. В. Фото диэлектрический эффект кристаллов SbSI //ФТТ. 1968. -Т.10, № 5. — С.1577 -1580.
  217. Kreher К. Screening of the local fields in SbSI and lowering of the Curie temperature //Phys. Lett. 1969. — V. A30. — P.384 — 385.
  218. Волк T. i, Греков A.A., Косоногов H.A., Родин А. И., Фридкин В. М. Фо-топроводность и фотосегнетоэлектрические явления в ВаТЮ3 //Кристаллография. 1971. — № 16. — С.241- 243.
  219. Т.Р., Греков А. А., Косоногов Н. А., Фридкин В. М. Влияние освещения на доменную структуру и температуру Кюри в ВаТЮ3 //ФТТ. -1972. Т. 14, № 11. — С.3214 — 3218.
  220. Fridkin V.M., Grekov A.A., Kosonogov N.A. and Volk T.R. Photodomain effect in ВаТЮ3 //Ferroelectrics. 1972. — Y.4, № 1−3. — P.169−175.
  221. Fridkin V.M., Grekov A.A., Kosonogov N.A., Proskuryakov B.F. and Volk T.R. The influence of nonequilibrium carriers on the BaTi03 domain structure //Ferroelectrics. 1974. — V.8, № 1−2. — P.429 — 432.262
  222. Н.А. Фотодоменный эффект и фотопереключение в сегнето-электрике ВаТЮз и ферроэластике Sb507I.: Автореферат канд. дис. -Ростов-на-Дону, 1983. 24 с.
  223. И.П., Малицкая М. А., Прокопало О. И., Смотраков В. Г., Фе-сенко Е.Г., Цихоцкий Е. С. Фотосегнетоэлектрические явления в ниоба-те натрия //ФТТ. 1977. — Т. 19, № 7. — С.2033 — 2035.
  224. И.П., Малицкая М. А., Прокопало О. И., Смотроков В. Г., Фе-сенко Е.Г. Аномалии электрических и фотоэлектрических свойств NaNbC>3 в области сегнето-антисегнетоэлектрического фазового перехода //ФТТ. 1979. — Т.21, № 4. — С.1232 — 1234.
  225. А.А., Родин А. И., Фридкин В. М. Метостабильная оптическая перезарядка и «замороженный» сдвиг температуры Кюри в сегнето-электрике полупроводнике //ФТТ. — 1970.- Т.12, № 12. — С. 3643−3644.
  226. Bube R. Opto-electronic properties of Mercuric Iodide //Phys. Rev. Let. -1980.-V.106.-P.703 -708.
  227. T.P., Тихомирова И. А., Туряница И. Д., Фридкин В. М. Влияние неравновесных носителей на фазовый переход Hgl2 //ФТТ. 1970. -Т.12, № 12.-С.3645 — 3646.
  228. Fridkin V.M., Nitsche R., Korchagina N.A., Kosonogov N.A., Magomadov R.M., Rodin A.I. and Verchovskaya K.A. Photoferroelastic Phenomena in Sb507I Crystals //Phys. Stat. Sol.(a). 1979. — V.54, № 1. -P.231 — 237.
  229. Fridkin V.M., Korchagina N.A., Kosonogov N.A., Magomadov R.M., Rodin A.I., Pogach E.D., Verchovskaya K.A. and Nitsche R. The photorefractive effect in ferroelastic Sb507I Crystals //Ferroelectrics. 1981. — V.31, № 1−2. -P.15−17.263
  230. .П., Валюканас В. И. Связь между фотопроводимостью, фото-э.д.с. и фотодиэлектрическим эффектом в Sb2Se3 //Литовский физический сб. 1980. — Т.20, № 1. — С.55 — 59.
  231. Голенищев-Кутузов A.B., Калимулин Р. И. Фотоиндуцированные домены в ниобате лития //ФТТ. 1998. — Т.40, № 3. — С.531 — 533.
  232. Е.И., Фридкин В. М. Оптическое наблюдение фазового перехода в SbSI вблизи критической точки Кюри //Письма ЖЭТФ. 1968. -Т.8,№ 10.-С.553 — 556.
  233. Н.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. М.: Наука, 1989.-280 с.
  234. Шен И. Р. Принципы нелинейной оптики / Перевод с англ. под редакцией С. А. Ахманова. М.:Наука, 1989. — 560 с.
  235. Н. Нелинейная оптика / Перевод с англ. под редакцией С. А. Ахманова и Р. В. Хохлова. М.: Мир, 1966. — 424 с.
  236. С. Молекулярная нелинейная оптика / Перевод с польск. под редакцией И. Л. Фабелинского-М.: Наука, 1981. 672 с.
  237. Ф., Мидвинтер Дж. Прикладная нелинейная оптика / Перевод с англ. под редакцией С. А. Ахманова. М. Мир, 1976. — 264 с.
  238. В.Н., Прохоров A.M. Теория распространения мощного лазерного излучения в нелинейной среде //УФН. 1973. — T.lll. — С.203 -247.
  239. Г. А. Эффект самофокусировки //УФН. 1973. — Т. 111. — С.249 — 260.
  240. В.Л., Кухтарев Н. В., Одулов С. Г., Соскин М. С. Динамическая самодифракция когерентных световых пучков //УФН. 1979. — Т. 129. -С.114−137.264
  241. Н.Н., Ващенко Н. Д., Гладун В. П., ЛеКлэр С.Р., Джексон А. Г. Прогнозирование неорганических соединений, перспективных для поиска новых электрооптических материалов //Перспективные материалы. 1998. — № 3. — С.28 — 32.
  242. Ю.Н., Политова Е. Д., Иванов С. А. Сегнето- и антисегнето-электрики семейства титаната бария. М.:Химия, 1985. — 256 с.
  243. Э.М., Белабаев К. Г., Одулов С. Г. Поляризационно-анизотропное светоиндуцированное рассеяние в кристаллах LiNb03: Fe //ФТТ. 1983. -Т.25, № 11. — С.3274 — 3281.
  244. Kanaev I., Malinovski V., Sturman В. Investigation of photoinduced scattering in LiNb03 crystals //Opt. Communs. 1980. — V.34. — P.95 — 98.
  245. O.B., Леманов B.B., Сухарев Б. В. Асимметричное фотоинду-цированное рассеяние света в кристаллах LiNb03:Fe //ФТТ. 1986. -Т.28, № 3. — С.762 — 766.
  246. Т.Р., Гинзберг А. В., Ковалевич В. И., Шувалов Л. А. Электрические поля при фоторефракции в кристаллах LiNb03:Fe //Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1977.-Т.41, № 4. С. 783 — 787.
  247. Kovalevich V.I., Shuvalov L.A., Volk T.R. Spontaneous polarization reversal and photorefractive effect in singledomain Iron-doped Lithium Niobate crystals //Phys. Stat. Sol.(a). 1978. — V.45, N1. -P.249 — 252.
  248. K.K. Взаимосвязь фоторефрактивного и электрооптического эффектов в кристаллах ниобата лития //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1977. -Т.41, № 4. — С.788 — 791.
  249. Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития М.: Наука, 1987. — 264 с.
  250. Chanussot G. Physical models for the photoferroelectrics phenomena //Ferroelectrics. 1978. — V.20. -P.37 — 50.265
  251. JI.A., Волк Т.Р.// Эффект фоторефракции в сегнетоэлектриче-ских кристаллах: Сб. научн. тр. Калинин, 1978. — С.31.
  252. И.Ф., Суровцев Н. В. Модель анизотропного распределения интенсивности фотоиндуцированного рассеяния света в LiNb03 //ФТТ. -1994.-Т.36, № 8.- С.2175 2184.
  253. Staebler D.L., Amodei I.I. Thermally fixed holograms in LiNb03 //Ferroelectrics. 1972. — V.3. — P. 107 — 113.
  254. Amodei I.I., Staebler D.L. Holographic pattern fixing in electro- optic crystals //Appl. Phys. Lett. 1971. — V. 18, № 12. — P.540 — 542.
  255. Glass A.M., von der Linde P., Negren T.I. Highvoltage bulla photovoltaic effect and the photorefractive process in LiNb03//Appl. Phys. Lett.- 1974.- V.25, № 4. P.233 — 235.
  256. Chen F.S. Optically induced change of refractive indices in LiNb03 and LiTa03 //J. Appl. phys. 1969. — V.40. -P.3389 — 3394.
  257. Johnston W.D. Optical index damage in LiNb03 and other pyroelectric insulators //J. Appl. Phys. 1970. — V.41, № 8. — P.3279 — 3285.
  258. А.П., Осипов B.B. К теории оптического искажения в сегнето-и пироэлектриках //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. — Т.39, № 4. — С.686- 689.
  259. А.П., Осипов В. В. К теории фотоиндуцированного изменения показателя преломления //ФТТ. 1975. — Т.17, № 12. — С.3595 — 3598.
  260. А.П., Осипов В. В. Механизмы фоторефрактивного эффекта //Изв. АН СССР. Сер. физ. -1977. Т.41, № 4. — С.752 — 756.
  261. DeruginaN. I., KashirinaN. I. Autolocalized states in lithiun niobate singletcrystals //Int. Symp. Surface Wav. Solid and Layer. Struct, and Nat. Conf. Acoustoelectron. Proc.-St. Petersburg. 1995. C.496 — 500.266
  262. Serrese H.B., Goldnev R.B. Study of the wavelength dependence of optically induced birefrigence change in undoped LiNb03 //Appl. Phys. Lett. -1973. V.22, № 12. -P.626 — 627.
  263. Chen F.S. A laser-induced inhomogenety of refrective indiced in KTN//J. Appl. Phys. -1967. -V.38, № 8. P.3418 -3420.
  264. Glass A.M., Auston J. Excite state dipole moments of inpurities in polar crystals //J.Opt.Commus. 1972. -V.5, № 1. -P.45 — 47.
  265. И.Ф., Малиновский В. К. Механизм оптического повреждения электрооптических кристаллов //ФТТ. 1974. — Т. 16, № 12. — С.3694 -3696.
  266. И.Б., Маренников С. И., Пестряков Е. В., Энтин Н. В. Исследование импульсной голографической записи в монокристаллах с примесью Fe //Автометрия. 1976. — № 4. — С. 18 — 22.
  267. И.Б., Маренников С. И., Пестряков Е. В., Энтин Н. В. Оптическое искажение в ниобате лития с примесью железа, индуцированное импульсным лазером //Изв. АН СССР. Сер. физ. -1977. Т.41, № 4. — С.748- 751.
  268. И.Ф., Малиновский В. К. Фотогальванический и фоторефрак-тивный эффекты в кристаллах ниобата лития //ФТТ. 1982. — Т.24, № 7.- С.2149 2158.
  269. Э.П., Лебедева Е. Л., Молдавская В. М. Импульсная фото-э.д.с. в примесных кристаллах ниобата лития при высоких уровнях возбуждения //ФТТ. 1968. — Т.28, № 8. — С.2572 — 2574.
  270. А.С., Пашков В. А., Соловьева Н. М. Исследование наведенной неоднородности показателя преломления в кристалле LiNb03 под действием лазерного излучения: Тез. докл. VI Всесоюзн. конф. по нелинейной оптике. Минск, 1972. — С.53 — 54.267
  271. Isida A., Mikami D., Niyasawa S., Sumi M. Rh-doped LiNbOs as an improved new material for reversible holographic storage //Appl. Phys. Lett. 1972. — V.21, № 5. -P.192 -192.
  272. Л.И., Кузьминов Ю. С., Осико B.B. Электропроводность монокристаллов LiNb03 //Изв. АН СССР. Неогр. матер. 1971. — № 8. -С.1377 — 1381.
  273. Bollman W. The origin of photoelectrons and the concentration of point defects in LiNb03 crystals //Phys. St. Sol.(a). 1977. — Y.40, № 1. — P.83 -91.
  274. Ю.Н. Состояние и перспективы голографии с записью в трехмерных средах //Вестник АН СССР. 1978. — № 12. — С.50 — 64.
  275. Д.И., Сидорович В. Г. Об эффективности преобразования световых пучков с помощью динамических объемных фазовых голограмм //ЖТФ. 1974. -Т.44, № 3. — С.580−587.
  276. И.Ф., Малиновский В. К., Стурман Б. И. Эффект индуцированного отражения и преломления в электрооптических кристаллах //ЖЭТФ. 1978. — Т.74, № 5. — С.1599 — 1604.
  277. А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение твердых тел //УФН.- 1986. -Т.148, № 1.-С.179 211.
  278. В.Н. Пробой широкозонных диэлектриков импульсным лазерным излучением средней ИК области спектра.: Автореферат док. дисс. -С.-Петербург, 1996. 36 с.
  279. .Б., Рудяк В. М., Шабалин А. Л. Влияние примесей металлов на оптические и электрооптические свойства монокристаллов LiNbOs //Изв. РАН. Сер. физ. 1993. — Т.58, № 3. — С.115 — 119.
  280. С.М., Канаев И. Ф., Малиновский В. К., Новомлинцев А. В., Пугачев A.M. Светоиндуцированное давление и фотовольтаический эф268фект в кристаллах ниобата лития //Изв. РАН. Сер. физ. 1995. — Т.59, № 9. — С.41 — 47.
  281. Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C., Прохоров A.M., Хаи-мов Мальков В.Я. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением //ЖЭТФ. — 1972. — Т.63, № 3(9). — С.1030 — 1035.
  282. Г. В., Епифанов A.C., Маненков A.A., Прохоров A.M. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонных диэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов // ЖЭТФ. 1980. — Т.79, № 6(12). — С.2355 — 2363.
  283. .Г., Даниленко Ю. К., Маненков A.A., Прохоров A.M., Сидо-рин A.B. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелоч-но галоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм. //Квантовая электроника. — 1981. — Т.8, № 1. — С.148 — 154.
  284. И.В., Анисимов С. И., Бонч-Бруевич A.M., Имас Я. А., Комолов B.JI. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности //ЖЭТФ. 1976. -Т.70, № 4. -С. 1214 — 1224.
  285. П.С., Косенко Е. К., Лукошюс И. П., Малдутис Э. К. Исследование влияния ВРБМ на объемное разрушение оптических стекол //Квантовая электроника. 1978. — Т.5. — С.2032 — 2035.
  286. Ю.К. Статистические закономерности лазерного разрушения //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1982. — Т.46, № 6. — С. 1119 — 1126.269
  287. Г. М., Наумов B.C., Пашков В. А., Сидорюк O.E., Скворцов Л. А. Особенности лазерного повреждения сегнетоэлектрических кристаллов //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1982. — Т.46, № 6. — С. 1135 — 1140.
  288. И.И., Быковский Ю. А., Гридин В. А., Елесин В. Ф., Зысин Я. Ю., Ларкин А. И., Фурманов В. А. Роль самофокусировки в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением //ЖЭТФ. 1975. -Т.68, № 2.-С.562 — 567.
  289. Л.Б., Ефимов О. М. Исследование закономерностей и механизм собственного пробоя стекол //Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1985. Т.49, № 6.-С. 1140 — 1145.
  290. А.П., Блистанов A.A., Пашков В. А. Анизотропия лучевой прочности кристаллов ниобата лития //ФТТ. 1978. — Т.20, № 8. -С.2517 — 2519.
  291. Koch W.T.H., Munser R., Ruppel W., Wurfer P. Bulk photovoltaic effect in BaTi03 //Sol. St. Communs. 1975. — V.17, № 7. -P.847 — 850.
  292. Э.В., Гиршберг Я. Г., Егоров В. А., Калимуллин Р. Х. Переход сегнетоэлектрика в состояние с магнитным моментом во внешнем электромагнитном поле //Письма в ЖЭТФ. 1983. — Т.37, № 11. — С.520 -522.
  293. В.М., Попов Б. Н., Ионов П. В. Температурная и спектральная зависимость фотовольтаического тока в сегнетоэлектриках //Изв. АН СССР. Сер. физ 1977. — Т.41. — С.771 — 774.
  294. Н.С., Хеннебергер Ф. Циркулярный фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах, обусловленный электрон-фононным взаимодействием //ФТТ. 1982. — Т.24, № 4. — С.1124 — 1128.270
  295. Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Trunov N.N. Bulk photovoltaic effect in fer-roelectrics and the localization of charge carriers.// 4-th European Meeting on Ferroelectricity. Portoroz. Yugaslavia. 1979. Abstract. -P.97.
  296. Ф., Вольф П. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. М.: Мир, 1975. — 436 с.
  297. В.М., Иноземцев В. А. Геликоны в висмуте, легированном теллуром //Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб. научных трудов. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1976. — С. ЗЗ — 36.
  298. Р. Плазма в твердых телах // Над чем думают физики. Физика твердого тела. М.: Наука, 1972. — № 3. — С. З -14.
  299. С.В., Бурсиан Э. В., Гиршберг Я. Г. Измерение решеточной диэлектрической проницаемости РЬТе методом магнитоплазменных волн при температуре 77К//ФТТ.-1977. -Т.19,№ 4,-С.1163 1164.
  300. Hohnke D.K., Holloway Н., Kaiser S. Phase relations and transformations in system PbTe GeTe //J. Phys. Chem. Solids. — 1972. — V.33. — P.2053 -2062.
  301. Murase K., Sugai S., Takaoka S. Study on the phase transition of IV-VI compound alloy semiconductors // Phys. Semicond., Proc. 13th Int. Conf., Roma: 1976. -P.305 -308.
  302. Murase K., Sugnai S. Raman scattering from soft TO-phonon in IV-VI compound semiconductors //Sol. State. Communs. 1979. — V.32. — P. 127 131.
  303. Antcliffe G.A., Bate R.T., Buss D.D. On the ferroelectric nature of the cubic rhombohedral phase transition in PbixGexTe //Sol. State Communs. — 1973. -V.13.-P.1003 — 1006.
  304. Maslov V.V., Baryshnikov S.V., Copelevich Ya.V. Potostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor //Ferroelectrics. 1982.-V.45.-P.51 -54.
  305. Katayama S., Murase K. Role of local displacement of Ge ions on structural instability in PbixGexTe //Sol. State Communs. 1980. — V.36. — P.707−712.
  306. Sugimoto N., Matsuda Т., Hatta I. Specific heat capacity of PbixGexTe at their structural phase transitions //J. Phys. Soc. Jap.-1981. V.50. — P. 1555 -1559.
  307. Yantsch W., Mitter H., Lopez-Otero A. Anomales of static dielectric constant of PbbxGexTe //Z. Phys. B. Condensed Matter. 1981. — V.41. -P.287- 290.
  308. С.В., Ланкин С. В. Температурный ход диэлектрической проницаемости Pbo^sGeo^Te, легированного Ga //Известия вузов. Физика. -Томск, 1988. 5 с. — Деп. ВИНИТИ 12.05.1988, N3661-B88.
  309. А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. -М.: Физматгиз, 1963. 322 с.
  310. С.В. Диэлектрическая проницаемость гетерогенных систем, обладающих проводимостью //Вестник Амурского научного цен272тра. Физика, химия, материаловедение. Благовещенск: АмурНЦ ДВО РАН, 1997-сер.2. -вып.1. -С.33 -37.
  311. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977.-448 с.
  312. П.М. О фототоке в полупроводнике без центра симметрии //Письма в ЖЭТФ.-1968. -Т.7, № 9.-С.357 359.
  313. A.A., Богомолов В. Н. Камера высокого давления //ПТЭ. -1961. -№ 6.-С. 147- 149.
  314. Г. А., Лопаткин В. М., Селезнев В. Е. Методика измерения термо-эдс и удельного сопротивления в интервале температур 77−300 К в камере фиксированного давления //Полуметаллы и полупроводники: Сб. науч. трудов. Л: ЛГПИ, 1975. — С.79 — 82.
  315. Э.В., Егоров В. А., Калимулин Р. Х., Гиршберг Я. Г. Метод определения направления спонтанной поляризации и регистрации процессов переключения в узкощельных сегнетоэлектриках //Изв. АН СССР. Сер. физ.-1984.-Т.48, № 6.-С.1120 1122.
  316. C.B., Баранов А. Ф. Акустогальванический эффект в сег-нетоэлектрике GeTe: Тезисы докладов школы-семинара. Физика и химия твердого тела. Благовещенск, 1988. — С.85 — 86.
  317. C.B. Акустогальванический эффект в сегнетоэлектрике-полупроводнике GeTe: Тез. докладов Всесоюзной конференции. Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов. Александров, 1990.-С.85.273
  318. Бонч-Бруевич В.Д., Калашников С. Г. Физика полупроводников- М.: Наука, 1977.-С.672.
  319. Е.Г., Фельдман Н. Б. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Советское радио, 1971. — С.198.
  320. В.А., Сысоева Л. М. Влияние механических напряжений и градиента температуры на электрофизические свойства GeTe //Межзонная модель сегнетоэлектрика: Межвузовский сборник научных трудов. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1987. — С. 133 — 140.
  321. А.Р., Глазов В. М. Физические свойства электронных расплавов. -М.: Наука, 1980.-С.268.
  322. C.B., Бурсиан Э. В., Трунов H.H. Сверхвысокочастотный метод исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков вблизи фазового перехода //ПТЭ. -1977.-N3. С. 165 — 167.
  323. Э.В., Маслов В. В., Барышников С.В, Ляховицкая В. А., Гирш-берг Я. Г. Изменение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны //Изв. АН СССР. Сер. физ.-1983. Т.47, N4. — С.746 — 749.
  324. Э.В., Маслов В. В., Гиршберг Я. Г., Барышников С.В.Изменение параметров сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны //ФТТ. 1983. — Т.25, N3. — С.751 — 757.
  325. А.И., Хмельницкий Д. Е. О слоистой структуре в сегнетоэлек-триках -полупроводниках //ЖЭТФ. 1968. — Т.55, № 6(12). — С.2345 -2354.
  326. C.B., Бурсиан Э. В., Гиршберг Я. Г., Маслов В. В., Ляховицкая В. А. Переход сегнетоэлектрика в состояние с периодической структурой в интенсивном электромагнитном поле //ФТТ. 1984. -Т.26, № 6. — С. 1872 — 1874.274
  327. Girshberg Ya.G., Bursian E.V., Trunov N.N. Nonequilibrium modulated structures in ferroelectrics in a strong external field //Ferroelectrics. 1981. -V.36, № 1−4, — P.305 — 308.
  328. Я.Г., Трунов H.H. Фононная неустойчивость полупроводника в поле сильной электромагнитной волны //ФТТ. 1982. — Т.24, № 1. -С.179- 186.
  329. В.Г., Суханов А. А. Новые типы неустойчивости при неравновесном возбуждении сверхпроводника //Письма ЖЭТФ- 1975. Т.21, № 4. -С.209 — 212.
  330. В.Ф., Копаев В.В, Копаев Ю. В. К теории неравновесных фазовых переходов //ЖЭТФ. -1976. -Т.71, № 2. С. 714 — 726.
  331. В.Г., Греков Е. В., Суханов А. А. Неустойчивость однородного состояния и образование электронно дырочных капель в магнитном полупроводнике при освещении //ФТТ. — 1975. — Т. 17, № 3. — С.948.
  332. Э.В., Балл А. Б., Трунов Н. Н. Неустойчивые модулированные структуры вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода //ФТТ. -1977.-Т. 19, № 6,-С. 1890 1892.
  333. Р.Ф. Периодическая доменная структура с чередованием фаз вблизи фазового перехода в фотосегнетоэлектриках //Изв. РАН. Сер. физ- 1996. Т.60, № 10. — С. 130 — 133.
  334. Borodina V.A. Formation of a periodic domain structure in a-domain ВаТЮз cryctals under the influence of an electric field //Ferroelectrics. -1990.-V.111.-P.277 281.
  335. Бородин B.3., Садыков C.A., Экнадиосянц Е. И., Агаларов А. Ш., Пинская А. Н. Возникновение периодических доменных структур под влиянием коротких импульсов электрического поля //Изв. РАН. Сер. физ. -1993.-Т.57, № 3. С. 66 — 69.275
  336. И.В. Поглощение и преломление интенсивной электромагнитной волны сегнетоэлектрическим кристаллом (BaTi03, РЬТЮз): Автореферат кан. дисс. С.-Петербург, 1992. — 16 с.
  337. Я.Г., Трунов H.H. Токовое состояние полупроводников в поле сильной электромагнитной волны //ФТТ. 1982. — Т.24, № 10. — С.2905 -2911.
  338. C.B., Маслов В. В., Косолапов И. В., Бурсиан Э. В., Гирш-берг Я.Г. Немонотонная зависимость поглощения света в кристаллах ВаТЮз и РЬТЮз от интенсивности //ФТТ. 1989. — Т.31, № 2. — С.283 -285.
  339. Бонч-Бруевич A.M., Ходовой В. А. Многофотонные процессы //УФН. -1965. Т.85, № 1. — С. З- 64.
  340. Я.Г., Бурсиан Э. В. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках как результат межзонного электрон-фононного взаимодействия //Сегнетоэлектрики: Сб. научн. трудов. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1978.-С.8−30.
  341. Kittel С. Antiferroelectric crystal theory //Phys. Rev. 1951. — V.82. — P.729 — 733.
  342. В.В., Рахманкулов P.M., У дал ob Ю.П., Ружников A.B., Бурсиан Э. В. Аномальная зависимость температуры фазового перехода от давления в слоистом сегнетоэлектрике Sr2Ta207//ФТТ. 1981. — Т.23. -С.3449 — 3450.
  343. В.В., Барышников C.B., Ружников A.B., Рахманкулов P.M. Влияние давления на температуру перехода и край оптического поглощения в Sr2Ta207 //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. — Т.47, № 4. — С.736 -737.276
  344. М.М., Герловин И. Л. Электронное строение и физические свойства кристаллов М.: Наука, 1975. — 201с.
  345. Manzke R., Campagna M. Study of the Bubbles in Al electron energy loss spectroscopy //Sol. St. Comm. 1981. — V.39, № 2. -P.313 — 317.
  346. Palmer D.W. From Idea to Application (Some Selected Nuclear Techniques in Research and Development). International Atomic Energy Agency, Vienna.-1979.-420 c.
  347. A.B. Изучение влияния внедренного гелия на физико-химические свойства твердого тела. Деп. ВИНИТИ, 13 904−78. 1978. -81 с.
  348. В.В., Орлов А. Н. Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах //УФН. 1984. — Т. 142, № 2. — С.219 — 264.
  349. В.В., Кислицин С. Б. Моделирование миграции гелия в металле с ОЦК решеткой под облучением. //ЭВМ и моделирование дефектов в кристаллах: Тематический сборник. Ленинград, 1982. -С.106−108.
  350. A.B. Модельные представления направленного изменения свойств твердого тела введением в него атомов инертного газа: Тезисы Дальневосточной школы-семинара по физике и химии твердого тела-Благовещенск, 1985. С. 17 — 19.
  351. C.B., Бурсиан Э. В., Казаков В. В. Влияние внедренного гелия на фазовые переходы в сегнетоэлектриках типа смещения: Тезисы Дальневосточной школы-семинара по физике и химии твердого тела. -Благовещенск, 1985. С. 49.
  352. C.B., Бурсиан Э. В., Казаков В. В. Влияние внедренного гелия на фазовый переход в некоторых сегнетоэлектриках //Известия277вузов. Физика. Томск, 1984. — 5 с. — Деп. ВИНИТИ. 13.03.1984, N132−84. — 5 с.
  353. С.В., Бурсиан Э. В., Казаков В. В. Влияние отрицательного химического давления на некоторые сегнетоэлектрики типа смещения //ФТТ. 1999. — Т. 41, № 7. — С. 1293 — 1296.
  354. С.В., Бурсиан Э. В., Гиршберг Я. Г., Янковский В. К. О СВЧ-дисперсии в KNb03 и его аналогах и «частоте срыва» мягких колебаний //Сегнетоэлектрики: Сб. научн. трудов. JL: ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1978.-С.47.
  355. Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Baryshnikov S.V., Bacherev V.N. The connection between electron spectrum parameters annd ferroelectric parameters in displasive ferroelectrics //Ferroelectrics. 1978. — V.21. -P.393 — 394.
  356. C.B. Исследование частотно-температурной зависимости диэлектрических параметров в сегнетоэлектриках с различным электронным спектром: Кан. дисс. ЛГПИ им. А. И. Герцена. Ленинград, 1978. 122 с.
  357. Дж., Фирсов Ю. А. Поляроны. М: Наука, 1975 — 423 с.
  358. Rupprecht G., Bell R.O. Dielectric constant in paraelectric perovskites //Phys. Rev. (A). 1964. — V.135, № 3. -P.748 — 751.
  359. A.C., Поплавко Ю. М., Захаров В. П., Алексеев В. В. Мягкая мода в колебательном спектре СаТЮ3 //ФТТ. 1973. — Т.15, № 10. — С.3006 -ЗОЮ.
  360. Shirane G., Axe J.D., Harada J. Soft ferroelectric modes in lead titanate //Phys. Rev. (B).- 1970. V.2, № 1. — P.155 — 159.
  361. Cochen M.I., Blunt R.F. Optical properties of SrTi03 in the region of the absorption edge //Phys. Rev. 1968. — V.168. — P.929 — 933.278
  362. В.Н., Бурсиан Э. В., Фрицберг В. Я. Корреляция электронных спектров и температур фазовых переходов в твердых растворов на основе титаната бария //Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1983. Т.47, № 4. — С.710 -712.
  363. С.А., Хохлов Р. В. Проблемы нелинейной оптики //УФН. 1968. — Т.95. — С.231 — 247.
  364. JI.B. Лазеры: действительность и надежды. М.: Наука, 1985. -176 с.
  365. С.А., Хохлов Р. В. Проблемы нелинейной оптики. Сер. Итоги науки. М.: ВИНИТИ, 1964. 295 с.
  366. Kressel Н., Mierop Н. Catastrophic degradation in GaAs injection lasers /Я. Appl. Phys. 1967. — V38. -P.5419 — 5421.
  367. Kramer D.A., Honig R.E. Evidence of laser-induced-stimulated Brilleuin scattering in CdS //Appl. Phys. Lett. 1966. — VI3. — P. 115 — 117.
  368. В.Я., Танин H.A., Нестеренко М. Т., Макухин В. Н. Лазерное излучение. /Под ред. В. Я Гранкина. М., 1977. — 192 с.
  369. К.Г. Экспериментальное исследование наведенных оптических неоднородностей в ниобате лития: Автореф. канд. дис. М., 1976. 16 с.
  370. Ю.С. Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оптики-М.: Наука, 1975. 224 с.
  371. O.A., Георгиев Г. М., Михайловский А. Г., Пенин А. Н. Особенности спонтанного параметрического рассеяния света в кристалле метаниобата лития //ФТТ. -1976. Т. 18, № 3. — С.665 — 668.279
  372. Н.Я., Кузьминов Ю. С. Получение и исследование кристаллов ниобата лития //Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер. 1969. — Т.5, № 6. -С.1086 -1090.
  373. В.П., Топчинская P.M., Фарштендикер В. Л., Федулов С. А. Получение монодоменных кристаллов метониобата лития //Кристаллография. 1968.-Т.13,№ 3.-С.531 — 533.
  374. Baryshnikov S.V., Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Maslov V.V. and Pryakhin G.N. Permittivity and refraction index of ferroelectric in intensive external field //4-th Japanese-Soviet Symposium of Ferroelectricity (Tsukuba, Japan). 1988,-P.208.
  375. Baryshnikov S.V., Bursian E.V., Girshberg Ya.G., Kosolapov I.V., Maslov V.V. and Pryakhin G.N. Permittivity and refraction index of ferroelectric in intensive external field //Ferroelectrics. 1989. — V.96. — P.289 — 293.
  376. C.B., Бурсиан Э. В., Пряхин Г. Н. Полярные оптические эффекты в ниобате лития //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1990. — Т.54, № 4. -С.703 — 706.
  377. Г. С. Оптика. -М.: Наука, 1976. 926 с.
  378. Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория М.: Наука, 1974. — 752 с.
  379. Burns G. Lattice modes in ferroelectric perovskites РЬ|хВахТ10з1 including BaTi03 //Phys. Rev. -1974. V.10, № 5. — P. 1951 — 1955.
  380. П.И. Концентрационные зависимости константы Кюри-Вейсса сегнетоэлектрических растворов (BaSr)TiU3 //ФТТ. -1974. Т. 16, № 9. -С.2709 — 2712.
  381. И.В. Электронная структура и оптические свойства сегне-тоэлектрика-полупроводника SbSI: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1995. — 18 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!