Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронные и кристаллохимические процессы на границах раздела в гетероструктурах с тонкими слоями полупроводников со стехиометрическими вакансиями

Диссертация: Электронные и кристаллохимические процессы на границах раздела в гетероструктурах с тонкими слоями полупроводников со стехиометрическими вакансиями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Полевые приборы со структурой метал л-ДП (МДП) на основе системы термическая двуокись кремния-кремний (БЮг-ЗО обладают рядом недостатков, в частности, низким быстродействием. Ограничение быстродействия кремниевых полевых транзисторов, связанное с низкой подвижностью носителей заряда у поверхности, является следствием их сильного рассеяния на геометрических и потенциальных неоднородностях границы… Читать ещё >

Электронные и кристаллохимические процессы на границах раздела в гетероструктурах с тонкими слоями полупроводников со стехиометрическими вакансиями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Электронные процессы в гетероструктурах на основе кремния и системы 8102−81 с тонкими слоями широ-зонных полупроводников
    • 1. 1. Выбор материалов для слоев ГГ, приготовление образцов, экспериментальная техника и некоторые электрические характеристики исследуемых полупроводниковых соединений
    • 1. 2. Электростатические характеристики МП’П и МП’ДП структур на основе кремния
      • 1. 2. 1. МП’П структуры на кремнии со слоями Znp и СёР
      • 1. 2. 2. Влияние фиксированного заряда в диэлектрике на электростатические характеристики МП’ДП структур
      • 1. 2. 3. Влияние локализованных зарядов в полупроводниковом слое и на границе П’Д на электростатические характеристики МП’ДП систем
      • 1. 2. 4. Оптическое управление состоянием ОПЗ полупроводника П в МП’ДП структуре
      • 1. 2. 5. Экранирование электрического поля в многослойном полупроводнике с ЦЛЗ между слоями
      • 1. 2. 6. Влияние контактной разности потенциалов металл- полупроводник ограниченной толщины на электростатические характеристики МП’ДП-структур
      • 1. 2. 7. Экранирование электрического поля в системе МДП’П. Защита поверхности полупроводника от внешних электрических полей
    • 1. 3. Неравновесные вольт-фарадные характеристики полевых гетероструктур с тонкими слоями П' на основе кремния
      • 1. 3. 1. Неравновесные С-У характеристики структур типа МП’ДП
      • 1. 3. 2. Исследование ЦЛЗ в слое ГГ в МДП’П структуре
    • 1. 4. Особенности экранирования электрического поля в полевых гетероструктурах с тонкими поликристаллическими слоями ZnP2 и ОагЗез
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. Формирование гетероперехода Са28ез-81 и электронные явления в структурах типа МДП на его основе
    • 2. 1. Исследование условий получения слоев СагВез на кремниевых подложках
      • 2. 1. 1. Получение пленок селенида галлия термическим испарением в открытом объеме
      • 2. 1. 2. Исследование состава тонких пленок СагЗез на кремнии
      • 2. 1. 3. Формирование тонких пленок ОагБез на кремнии в квазизамкнутом объеме методом «горячей стенки»
    • 2. 2. Электронные явления в гетероструктуре на основе гетероперехода СагБез-Бк полученного методом «горячей стенки»
      • 2. 2. 1. Высокочастотные вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетероструктуры АШагБез-Б!
      • 2. 2. 2. Внутренняя фотоэмиссия в гетеропереходе
  • ОагЗез-^
    • 2. 2. 3. Электронные состояния на поверхности кремния в гетероструктуре A/-Ga2Se3-S
    • 2. 3. МП’П системы на основе гетероперехода селенид галлия — кремний, полученного в КЗО с предварительной обработкой по верхности кремния в парах селена или в потоке атомов галлия
    • 2. 3. 1. Модифицированный метод КЗО: получение пленок полупроводниковых соединений из независимых источников элементарных компонентов
    • 2. 3. 2. Особенности электронных процессов на границе раздела Ga2Se3-Si, сформированной в КЗО с предварительной обработкой Si-под-ложки в потоке атомов Ga или в парах селена
    • 2. 3. 3. Об устойчивости полевых гетероструктур на основе кремния к радиационным воздействиям
    • 2. 4. Использование слоев селенида галлия и твердых растворов в системе GaAs-GaiSe, в качестве согласующих при выращивании арсенида галлия на кремнии
  • Выводы
    • ГЛАВА 3. Формирование гетеропереходов на основе арсенида индия с тонкими слоями теллуридов индия и галлия
    • 3. 1. Подготовка подложек InAs и исследование условий получения слоев 1пгТез напылением в квазизамкнутом объеме
    • 3. 2. Гетеровалентное замещение в системе теляуридарсенид индия
    • 3. 2. 1. Выбор технологических условий получения слоев 1п2Тез в процессе термического отжига
    • I. nAs в парах теллура
      • 3. 2. 2. Механизм гетеровалентного замещения в системе теллур — арсенид индия
      • 3. 3. Получение пленок 1пгТез в K3O методом испарения из независимых источников индия и теллура
      • 3. 4. Получение пленок твердых растворов в системе ОагТезЛтТез соиспарением индия и галлия в атмосфере пара теллура в КЗО
  • Выводы
    • ГЛАВА 4. Электрические характеристики гетероструктур на основе арсенида индия со слоями теллуридов индия и твердого раствора Iii2xGa2(i-X)Te3 (х ~ 0,65)
  • 4. 1. Механизмы токопрохождения в гетероструктурах AZ-ImTes-lnAs и A/-In2xGa2(i-х>Тез (х ~ 0,65) — InAs
  • 4. 2. Вольт-фарадные характеристики гетероструктур A/-In2Te3(In2xGa2(i-x)Te3, х ~ 0,65) — InAs.*
  • 4. 3. Центры локализации заряда в слоях 1тТез и 1п2хОа2(1-х)Тез (х ~ 0,65) в гетероструктурах на основе арсенида индия
  • 4. 4. Управление зарядовым состоянием приповерхностной области InAs в гетероструктурах с тонкими слоями 1тТез и 1п2хСа2(1-х)Тез (х — 0,65)
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. Полевые структуры на основе гетероперехода
  • I112S3 — InAs
    • 5. 1. Гетеровалентное замещение в системе сера арсенид индия
    • 5. 2. Электрические характеристики гетероструктур
  • A/-In2S3-InAs
    • 5. 2. 1. Механизм токопрохождения в слоях 1112S3, сформированых методом ГВЗ на поверхности арсенида индия
    • 5. 2. 2. Экранирование электрического поля в гетерост-руктуре AZ-ImSs-InAs и определение параметров переходной области между I112S3 и InAs
    • 5. 3. Лазерностимулированное формирование сильнолегированных приповерхностных областей в подложках AmBv в полевых гетероструктурах на основе систем А2шВзУ1 — AnIBv
  • Выводы
    • ГЛАВА 6. Об образовании электронных состояний на поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халь-когенов
    • 6. 1. Электронные состояния на поверхности арсенида галлия
    • 6. 2. Особенности структуры поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халькогенов
    • 6. 3. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в различных халькогенах (S, Se, Те, Se + Те) на характеристики барьеров Шоттки Me-GaAs
  • Выводы
  • ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
  • ВЫВОДЫ

    • Успехи современной микроэлектроники во многом обусловлены использованием в качестве элементов интегральных схем (ИС) слоистых структур на базе системы диэлектрик-полупроводник (ДП) [1 — 3]. В основу работы этих элементов положен принцип управления зарядовым состоянием приповерхностной области монокристаллического полупроводника внешним электрическим полем (полевые гетероструктуры). Эта особенность данного класса приборов определяет совокупность требований к электрическим характеристикам приповерхностной области полупроводника, слоев системы и межфазных границ раздела [3 — 6 ]. Одним из основных является требование о низкой плотности центров локализации заряда (ЦЛЗ) [4−9]. Проблема снижения плотности ЦЛЗ в полевых гетерострукту-рах решается как путем совершенствования технологических приемов и разработки новых способов формирования известных типов гетерострук-тур [10,11], так и использованием в гетероструктурах новых мatepиaлoв [5,10−13].

    Полевые приборы со структурой метал л-ДП (МДП) на основе системы термическая двуокись кремния-кремний (БЮг-ЗО обладают рядом недостатков, в частности, низким быстродействием [1,5−10]. Ограничение быстродействия кремниевых полевых транзисторов, связанное с низкой подвижностью носителей заряда у поверхности, является следствием их сильного рассеяния на геометрических и потенциальных неоднородностях границы раздела 5102−81 [6,7,14]. В связи с широко развитой в настоящее время технологией производства кремниевых интегральных схем, представляет интерес поиск материала, который образует с кремнием гетеропереход с более совершенной границей раздела и может использоваться в качестве подзатворного слоя в полевых приборах типа МДП.

    Повышение быстродействия полевых приборов может быть достигнуто заменой кремния на полупроводник АШВУ (СаАв, 1пР) с большей подвижностью носителей заряда [15−19]. Но традиционный подход в этом направлении, основанный на использовании диэлектрических слоев в этих полевых приборах, не приводит к желаемому результату из-за высокой плотности ЦЛЗ на границе раздела Д-АШВУ [16,17].

    Значительный успех был достигнут реализацией идеи о формировании полевого прибора на основе гетероперехода А/СаАв-ваАз [20,21]. Однако функциональные возможности такого прибора ограничены, поскольку диапазон изменения состояния приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ), при варьировании внешнего напряжения, не включает все состояния, известные из модели полевого транзистора со структурой МДП и наблюдаемые в транзисторах на основе системы 8Юг -81 [21,22].

    В работах [23,24] определены условия, при выполнении которых тонкий слой широкозонного полупроводника (П'), включенный в гетерострук-туру, может выполнять функции диэлектрического в отношении экранирования внешнего электрического поля. В этих же работах впервые были предложены для использования в качестве слоев П' полупроводниковые соединения с рыхлой кристаллической структурой [24,25]. Это соединения со стехиометрическими вакансиями типа А2шВз?1 [26] и широкозонные полупроводники из класса материалов с общей формулой АпВгу [27,28]. Электрические характеристики этих соединений слабо чувствительны к примесям и радиационным воздействиям [29]- подвижность основных носителей в них в 104 ч-Ю5 раз меньше, чем в 81 и ОаАзбольшинство полупроводников А2шВзУ1 кристаллизуются в решетке типа сфалерит [30,31]. Последнее обстоятельство допускает возможность удовлетворить принципам объемного соответствия [32,33] в гетеропереходах типа А2шВзУ1 — 81, А2шВзУ1 — АШВУ и, соответственно, получить границу раздела с низкой плотностью ЦЛЗ.

    Изложенное определяет актуальность темы настоящего исследования.

    В работе ставилась цель: установление закономерностей формирования гетеропереходов на основе кремния и арсенала индия с тонкими слоями соединений А2шВзУ1 и электронных процессов в полевых гетероструктурах на основе этих гетеропереходов.

    Основные задачи вытекают непосредственно из цели работы:

    1. Выбор материалов из класса полупроводников А2шВзу1 для формирования гетеропереходов на основе кремния и арсенида индия.

    2. Выбор и разработка способов и исследование условий формирования тонких слоев соединений А2шВзУ1 на подложках из кремния и арсенида индия.

    3. Развитие модельных представлений об электростатических характеристиках полевых гетероструктур с тонкими слоями широкозонных полупроводников ГГ с учетом ЦЛЗ, существующих в реальных слоистых системах МП/ДП и МДП’П.

    4. Изучение электронных явлений в полевых гетероструктурах Ме-А2шВзу1−81 и Ме-А2шВзУ1 — ЫАб.

    4.1. Исследование электрических характеристик слоев полупроводников класса А2шВзУ1 на подложках из кремния и арсенида индия.

    4.2. Исследование электронных явлений на границах раздела А2шВз?1-и А2шВзУ1 — ¡-пАв.

    Объекты и методы исследования. Моделирование электростатических процессов в полупроводниковых гетероструктурах типа МП’П, МП’ДП и МДП’П проведено в слоистых системах на основе кремния с тонкими пленками широкозонных полупроводников классов АПВ2¥- (гпР2, СМРг) и А2шВзУ1 (Оа2 $з, Оа28ез). Некоторые эксперименты проведены с пленками СсЮаг8е4 и А$ 2 $ез. Для более подробного изучения была выбрана система Оа28ез-81, поскольку в ней наиболее полно реализуется требование однотипности и соответствия параметров кристаллических решеток контактирующих материалов (рассогласование по стоянных решеток менее 0,2%).

    Арсенид индия бьш выбран в качестве основного объекта для исследования гетероструктур на основе полупроводников АШВУ Это обусловлено высокой подвижностью электронов в этом материале, что делает его перспективным для полевых приборов СВЧ электроники. Кроме этого, 1пА8 является значительно менее изученным материалом из класса полупроводников АШВУ по сравнению с СаАБ и 1пР. Из полупроводниковых материалов с общей формулой А2шВзУ1, для гетероструктур на основе ЫАб, были выбраны соединения с наиболее близкими к 1пАб значениями параметров кристаллических решеток: ЫгТез, ОагТез, ЫгВз и твердые растворы в системе 1тТез — Оа2Тез.

    Ряд экспериментов по изучению электронных состояний на поверхности полупроводников АШВУ в гетероконтакте с А2шВзУ1 были проведены на арсениде галлия.

    При исследовании условий формирования гетеропереходов использовались: электронная Оже-спектроскопия, рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), электронография в отраженных и проходящих лучах, электронная микроскопия в растровом и просвечивающем электронных микроскопах.

    Электронные явления изучались с использованием различных модификаций методов вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, метода частотных зависимостей дифференциальной проводимости и емкости в интервале температур 90 К ч-500 К, температурных зависимостей дифференциальной проводимости, серии методов, основанных на температурной стимуляции процессов освобождения ЦЛЗ и метода изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней (ИССГУ), являющегося разновидностью метода нестационарной спектроскопии грубоких уровней.

    Научная новизна полученных в работе результатов определяется тем, что в ней впервые:

    • получены гетеропереходы СагБез — 1п2Тез — ШАб, 111 283 — 1пАб и 1п2хОа2(1-х>Тез — 1пА5;

    • рассмотрены модели электростатических характеристик гетеро-структур с тонкими слоями широкозонных полупроводников ГГ с учетом ЦЛЗ в слоях и на границах раздела слоистой системы;

    • разработаны способы получения слоев сильно диссоциирующих соединений с инконгруэнтным характером испарения (типа 1щТез) в квазизамкнутом объеме (КЗО);

    • установлены механизмы протекания гетеровалентного замещения в системе халькоген-арсенид индия при формировании слоев халькогенидов 1п2ВзУ1 на подложках из 1пАб;

    • для тонких слоев полупроводников А2шВзу1 на 81 и 1пАб установлены:

    1) механизмы токопрохождения;

    2) параметры ЦЛЗ;

    3) связь концентрации ЦЛЗ ловушечного типа со структурным совершенством слоя;

    • исследованы электронные процессы на границах раздела ОагБез-З!, А2шВзУ1 — 1пАб;

    • установлено образование на поверхности ваАз (100) псевдоморфно-го слоя халькогенида галлия, в неполярной кристаллографической ориентации [110] в результате обработки поверхности арсенида галлия в парах серы, селена или теллура;

    • предложено объяснение факта снижения плотности поверхностных электронных состояний на полупроводниках АШВУ1 и соответствующего открепления уровня Ферми, реконструкцией поверхности в процессе обработки ее в парах халькогенов (8, 8е, Те) и образования псевдоморфного слоя халькогенида.

    Таким образом, на защиту выносятся следующие основные положения;

    1. При формировании полупроводниковых гетеропереходов в системах 1п2ВзУ1 — 1пАз в процессе термического отжига арсенида индия в парах халькогенов, гетеровалентное замещение может протекать по трем механизмам:

    • термическая диссоциация ЫАб, выделение на поверхности индия и химическая реакция его с халькогеном;

    • диффузия халькогена в подложку с последующим выделением зародышей новой фазы (1п2ВзУ1);

    • химическая реакция халькогена с молекулой ¡-пАб непосредственно на поверхности подложки с замещением мышьяка на халькоген.

    Более универсальным способом формирования гетероструктур с полупроводниковыми слоями соединений класса А2шВзУ1, пригодным для получения слоев сильно диссоциирующих соединений с инконгруэнтным характером испарения (типа ЫгТез), является предложенный в работе метод напыления в КЗО из независимых источников элементарных компонентов.

    2. Электростатические характеристики МП’ДП и МДП’П гетероструктур на основе кремния со слоями широкозонных полупроводников типа 2л1Р2 и Оаг8ез хорошо описываются в рамках рассмотренных в работе моделей, учитывающих ЦЛЗ в слоях и на границах раздела исследуемых систем.

    Электронные процессы на границе раздела ОагБез^, получаемой как без, так и с предварительной обработкой поверхности Бкподложки с целью ее очистки от естественного оксида непосредственно перед осаждением слоя селенида галлия, контролируются электронными состояниями, энергетическое распределение которых подобно наблюдаемому на границе раздела 8102−81. Предложено объяснение формирования промежуточного подслоя типа 8ЮХ в результате коалесценции на межфазной границе кислородсодержащих комплексов из приповерхностной области 81-подложки в процессе цикла термической обработки кремния при получении слоя ОагБез.

    3. Электрические свойства тонких слоев Саг8ез на 81,1тТез, 1щ8з и 1п2хОа2(1-х)Тез на арсениде индия определяются двумя глубокими уровнями в запрещенной зоне материала. При этом концентрация ЦЛЗ с меньшей энергией активации (акцепторного типа в п — ЫгТез) зависит от структурного совершенства слоя.

    4. Наряду с известными методами анализа состава и структуры (Оже-спектроскопия, РСМА, электронная микроскопия и др.) переходных областей в полевых гетероструктурах, формируемых способами, основанны ми на гетеровалентном замещении, целесообразно использовать рассмотренные в данной работе методики оценки электрических параметров переходных областей из исследования вольт-фарадных характеристик, С этой целью гетероструктуру удобно рассматривать в рамках модели МДП’П-системы, где слой П' соответствует переходной области.

    5. Взаимодействие халькогена с поверхностью СаАв (100) сопровождается формированием псевдоморфного слоя халькогенида галлия в неполярной кристаллографической ориентации [110]. После обработки поверхности арсенида галлия в парах различных халькогенов в спектрах ИССГУ исчезает пик, ответственный за поверхностные электронные состояния (ПЭС). Совокупность этих двух фактов объясняется в рамках модели, предполагающей связь реконструкции поверхности ваАБ в процессе взаимодействия с халькогеном и переход электронных состояний из запрещенной зоны в разрешенные на реконструированной поверхности ОаАэ. Минимальные значения плотности ПЭС на ваАБ достигаются после совместной обработки поверхности в селене и теллуре, когда образующийся халькогенид (вагЗезхТезо-х)) имеет минимальное рассогласование по параметру решетки с арсенидом галлия.

    Совокупность полученных в работе результатов, сделанных выводов и сформулированных положений можно рассматривать как новое научное направление «полевые гетероструктуры на основе полупроводников А1У и АШВУ с тонкими слоями соединений класса А2шВзУ1» .

    Практическое значение результатов работы определяется следующим.

    Предложенные и разработанные способы формирования тонких слоев полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме из независимых источников могут использоваться для получения совершенных по структуре пленок различных по составу полупроводниковых соединении.

    Тонкие пленки вагЗез могут использоваться не только в качестве под-затворного слоя в кремниевых МДП-элементах, но и как переходная, согласующая параметры кристаллических решеток область, для формирования совершенных слоев арсенида галлия на кремнии.

    Непосредственный интерес для электронной промышленности могут представить установленные в процессе исследования условий формирования гетероструктур на ЫАб и условий обработки в парах халькогенов поверхности ОаАБ технологические параметры процессов, обеспечивающих минимальные значения плотности ПЭС на этих материалах.

    Рассмотренные в работе принципы использования толстых слоев полупроводниковых материалов для защиты поверхности элементов микроэлектроники от внешних воздействий могут представить интерес не только для целей пассивации поверхности, но также и для разработки новых типов полевых приборов.

    Экспериментально обоснованная возможность лазерностимулиро-ванного формирования сильнолегированных областей в арсениде индия может быть использована при изготовлении полевых транзисторных структур на основе полупроводниковых гетеропереходов А2шВзУ1 — АШВУ.

    Выводы относительно механизмов гетеровалентного замещения, сделанные на основании результатов изучения системы халькоген — арсенид индия, могут использоваться при практической реализации задач, связанных с обработкой поверхности полупроводников AniBv в халькогенсодер-жащих средах и задач по формированию гетероструктур на основе систем А2шВзУ1 — AniBv.

    Личный вклад автора в диссертационную работу. Автором были поставлены задачи, выполнение которых позволило обосновать положения, вынесенные на защиту, предложены способы формирования гетероструктур и основные направления исследований для решения поставленных задач. В подавляющем большинстве экспериментов автор принимал непосредственное участие.

    Первоначально исследования проводились совместно с В.Ф.Сыно-ровым и Б. И. Сысоевым, затем в работе принимали участие А. П. Ровинский,.

    A.С.Дронов, Н. А. Мартынова (глава 1), Г. В. Сонов, Н. И. Сухоруков, Ю. В. Сыноров, Т. А. Кузьменко (глава 2), Б. Л. Агапов (главы 2, 3, 5), Ю. К. Шлык (главы 3, 4), А. В. Буданов, Т. В. Прокопова (главы 4, 5),.

    B.Д.Стрыгин, Г. И. Котов, М. П. Сумец (глава 6).

    Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всесоюзной конференции «Новые физические методы преобразования информации» (г.Москва, 1975 г.) — Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» (г.Кишинев, 1976 г.) — III Республиканской конференции молодых ученых «Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов» (г.Тбилиси, 1977 г.) — VI Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (г.Киев, 1977 г.) — IV (г.Ужгород, 1978 г.) — V (г.Душанбе, 1982 г.), VII (г.Воронеж, 1987 г.) Всесоюзных координационных совещаниях по полупроводниковым соединениям AnBvII Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (г.Ташкент, 1980 г.) — VIII научно-технической конференции «Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках» (г.Москва, 1980 г.) — I (г.Кишинев, 1982 г.), II (г.Кишинев, 1986 г.), III (г.Кишинев, 1991 г.) Всесоюзных конференциях «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» — III (г.Одесса, 1982 г.), IV (г.Минск, 1986 г.), У (г.Калуга, 1990 г.) Всесоюзных конференциях по физическим процессам в полупроводниковых гетеро-структурахI (г.Гурзуф, 1983 г.), II (г.Одесса, 1986 г.), III (г.Одесса, 1988 г.), IV (г.Сочи, 1991 г.) всесоюзных совещаниях-семинарах «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах микросхем» — Всесоюзной конференции «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники» (г.Минск, 1985 г.) — III Всесоюзном семинаре «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем» (г.Рязань, 1985 г.) — II Всесоюзной конференции «Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках» (г.Воронеж, 1987 г.) — XXXII (1987 г.) и XXXV (1990 г.) Международных научных коллоквиумах (г.Ильменау, Германия) — V Всесоюзной школе «Физико-химические основы электронного материаловедения» (г.Иркутск, 1988 г.) — VII (г.Москва, 1988 г.) и VIII (г.Харьков, 1992 г.) Всесоюзных конференциях по росту кристалловII Всесоюзной школы по физике и химии рыхлых кристаллических структур (г.Харьков, 1988 г.) — Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» (г.Ленинград, 1989 г.) — XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (г.Киев, 1990 г.) — III Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок» (г.Петрозаводск, 1991 г.) — VII Всесоюзной (г.Звенигород, 1991 г.), IX Российском (г.Черноголовка, 1995 г.) симпозиумах по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых телI Национальной конференции «Дефекты в полупроводниках» (г.С.-Петербург, 1992 г.) — Конференции по электронным материалам (г.Новосибирск, 1992 г.) — Международной конференции по лазерной технологии (г.Москва, 1992 г.) — 16-ом (г.Воронеж, 1988 г.), 19-ом (г.Тарусе, 1992 г.), 20-ом (г.Ярославль, 1993 г.) координационных совещаниях секции РАН.

    Полупроводниковые гетероструктуры" - Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (г.Воронеж, 1995 г.).

    Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 76 работах и представлены в 6 авторских свидетельствах на изобретения, цитируемых по ходу изложения текста диссертации.

    Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 6-ти глав, обсуждения результатов и выводов, изложенных настраницах машинописного текста, включая 86 рисунков, 7 таблиц и списка литературы из 447 наименований.

    Основные результаты работы опубликованы в статьях и тезисах конференций: 38, 39, 45, 53, 79, 82, 84, 85, 99, 100, 115, 116, 120, 123, 124, 135, 137, 159, 160, 182, 187, 227, 244, 279, 294, 313, 317, 320, 321, 327, 334, 339, 340, 341, 342, 352, 354, 355, 358, 360, 394, 395- по теме диссертации получены авторские свидетельства: 109, 110, 164, 176, 243, 361.

    Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность коллективу кафедры физики Воронежской государственной технологической академии, ранее возглавляемому моим научным консультантом, профессором Сысоевым. Борисом Ивановичем.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. сяпон. М.: Мир, 1988. — 320 с.
    2. Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.:1. Мир, 1989.-630 с.
    3. Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М.: Радио исвязь, 1990. 304 с.
    4. В.Г. Основы физики полупроводниковых слоистых систем.
    5. Киев: Наукова думка, 1980. 284 с.
    6. Свойства структур металл диэлектрик — полупроводник / Под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1976. — 280 с.
    7. В.Г., Горбань A.A. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик — полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. -312с.
    8. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализена полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979. 236 с.
    9. Проблемы физики поверхности полупроводников / Под ред. Снитко О.В.
    10. Киев: Наукова думка, 1981. 332 с.
    11. Instabilities in Silicon Devices. Silicon Passivation and Related Instabilities /
    12. G. Barbottin and A. Vapaille (Editors) / North-Holland: Elsevier Science Publishers B.V., 1989. P. 171 — 402.
    13. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
    14. Asano Т., Ishiwaru H. An Epitaxial Si / Insulator / Si Structure Prepared by Vacuum Deposition of CaF2 and Silicon // Thin Solid Films. 1982. — V. 93. -P. 143- 150.
    15. Nicollian E.H. Electrical Properties of the Si-SiC>2 Interface and its Influence on Device Perfomance and Stability // J. Vac. Sci. Technol. 1977. — V. 14, № 5. — P. 1112- 1121.
    16. .И., Царенков Б. В. Полупроводникам AniBv 35 лет // ФТП.- 1985.-Т. 19, № 12.-С. 2113.
    17. Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ. / Под ред. Н. Айн-спрука, У.Уиссмена. М.: Мир, 1988. 555 с.
    18. Spicer W.E., Lindau J., Pianetta P. et al. Fundamental Studies of III-V Surfaces and (III-V) Oxide Interface // Thin Sol. Films. 1979.-V. 56.-P.1- 18.
    19. В.Д., Радауцан С. И., Неустроева С. А. Получение и исследование активных областей в полевых транзисторах // Изв. АН МССР, Сер. физ.- техн. и мат. наук. 1984, № 2. — С. 24 — 27.
    20. А.А., Иванютин JI.A. Анализ современного состояния и новых принципов построения структур AnIBv для создания ССИС // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1987, вып. 4(124). -С. 115−129.
    21. .И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего // Физика сегодня и завтра: прогнозы науки. JI.: Наука, 1973. — С. 61−69.
    22. Cassey Н.С., Cho A.Y., Nicollian E.H. Use of Oxygen Doped AlxGai. xAs for the Insulating Layer in MIS Structures // Appl. Phys.Lett., 1978, V. 35, № 10. — P. 678 — 679.
    23. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. -М.: Мир, 1991.-632 с.
    24. Сысоев Б, И., Сыноров В. Ф. К вопросу об управлении приповерхностным зарядом в полупроводниках с помощью тонких слоев широкозонных полупроводников // ФТП. 1972. — Т. 6, № 10. — С. 1856 — 1859.
    25. Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. шк., 1975. -302 с.
    26. В.М. Физика алмазоподобных полупроводников со стехиометрическими вакансиями // Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, 1970. — С. 26 — 35.
    27. .И., Сыноров В. Ф., Битюцкая J1.A. Электрофизические свойства структуры AZ-ZnPi-Si // Микроэлектроника. 1973. — Т. 2, № 3. -С. 244 — 247.
    28. В.Б., Шевченко В. Я., Гринберг Я. Х., Соболев В. В. Полупроводниковые соединения группы AnBv. M.: Наука, 1978. — 256 с.
    29. В.М., Палатник Л. С. Полупроводниковые фазы со стехиомет-рическими вакансиями // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1968.-Т. 4, № 11.-С. 1835- 1839.
    30. Н.Г., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. — 220 с.
    31. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. — 222 с.
    32. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник: Пер. с англ. — М.: Мир, 1975. — 432 с.
    33. A.B. Граница раздела ключ к построению приборов функциональной электроники //Электронная промышленность. — 1983. — № 8 (125).-С. 36−42.
    34. A.B., Синица С. П. Системы памяти на основе МДП- и МНОП -структур // Микроэлектроника, 1977, т. 6, № 6, с. 491 501.
    35. .И., Лихолет А. Н., Сыноров В. Ф., Ровинский А. П. Об управлении зарядом в структурах типа металл-диэлектрик-полупроводник // Микроэлектроника, 1977, 1. 6, № 5, с. 454 457.
    36. В.Ф., Лихолет А. Н., Сысоев Б. И. Распределение потенциала и емкость структуры с полупроводниковым слоем критической толщины // Микроэлектроника. 1977. — Т. 6, № 1. — С. 56 — 63.
    37. В.Е. Работа выхода и проводимость полупроводника при наличии поверхностного заряда // Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1952, т. 16, № 2, с. 203−210.
    38. .И., Ровинский А. П., Сыноров В. Ф., Безрядин H.H. Особенности вольт-фарадных характеристик МДП структур с полупроводниковыми подзатворными слоями // Микроэлектроника. — 1978. — Т. 7, № 2. -С. 163- 167.
    39. .И., Безрядин H.H., Дронов A.C., Ровинский А. П. О пассивации поверхности полупроводниковых элементов слоем широкозонного полупроводника // Микроэлектроника. 1985. — Т. 14, № 2. — С. 140 — 143.
    40. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. — 496 с.
    41. Ю.Н. Теория эффекта поля при низких температурах// ФТТ, 1961, т. 3, № 4, с. 1061 1065.
    42. В.Ф., Райлян В. Я. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdGa2Se4 // Физические свойства сложных полупроводников. Кишинев, 1973, с. 64 69.
    43. Radautsan S. Defective Diamond Like Semiconductors as Intermediate Phases Between Cristalline and Vitreous States // Journal of Non-Crystall. Solids — 1970, v. 4, p. 370 — 377.
    44. В.Ф., Безрядин H.H., Ровинский А. П., Сысоев Б. И. Особенности термостимулированного тока монокристаллов CdGa2Se4 // Тройные полупроводники и их применение: Тез.докл. Всесоюзн. конф. Кишинев, Штиинца, 1976, с. 162 — 164.
    45. В.Ф., Безрядин H.H., Ровинский А. П., Сысоев Б. И. Энергетический спектр центров прилипания в монокристаллах CdGa2Se4 // Изв. вузов СССР. Физика, 1978, № 4, с. 127 130.
    46. Л.В., Кошкин В. М. О растворимости примесей в ЫгТез // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1966. — Т. 2, № 2. -С. 405 — 406.
    47. Л.П., Кошкин В. М., Кулаков В. М., Кулик В. Н., Улманис У. А., Шаховцов В. И. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа А2шВзУ1 // Монокристаллы и техника. 1972. -Вып. 6. — С. 97 — 102.
    48. Bradley J. New Method of Reducing Instability in Insulated Gate Field -Effect Transistors // Electr. Lett., 1967, v. 3, № 11, p. 526 — 528.
    49. ASTM Diffraction Date Card File. 1957. — Cards № 5 — 0724, 5 — 0731, 5 -0729, 16 — 445, 17 — 86, 15 — 104, 16 — 500, 5 2 735, 14 — 450, 20 — 437.
    50. B.C., Ровинский А. П., Сыноров В. Ф., Сысоев Б. И. О формировании прозрачных проводящих слоев в полупроводниковых структурах // Вопросы техники полупроводникового производства, Воронеж, изд-во ВГУ, 1976, с. 59−62.
    51. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах / Пер. с англ. под ред. С. М. Рывкина. М: Мир, 1973. — 416 с.
    52. Д.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки // Технология тонких пленок (справочник) / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга: Пер. с англ. Т. 2. М.: Сов. радио, 1977, с. 345 400.
    53. В.Ф., Безрядин H.H., Сысоев Б. И., Мартынова H.A. Влияние локализованных состояний в полупроводниковом слое критической толщины на электрофизические свойства тонкопленочных структур МП’ДП // Изв. вузов. Физика. 1981. — № 1. — С. 82 — 87.
    54. А.Л., Брылов В. М., Ждан А. Г., Массерер М. А. Установка для исследования термостимулированной проводимости // ПТЭ. 1974. -№ 1. — С. 228 — 230.
    55. В.П., Павленко Н. М. Исследование оптического поглощения и фотопроводимости кристаллов ОагБез // ФТП, 1971, т. 5, № 8, с. 1674−1675.
    56. Н.В., Максимов В. К., Потыкевич И. В. Получение и электрические свойства тонких слоев дифосфида кадмия // Получение и свойства тонких пленок. Киев, 1974, вып. 2, с. 43 45.
    57. А.П., Сыноров В. Ф., Сысоев Б. И. Электрофизические свойства пленок CdGa2Ses в МДПМ структурах // Микроэлектроника, 1975, т. 4, № 4, с. 363 366.
    58. Bityutskaya L.A., Sysoev В.I., Synorov Y.F. Preparation of the Zinc Diphosphide Films and Their Galvanomagnetic Properties // Fizyka Ciewkich Warstw. crecs I (komunikaty). Warszawa: Panstwowe wydau-nictwo naykowe, 1975, p. 237 — 239.
    59. M.П., Тырзиу В. Г. Некоторые оптические свойства Ga2Se3 в тонких слоях // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы (под ред. С.И.Радауцана) Кишинев, 1970, с. 118 — 124.
    60. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979, 336 с.
    61. Casey H.С., Cho A.Y., Lang D.V., Nicollian E.H. et al. Investigation of Heterojunctions fpr MIS Devices With Oxygen-Doped AlxGai-xAs on n-type GaAs // J/Appl. Phys. 1979. — V. 50, № 5. — P. 3484 — 3491.
    62. JT.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках, Л.: Наука, 1981, 176 с.
    63. А.Г., Сандомирский В. Б., Ожередов А. Д. Определение параметров ловушек методом термостимулированного разряда конденсатора//ФТП, 1968, т. 2, № 1, с. И 18.
    64. ., Ланно M Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. — 304 с.
    65. Ю.В., Прибылов H.H., Рембеза С. И. Автоматизированный спектрометр для контроля параметров гетероструктур // Тез. докл. IV Всес. научно-технич. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань 1987, с. 44.
    66. Ю.А., Колокольников Б. М. В сб. научн. трудов «Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах», РГПУ, С.-Петербург, 1992, с, 74 — 78.
    67. С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников: Учебн. пособие. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. — 224 с.
    68. Ю.И. Эллипсометрия. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1971. — 115 с.
    69. Дж., Ныобери Д., Эчлин П. и др. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 2: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 348 с.
    70. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. под ред. Р. А. Суриса, 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — 456 с.
    71. P.A. Экспериментальные методы определения плотности поверхностных состояний // Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников. Ленинград, 1975. — С. 245 — 285.
    72. Nicollian E.H., Goetzberger A. The Si-SiOi Interface Electrical Properties by the Metal-Insulater-Silicon Conductance Technique // Bell Syst. Techn. J. -1967. V. 46, № 6. — P. 1055 — 1133.
    73. В.Ф., Ревелева M.А., Алейников H.M., Чистов Ю.С, Фетисова C.B. МДП- структуры Воронеж: Изд-во ВГУ, 1975. — 228 с,
    74. К., Браттейн В. Физическая теория поверхности полупроводника // Проблемы физики полупроводников / Пер. с англ. под ред. В.Л.Бонч-Бруевича. М.: Изд. Иностр. лит. — 1957. — С. 345 — 365.
    75. Д.М., Сагодеев О. Г. Установка для измерения высокочастотной емкости МДП-структур // Электронная техника, серия 2, полупроводниковые приборы. 1982. — В. 7(158). — С. 61 — 64.
    76. A.C., Шлык Ю. К., Безрядин H.H. Измерение составляющих полной дифференциальной проводимости полупроводниковых гетеро-структур // Исследования по физике полупроводников. Межвуз. сб. научных трудов. ВГПИ. — 1986. — С. 11 — 15.
    77. В.Ф., Безрядин H.H., Ровинский А. П., Сысоев Б. И. О релаксации фототока в монокристаллах CdGa2Se4 // ФТП, 1977, т. 11, № 7, с. 1439.
    78. Ю.А. Задача о термостимулированном разряде конденсатора с дополнительной емкостью // ФТП, 1976, т. 10, № 3, с. 532 535.
    79. .И., Лихолет А. Н., Сыноров В.Ф'., Левин М. К. К вопросу о термостимулированном разряде конденсатора с дополнительной емкостью и ФТП, 1976, т. 10, № 3, с. 532 535.
    80. .Н., Гольдфарб В. А., Сыноров В. Ф. Свойства МДП структур на основе пленок свинцовоалюмосиликатного стекла // Электронная техника, серия 6, материалы, 1976, № 1, с. 75 78.
    81. .И., Безрядин H.H., Сыноров В. Ф. О влиянии фиксированного заряда в диэлектрике на вольт-фарадные характеристики МП’ДП структур // Микроэлектроника, 1980, т. 9, № 2, с. 121 125.
    82. .И., Безрядин H.H., Сыноров В. Ф., Мартынова H.A. Влияние пограничных состояний на электростатические характеристики МП’ДП структур // Микроэлектроника, 1980, т. 9, № 4, с. 355 — 361.
    83. Lanyon H.P.D. Electrical and Optical Properties of Vitreous Selenium // Phys. Rev., 1963, v. 130, № 1, p. 134 143.
    84. Hartke J.L. Drift Mobilities of Electrons and Holes and Space-Charge-Limired Currents in Amorphous Selenium Films // Phys. Rev., 1962, v. 125, № 4, p. 1177 1192.
    85. Barbe D.F., McRae M.F. Current Transport Mechanisms in Semi-Insulators Having an Injecting Contact // J. Vac. Sci. Technol., 1972, v. 9, № 1, p. 70 -73.
    86. Вопросы пленочной электроники: Сб. статей под ред. Д. В. Зернова, М. И. Елинсона, В. Б. Сандомирского. М.: Советское радио, 1966. — 472 с.
    87. Cassey Н.С., Cho A.Y., Lang D.V., Nicollian E.H. Measurement of MIS Capacitors With Oxygen Doped AlxGai-xAs Insulating Layers on GaAs // J.Vac.Sci. Technol., 1978, v. 19, № 4, p. 1408 — 1411.
    88. М.К., Шик, А .Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТН, 1976, т. 10, № 2, с. 209 233.
    89. Е.И., Гуляев И. Б., Ждан А. Г., Сандомирский В. Б. Полевые характеристики электропроводности полупроводниковых пленок, содержащих межгранульные барьеры // ФТП, 1976, т. 10, № 11, с. 2089 -2093.
    90. Ф.Ф., Кузнецов B.C., Сандомирский В. Б. Хемосорбци-онные и каталитические свойства полупроводниковой пленки на металле // Кинетика и катализ, 1962, т. 3, № 5, с. 712 723.
    91. Гасанов Л. С. Эффект поля в тонких слоях полупроводников // ФТП, 1967, т. 1, № 6, с. 809−814.
    92. А.И., Давыдов С. Ю. Расчет контактного потенциала в тонкой полупроводниковой пленке// ФТП, 1971, т. 5, № 2, с. 369 371.
    93. А.Я., Кечиянц A.M., Шаронова Л. В., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В.
    94. Об энергетической диаграмме тонкого гетероперехода // ФТП, 1976, т. 9, с. 1790- 1791.
    95. H.H., Сысоев Б. И., Сыноров В. Ф. Исследование слоистых систем с пограничными состояниями // II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: тез. докл., Ташкент, 1980, часть 1, с. 60.
    96. .И., Безрядин H.H., Сыноров В. Ф. Экранирование электрического поля в многослойном полупроводнике // ФТП, 1981, т. 15, в. 8, с. 1523 1527.
    97. A.C., Безрядин H.H., Моргунов В. Н., Мамлин А. Г. Свойства гетероконтакта металл-тонкий слой дифосфида цинка в структурах на основе кремния // Новые материалы электронной техники: Сборник на-учн. трудов. Воронеж: ВПИ, 1983, с. 66 — 70.
    98. .И., Безрядин H.H., Дронов A.C. и др. Структура и электрофизические свойства тонких слоев дифосфида цинка на кремнии/ V Всесоюзное координационное совещание по полупроводниковым соединениям AnBv: тез. докл. Москва, 1982, с. 93.
    99. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. — М.: Энергия, 1976. — 184 с.
    100. Djuric Z., Smiljanic М. Static Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor-Insulator-Metal (MISIM) Structures. 1. Electric Field and Potential Distributions // Solid St. Electr., 1975, v. 18, № 10, p. 817 — 825.
    101. .И., Безрядин H.H., Дронов A.C. Электрофизические свойства гетеропереходов ZnPz-Si и слоистых систем на его основе // III Всесоюзная конференция по физическим процессам в гетероструктурах: тез. докл., т. 1, Одесса, 1982, с. 212 213.
    102. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Майссела JL, Глэн-га Р.: Пер. с англ. Т. 1. М.: Сов. радио, 1977, 664 с.
    103. В.Ф., Сысоев Б. И., Безрядин H.H., Битюцкая JI.A. Свойства слоев дифосфида цинка в МДП-структурах // IV Всесоюзное координационное совещание по полупроводниковым соединениям AnBv: тез. докл. Москва, 1978, с. 56.
    104. В.И., Бузанева Е. В., Радзиевский H.A. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Сов. радио, 1974, 248 с,
    105. А.П., Безрядин H.H. Об управлении зарядовым состоянием структур металл диэлектрик — полупроводник // Пути повышения эффективности работы молодых ученых и специалистов. Тез. докл. Воронеж: изд-во ВГУ, 1977, с. 15.
    106. Synorov V.F., Likholet A.N., Sysoev B.I. Analysis of Charge Distribution in MIS-Type Multilayer System // Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 33, p. K161-K164.
    107. Mochizuki H., Aoki T., Yamoto H., Okayama M., Abe M., Ande T. Semi-Insulating Polycrystalline Silicon (SIPOS) Films Applied to MOS integrated circuits // Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, Suppl. № 1, p. 41 48.
    108. В.M., Ковалевский A.A. Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике. Минск: Наука и техника, 1978, 344 с.
    109. Maxwell H.R., Knolle W.R. Densification of SIPOS // J. Electrochem. Soc., 1981, v. 128, № 3, p. 576 580.
    110. Отс K.B., Муеллер С. А., Мейлер Б. Л. Стабильность пленок SIPOS // Электронная техника. Сер. Материалы, 1984, вып. 11(196), с. 42 45.
    111. .И., Сыноров В. Ф., Безрядин H.H. Релаксация заряда в гетероструктурах на основе системы ZnPi-Si // Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv: тез. докл. Воронеж, 1987, с. 91.
    112. В.Б., Вавилов B.C., Чукичев М. В., Шевченко В. Я., Магомед-гаджиев Г.Г., Пальма В. Р. Исследование спектров катодо- алюминес-ценции ZnP2 моноклинной модификации // ФТП, 1978, т. 12, в. 4, с. 673 677.
    113. .И., Антюшин В. Ф., Сыноров В. Ф. Исследование влияния легирования на релаксационные процессы в слоях двуокиси кремния // 20 Intern. Wiss. Koll. T.H.Ilmenau, DDR, 1975, p. 59 — 60.
    114. Л.А., Бормонтов E.H. Электрофизические свойства ZnP2 // V Всесоюзное координационное совещание по полупроводниковым соединениям AnBv: тез. докл. Москва, 1982, с. 88.
    115. H.H., Дронов A.C., Сыноров Ю. В., Шевелева Г. М. Получение тонких слоев селенида галлия на кремнии // Полупроводниковая электроника / Межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж: изд-во Вор. гос. пед. ин-та. — 1985. — С. 20 — 25.
    116. .И., Ровинский А. П., Сыноров В. Ф. Полупроводниковые свойства тонких пленок CdGa2Se4 // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки, Воронеж, 1975, с. 310 314.
    117. Sysoev B.I., Bezryadin N.N., Synorov Yu.Y., Agapov B.L. Investigation of Gallium Selenide Films, Grown by the Hot Wall Metod, on Silicon Substrates / Phys. Stat. Sol. (a). 1986. — V. 94, № 2. — P. K129 — K132.
    118. .И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В., Кузьменко Т. А. Получение и структура пленок селенида галлия на кремнии // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1991, т. 27, № 3, с. 470 473.
    119. Н.Ф., Малкова А. С., Малюков Б. А., Пашинкин А. С. Исследование характера испарения некоторых халькогенидов III В подгруппы периодической системы типа АХ и А2Х3 (А Ga, In- X — S, Se, Те) // Деп. в ВИНИТИ, 1977, № 2149−77. — 12 с.
    120. Л.И., Стрельченко С. С., Бондарь С. А., Молодых А. Д., Бела-невская А.Э., Лебедев В. В. Давление диссоциации двойных полупроводниковых соединений В2шСзУ1 // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1969.-Т. 5, № 5.-С. 872 -877.
    121. Н.Ф., Пашинкин А. С. Исследование процесса испарения Ga2Se3 // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1979. — Т. 15, № 3. — С. 412−416.
    122. Л.С., Белова Е. К. Исследование полиморфизма селенида Ga2Se3 переменного состава // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1965.-Т. 1, № 11.- С. 1883−1889.
    123. Lakova M.S., Dimova D.I., Kunev S.K., Baltov Y.K. Photoelectric Properties of CdS thin Films Obtained by Vacuum Evaporation from the Heterogeneous CdS Сг20з System //Докл. Болг. A.H., 1977, т. 30, № 12, с. 1701−1704.
    124. Persin М., Popovic S. Celustka В. Some Properties of Ga2Se3-In2Se3 Thin Films//Thin Solid Films. 1981. — V. 82, № 1. — P. LI 13 — LI 15.
    125. Persin M., Celustka В., Popovic S., Persin A. Some Electrical and Optical Characteristics of Films of Ga2Se3 // Thin Solids Films. 1976. — V.37, № 2.1. P. L61 -L62.
    126. C.M., Тырзиу М. П., Тырзиу В. Г. Исследование электрических свойств гетероперехода на основе Si-Ga2Se3 // Полупроводниковые материалы, структуры, измерительные и управляющие устройства. Кишинев: Штиинца, 1977. — С. 94 — 101.
    127. .К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН СССР, 1956.-314 с.
    128. .Л., Безрядин H.H., Фетисова C.B., Шевелева Г. М., Дронов A.C. Количественный рентгеновский микроанализ тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев // Полупроводниковая электроника. Межвуз. сб. Воронеж: Изд-во ВГПИ, 1989. — С. 37 — 42.
    129. Ю.З., Лурье М. С., Токарев П. Д., Филаретов Г. А. Исследование электрофизических свойств пленок сульфида кадмия, полученных ме-то- дом закрытого тигля // Электронная техника. Сер. 6, Материалы. -1968.-Вып. 6.-С. 45−56.
    130. Ю.З., Лурье М. С., Старое Ф. Г., Филаретов Г. А. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов, радио, 1975. -160 с.
    131. Duh K.J., Zemei J.N. Properties of PbS Epitaxial Films Grown by a Hot Wall Method // Thin Solid Films. 1975. — V. 26, № 1. — P. 165 — 169.
    132. З.И., Роках А. Г., Кац Н.Б. и др. Фотопроводящие пленки (типа CdS). Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. — 192 с.
    133. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные пленки соединений AnBv. JL: Изд-во Ленингр. ун-та, 1978, 310 с.
    134. Д.М. Получение пленок соединений AIVBVI // Приборы и техн. экспер. 1976.-№ 5.-С. 7−15.
    135. Д.М. Получение слоев соединений AIVBVI с заданными параметрами методом квазизамкнутого объема // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1982. — Т. 18, № 8. — С. 1237 — 1248.
    136. Д.М., Галущак М. А., Межиловская Л. И. Физика и технология полупроводниковых пленок. Львов: Вища шк. 1988, 152 с.
    137. H.H., Дронов A.C., Сыноров Ю. В. и др. Электрофизические свойства тонких слоев селенида галлия // Исследования по физике полу- проводников. Межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж: ВГПИ, 1986, с. 27 32.
    138. Л.Г., Розенталь А. И. Монополярная инжекция в условиях неоднородного объемного распределения центров прилипания / ФТП. 1970.-Т.4, № 3.-С. 537−541.
    139. Lenzlinger М., Snow E.H. Fowler-Nordheim Tunneling into Thermally Grown Si02 // J. of Appl. Phys., 1969, v. 40, № 1 p. 278 283^
    140. Г. Г. Различие вольт-амперных характеристик фотоэмиссии из кремния п- и р-типов в МДП-системе // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986, № 8, с. 95 100.
    141. .Н., Смирнова О. Н., Гольдфарб В. А. Особенности фотоэмиссии в МДП-структурах с учетом локализованного в диэлектрике заряда// Микроэлектроника. 1981, т. 10, вып. 5, с. 463 466.
    142. A.M., Гуревич Ю. Я. Теория электронной эмиссии из металлов. М.: Наука, 1973, 256 с.
    143. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, 456 с,
    144. Kadlec J., Gundlach K.H. Results and Problems of Internal Photoemisslon in Sandwich Structures // Phys. Stat. Sol., 1976, v. 37(a), № 11 p. 11 28.
    145. Berglund C.N., Powell R.T. Photoinjection into Si (h: Electron Scattering in the Image Force Potential Well // J.Appl. Phys., 1971, v. 42, № 2, p. 573 -579.
    146. .И., Антюшин В. Ф., Стрыгин В. Д. Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатвор-ным слоем широкозонного полупроводника // ФТП. 1984. — Т. 18, № 10, с. 1739- 1743.
    147. Terman L.M. An Investigation of Surface States at a Silicon / Silicon Oxide Interface Employing Metal-Oxide-Silicon Diodes // Solid State Electron. 1962, v. 5, p. 285 — 299.
    148. Gray Р.У., Brown D.M. Density of Si02-Si Interface States // Appl. Phys. Lett. 1966. — V.8, № 1. — P. 31 — 33.
    149. H.H., Сыноров Ю. В., Кузьменко Т. А. Электронные процессы на границе раздела селенид галлия кремний // Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках / Тез. докл. II Всесоюзной конф. — Воронеж, 1987. — С. 46.
    150. В.Н., Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н. и др. Электронные процессы на границе раздела кремний полуизолирующий слой селенида галлия // 32 Intern. Wiss. Koll.- Т.Н. Ilmenau, DDR, 1987, p. 15.
    151. В.З., Мажулин А. В. Исследование влияния изопропилового спирта на поверхность кремния // Электронная техника. Сер. Материалы, 1982, в. 6 (167). с. 41 44.
    152. В.А., Скупов В. Д., Шенгуров В. Г., Николаева JI.E. Термическая очистка поверхности кремния с защитной оксидной пленкойв высоком вакууме // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991, в. 10, с. 154−157.
    153. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. — 216 с.
    154. Н.Н., Сыноров Ю. В., Кузьменко Т. А. Получение и свойства гетероперехода кремний селенид галлия // Наука и ее роль в ускорении научно-технического прогресса. Тез. докл. Воронеж, 1987, с. 37.
    155. .И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. Твердотельные элементы ИС на основе гетероперехода Si-Ga2Se3 // Физические основы твердотельной электроники. Тез. докл. 1-й Всесоюзной конф. Ленинград, 1989, т. В, с.309−310.
    156. .И., Сыноров Ю. В., Безрядин Н. Н. и др. Слоистые системы на основе кремния с тонкими пленками широкозонных полупроводников А2шВзУ1 // 35 intern. Wiss. Koll. Т.Н. Ilmenau, DDR, 1990, p.13−14.
    157. Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. — 488 с.
    158. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 564 с.
    159. Christou М.А., Wilkins B.R., Tseng W.F. Low-Temperature Epitaxial Growth of GaAs on (100) Silicon Substrates // Electron. Lett. 1985. — V.21, № 9. — P. 406−408.
    160. Chong T.C., Fonstad C.G. Growth of High Quality GaAs Layers Directly on Si Substrate by Molecular-Beam Epitaxy // J. Vac. Sci. and Technol.1987.-B.5, № 3.- P. 406−408.
    161. В.Л., Кондратов А. В., Потапенко А. А. Эффективность геттер и-рования при массопереносе в вакууме // Инж. физ. журнал. — 1984. -Т. 46, № 6. — С. 949 — 952.
    162. А.В., Потапенко А. А. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники. М.: Радио и связь, 1986. — 80 с.
    163. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / Скворцов И. М., Лапидус И. И., Орион Б. В. и др. М.: Энергия, 1978. -136 с.
    164. H.H., Аигина Н. Р. Методы электронной и ионной спектроскопии для исследования поверхности и границ раздела в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника, 1986, вып. 9 (304), с. 1−80.
    165. Wright S., Kroemer Н. Reduction of Oxides on Silicon by Heating in a Gallium Molecular Beam at 800 °C // Appl. Phys. Lett. 1980. — V. 36, № 3. -P. 210−211.
    166. Yablonovitch E., Gmitter T. Chemical Synthesis of Ideal Electronic Surfaces on Silicon and Othe Semiconductors // Topical Meet, on Microphys. of Surfaces, Beams and Adsorb- Washington, 1987, p. 5 6.
    167. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ./ Под ред. Л. Ченга, К.Плога. М.: Мир, 1989. — 584 с.
    168. .И., Безрядин H.H., Сыноров Ю. В. и др. Получение монокри-сталпических слоев соединений А2шВзу1 на кремнии и арсениде индия // Конференция по электронным материалам. Тез. докл. Новосибирск, 1992, с. 207−208.
    169. .И., Безрядин H.H., Капустин Ю. А. и др. Влияние радиационных воздействий на термодоноры в Si системы SIO2-SI // Физика окис-ных пленок. Тез. докл. III Всесоюзной конф. Петрозаводск, 1991, часть 2, с. 88.
    170. .И., Безрядин H.H., Сыноров Ю. В. и др. Влияние радиационных воздействий на параметры границы раздела SIO2-SI // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. Тез. докл. III Всесоюзн. конф. Кишинев, 1991, с. 56.
    171. B.E. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / Под ред. В. А. Лабунова. Мн.: Наука и техника, 1992. — 248 с.
    172. Poqqi A., Susi Е. Effect of Rapid Thermal Annealing on Electrical and Structural Properties of Silicon // J. Electrochemical Socoety, 1991, v. 138, № 6, p. 1841−1845.
    173. A.B. Импульсный отжиг в технологии полупроводников // V Всесоюзная школа по физико-химическим основам электронного материаловедения. Сб. тез. докладов. Новосибирск, 1988, с. 39 40.
    174. H.H., Дронов A.C., Капустин Ю. А., Кузьменко Т. А., Сысоев Б.И. Термодефекты в приповерхностной области кремния в гетеро-структурах со слоями термической двуокиси кремния и селенида галлия
    175. Первая национальная конференция «Дефекты в полупроводниках». Тез. докл. С .-Петербург, 1992, с. 185.
    176. Ю.А., Колокольников Б. М., Свешников A.A. Фотостомули-рованная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке//ФТП, 1990, т. 24, в. 2, с. 318 322.
    177. A.A., Гусаков В. В., Попов В. В., Темников К. Л. Влияние секундного импульсного отжига на электрофизические характеристики кремниевых МОП-структур // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1989, вып. 4 (201), с. 75 — 79.
    178. В.Д., Болотов В. В., Коляденко С. Н., Степанищев А. С. Действие импульсных световых термообработок на электрические характеристики структур поли- Sl/Si02/Si // Микроэлектроника, 1990, т. 19, в. 6, с. 575 578.
    179. В.Е., Моин М. Д., Примаченко В. Е. и др. Изменение электронных свойств системы Si-Si02 при лазерном облучении // ФТП, 1992, т. 26, в. 8, с. 1399−1404.
    180. Hahn Н., Klinger W. Ueber die Kristallstrukturen von Ga2S3, СагБез und Ga2Te3 // Z. Anorg. Allg. Chem., 1949, v. 259, p. 135 142.
    181. Dieleman J., Sanders F.M., Van Dommelen J.H.J. The Phase Diagram of the Ga Se System // Philips J. Res., 1982, v. 37, № 4, p. 204 — 229.
    182. McNutt M.J., Sah C.T. Experimental Observations of the Effects of Oxide Charge Inhomogeneity on Fast Surface State Density from High -Frequency YOS Capacitance Voltage Characteristics // Appl. Phys. Lett. -1975.-V. 26, № 1.-P. 378−380.
    183. А.П., Литовченко В. Г., Москаль Д. Н., Романюк Б. Н. Исследование микрогетерогенности поверхностного заряда в системе Si-Si02 // Укр. физ. журнал. 1975. — Т. 20, № 12. — С. 2016 — 2024.
    184. Шик А. Я. Проводимость неоднородных поверхностных каналов // ЖЭТФ. 1976. -Т. 70, № 6. С. 2211 -2217.
    185. В.А., Сурис Р. А. Исследование флуктуаций поверхностного потенциала в структурах металл диэлектрик — полупроводник // ЖЭТФ. — 1978.-Т. 75, № 1.-С. 191−203.
    186. А.В., Снитко О. В., Шкребтий А. И. Особенности экранирования неоднородно встроенного заряда и их связь с физическими свойствами МДП структур // ФТП. 1981. — Т. 15, № 1. — С. 67 — 72.
    187. В.А., Сурис Р. А. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл диэлектрик — полупроводник // ЖЭТФ. -1983.-Т. 84, № 2.-С. 719−736.
    188. В.А. Теория флуктуационных поверхностных состояний в МДП структурах: динамика перезарядки // ФТП. 1983. — Т. 17, № 4. -С. 637 — 644.
    189. .И. Флуктуационные медленные поверхностные ловушки // Первая национальная конференция «Дефекты в полупроводниках». Тез. докл., С.-Петербург, 1992, с. 183.
    190. Н.М., Фукс Б. И. Поверхностные кулоновскйе ловушки // Первая национальная конференция «Дефекты в полупроводниках». Тез. докл., С.-Петербург, 1992, с. 184.
    191. Hwu J.G., Hwang J. Z,., Chiou Y.L. Impurity-Related Interface Trap in an AI/SIO2/ Si (p) Capacitor// Thin Solid Films. 1985. — У. 125,№ 1.-P.17- 23.
    192. B.M., Атрощенко Л. В., Фрейман Ю. А. Примеси в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями // ДАН СССР. 1968. -Т. 185, № 1.-С. 83−86.
    193. H.A., Мойжес Б. Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния И ФТП. 1981. — Т. 15, в. 4. — С. 625 — 648.
    194. Н.Г., Гальчинецкий Л. П. О природе электрически активных центров в кристаллах сесквиселенида галлия // Сб. научн. трудов ВНИИ монокр., сцинтиляц. матер, и особо чистых хим. веществ. -1988.-№ 21.-С. 24−29.
    195. Д.Б., Бакуменко В. Л., Бонаков А. К. и др. Кинетика фотопроводимости дефектного полупроводника ЫгТез // ФТП. 1979. -Т.13, в. 5. -С. 961 — 965.
    196. Т.В. Термодефекты в полупроводниках // ФТП, 1982, т. 16, в. 1, с. 3- 18.
    197. В.Б., Помозов Ю. В., Шаховцов В. И. и др. О влиянии нейтронного облучения на генерацию термодоноров и преципитацию кислорода в кремнии при 650 °C // ФТП, 1993, т. 27, в. 10, с. 1651 1656.
    198. Н.П., Барчук В. И., Гринштейн П. М., Орлова Е. В. О высокотемпературных кислородных донорах в кремнии // ФТП, 1981, т. 15, в. 9, с. 1733−1736.
    199. Ю.М., Васильева М. В., Гринштейн П. М. Влияние предварительного низкотемпературного отжига на образование высокотемпе-ра- турных доноров в монокристаллах кремния // ФТП, 1991, т. 25, в. 10, с. 1824- 1827.
    200. В.П., Мурин Л. П. О центрах зарождения термодоноров в кремнии // ФТП, 1991, т. 25, в. 2, с. 262 266.
    201. Deak P., Snyder L.C., Corbett J.W. Silicon-Interstitial Oxigen — Interstitial Complex as a Model of the 450 °C Oxygen Thermal Donor in Silicon // Phys. Rev. Letters, v. 66, № 6, p. 747 — 749.
    202. B.B., Оганесян Г. А., Шмальц К. Преципитация кислорода и образование «новых доноров» при термообработке // Первая национальнациональная конференция «Дефекты в полупроводниках». Тез. докл. Санкт- Петербург, 1992, с .147.
    203. Г. З., Пекарев А. И., Чистяков Ю. Д. Очистка кремния от примесей с помощью внутреннего гетгера // ФТП, 1983, т. 12, в. 5, с. 432 -439.
    204. Bailey W.E., Bowling R.A., Bean К.Е. Gettering of Carbon and Oxygen in Silicon Drocessing//J. Electrochem. Soc., 1985, v. 132, № 7, p. 1721 1725.
    205. Я. Основы технологии СБИС: Пер. с япон. М: Радио и связь, 1985, 480 с.
    206. Е.А., Галкин Г. Н., Енишерлов К. Л., Антонова Н. А. Исследование эффективности некоторых приемов геттерирования в кремнии с использованием метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Микроэлектроника, 1991, т. 20, в. 2, с. 124 130.
    207. Е.Д., Колотов М. Н., Соколов В. И., Шапиро И. Ю., Шуль -пина ИЛ. Свойства границы раздела Si-Si02 и процесс внутреннего геттерирования в МОП- и MHOП-структурах // Микроэлектроника, 1992, т. 21, в. 5, с. 74−80.
    208. А.Н., Приходько В. Г. Структура плотности состояний границы раздела Si-Si02 // ФТП, 1986, т. 20, в. 3, с. 427 430.
    209. Poindexter Е.Н. MOS Interface States: Overview and Physicochemical Perspective // Semicond. Sci. Technol., 1989, v. 4, p. 961 969.
    210. Ю.М., Васильева M.B., Гринштейн П. М., Мильвидский М. Г., Резник В. Я. Некоторые особенности высокотемпературной преципитации кислорода в кремнии, прошедшем предварительную термообработку // Кристаллография, 1989, в. 5, с, 1191 1194.
    211. Stathis J.H., Dori L. Fundamental Chemical Differences Among Рь Defects on (111) and (100) Silicon // Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, № 15, p. 16 411 643.
    212. Vuillaume D., Goguenheim D., Vincent G. New Insights on the Electronic Properties of the Trivalent Silicon Defects at Oxidized <100> Silicon Surfaces // Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, № 12, p. 1206 1208.
    213. .И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю.В.и др. Экранирование радиационных воздействий слоем GaiSes в структурах на основе Si02-Si // Физика окисных пленок. Тез. докл. III Всесоюзн. конф. Петрозаводск, 1991, часть II, с. 88.
    214. Mathur Р.С., Kumar A., Taneja О.Р., Dawar A.L. Growth and Electrical Transport Properties of 1пгТез Thin Films // Thin Solid Films, 1981, v.78,p. 377 -383.
    215. Golding T.D., Boyd P.R., Martinka M. et al. Molecular Beam — Epitaxial Growth and Chatacterization of In2Te3 // J. Appl. Phys., 1989, v. 65, № 5, p. 1936- 1941.
    216. B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энерго-ато- миздат, 1988. — 256 с.
    217. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / Под ред. проф. С. М. Рывкина. М.: Радио и связь, 1981, 248 с.
    218. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями / Акчурин Р. Х., Андрианов Д. Г., Борман JI.C. и др. / Под ред. В.И.Фи-стуля. М.: Металлургия, 1987, 232 с.
    219. В.А., Куницкий И. Э., Лысенко B.C., Назаров А. Н., Шаховцов В. И. Радиационные процессы в системах металл диэлектрик — полупроводник. Препринт № 10 ИФ АН УССР, Киев, 1986, 53 с.
    220. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Советское радио, 1980, 224 с.
    221. Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 228 с.
    222. А.П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев SiOi на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988. — 303 с.
    223. Д.Г., Ладыгин Е. А., Шилин Б. А. Действие повторного облучения на свойства КМСШ-структур // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990, в. 4(207), с. 101 103.
    224. М.Г. Полупроводниковые материалы на современном этапе развития электронной техники // V Всесоюзная школа «'Физико-химические основы электронного материаловедения». Тез. докл. Новосибирск, 1988, с. 3 4.
    225. Н., Капо Н., Mashimoto М., Igarashi I. Antiphase Domains in GaAs Grown on a (001) Oriented Si Substrate by Molecular-Beam Epitaxy // J.
    226. Appl. Phys., 1988, v. 64, № 4, p. 2246 2248.
    227. Lum R.M., Klingert J.K., Davidson B.A., Lamont M.G. Improvements inthe Heteroepitaxy of GaAs on Si // Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, № 6, p. 36 38.
    228. Yao Т., Nakao H., Kawanami H., Toba R. Lattice Strain Relaxation at the Initial Stages of Heteroepitaxy of GaAs on Si (100) by Molecular-Beam Epitaxy // J.Cryst. Growth. 1989, v. 95, p. 107 118.
    229. Woolf D.A., Westwood D.I., Anderson М.А., Williams R.H. The Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs (lll)/Si (111): a Variable Growth Temperature Study // Appl. Surf. Seience, 1991, v. 50, p. 445 449.
    230. .И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В., Кузьменко Т. А. Получение слоев арсенида галлия на кремнии в квазизамкнутом объеме // Электронная техника. Сер. Материалы. 1991, в. 3 (257), с. 22 24.
    231. .И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. Получение монокри-сталпических слоев арсенида галлия на кремнии в квазизамкнутом объеме // 8 Всесоюзная конф. по росту кристаллов. Расшир. тез докл. Харьков, 1992. т. I.e. 118−119.
    232. Н.Н., Сыноров Ю. В., Кузьменко Т. А., Агапов Б. Л., Ровин-ский А.П. Получение слоев арсенида галлия на кремнии в квазизамкнутом объеме // Физика и технология материалов электронной техники. Межвузовский сборник, Воронеж, ВПИ, 1992, с. 64 69.
    233. В.Б. О химии и технологии твердых веществ // Журнал прикладной химии. 1974, т. 47, № 10, с. 2145 2157.
    234. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников: Под ред. Б. Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1982. — 136 с.
    235. Piotrowska A., Kaminska E., Kaminska A., Kontlciewicz A. Methods of Surface Preparation for Some A3B5 Semiconductors Compounds // Electron. Technology. 1983. — V. 14, № 1 — 2. P. 3 — 23.
    236. Штабнова B. JL, Кировская И. А. Химический состав поверхности соединений InBv // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1989. — Т. 25, № 2. -С. 207−211.
    237. Ю.К., Моргунов В. Н., Щевелева Г. М., Безрядин Н. Н., Кузь-менко Т.А. Подготовка подложек InAs и получение гетероперехода 1тТез InAs в квазизамкнутом объеме // Полупроводниковая электроника. Межвуз. сб. — Воронеж: Изд-во ВГПИ, 1985. — С. 5 — 11.
    238. Полупроводниковые соединения AnIBv: Под ред. Р. Виллардсона, Х. Гё-ринга / Пер. с англ. М.: Металлургия, 1967. 728 с.
    239. Wieder Н.Н. Perspectives on III У Compound MIS-Structures // J. Vac. Sci. Technol. — 1978. — V. 15, № 4. — P. 1498 — 1506.
    240. Baier H.U., Koenders L., Monch W. Oxidation of InAs (110) and Correlated Changes of Electronic Surgace Properties // J.Vac.Technol. B. -1986.- V. 4, № 4.-P. 1095−1099.
    241. Wager J.F., Wilmsen C.W. The Deposited Insulator / HI V Semiconductor Interface // Phys. and Chem. Ill — V Compound Semicond. Interfaces. — New York, London, 1985. — P. 165 — 211.
    242. Л.А., Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Маева О. И., Омелья-новский Э.Н. Поверхностный потенциал и поверхностные состояния в монокристаллах InAs // ФТП, 1976, т. 10, № 6, с. 1108 1114.
    243. Г. В., Карпушин А. А., Короленко И. В., Мороков Ю. Н., Сазонов С. Г., Томашек М. Электронная структура на идеальных и неидеальных гранях (111), (001) и (110) арсенида индия // Поверхность. Физ., хим., мех. 1986. — № 3.- С, 53−57.
    244. Shwartz R.L., Dockerty R.C., Thompson H.W. Capacitance Voltage Measurement on n-type InAs VOS Diodes // Sol. Stat. Electron. — 1971 .V. 14, № 1.-P. 115- 123.
    245. Wilmsen C.W., Meiners L.G., Collins D.A. Single- and Double Layer Insulator Metal — Oxide — Semiconductor Capacitors on Indium Arsenide // Thin Sol. Films. — 1977. — V. 46, № 3. — P. 331 — 337.
    246. Baglee D.A., Ferry D.K., Wilmsen C.W., Wieder H.H. Inversion Layer Transport and Properties of Oxides on InAs // J.Vac. Sci. Technol. 1980. -V. 17, № 5.-P. 1032−1036.
    247. С.Г., Сазонов С. Г., Моталева Н. В., Соколов М. А. Формирование и электрофизические свойства системы собственный окисел полупроводник. Арсенид индия // Вестник ЛГУ. — 1983. — Вып. 2, № 10. -С. 26 — 32.
    248. И.А., Лебедева Л. В., Анненко Н. М. Исследование глубоких уровней в InAs с помощью емкостных измерений МДП структур // ФТП. 1984. — Т. 18, в. 4. — С. 734 — 736.
    249. Ю.А., Барышников Ю. Ю., Гуртов В. А. и др. Окислы, осажденные из металлоорганических соединений для МДП-структур на полупроводниках группы А3В5//ЖТФ. 1984. — Т. 54, № 5. — С. 965−966.
    250. С.Г., Левин Д. М. Некоторые закономерности роста, элементно-фазового состава и электрофизических свойств систем собственный оксид-полупроводник (InSb, InAs, InP) // Письма в ЖТФ. 1985. — T. l 1, в. 19.-С. 1208−1213.
    251. Е.А., Давыдов В. Н., Лезина Т. Д. Особенности электрофизических и фотоэлектрических характеристик МОП-структур из InAs // Микроэлектроника. 1985. — Т. 14, в. 2. — С. 134 — 139.
    252. А.П., Курышев Г. Л., Кантер Ю.0. и др. Влияние состава переходного слоя на величину низковольтного гистерезиса вольт-фарад-ных характеристик МДП-структур на арсениде индия // Поверхность. Физ., хим., мех. 1986. — № 10. — С. 132 — 137.
    253. Baier H.U., Koenders L., Monch W. Oxidation of Cleaved InAs (110) Surfaces at Room Temperature: Surface Bend Bending and Ionization Energy // Solid State Commun. 1986. — V. 58, № 5. P. 327 — 331.
    254. A.A., Усов Ю. Н., Захаров И. С. Релаксация заряда в МОП-структурах на основе InAs // Диэл. и полупр. 1988. — № 3. — С. 110 — 115.
    255. В.П., Сергеева В. М., Шелых А. И. Электрические свойства 1п2Тез- полупроводника с дефектной структурой // ФТТ. 1960. — Т. 2, в. 11. -С. 2858 — 2871.
    256. H.A., Радауцан С. И. Твердые растворы в системе In As -1п2Тез // ДАН СССР. 1958. — Т. 121, № 5. — С. 848 — 849.
    257. С.И. Исследование некоторых сложных полупроводниковых твердых растворов и соединений на основе индия // Чехосл. физ. ж. -1962.-Т. 12, № 5, — С. 382−391.
    258. Woolley J.С., Pamplin B.R., Evans J.A. Electrical and Optical Properties of InAs-ImTes Alloys//J. Phys. Chem. Solids. 1961.-V. 19, №½.-P. 147- 154.
    259. B.C. Твердые растворы в системе Ga2Te3 1п2Тез // ЖТФ, 1958, т. XXVIII, вып. 8, с. 1670 — 1674.
    260. Woolley J.C., Smith В.А. Solid Solution in Zinc Blende Type А2шВзУ1 Compounds // Proc. Phys. Sos, 1958, v. 72, p. 867 873.
    261. K.M., Мушинский В.П, Павленко Н. М., Перяков М. М. Об образовании твердых растворов в системе Оа2Тез 1п2Тез // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. Кишинев: РИО АН МССР, 1970, с. 146- 154.
    262. B.C., Капустин Ю.А, Борисов B.C., Шлык Ю. К. Автоколебательная схема измерения внутреннего трения твердых тел // ПТЭ. -1985. -№ 1. С. 180−182.
    263. Александров Л. Н, Зотов М. И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука. — 1979. — 160 с.
    264. Денисов А. Г, Дорджин Г. С., Каспарян P.M. Применение электронной Оже-спектроскопии в производстве ИЭТ // Электронная промышленность. 1982 — вып. 10 — 11. — С. 15.
    265. .Л., Безрядин H.H., Моргунов В. Н., Шлык Ю. К. Исследование состава и электрических свойств тонких слоев теллурида индия на арсениде индия // Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок. Межвуз. сб. Изд. ВПИ. 1986. — С. 86 — 93.
    266. В.И., Вендрих Н. Ф., Новожилов А. Ф., Пашинкин A.C. Исследование процесса испарения 1п2Тез // Изв. АН СССР. Неорганич. материалы. 1981. — Т. 17, № 7. — С. 1190- 1194.
    267. Л.С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия. 1973. — 296 с.
    268. B.C., Толутис В. Б., Ясутис В. В. Процесс образования пленок системы Ga Те из паровой фазы // Литовский физический сборник, 1985, т. 25, № 1.- С. 51 -58.
    269. Л.С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия. 1964. — 408 с.
    270. Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука. — 1985. — 224 с.
    271. .И., Пухова В. В. Исследование электрофизических свойств гетероструктур на основе Si-ImSs, Si-PbS, Si-Sb2S3 и Si-Bi2S3 // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж: ВГУ, 1981, с. 39 -44.
    272. .И., Безрядин H.H., Шлык Ю. К., Моргунов В. Н. Получение и электрофизические свойства гетероструктуры 1щТез InAs // IV Всесоюзная конф. по физич. процессам в полупроводниковых гетерострукту-рах. Тез. докл. Минск, 1986, часть II, с. 323 — 324.
    273. .М., Горбик П. П., Комащенко В. И., Федорус Г. А., Шейнкман М. К. Гетероструктуры твердофазного замещения на основе монокристаллов соединений A"BVI // ФТП. 1981. — Т. 15, в. 2. — С. 357 — 360.
    274. В.П. Механизм образования гетероструктур при твердофазном замещении на основе соединений AUBVI // Ивз. АН СССР. Неорга-нич. материалы. 1991. — Т. 27, № 3. — С. 619 — 620.
    275. Yeh Т.Н. Diffusion, of Sulfur, Selenium and Tellurium in Gallium Arsenide // J. Electrochem. Soc. 1964, v. 111, № 2, p. 253 255.
    276. Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу: Пер. с англ. М.: Мир, 1975. — 688 с.
    277. .И., Антюшин В. Ф., Стрыгин В. Д., Моргунов В. Н. Изолирующее покрытие для арсенида галлия И ЖТФ. 1986. — Т. 56, в. 5. -С. 913−915.
    278. .И., Стрыгин В. Д., Чурсина Е. И., Котов Г. И. Кинетика формирования гетероструктур Ga^Sej/GaAs при термической обработке подложек GaAs в парах селена // Изв. АН СССР. Нерг. материалы. -1991.-Т.27, № 8, — С. 1583−1585.
    279. Sysoev В.1., Bezryadin N.N., Shlyk Yu.K. Electrophysical Properties of ImTes InAs Heterejunction // Phys. Stat. Sol. (a) — 1986. — Y. 95, К169 -K173.
    280. В.М., Гегузин Я. Е., Гальчинецкий Л. П., Кошкин В. М. Самодиффузия и диффузия кадмия в кристалле 1тТез // Легированные полупроводники. Сборник. М.: Наука, 1975, с. 31.
    281. А.Я., Чернявский Л. И., Дорохов А. Н., Мазалов Л. Н., Юдалевич И. Г. Микрорентгеноспектральный послойный анализ пленок // Изв. СО АН СССР. Сер. химич. наук, 1981, № 7, вып. 3, с. 118- 123.
    282. .И., Гарбузов Д. З., Морозов Е. П., Третьяков Д. Н. Спектры фотолюминесценции арсенида галлия при высоких уровнях легирования элементами VI и IV групп таблицы Д.И.Менделеева // ФТП, 1967, т. 1., в. 11, с. 1702−1705.
    283. .И., Гарбузов Д. З., Ермакова А. Н. Исследование природыдлинноволновых полос в спектрах рекомбинационного излучения диффузионных р-n- переходов в арсениде галлия // ФТП. 1967. — Т. 1, в. 9. -С. 1375−1380.
    284. Мильвидский М. Г, Пелевин О. В. Поведение легирующих примесей элементов VI группы в GaAs // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. -1967.-Т. 3, № 7. С. 1159 — 1165.
    285. Мильвидский М. Г, Освенский В. Е. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1974. — 256 с.
    286. Бублик В. Т, Мильвидский М. Г, Освенский В. Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А3В5 // Изв. вузов. Физика. 1980. — № 1. — С. 7 — 22.
    287. Бублик В. Т, Каратаев В. В, Мильвидский М. Г. и др. Дефектообразова-ние в сильнолегированных донорными примесями VI группы монокристаллах арсенида индия // Кристаллография, 1979, т.24, в. 3, с. 528 533.
    288. H.A., Несмелова И.М, Хабаров Э. Н. Исследование взаимодействия примесей в арсениде индия // ФТП. 1978. — Т. 12, в. 10. -С. 1915−1920.
    289. H.A. Аномальные изменения свойств монокристаллов арсенида индия, легированного теллуром // Изв. вузов. Физика. 1984. -№ 5.-С. 51−57.
    290. Vieland L. J, Kudman I. Behavior of Selenium in Gallium Arsenide // J. Phys. Chem. Solids. 1963. — V. 24, № 3. — P. 437 — 441.
    291. Мильвидский М. Г, Освенский В. Б, Прошко Г. П, Холодный Л. П. О природе дефектов в арсениде галлия, сильно легированном теллуром //
    292. ФТП, 1972, т. 6, в. 2, с. 224 228.
    293. Балагурова Е. А, Греков Ю. Б, Прудникова И. А, Семиколенова H.A., Шляхов А. Т. Природа фазового перехода в арсениде галлия, легированном элементами VI группы // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1986, т. 22, № 4, с. 540 -543.
    294. Богданова В. А, Люзе Л. Л, Мильвидский М. Г, Семиколенова H.A.
    295. Эффекты концентрационного и радиационно-стимулированного упорядочения в n-GaAs // XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Тез. докл., Киев: Наукова думка, 1990, часть 1, с. 289 290.
    296. Verner V. D, Maksimov S.K., Nichugovskii D.K. The Nature of Defects of Crystalline Structure in GaAs Heavily Doped with Те // Phys. Stat. Sol (a). 1976. — V. 33.-P.755.
    297. Дж. Техника сверхвысокого вакуума: Пер. с англ. М.: Мир, 1988.-366 с.
    298. Пленочная микроэлектроника. Под ред. Л. Холлэнда: Пер. с англ. -М.: Мир, 1968. 366 с.
    299. B.C., Сысоев Б. И., БудаНов A.B., Безрядин H.H., Шлык Ю. К, Агапов Б. Л. Полевые гетероструктуры на основе арсенида индия с полуизолирующими слоями соединений А2шВзУ1 // 32 Intern. Wiss. Koll. Т.Н. Ilmenau, DDR, 1987, p. 17.
    300. О.Н. Физико-химические процессы осаждения диэлектрических пленок при пиролизе элементоорганических соединений // Всесоюзная школа «Физ.-хим. основы электронного материаловедения». Тез. докл. Новосибирск, 1988. с. 124.
    301. Postnikov V.S., Sysoev В. I, Budanov A. V, Bezryadin N. N, Shlyk Yu. K, Agapov B.L. Heterostructures on the Basis of Indium Arsenide with Semi1. sulating A2niB3VI Compound Layers // Phys. St. Sol. (a). 1988. — V. 109. -P. 463−467.
    302. .И., Безрядин H.H., Буданов A.B., Прокопова T.B. Получение тонких эпитаксиальных слоев соединений А2шВзУ1 на поверхности арсе-нида индия // Всесоюзная школа «Физ.-хим. основы электронного материаловедения». Тез. докл. Новосибирск, 1988, с. 53.
    303. Hahn H., Klinger W. Uber die Kristallstrukturen des In2S3 und ЫгТез // Z. Anorgan Chem., 1949, v. 260, № 1 3, p. 97 — 105.
    304. Newman P.C. Ordering in А2шВзУ1 Compounds // J.Phys.Solids. 1962. -У.23, № 1.-P. 19−23.
    305. .И., Арсентьев И. Н., Гарбузов Д. З., Конников С. Г., Румянцев В. Д. Генерация когерентного излучения в гетероструктурах GalnP-GalnAsP-GalnP // Письма в ЖТФ, 1975, т. 1, в. 7, с. 305 310.
    306. .И., Безрядин H.H., Буданов A.B., Прокопова Т. В. Электронные процессы в твердотельных гетероструктурах на основе арсенида индия // Физические основы твердотельной электроники. Тез. докл. 1-й Всесоюзной конф. Ленинград, 1989, т. В. С. 234 235.
    307. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках/ Пер. с англ. под ред. М. К. Шейнкмана. Москва: Мир, 1977, 562 с.
    308. Ляшенко В. И, Литовченко В. Г, Степко И. И., Стриха В. И., Ляшенко Л. В. Электронные явления на поверхности полупроводников / Под ред. В. И. Ляшенко. Киев: Наукова думка, 1968, 400 с.
    309. A.B. Исследование возможности производственного контроля качества отмывки поверхности кремния методом Кельвина // Электронная техника. Сер. Материалы, 1981, выл, 1, с. 30 31.
    310. Тегао H, Ito Т, Soki Y. Interface Properties of InAs MIS Strticturies and their Application to FET // Elec. Eng. Japan, 1974, v. 94, p. 127 132.
    311. .И., Безрядин H.H., Буданов A.B. Формирование и структура гетерограницы In2S3 InAs // V Всесоюзн. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. — Калуга, 1990. Т. 2.-С. 9- 10.
    312. Сысоев Б. И, Безрядин H.H., Буданов A.B., Шлык Ю. К. Получение и электрические характеристики гетероперехода In2S3 InAs // Микроэлектроника. — 1990. — Т. 19, в. 6. — С. 591 — 594.
    313. Rooymans C.I.M. A new Type of Cation Vacancy Ordering in Spinel Lattice of In2Si3//J. Inorg. andNucl. Chem. 1959. — V. 11, № 1. -P.78−79.
    314. НиЬег M. Ordering in In2Si3 // Comptes Rendus Acad. Sci. 1961. — V. 255, № 3.-P. 471−473.
    315. Steigmann GA., Sutherland H.H., Goodyear J. The Crystal Structure of .
    316. P- In2S3 // Acta Cryst.- 1976. V. 19. — P. 967 — 971.
    317. Р.Б., Эфендиев Э. Г., Алиев Ф. И. Электронографическое исследование пленок In2S3, полученных вакуумным осаждением // Кристаллография. 1973. — Т. 18, в. 3. — С. 660 — 661.
    318. .И., Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Прокопова Т. В., Агапов Б. Л. Структура слоев сульфида индия на поверхности InAs // Изв. РАН. Неорганические материалы, 1995, т. 31, № 7, с. 891- 895.
    319. .И., Агапов Б. Л., Безрядин Н. Н., Буданов А. В. и др. Свойства границы раздела InAs- тонкий полуизолирующий слой In3S3 // ФТП. 1991. — Т. 25, № 4. — С. 699 — 703.
    320. Sysoev B.I., Bezryadin N.N., Budanov A.V. et al. Electron Process in the Solid State Heterostructures on the Basis of Indium Arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). 1991. — V. 124. — P. 177 — 181.
    321. .И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Агапов Б. Л., Стрыгин В. Д. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2inB3VI (110)//ФТП, 1995, т. 29, в. 1, с. 24−32.
    322. П., Хови А., Николсон Р. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. 574 с.
    323. .А., Снитко О. В. Физические свойстра атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1983, 263 с.
    324. Simmons J.G. Poole-Frenkel Effect and Schottky Effect in Metall-Insulator-Metal Systems // Phys. Rev. 1967, v. 155, № 3, p. 657 662.
    325. Rehwald W., Harbeke G. On the Conduction Mechanism in Single Crystal P-Indium Sulfide In2S3 // J. Phys. Chem. Sol. 1965. — V. 26. — P. 1309 — 1324.
    326. С.В., Сиденко Т. С., Чернова А. С., Жаровский Л. Ф. Исследование оптических свойств пленок сульфидов индия и галлия // УФЖ. 1982. — Т. 27, № 2. — С. 285 — 288.
    327. Wha-Tek Kim and Chang Dac Kim. Optical Energy Gaps of I112S3 Thin Films Grown by Spray Pyrolysis // J.Appl. Phys. — 1986. — Y. 60, № 7.1. P. 2631−2632.
    328. Сиденко Т. С, Смертенко П. С, Чернова A.C. Исследование электрофизических свойств пленок сульфида индия и слоистых структур на основе кремния // УФЖ. 1980. — Т. 25, № 7. — С. 1162 — 1167.
    329. В. 11. Получение и свойства пленок I112S3 // Журнал неорганической химии. 1991, т. 36, в. З, с. 591 596.
    330. Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 с.
    331. Сысоев Б. И, Безрядин H.H., Буданов А. В, Прокопова Т. В. Физические процессы в гетероструктуре I112S3 In As // XII Всесоюз. конф. по физике полупроводников: Тез. докл. — Киев, 1990. — С. 230 — 231.
    332. Баранов Л. И, Гаманюк В. Б, Юдович М. В. К расчету вольт-емкостных характеристик МДП-структур с неоднородно легированной подложкой // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Межвуз. научн. сб. Саратов: СГУ, 1977, с. 38 — 45.
    333. A.C., Безрядин H.H., Буданов A.B., Прокопова Т. В. Переходные слои в гетеросистеме I112S3 InAs // Физические основы микроэлектронных приборов. Межвуз. сб. М.: МИЭТ, 1990, с. 40 — 50.
    334. Vengurlekar A.S. Laser Processing of III V Compound Semiconductors // Bull. Mater. Sei. — 1988. — У. 11, № 2/3. — P. 88 — 96.
    335. B.C., Бархударян Г.Р. Исследование лазерной диффузии в
    336. GaAs p- и n-типа проводимости // ФТП. 1989. — Т. 23, в. 4. — С. 640 -642.
    337. Agapov B.L., Bezryadin N.N., Budanov A.Y. et al. Laser-Stimulated Formation of Heavily-Doped Regions on InAs Surface of AniBVI AinBv Heterostructures // Optical and Acoustical Review. — 1990. — V. 1, № 2. -P. 197−201.
    338. K.K., Дмитриев А. Г., Сокол-Номоконов Э.Н. Омические контакты к полупроводникам AnIBv, полученные с помощью оптического квантового генератора // Электр, техника. Сер. 2. Полупро-водн. матер. 1989. — № 1. -С. 73 — 75.
    339. .И., Линник В. Д., Титов С. А. Электрофизические свойства гетероструктур InP-In2S3 // ФТП, 1994, т. 28, в. 5, с. 808 814.
    340. Allen R., Humphreys T.J., Dow J.D., Sankey O.F. Theory of Surface -Defect States and Schottky Barrier Heights: Application to InAs // J. Vac. Sci. Technol. B. 1984. — V. 2, № 3. — P. 449 — 452.
    341. В.И. Химия поверхности полупроводников AinBv // Проблемы электронного материаловедения. Новосибирск: Наука, 1986.- С.29−40.
    342. Н.Э., Коршунов А. Н., Сальман Е. Г. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур // Новосибирск, 1991. 24 с. (Препринт АН СССР. Сиб. отделение. ИНХ.№ 91 006).
    343. В.И., Белоспудов В. Р. Граница раздела М AniBv И Препринт87 8, Новосибирск, 1987, 60 с.
    344. Ильенков Я. А, Ковалевская Т. Е., Ковчавцев А. П. Оценка параметров глубоких уровней в МДП-структурах на основе InAs // Поверхность. Физ, хим., мех. 1992, № 1, с. 62 69.
    345. Сысоев Б. И, Буданов A.B., Стрыгин В. Д. Формирование гетероперехода GaiS3 GaAs методом гетеровалентного замещения мышьяка на серу // Полупроводники и гетеропереходы. — Таллин: Валгус, 1987. -С.32−34.
    346. Агапов Б. Л, Буданов A.B. Полуизолирующие покрытия I112S3 и ОагБз для материалов AmBv // Наука и ее роль в ускорении научно- технического прогресса. Тез. докл. межвуз. конф. молодых ученых. Воронеж, 1987.-С. 28.
    347. Сысоев Б. И, Буданов A.B., Шлык Ю. К. Структуры типа МДП на основе InAs и GaAs // Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем. Тез. докл. Всесоюзн. научн. семинара -Рязань, 1987.-С. 77.
    348. Домашевская Э. П, Неврюева E.H., Терехов В. А, Неврюев И. И. Переходные слои в гетероэпитаксиальных структурах на арсениде галлия // Структура и свойства внутренних границ раздела в металлах и полупроводниках: Сб. научн. тр. Воронеж: ВПИ, 1988, с. 19 25.
    349. Неврюева Е. Н, Терехов В. А., Баев A.C., Стрыгин В. Д, Иванова Т. М, Домашевская Э. П. Энергетический спектр валентных электронов в гете- ропереходе Ga2Se3/GaAs // Поверхность. Физика, химия, механика, 1988, № 8, с, 127 131.
    350. Сысоев Б. И, Стрыгин В. Д, Котов Г. И. Барьеры Шоттки на арсениде галлия, предварительно обработанном в парах селена // Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, в. 9, с. 22−26.
    351. Sysoev B. I, Strygin V.D. Kotov G. I, Nevrueva E. N, Domashevskaya A.P. Formation of a Me/GaAs Hetetocontact with an Intermediate Layerof Gallium Selenide // Phys. Stat. Sol. (a), 1992, v. 129, p.207 212.
    352. В.И. Электронные состояния на GaAs // Препринт 89 22, Новосибирск, 1989, 52 с.
    353. Carpenter M.S., Melloch M.R., Dungan Т.Е. Schottky Barrier Formation on (NH4)2S treated n — and p- type (100) GaAs // Appl. Phys. Lett., 1988, v. 53, № 1, p. 66−68.
    354. Chambers S.A., Sundaram V.S. Structure, Chemistry and Band Bending at Se-passivated GaAs (001) Surfaces H Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, № 22, p. 2342 2344.
    355. Gayen S., Ermler W.C., Sandroff C.J. Theoretical Study of GaAs Surface Passivation with Se // Chem. Phys., 1991, v. 94, № 1, p. 729 733.
    356. Yablonovitch E., Sandroff C.J., Bhat R., Gmitter T. Nearly Ideal Electronic Properties of Sulfide Coated GaAS Surfaces // Appl. Phys. Lett. 1987. -Y. 51, № 6. — P. 432−441.
    357. Fan J.F., Oigawa H., Nannichi Y. The Effect of (NH4)2S Treatment on the Interface Characteristics of GaAs MIS Structures // Jap. J. Appl. Phys. -1988.-V. 27, № 2. P. LI331 — LI333.
    358. Nannichi Y., Fan J.F., Oigawa H., Koma A. A Model to Explain the Effective Passivation of the GaAs Surface by (NH^iSx Treatment // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 2. 1988. — V. 27, № 12. — P. L2367 — L2369.
    359. Post G., Dimitriou P., Scavennec A. et al. InP MIS Transistors with Grown- in Sulphur Dielectric // Electron. Lett. 1983. — Y. 19, № 13. -P. 459 -461.
    360. Dimitriou P., Post G., Scavennec A. et al. High Transconductance InP MISFET’S with Double Layer Gate Insulator // Physica. 1985. — V. 129 B. — P.399−402.
    361. Descouts В., Durand J., Cot L. et al. Thermal Sulphidation on InP // Thin Sol. Films. 1985. — V.131, № 1. — P. 139 — 148.
    362. .И., Ускова Е. А. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: открепление уровня Ферми в контакте A//GaAs // По -верхность. Физ., хим. мех. 1994, в. 6, с. 85 88.
    363. Viktorovitch P. Passivation des Semiconductors III V // Revue Phys. Appl. 1990, v. 25, № 9, c. 895 — 914.
    364. Van Laar J., Scheer I.I. Influence of Volume Dope on Fermi Level Position at Gallium Arsenide Surface // Surf. Sei. 1967, v. 8, № 3, p. 342 -356.
    365. Kahn A. Atomic Geometries of Zincblende Compound Semiconductor Surfaces: Semilarities in Surface Rehybridizations// Surf. Sei. 1986, v. 168, № 1−3, p. 1- 15.
    366. Chelikowsky T.R., Cohen M.L. Self Consistent Pseudopotential Calculation for the Relaxed (110) Surface of GaAs // Phys. Rev. B. — 1979. -V. 20, № 10.- P. 4150−4159.
    367. Spicer W.E., Kendelewicz Т., Newman N. et al. The Mechanism of Shottky Barrier Pinning in III V Semiconductors: Criteria Developed from Microscopic (atomic level) and Microscopic Experiments // Surf. Sei., 1986, v. 168, № 1, p. 240−259.
    368. Cao R., Miyano K., Kendelewicz T. et al. Kinetics Study of Initial Stage Band Bending at Metal GaAs (110) Interfaces // J. Vac. Sei. Technol. B, 1987, v. 5, № 4, p. 998 — 1002.
    369. Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.C. et al. Pramatic Enchancement in the Gain of a GaAs/GaA/As Heterostructure Bipolar Transistor by Surface Chemical Passivation // Appl. Phys. Lett, 1987, v. 51,№ 1, p. 33 35.
    370. .И., Безрядин H.H., Котов Г. И., Стрыгин В. Д. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs II ФТГ1, 1993, т.27, в. 1, с, 131 135.
    371. Hughes G.J., Roberts L., Henry M.O. et al. An Invectigation of the Passivating Effects of Hydrogen Sulphide on the GaAs (100) Surface // Mater. Sci. and Engin. B, 1991, v. 9, № 1, p. 37−41.
    372. Мильвидский М. Г, Освенский В. Б, Шаршаков И. Н. Полуизолирующий арсенид галлия для СВЧ электроники // Изв. вузов СССР (Физика), 1983, т. 26, № 10, с. 5 — 17.
    373. Yamasaki К, Sugano Т. Determination of the Interface States in GaAs MOS Diodes by Deep Level Transient Spectroscope // Appl. Phys. Lett, 1979, v. 35, № 12, p. 932−934.
    374. Hasegawa H, SawadaT, Sakai T. Interface State Band Model for GaAs and GaP Anodic Structures // Surf. Sci, 1979, v. 86, № 1, p. 819 825.
    375. Spicer W. E, Chye P. W, Skeath P.R. et al. New and Unified Model for Chottky Barrier and III -V Insulator Interface States Formation // J. Vac. Sci. Technol. — 1979. — V. 16, № 5. — P. 1422 — 1433.
    376. Freeouf I. L, Woodall I.M. Schottky Barriers: An Effective Work Function Model // Appl. Phys. Lett. 1981. — Y. 39, № 9. — P. 727 — 729.
    377. Hasegawa H, Sawada T. On the Electrical Properties of Compound Semiconductor Interfaces in Metal (Insulator) Semiconductor Structures and the Possible Origin of Interface States // Thin Sol. Films. 1983. -V. 103.-P. 119−140.
    378. Gant H, Koenders L, Bartels F, Monch W. Anion Inclusions in III V Semiconductors // Apll. Phys. Lett. — 1983. — V. 43. — P. 1032 — 1034.
    379. Monch W. Electronic Characterization of Compound Semiconductor Surface and Interfaces // Thin Sol. Films. 1983. — V. 104. — № 2/3. — P. 285 -298.
    380. Belyi V.I., Smirnova Т.P., Zakharchuk N.F. On the Problem of Elemental Bv Material in the Interface of Native Oxide / AniBv Structures // Thin Sol. Films.- 1984.-V. 113, № 2. P. 157- 164.
    381. Monch W. Electronic Properties and Chemical Interactions at III-V Compound Semiconductor Surface: Germanium and Oxygen on GaAs110. and InP (110) Cleaved Surfaces // App. Surf. Sci. 1985. — № 22/23. -P. 705−723.
    382. Spicer W.E., Newman N., Kendelewicz T. et al. Experimental Results Examining Various Models of Schottky Barrier Formation on GaAs // J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. -V. 3. № 4.- P. 1178 — 1181.
    383. Hasegawa H., Ohno H. Uniform Disorder Induced gap State Model for Insulator Semiconductor and Metal — Semiconductor interface // J. Vac. Sci. Technol. В., 1986, v. 4, № 4, p. 1130 — 1136.
    384. В.И., Сысоева Н. П., Колесов Б. А. Удаление элементарного мышьяка с поверхности арсенида галлия // Поверхность. Физ., хим., мех. -1989, № 8, с. 86 -90.
    385. O.Heine V. Theory of Surface State // Phys. Rev. A, 1965, v. 138, № 6, p. 1689- 1696.
    386. Tersoff J. Shottky Barrier Heights and the Continium of Gap States // Phys. Rev. Lett, 1984, v. 52, № 6, p. 465 468.
    387. Э. Физика поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1990, 536 с.
    388. Tong S.Y., Xu G., Ни W.V., Puga M.W. Vacancy Buckling Model to the
    389. Surface of III V Compound Semiconductors // J. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v. 3, № 4, p. 1076- 1078.
    390. Massies J., Chaplart J., Laviron M., Linh N.T. Monoclystalline Aluminium Ohmic Contact to n- GaAs by H2S Adsorption // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 38., № 9, p. 693−695.
    391. Maeda F., Watanabe Y., Scimeca Т., Oshima M. Surface Structure of Se-treated GaAs (001) from Angle-Resolved Analysis of Core-Level Photoelectron Spectra // Phys. Rev. B, 1993, v. 48, № 4, p. 4956 4959.
    392. Biegelsen D.K., Bringans R. D, Northrup J.E., Swartz L.-E. Selenium- and Tellurium Terminated GaAs (100) Surfaces Observed by Scanning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, № 8, p. 5424 — 5428.
    393. Moriarty P, Murphy B, Roberts L, Cafolla A.A. Photoelectron Core-Level Spectroscopy and Scanning -Tunneling Microscopy Study of the Sulfur — treated GaAs (100) surface // Phys. Rev. B. 1994, v. 50, № 19, p. 14 237- 14 245.
    394. Sano E. T, Horikoshi Y. Se Adsorption on (001) GaAs under Varions As4 Pressure//Jap. J. Phys. Pt. 2, 1993, v. 32, № 5A, p. L641 L644.
    395. B.E., Конников С.Г, Гарбузов Д. З, Тулашвили Э. В, Арсентьев И. Н, Дейнекина И. В. Влияние несоответствия постоянных решетки на квантовый выход излучательной рекомбинации гетерострук-тур // ФТП, 1982, т. 16, № 8, с. 1496 -1499.
    396. Vitturo R. E, Shaw J. L, Mailhiot С, Tache N., McKinley J, Margaritondo G, Woodall J.H., Kirchner P. D, Pettit G. D, Wright S. L, Brillson L.J. Bend Bending and Interface States for Metals on GaAs // Appl. Phys. Lett, 1988, v. 52, № 24, p. 2052 2054.
    397. Vitturo R. E, Mailhiot C, Shaw J. L, Brillson L. J, Lagraffe D, Margaritondo G, Pettit G. D, Woodall J.M. Interface States and Schottky Barrier Formation at Metal / GaAs Junctions // J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v. 7, № 3, p. 855 -860.
    398. Chang S, Brillson L. J, Kime Y. J, Rioux D. S, Kirchner P. D, Pettit G. D, Woodall J.M. Orientation Dependent Chemistly and Schottky Barrier Formation at Metal — GaAs Interfaces // Phys. Rev. Lett, 1990, v. 64, № 21, p. 2551 — 2554.
    399. Spicer W. E, Liliental-Weber Z, Weber E, Newman N, Kendelewicz T,
    400. Cao R, McCants G, Mahowald P, Miyanok., Lindau I. The Advanced Unified Defect Model for Schottky Barrier Formation // J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, v. 6, № 4, p. 1245- 1251.
    401. Walukiewicz W. Amphoteric Native Defects in Semiconductors // Appl. Phys. Lett, 1989, v. 54, № 21, p. 2094 2096.
    402. Белявский В. И, Капустин Ю. А, Свиридов В. В. Подпороговое дефек-тообразование при мощной импульсной фотонной обработке Si // ФТП, 1991, т. 25, № 7, с. 1231−1237.
    403. Рембеза С. И, Логинов В. А, Митрохин В. И, Железный С. В. Внутреннее трение в кремнии, подвергнутом воздействию импульсного некого-рентного излучения // Релаксационные явления в твердых телах. Тез. докл. Международн. семинара. Воронеж, 1995, с. 177.
    404. Бондаренко А. А, Сульженко П. С, Суханов А. А. Исследование деградации кремниевых МОП-структур при высоких температурах методом вольт-фарадных характеристик // Микроэлектроника, 1990, т. 19, в. 6, с. 569−574.
    405. Вуль, А .Я, Макарова Т. Л, Осипов В. Ю, Зинчик Ю. С, Бойцов С. К. Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем / ФТП, 1992, т. 26, в. 1, с. 111 121.
    406. Nakhmanson R.S., Sevastianov S.B. Charge Fluctuation in SiCh-Si Interface I I Int. J. Electronics, 1984, v. 57, № 3, p. 379−389.
    407. И.А., Мойжес Б. Я., Санфиров Ю. З. Об электрической неактивности примесей в полупроводниковых соединениях типа 1щТез // ФТП, 1979, т. 13, в. 1, с. 134- 137.
    408. И.И., Кошкин В. М., Кулагин H.A., Овечкина Е. Е., Подус Л. П. Рентгеноспектральное исследование электронного состояния примеси олова в полупроводниках типа 1тТез // ФТП, 1980, т. 14, в.11, с.2081−2085.
    409. П.П., Насрединов Ф. С., Нистирюк П. В., Регель A.A., Костиков Ю. П. Природа электрической неактивности примесных атомов олова в 1тТез // ФТП, 1982, т. 16, в. 2, с. 227−230.
    410. И.А., Квантов М. А. Магнитная восприимчивость ОагТез с избыточным Ga и Sb//ФТП, 1980, т. 14, в. 9, с. 1819- 1821.
    411. В.М., Шведова О. Г., Белоногов Е. К., Селезнев А. Д. Ориентация и субструстура пленок ZnO, полученных магнетронным распылением // Изв. РАН. Неорганические материалы, 1991, т.27, № 3, с. 521−525.
    412. .И., Андреев В. М., Корольков В. И., Портной Е. Л., Третьяков Д. Н. Инжекционные свойства гетеропереходов nA/xGaixAs-pGaAs // ФТП, 1968, 2, с. 1016−1017.
    413. Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем: Пер. с англ. М.: Мир, 1985, 416 с.
    414. В.А., Гродненский И. М. Двумерный электронный газ в гетеропереходе. Свойства и применение // Микроэлектроника, 1982, т. 11, в. 3, с, 195−207.
    415. Сидоров Ю. Е, Трухаиов Е. М. О возможности образования аморфной фазы при формировании гетероструктур с большим несоответствием параметров решеток // Поверхность. Физ, хим., мех, 1992, в. 6, с. 106−111.
    416. Иевлев В. М, Трусов Л. И, Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1988, 325 с.
    417. Косевич В. М, Иевлев В. М, Палатник Л. С, Федоренко А. И. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М.: Металлургия, 1980, 256 с.
    418. Бугаков А. В, Иевлев В. М. Энергия межфазных границ в металлических пленочных системах при сопряжении плоскостями разных индексов /7 Тонкие пленки и нитевидные кристаллы. Межвуз. сб. научн. тр. Воронеж: ВПИ, 1993, с. 4 11.
    419. Schmidt W. G, Bechstedt F. Se/GaAs (110): Atomic and Electronic Structure// Phys. Rew. B. 1994. — V. 50, №. 23, p. 17 280 — 17 291.
    420. Smit L, Van der Veen J.F. Determination of Atomic Positions in the GaSb (110) and InAs (110) Surfaces by Medium-Energy Ion Blocking // Surf. Sci.-1986.-V. 166.-P. 183- 205.
    Заполнить форму текущей работой

    Сессия? Спокойно!