Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование структурных элементов систем формирования интенсивных пучков заряженных частиц

Диссертация: Моделирование структурных элементов систем формирования интенсивных пучков заряженных частиц
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность проблемы. В настоящее время пучки заряженных частиц широко используются во многих областях науки и техники и перед ними открываются все новые перспективы. Решение одной из важнейших задач современной микроэлектронной технологии — освоение субмикронного диапазона — возможно только на основе диагностического и технологического оборудования на основе электронных и ионных зондов. При… Читать ещё >

Моделирование структурных элементов систем формирования интенсивных пучков заряженных частиц (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПРОБЛЕМЫ МОДЕЛИРОВАЕСИЯ СТРУКТУРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ИНТЕНСИВНЫХ ПУЧКОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ. (Обзор)
    • 1. 1. Общие аспекты исследования термополевых источников ионов
    • 1. 2. Исследования полевого электронного катода в режиме отбора предельных токов
    • 1. 3. Теоретические и экспериментальные исследования полевой электронной эмиссии во внешнем магнитном поле
    • 1. 4. Краткие
  • выводы и заключительные замечания по обзору литературы
  • ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
  • ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕРМОПОЛЕВОЙ ИОННОЙ ЭМИССИИ
    • 2. 1. Результаты исследования характеристик ТПИИ с применением методов математического моделирования
    • 2. 2. Результаты исследований характеристик ТПИИ методами численного эксперимента. Обсуждение и анализ полученных результатов
  • ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В РЕЖР1МЕ ОТБОРА ПРЕДЕЛЬНЫХ ТОКОВ
    • 3. 1. Эволюция эмиттирующей поверхности полевого электронного катода (НЭК) в предвзрывном режиме
    • 3. 2. Кинетические характеристики ПЭК в предвзрывном режиме
  • ГЛАВА 4. РАСЧЕТ ВЛИЯНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛОСКОГО ДИОДА НА ОСНОВЕ ПЭК
    • 4. 1. Расчет характеристик плоского эмиссионного диода на основе ПЭК в поперечном магнитном поле (нерелятивистский случай)
    • 4. 2. Характеристики плоского эмиссионного диода на основе ПЭК в поперечном магнитном поле (релятивистский случай)
  • ГЛАВА 5. РАСЧЕТ ВЯШЯШ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО СФЕРИЧЕСКОГО ДИОДА ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА ЭМИТТИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, СОБСТВЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ ПУЧКА И ВНЕГиНЕГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ
    • 5. Л. Сферический диод в продольном магнитном поле (нерелятивистский случай)
      • 5. 2. Расчет характеристик полевого сферического диода для релятивистских электронов во внешнем фокусируюпдем магнитном поле
      • 5. 3. Влияние собственного магнитного поля пучка на характеристики сферического диода на основе НЭК во внешнем магнитном поле
  • ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭМИССИОННЫЕ ХА
  • РАКТЕРИСТЖИ ТЕРМОПОЛЕВОГО ИОННОГО ИСТОЧНЖА
    • 6. 1. Расчет влияния продольного магнитного поля на характеристики термополевого ионного источника
  • ГЛАВА 7. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И АНАЛИЗ ПОЛУЧЕЬШЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ
    • 7. 1. Термополевой ионный источник
    • 7. 2. Взрывная электронная эмиссия
    • 7. 3. Влияние поперечного магнитного поля на характеристики плоского эмиссионного диода на основе НЭК
    • 7. 4. Влияние продольного магнитного поля на характеристики сферического эмиссионного диода на основе ПЭК и ТПИИ

Актуальность проблемы. В настоящее время пучки заряженных частиц широко используются во многих областях науки и техники и перед ними открываются все новые перспективы. Решение одной из важнейших задач современной микроэлектронной технологии — освоение субмикронного диапазона — возможно только на основе диагностического и технологического оборудования на основе электронных и ионных зондов. При этом, задачи освоения субмикронного диапазона принципиально может быть осуществлено только при условии использования в соответствующих электронно-ионно-оптических системах в качестве источника электронов — полевого электронного катода и в качестве источника ионов термополевого ионного источника. Однако, задачи расчета и создания электронно-ионно-оптических систем применительно к полевому электронному катоду и термополевому ионному источнику в настоящее время ждут своего решения. Имеющиеся в настоящее время отдельные работы по этому вопросу, пока не позволили решить практически ни одной проблемы. Существенное отличие полевого электронного эмиттера и термополевого ионного эмиттера от других источников электронов и ионов состоит в том, что в случае полевой электронной эмиссии и термополевой ионной эмиссии электрическое поле, создаваемое электродами системы, выполняет двойную роль: во-первых, вызывает эмиссию, а вовторых, обладает электронно-ионно-оптическими свойствами. Следовательно, фокусировка и транспортировка пучка электронов и ионов должна решаться совместно с задачей получения требуемых эмиссионных характеристик системы.

Естественный путь решения проблемы — эксперимент. Однако, с повышением сложности экспериментальных установок, с необходимостью применения высокого напряжения, прецизионных измерительных.

Приборов, сверхвысокого вакуума, привлечение высококвалифицированного персонала, практическая реализация экспериментальных исследований, хотя и является принципиально осуществимой, связана с большими временными и материальными затратами. Кроме того, интерпретация полученных результатов часто затруднена. При этом, встает важная задача создания математических моделей и эффективных методов их анализа. Детальный количественный анализ таких моделей с применением современной мощной вычислительной техники необходим при сравнении теории и эксперимента. Он становится важным элементом проектирования, что позволяет предварительно проанализировать возмол<:ности нового прибора, или в нашем случае, одного из необходимых элементов электровакуумного прибора, системы формирования и транспортировки пучка заряженных частиц.

Развитие теории и практики источников электронов и ионов тесно связано с общим развитием фундаментальных и прикладных наук: математического моделирования, численного эксперимента, физики плазмы, физики газового разряда, физики поверхности, электродинамики, электротехники, энергетики и др. Одним из важнейших этапов этого развития является создание ионных эмиттеров нового типа — термополевых ионных источников.

Уже первые исследования термополевого ионного источника показали, что они позволяют сформировать ионные пучки с рекордными.

6 2 7 2 параметрами — плотностью тока (10 А/см), яркостью (10 А/см ср), временной стабильностью и малой угловой рассходимостью, что открывает широкие перспективы их научного и технического использования: в ускорителях заряженных частиц, в области управляемого термоядерного синтеза и реакторной техники, в сканирующей ионной спектроскопии, в масс — спектроскопии вторичных ионов, в ионнолучевой литографии и для безмасочной имплантации примесных элементов в полупроводниках, для настройки критических токов в джозефсоновских переходах, для шлифовки, послойного анализа и размерной микрообработки, для получения тонких пленок и мелкозернистых порошков и т. д.

Хотя за последние годы достаточно подробно исследованы стационарные эмиссионные характеристики термополевого ионного источника на основе ряда легкоплавких металлов (Оа, 1п, Аи и др.), а также предложено несколько теоретических моделей термополевого ионного источника, до сих пор не выяснен не только физический механизм термополевой ионной эмиссии — эмиссии жидких металлов в сильном электрическом поле, но и не решен целый ряд частных, практически важных проблем. Трудности выяснения физического механизма термополевой ионной эмиссии связаны с тем, что в очень малой по объему области (порядка 10' 10'" м) происходят сложные генерационнорекомбинационные процессы, обусловленные совокупностью термополегидроэлектродинамических явлений. До сих пор неизвестными остаются также такие необходимые для детального теоретического исследования параметры как — размер эмиссионной зоны, форма эмиттирующей поверхности жидкого металла в режиме функционирования термополевого ионного источника, распределение тока в ионном пучке и многие другие. За исключением единичных работ, из которых можно выделить лишь работы: Г. Тейлора (рассматривается предэмиссионное состояние жидкой поверхности) — модель «конуса Тейлора», Г. Маера (исходя из «максимально упрощенных» представлений о механизме явления, рассчитаны вольт-амперные характеристики термополевого ионного источника), С. Томпсона и П. Преветта (предложена качественная модель формирования конуса Тейлора -«конуса Тейлора со струей» и оценено так называемое «время задержки». наблюдаемое экспериментально при импульсном режиме работы термополевого ионного источника) — других каких-либо значимых результатов при теоретических исследованиях термополевого ионного источника до настоящего времени получено не было. Несомненно, что именно это обстоятельство сдерживает прогресс теории и практики термополевого ионного источника.

По сравнению с термополевой ионной эмиссией теории полевой электронной эмиссии посвящено достаточно много работ. Известная теория полевой электронной эмиссии из металлов (теория Фаулера ~ Нордгейма), созданная на основе квантово-механических представлений проникновения электронов через потенциальный барьер и приближенного решения уравнения Шредингера, в достаточно большой области токов и полей хорошо описывает экспериментальные данные. Однако, для области сверхсильных электрических полей (> 5−10''В/см) и предельных токов имеет место имеет место расхождение теории и эксперимента. Исследование этих проблем привело к открытию явления взрывной электронной эмиссии. Одним из наиболее ярких предвзрывных эффектов является появление ярких концентрических колец на периферии эмиссионного изображения.

Одной из наиболее важных, но мало изученных задач является взаимосвязанные проблемы фокусировки пучков с помощью магнитного поля и исследования влияния магнитного поля на эмиссионные свойства полевых электронных и ионных источников.

Таким образом, можно заключить, что детальное исследование механизма термополевой ионной эмиссии, полевой электронной эмиссии в режиме отбора предельных токов, а также влияния магнитного поля на их эмиссионные свойства и решение ряда частных задач, и в первую очередь теоретические исследования эволюции поверхности жидкого металла в сильном электрическом и магнитном полях, построение физической и адекватной ей математической модели и расчет основных эмиссионных и кинетических характеристик, адекватных этим моделям будет способствовать прогрессу источников электронов и ионов, и существенно приблизит время широкого внедрения инжекторов интенсивных пучков заряженных частиц в науку и практику.

Цель работы.

• Разработка модели эволюции жидкого металла в сильном электрическом поле.

• Выяснение механизма термополевой ионной эмиссии, полевой электронной эмиссии в режиме отбора предельных токов и исследование влияния внешнего магнитного поля на эмиссионные характеристики термополевого ионного источника и полевого электронного катода на основе комплексного исследования с использованием взаимодополняющих методов физического и математического моделирования, численного и натурного эксперимента.

• Разработка методики комплексного исследования термополевого ионного источника и полевого электронного катода в предвзрывном режиме работы на основе взаимодополняющих методов математического и физического моделирования, численного и натурного эксперимента на базе проблемно-ориентированной информационно-экспертной системы.

• Разработка физических моделей термополевого ионного источника и «взрывного» полевого электронного катода, позволяющих интерпретировать основные экспериментальные факты.

• Разработка непротиворечивых математических моделей термополевого ионного источника и «взрывного» полевого электронного катода на основе предложенных физических моделей.

• Создание комплекса алгоритмов и программ, математических методов и их программного обеспечения, позволяющего определить эмиссионные и кинетические характеристики полевого электронного катода и термополевого ионного источника различных форм.

• Разработка методов расчета основных характеристик аксиально симметричных электронно-ионно-оптических систем.

• Разработка математических моделей основных характеристик термополевого ионного источника и «взрывного» полевого электронного катода с учетом влияний пространственного заряда, управляющего и фокусирующего внещнего магнитного поля, собственного магнитного поля, ограниченности эмиссионной поверхности и «релятивизма» электронов и ионов пучка.

• Апробация разработанных математических моделей с использованием методов натурного и численного эксперимента.

Научная новизна работы и основные положения, выносимые на защиту:

1. методика исследования термополевого ионного источника и полевого электронного катода с применением взаимодополняющих методов физического и математического моделирования и численного эксперимента с использованием современных компьютерных технологий;

2. оригинальная физическая модель термополевого ионного источника -«кратерная модель»;

3. математическая модель термополевого ионного источника, адекватная «кратерной модели»;

4. физическая модель полевого электронного катода в предвзрывном режиме работы основанная на «кратерной модели» эволюции эмиттирующей поверхности;

5. математическая модель полевого электронного катода, адекватная предложенной физической модели эволюции эмиттирующей поверхности;

6. оригинальная методика исследования характеристик полевого электронного катода и термополевого ионного источника с использованием информационно-экспертной системы;

7. результаты расчета основных эмиссионных и кинетических характеристик полевого электронного катода и термополевого ионного источника;

8. цикл комплексных (с использованием методов численного и натурного эксперимента) исследований, позволившим: а) установить согласие предложенных моделей и эксперимента, и б) получить новую практически важную информацию об объекте исследования, существенно дополняющую результаты теоретических исследований;

9. математические модели динамики пучков полевого электронного катода и термополевого ионного источника, генерируемых эмиттерами различных конфигураций (плоский, сферический, эллипсоидальный) с учетом влияния на динамику пучка управляющего и фокусирующего магнитного поля;

10. результаты расчета основных характеристик полевого электронного катода и термополевого ионного источника с учетом влияния пространственного заряда пучка и ограниченности эмиссионной поверхности, внешнего управляющего и фокусирующего магнитного поля, собственного магнитного поля (релятивистский и нерелятивистский случаи);

11. инструментальные, аппаратные и программные средства реализации предложенных методик и моделей, включающие комплексы программ.

Практическая значимость проделанной работы заключается в том, что полученные результаты позволяют сформулировать конкретные рекомендации, направленные на разработку и создание эффективных ионных источников и полевых электронных катодов в режиме отбора предельных токов с уникальными параметрами для использования в ядерной энергетике, ускорительной технике, полупроводниковом материаловедении и т. д. Результаты работы прошли апробацию и внедрены в лаборатории кафедры Моделирования электро-механических систем факультета Прикладной математики — процессов управления Санкт-Петербургского государственного университета. Теоретические разработки по проблемам математического моделирования термополевых ионных источников, полевых электронных катодов во внешнем магнитном поле включены в программу лекций спец. курса: «Физические основы энергетики больших мопдностей», использованы при создании учебно-лабораторных стендов на факультете Прикладной математики — процессов управления СПбГУ и на физическом факультете ЯГУ.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Всероссийской научно-технической конференции «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение» (Москва, ноябрь, 1992 г.), на 13 Харьковском семинаре по линейным ускорителям. Харьков, май, 1993 г.), на 7 Международной конференции по вакуумной микроэлектронике (Гренобль, Франция, июль, 1994), на Международном симпозиуме по анализам ионных пучков (Германия, сентябрь, 1996), на XXII конференции по эмиссионной электронике (Москва, 1994), на второй (С-Петербург, июль, 1995), третьей (С-Петербург, июль, 1996) и пятой (С-Петербург, июль, 1998) Международных конференциях «Динамика пучка и оптимизация», на третьей Международной конференции по водородной энергетике (С-Петербург, июль, 1999), на первой (Якутск, сентябрь, 1994), второй (Якутск, июль, 1997) и третьей (Якутск, июль, 2001) Международных конференциях по математическому моделированию, на второй Международной конференции «Радиационно-термические эффекты.

И процессы в неорганических материалах" (Томск, август 2000 г.) и на научных семинарах Факультета Прикладной математики — процессов управления СпбГУ и физического факультета ЯГУ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка цитируемой литературы и трех приложений. Работа изложена на 249 страницах и 35 страницах приложения, содержит 57 рисунков, В список использованной литературы входит 253 наименования.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

I. Предложенная в настоящей работе «кратерная» модель ТЕМИ позволила объяснить экспериментальные результаты, не имевшие до настоящего исследования приемлемой интерпретации:

1) Начало процесса термополевой ионной эмиссии только при приложении между эмиттером и экстрактором некоторого критического напряжения ио (напряжения экстракции) и характерный «скачок» ионного тока на начальной стадии возбуждения эмиссии связаны со взрывным разрушением вершины конуса Тейлора и с образованием кратера. Наблюдаемый гистерезис в начале ВАХ может быть объяснен вероятностным характером ионизации и взрывным разрушением вершины конуса Тейлора (задержкой тока).

2) Эмиссионные изображения поверхности ТПИИ в виде светлых колец на периферии обусловлены квазиравновесной формой эмиттера.

3) Эффект усиления ионного тока при придании экстрактору специфичной формы с острой кромкой связан с повышением интенсивности электронного пучка, бомбардирующего поверхность ТПИИ (и тем самым стимулирующим процесс образования кратера) за счет дополнительного вклада в электронный ток электронов полевой электронной эмиссии с острых кромок экстрактора.

4) Наблюдаемое свечение вблизи эмиттера объясняется испусканием фотона возбужденными атомами металла в области полевой ионизации (на рис. 2.1 в точке О). Отметим, что наблюдаемый дефицит энергии обусловлен тем, что полевая ионизация в предложенной модели происходит не непосредственно на поверхности, а на некотором расстоянии (~ 10″ '' м) от эмиттера в области полевой ионизации, где наблюдается свечение.

5) Нелинейные экспериментальнью В АХ с тремя характерными участками изменения ионного тока при повып1ении возбуждающего ТПИЭ напряжения. Наблюдаемая характерная форма осциллограмм тока.

6) Задержка импульса тока относительно начала импульса напряжения объясняется вероятностным характером ионизации и взрывным разрушением вершины конуса Тейлора.

Наблюдаемые уменьшения последующих значений задержки импульсного тока при воздействии на эмиттер серии последовательных прямоугольных импульсов напряжения также согласуются с вероятностным характером ионизации в начале эмиссии и разрушением конуса Тейлора (выбитые предыдущими импульсами свободные атомы не успевают покинуть область наиболее эффективной полевой ионизации и при последующих импульсах убыстряют процесс полевой ионизации). Инерционность расформирования кратера на вершине конуса Тейлора также может влиять на эти процессы.

Неоднородная локализация ионного пучка связана квазиравновесной формой жидкой эмиттирующей поверхности.

Неоднородная модуляция пучка объясняется также особенностями ионизационных процессов на эмиттере. Центральную (относительно немодулированную) часть пучка составляют токи ионов, испускаемых из области полевой ионизации, периферийная (модулированная) часть пучка в основном сформирована ионами поверхностной ионизации и полевого испарения с кромок кратера, поверхность которого, согласно предложенной кратерной модели ТПИИ, пульсирует во времени.

П. Разработана математическая модель ТПИИ, на основе которой:

1) Получена аналитическая формула для определения вольт-амперной характеристики ТПИИ/(Ц) (2.27).

2) Получена аналитическая формула для задержки тока T (U) В импульсном режиме работы ТПИИ (2.40).

3) Получена аналитическая формула для кинетических характеристик I (t) (2.49).

Разработанная математическая модель ТПИИ предполагает автоколебания жидкой поверхности эмиттера (в режиме отбора больших токов), для которого также получена аналитическая формула r (t) (2.53).

III. Обнаружены (экспериментально см. П.1) ранее неизвестные для теории и практики ТПИЭ эффекты:

1) Изменение задержки тока второго импульса при подаче на эмиттер двойного импульса.

2) Локализация ионного тока в виде кольца в поперечном сечении пучка.

3) Расширение ионного пучка ТПИИ при повышении напряжения между экстрактором и эмиттером.

IV. Предложен физический механизм термополевой ионной эмиссии, основанный на «кратерной» модели эмиттирующей поверхности жидкого металла в сильном электрическом поле.

V. Предложена физическая модель эволюции поверхности ПЭК в режиме отбора предельных токов, которая позволила объяснить следующие экспериментальные эффекты:

1) Эмиссионные изображения с концентрическими кольцами в периферийной части, которые можно объяснить квазиравновесной поверхностью жидкой фазы, оттесняемой ионным пучком на периферию эмитирующей поверхности. При этом множественность колец связана с пульсацией поверхности жидкого выступа (рис. 3.1 в, 3.2).

2) Задержка импульсного тока ПЭК при отборе предельных токов связана с вероятностным характером ионизации в начале эмиссии и разрушением жидкой вершины конуса Тейлора.

3) Самопроизвольный рост тока обусловлен «заострением» вершины выступа в процессе эмиссии.

VI. Разработана математическая модель ПЭК в предвзрывном режиме работы.

1) Получено аналитическое выражение для определения вольтамперной характеристики (3.15), (3.16) ПЭК.

2) Получены аналитические выражения для кинетических характеристик (3.24), (3.25) взрывного ПЭК.

VII. Предложен физический механизм взрывной полевой электронной эмиссии, основанный на физической модели эволюции эмитирующей поверхности слоя жидкого металла в сильном электрическом поле.

VIII. Разработана математическая модель плоского эмиссионного диода на основе ПЭК в управляющем магнитном поле. Получена система дифференциальных уравнений включающая уравнения движения, Пуассона, непрерывности и Фаулера — Нордгейма, в результате решения которой рассчитаны основные характеристики диода: 1) траектории электронов полевой эмиссии (рис. 4.2а), 2) распределение потенциала (рис. 4.2в), 3) ВАХ диода (рис. 4.3). Рассмотрены релятивистские и нерелятивистские случаи. Показано, что поперечное магнитное поле влияет на крутизну ВАХ в координатах Фаулера —Нордгейма (рис. 4.4) и на распределение потенциала в промежутке анод — катод (рис. 4.5).

IX. Разработана математическая модель сферического диода на основе ПЭК, принятого в качестве приближения полевого эмиссионного диода, во внешнем продольном магнитном поле. При этом учитываются пространственный заряд пучка, ограниченность эмиттирующей поверхности и пучка, влияния внешнего магнитного поля и собственного магнитного поля пучка электронов. Рассмотрены также релятивистский и нерелятивистский случаи. Эффективно использован метод сшивания на границе пучок — вакуум. Получена система дифференциальных уравнений, включаюпдая уравнения движения ((5.1) -вне пучка, (5.3) — внутри пучка), Лапласа (вне пучка) (5.2), Пуассона (внутри пучка) (5.4), непрерывности (5.6), Фаулера — Нордгейма (5.7), Максвелла ((5.196) — вне пучка, (5.198) -внутри пучка) и условие сшивания (5.8), в результате решения которой получены: 1) распределение напряженности электрического поля на поверхности катода, 2) траектория крайнего электрона пучка (или форма пучка), 3) размер анодного пятна в зависимости от значения индукции внешнего магнитного поля, 4) вольтамперная характеристика диода и другие важные характеристики.

X. Разработана математическая модель ТПИИ в фокусирующем магнитном поле, включающая уравнения движения (6.2), Лапласа (6.3), Пуассона (6.5), непрерывности (6.6), Максвелла (5.198), условия сшивания (6.8) и условия равновесия жидкой поверхности (6.7) в электрическом поле с учетом положений кратерной модели ТПИИ. Получены: 1) распределение напряженности электрического поля на виртуальном эмиттере- 2) форма пучка ионов в зависимости от значений магнитного поля и напряжения между эмиттером и экстрактором (рис. 6.1, 6.2) — вольтамперная характеристика ТПИИ в магнитном поле (рис. 6.3).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kubena R.L., Anderson C.L., Seliger R.L., Juliens R.A., and Stevens E.H., //J. Vac. Sei. Technol. 19, 916 (1981).
  2. Wang V., Ward J.W., and Seliger R.L., //J. Vac. Sei. Technol. 19, 1158 (1981).
  3. Seliger R.L., Kubena R.L., Olney R.D., Ward J.W., and Wang V., //J. Vac. Sei. Technol. 16, 1610 (1979).
  4. Rensch D.B., Seliger R.L., Csanky G., Olney R.D., and Stover H.L., //J. Vac. Sei. Technol. 16, 1897(1979).
  5. Bayly A.R., Wangh A.R., and Anderson C.L. //Nucl. Instrum. Methods 218, 375 (1983).
  6. Prewett P.D., and Jeffries D.K. //Inst. Phys. Conf. 54, 316 (1980).
  7. Levi Setti R., Young Y.L., and Grow G. //J. Phys. Collog (France) 45, 197 (1984).
  8. М.Д. Жидкометаллические эмиттеры ионов. //УФН, 1983, Т.140, в. 1, с. 137−152.
  9. Т., Culbertson R.J., Robertson G.H. // Appl. Phys. Lett., 1979, v.34, p.ll.
  10. R., Jefferies D.K. // Nucl. Instrum. and Meth., 1978, v. l49, p.739. 1 I. Wagner A., Hall T.M. //J. Vac. Sei. and Technol., 1980, v. l6, p. l871.
  11. Culbertson R.J., Robertson G.N., Kuk Y., Sakurai T. // J.Vac. Sei. and Technol. 1980, v. l7,p.203.
  12. R.J., Robertson G.N., Sakurai T. // Ibid., 1970, v. l6 p. l868. М. Мюллер Э., Цонь E. Автоионная микроскопия М. Металлургия, 1972, с. 72.
  13. Т., Wagner А., Barr О. // Appl. Phys. Lett, 1981, v.38, р.943. 16. Swanson L.W., Schwind G.A., Bell A. E. // J. Appl. Phys., 1980, v.51, p.3453.1.Prewett P.D., Mair G.I., Tompson S.P. In: Proc. of 28th Intern. Field
  14. Emission Symposium. Portland, 1981, -P. 100. IS. Taylor G. // Proc. Roy. Soc. Ser. A, 1964, v.280, p.383.
  15. Prewett P.D., Mair G.L.R., Tompson S.P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1982, v. l5,p.l339.
  16. М.Д., Старков В. Н. // ЖТФ, 1982, N6, с. 1249−1251.
  17. М.Д., Плешивцев Н. В., Семашко H.H. Пучки ионов и атомов.-М. Энергоиздат, 1986, с. 222.
  18. М.Д., Порицкий В. Я. // Письма ЖЭТФ, 33,320(1981).
  19. Tonks L. Phys. Rev., 1935, v.48, р.562.
  20. Я.И. // Phys. Zs. Sowjetunion, 1935, t.8, p.675.
  21. Gaubi H., Surdaud P., Tence M., Van der Walle // J. Proc. XXIX Int. Field Emission Symp., Goteborg, 1982, p.357−362.
  22. Mair G.L.R., A. von Engel // J. Appl. Phys., 1979, v.50, N12, p.5592−5595.
  23. N.K., Swanson L.W. // Appl. Phys. A30, 95(1983).
  24. D.R., Swanson L.W. // Appl. Phys., 1984, V. A34, p. 123−132.
  25. D.R., Swanson L.W. // Vacuum, 1984, v.34, p.941−945.
  26. Krohn V.E., Ringo G R. // Appl.Phys. Lett. 1975, v.27, p.479. ЗЬЛивенцева И. Ф. Ионные источники с жидкометаллическимиэмиттерами и новые направления в технологии, с.60−66.
  27. В.Е., Гасанов И. С. Мелкодисперсная фаза и неустойчивость эмиссии ЖМИИ.//"Письма в ЖТФ", 1989, т.15, в.18, с.49−52.
  28. С.С., Изотов А. Н., Шикин В. Б. // «Доклады АН СССР», 1985, Т.283, N1,0.121−125.
  29. В.Г., Шабалин А. Л. ЭГД источники ионных пучков. Новосибириск: ИЯФ СО АН СССР, 1987, Препринт 87−63, с. 66.
  30. Л.А., Поляков М. А., Фурсей Г. П., Лупехин СМ. // «Письма в ЖТФ», 1984, т.Ю, В.24, с.1507−1510.
  31. А. // Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.440−442.
  32. Wagner A., Venkatesan Т., Petroff P.M., Barr.D. // J. Vac. Sei. and Tecimoi., 1981, v. l9,p.1186.
  33. R., Aitken K.L., Jefferies D.K. // J. Vac. Sei. and Technol., 1975, V. 12, p.1208.
  34. R. // Appl. Phys., 1979, v.19, p.365.
  35. В.Г., Шабалин А. Л. ЭГД источник ионов. // «Приборы и техн. эксперимента», 1986, т.5, с. 149−152.41 .Mair G.L.R. // J. Phys. D: Appl. Phys., 17(1984) p.2323−2330.
  36. Т.Е., Grossling B.S., Fowler R.H. // Proc.R. Soc. 1929, A 124, p.699.
  37. S.P., Prewett P.D. // J.Phys. D: Appl. Phys., 1984, v. 17, p.2305−2321.
  38. В.Г., Шабалин А. Л. Колебания и переходные процессы в ЖМЭИ. //ЖТФ, 1985, Т.55, в.4, с.776−778.
  39. В.Г., Шабалин А. Л. Получение ионных пучков из расплавов диэлектриков в режиме ЭГД эмиттера. // «Письма в ЖТФ», 1985, т. 11, в.13,с.808−812.
  40. М.Д., Гасанов И. С., Проценко И. М. О стабильности тока ЖМЭИ. //ЖТФ, 1988, Т.58, в.12, с.2367−2370.
  41. С.В., Егоров И. В., Овсянников Д. А. Источники ионов металлов на основе термополевой и взрывной ионной эмиссии. // «Вопросы атомной науки и техники», серия: ядерно-физические исследования, 1989, в.5(5), с. 100−102.
  42. Н.В., Корольков А. Е. Исследования ТПИЭ систем металл — полупроводник, // ЖТФ, 1989, т.59, в. 10, 129 131
  43. Д.В., Черняк Е. Я. Особенности гидродинамического режима работы ЖМИ, // ЖТФ, 1989, т.59, в.11,
  44. А., Hall Т.М. // J. Vac. Sei. and Technol., 1979, v. 16, N6, p. 18 711 874.
  45. А.Л. Возможна ли работа ЭГД эмиттера в режиме малых токов?, // «Письма в ЖТФ», 1983, т. 13, в.23,
  46. В.Г., Шабалин А. Л. Генерация кластеров в ЭГД эмиттерах ионов. «Физика кластеров», 1987, т.23, с.23−28.
  47. В.Г., Шабалин А. Л. Особенности переходных процессов при ЭГД эмиссии ионов. // ЖТФ, 1987 т.57,в.1, с. 185−187.
  48. М.Д., Козырев Ю. Н., Феник М. Б. Принудительная модуляция тока ЖМЭИ и размеры эмиттирующего острия. // «Письма в ЖТФ», 1988, Т. 14, в. 12, С. 1136−1139.
  49. L.W., Schwind O.A., Bell A.E., Brady J.E. // J. Vac. Sei. and Technol., 1979, v. 16, p. 1864.
  50. Forbes R.G., N.N. Ljerojevic, // Vacuum. -1989, -39, № 11 12, -c.l 153.
  51. N.N. Ljerojevic N.N., Forbes R.G. // Surface Sei. -1992, -261, № 1 3, -C.176.
  52. R.G., Ljerojevic N.N., Nebogscha N. // Surface Sei. -1992, -266, № 1 -3,-c.l70.
  53. Chon Guand Sup, Kim Dong -Eon, Kan Seung — Oun, // J. Phys. D. -1990. -2 3,№l,-c. 85.
  54. E., Naehrmg F.K. // J. Phys. D. -1993. -26, № 4, -c.717.
  55. Hesse E., Bischoff L. and Teichert J., //Appl. Phys. 28 (1995), c.1707.
  56. Hesse E., Bischoff L. and Teichert J., // Appl. Phys. 27 (1994), c.427.
  57. Bischoff L., Teichert J., Hesse E., Panknin D., and Skorupa W., // J. Vac. Sei. Technol. В 12(6), 1994,3523.
  58. Drisel W., Dietzsch Ch., Bischoff L., Teichert J., and Hesse E., // J. Vac. Sei. Technol. В 14(3), 1996, 1621.
  59. Bischoff L., Teichert J., Hesse E., Prewett P.D. and Watson J.G. // Microelectronic Engineering. 30(1996), 245 248.
  60. J., Bischoff L., Hesse E., Schneider P., Pankin D. // Appl. Surfaces Sei. 91(1995), 44−49.
  61. Bischoff L., Heinig К H., Teichert J. and Skorupa W. // Nuci. Inst. And Metods in Phys. Rev. В 112(1996), 201 — 205.
  62. B.C., Медведев В. К., Попович Н. Н., Черный В. И. // Физ. хим. структур, и эмисс. свойства тонк. пленок и поверхности тверд, тела. Киев. гос. унив-т. Киев, 1992, -с.260 — 283.
  63. V.V., Gorshkov V.N., Mozyrsky D.V., Poritsky P.V. // Vide, couches minses. -1994. -50, № 271. Suppl. -c.244 247.
  64. A.A., Чичкачев СМ., Колесник В. П., Черепнин В. Т. // Металлофизика и нов. технол. -1995. -17, № 12, с. 62 67.
  65. R., Swanson L.W. // J. Chem. Phys. 1963, 38, № 7, c. 127.
  66. Mair G.L.R. J. Phys. D. 1997, 30, № 13, 1945 1950.
  67. Beckman J. C, Chang T.H.P., Wagner A., Pease P.F.W. // J. Vac. Sci. and Technol. B. -1996, -14, № 6, c.3911 3915.
  68. Mair G.L.R. // J. Phys. D. 1996, 29, № 8, 2186 2192.
  69. W. // Optik. -1981, 59, 335.
  70. Czarczynski Wojcied // J. Vac. Sci. and Technol. A -1995, № 1. -c. 113 -116.
  71. Сихуралидзе Г. Г, // Приборы и техн. экспер. 1996, -№ 6, -с. 75 — 77.
  72. Forbes RG, Ljepojevic NN. Electrohydrodynamics and liquid metal ion sources. International Conference on Technology and Applications of Ion Beams, Institute of Physics, Loughborough, UK, Apr 1992.
  73. Forbes RG, Mair GLR, Ljepojevic N, Liu W. New understandings in the theory of liquid metal ion sources. 41st International Field Emission Symposium, Rouen, France, Jul 1994.
  74. Forbes RG. Understanding how the liquid metal ion source works. 9th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, Sozopol, Bulgaria, Sep 1995.
  75. Forbes RG. Electrohydrodynamics, spraying and liquid metal ion sources. lOP Meeting on Electrohydrodynamics and its Applications, Institute of Physics, London, UK, Dec 1996.
  76. Forbes RG. Liquid metal ion sources and electrohydrodynamics. Seminar, University of Seville, British Council, University of Seville, Spain, Oct 1996.
  77. Forbes RG. Progress in understanding liquid metal ion source behaviour. Seminar, University of Athens, British Council, University of Athens, Greece, Sep 1996.
  78. Forbes RG. Electrohydrodynamics and the liquid-metal ion source. 3rd International Workshop on Electrohydrodynamics and Applications, Udine, Italy, Jul 1996.
  79. Forbes RG. The liquid metal ion source as a vena contracta, and some comments on LMIS stability. 43rd International Field Emission Symposiom, International Field Emission Society, Moscow, Russia, Jul 1996.
  80. Forbes RG. Relationship between LMIS cusp length and emission current: a review of results. 44th International Field Emission Symposium, International Field Emission Society, Tsukuba, Japan, Jul 1997.
  81. Bell A. E. and Douglas F. Barofski, «Field Emission and Field Ionization,» Encyclopedia ofApplied Physics, Vol. 6 1993.
  82. A. Е., Lantz S. L., Ford W. K. and Danielson D., «Influence of surface contaminants on W. film growth on Si (lOO) from WF6,» // J. Vac. Sci. Technol. A 11 (4), Jul/Aug 1993.
  83. R.I., «Simulations of the Current and Temperature Dependence of Liquid Metal Ion Source Energy Distributions», // J. Appl. Phys. 30 (1991), pp.3 66−3 75.
  84. Hornsey R.I. and Ishitani T. «Droplet and Cluster Ion Emission from Gallium and Indium Liquid Metal Ion Sources», // J. Appl. Phys. 29 (1990), pp.21 162 121.
  85. Hornsey R.I. and Ishitani T. «A New Droplet Break-up Model for Cluster Ion Formation in Gallium Liquid Metal Ion Sources» // J. Appl. Phys. 29 (1990), PP. L1007−1010.
  86. Hornsey R.I. and Ishitani T. «Mass Loss and Dimer Ion Formation in Ga and In Liquid Metal Ion Sources», presented at the Autumn 1990 meeting of the Japanese Society of Applied Physics, Morioka, Japan.
  87. R.I. «A Unified Description of Liquid Metal Ion Source Energy Distribufions», // J. de Phys. 50 (1989), C8: pp. 197−202.
  88. R.I. «The High Temperature Behaviour of Gallium and Indium Liquid Metal Ion Sources» // Appl. Phys. A. 49 (1989), pp.697−705.
  89. R.I. «The Emission Characterisfics of an Indium Needle-type Liquid Metal Ion Source» // Appl. Phys. A 49 (1989), pp.293−297.
  90. Hornsey R.I. and Marriott P. «The Effects of Source Temperature and Characteristics on the Optical Emission from a Gallium Liquid Metal Ion Source», // J. Phys. D: Appl. Phys. 22 (1989), pp.699−704.
  91. Физика и технология источников ионов. Под ред. Я. Брауна. М. Мир. 1998, с. 339.
  92. Mair G.L.R., А von Engel, // J. Phys. D: Appl. Phys., 1981, v. l4, p. l721−1727.
  93. Fowler R. H., Nordheim L. W. Electron emission in intense electric field // Proc. Roy.Soc. (London). A 119, № 781, 1928, с 173 -181.
  94. М.И., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.: Гос. из-во физ.-мат. лит., 1953.
  95. Ненакаливаемые катоды. (Под ред. Елинсона М.И.) М.: Сов. Радио, 1974, С. 336.
  96. Modinos А. Field thermoionic and secondary electron emission spectroscopy. New. Jort: Plemim Press. 1984. 375.
  97. Dyke W.R., Trolan J.K. Field emission: Large current densites, space charge and the vacuum arc // Phys. Rev. 89, № 4, 1953, c. 799 807.
  98. Barbour J.P., Dolan W.W., Trolan J.K., Martin E.E., Dyke W.R.//Phys. Rev. 92, № 1, 1953, c. 45−5 1.
  99. W.R., Trolan J.K. Dolan W.W., Grundhauser E. J. // J. Appl. Phys. 25, № 1, 1954, c. 106−113.
  100. W.R., Barbour J.P., Marti E.E., Trolan J.K. // Phys. Rev. 99, № 4, 1955, c. 1192- 1195.
  101. Н.Б. О роли объемного заряда в сферических электронных проекторах. // ЖТФ, Т.24, в. 11,1954, с. 2079 2081.
  102. А.С. Влияние объемного заряда на автоэлектронную эмиссию//Доклады АН СССР. 1959, т. 128, № 66, с. 1 160- 1162.
  103. А.С. Влияние объемного заряда на автоэлектронную эмиссию. // Радиотехника и электроника, № 8, 1960, с. 1315 1317.
  104. ИЗ. Елинсон М. И., Горьков В. А., Яснопольская А. А., Кудинцева Г. А. Исследование импульсной автоэлектронной эмиссии при высоких плотностях токов // Радиотехника и электроника, № 8, 1960, с. 1318 -1326.
  105. Г. Ф. Влияние формы потенциального барьера на границе эмиттер вакуум и распределение электрического по поверхностиэмиттера на вид вольтамперной характеристики автоэлектронной эмиссии. // Радиотехника и электроника, № 1 1, 1960, с. 1857 1861.
  106. М.И., Добрякова Ф. Ф., Крапивин В. Ф., Малина З. А., Яснопольская A.A., О теории автоэлектронной и термоавтоэлектронной эмиссии металлов и полупроводников. // Радиотехника и электроника, № 8, 1961, с. 1342 1353.
  107. В.А., Елинсон М. И., Сандомирский В. Б., О роли пространственного заряда при отборе автоэлектронных токов большой плотности // Радиотехника и электроника, № 9, 1962, с. 1495 1500.
  108. Г. Н., Асадулин Р.//ЖТФ, 24, в.2, 1954, с. 202 215.
  109. Н.Б. О влиянии объемного заряда на форму характерисик автоэлектронных катодов. // Радиотехника и электроника, № 12, 1964, с. 2147−2155.
  110. В.А., Дубовой Л. В., Заболоцкая Г. Р. Расчет автоэмиссионного тока релятивистских электронов, ограниченных пространственным зарядом. // ЖЭТФ, Т.57, в. 11, 1969, с. 1795 1798.
  111. Л.М., Годяк В. А., Львов О. И., Фурсей Г. Н., Широчин Л. А., Влияние пространственного заряда релятивистских электронов на автоэлектронную эмиссию. // ЖТФ, т. ХЬП, в.6, 1972, с. 1282 1287.
  112. Lewis T.J.//Phys. Rev., 101, 1694,1956.
  113. Т.Е., Gossling B.S., Fowler R.H. // Proc. Roy. Soc. A 124, 795, 1929, c. 699−723.
  114. DrechslerM., HenkelE., AngowZ.//Phys. Rev., 6, 341, 1954.
  115. J. A. //Bell System. Techn. J., 30, 1951, c.907.
  116. C. F., Mackown S., Millikan R. A. //Phys. Rev., 31, 900, 1928.
  117. Akinovi Ohlshita. //J. Electron. Microsc, 22, 1973, c. l35.
  118. W. P., Trolan J. K., Dolan W. W., Brown G. // J. Appl. Phys., 24, 570, 1953.
  119. Васин В.А., НевровскийВ.А.//ЖТФ, т.49,в. 1, 1979, с. 110−116.
  120. J. С, Everhart Т. E. // J. Appl. Phys., 44, 2140, 1973.
  121. Dyke W.R., TrolanJ.K.,//Phys. Rev 91, 1043, 1953.
  122. Martin E E., J. K. Trolan J. K., Dyke W. P. // J. Appl. Phys., 31, 1960, C.782.
  123. В.A., Елинсон М. И., Яковлева Г. Д. // Радиотехника и электроника, 7, 1962, с. 1501.
  124. И.И., Протопопов О.Д., KJynne Г. Н. // Изв. АН УзССР, сер. Физика, математика, № 6, 1959, с. 72.
  125. Г. Н. //Радиотехника и электроника, 4, 1961, с. 298.
  126. Ю.В., Сокольская И. А., Фурсей Г. Н. // ЖТФ. Т.34. № 5. 1964, С.911−912.
  127. И.Л., Фурсей Г. Н. // Радиотехника и электроника, 7, 1962,0.1484.
  128. Г. Н., Толкачева И. Д. // Радиотехника и электроника, 8, 1963, с. 1210.
  129. NottingamW.B .//Phys. Rev., 59, 907, 1941.
  130. Г. К., Месяц Г. А. и др. // Доклады АН СССР, 192, 1970, с.309.
  131. Г. Н., Антонов А. А., Гулин Б. Ф. 24 Всесоюз. Конф. По эмиссионной электронике. Ташкент, 1970. Тезисы. С. 18. Вестник ЛГУ, № 10, 71, 1971.
  132. Г. Н., Карцев Г. К. // ЖТФ, 40, 1970, с. 310.
  133. L. W., Crouser L.S., Charbonier P.M. // Phys. Rev., 151, 327, 1966.
  134. R. // Phys. Rev., 125, 67, 1962.
  135. MillerS.C, GoodR.H.//Phys. Rev., 91, 174, 1953.
  136. BurgersR.E., KroemerH., Houston J.M.//Phys. Rev., 9, 515, 1953.
  137. M.Z. //Naturforsch., 18a, 1376, 1963.
  138. H. // Journal of electron microscopy, 1986. V.3, p.243−3 04.
  139. Trump J. G., Van de Graaff R. J, J. // Appl. Phys. 18, № 3, 327−332, 1947.
  140. D. H., Sloan D. H. // Phys. Rev. 82, № 4, 575, 1951.
  141. Granberg L., J. // Appl. Phys. 23. № 5, 518−522, 1952.
  142. H. Б", Грановский В. Л. // Журн. технич. физ. 26, вып. 3, 489—496, 1956.
  143. W. S., Kislink P., Germer L. H. // J. Appl. Phys. 26, № 6, 720−726, 1955.
  144. W. H. // Phys. Rev. 45, № 6, 890−897, 1934.
  145. Webster В., Van de Graaff R. J., Trump J.G. // J. Appl. Phys. 23, № 2, 264−266, 1952.
  146. L. H., Smith J. L. // J. Appl. Phys. 23, № 5, 553— 562, 1952.
  147. Л.Ю., Воскресенский C.B., Сошинский Г. Г. Исследование характеристик релятивистского электронного пучка. // Проблемы физ. электроники. 91 Ленингр. гос. техн. ун-т. 1991, с. 102 -119.
  148. Р., Repetto М., Simkin J. // J. Phys. D., 1994, 27, № 9, с. 1914 -1921.
  149. Lee Chan Gyoo, Ahn Но, Park Buing Gook, Lee Jong Duk // J. Vac. Schi, and Technol. B. 1996, 14, № 3, c.1966−1969.
  150. Itoh Shigeo, Niijama Takahiro, Taniguchi Masateru, Watanabe Teruo // J. Vac. Schi, and Technol. B. 1996, 14, № 3, c. 1977−1981.
  151. M., Kishimoto Т., Yamashita M., Morimoto H., Yura S., Hogono A., Okuda S., Lipp S., Kres L., Ryssel H. // J. Vac. Schi, and Technol. B. 1996, 14, № 3,0.1973−1976.
  152. Lo W.K., Skvarla M., Lo C.W., Craighead H.G., Isaacson M.S. // J. Vac. Schi, and Technol. B. 1995, 13, № 6, c.2441−2444.
  153. K.L., Kodis M. А., Миф11у R.A., Zaidman E.G. // J. Appl. Phys., 1996, 82, № 2, c.845−854.
  154. A.B., Пегель И. В., Проскуровский Д. И. Ред. Ж. Изв. вузов, физ. Томск, 1997, с. Ю: ил. ДЕП. В ВИНИТИ 15.10.97, № 3022-В97.
  155. J., Klein Т., Simon G. // J. Phys. D., 1993, 26, № 8, с. 1310−1315.
  156. J., Klein Т., Simon G. // J. Phys. D., 1994, 27, № 9, c. 1914 -1921.
  157. A.B., Попов CA., Проскуровский Д. И. Ред. Ж. Изв. вузов, физ. Томск, 1997, С.13: ил. ДЕП. В ВИНИТИ 15.10.97, № 3023-В97.
  158. J., Drachsel W., Block J.H., // Surface Sei., 1992, 266, № 1−3, с. 70 -75.
  159. G.N., Shirichin L.A., Baskin L.M. // J.Vac. Sei. And Technol. В., 1997. 15, № 2, C.410−421.
  160. E.A., Месяц Г. А., Парфенов А. Т. // Док. АН СССР, 1991, -320, № 2,-с. 319−321.
  161. СЯ. Движение электрона в электрическом и магнитном поле с учетом пространственного заряда. // ЖЭТФ, в.7, т.5, 1935, с. 621.
  162. СЯ. К вопросу о действии магнитного поля на пространственный заряд в плоском и цилиндрическом диодах.//ЖЭТФ, в.3,т. 10, 1940, С. 217.
  163. В.Т. и др. Отрицательное дифференциальное сопротивление электронного диода в магнитном поле. // Институт ядерной физики СО АН СССР. Препр. Т.25, 1988, с. 3.
  164. В.Э., Фурсей Г. Н., Егоров Н. В. Температурная зависимость магнитных эффектов при автоэлектронной эмиссии. // Письма в ЖТФ, Т.6, в. Ю, 1980, С. 619.
  165. М.В. Динамика пучков в плазме. М.: Энергоиздат, 1982, С. 264.
  166. В.П., Пахромчук В. В., Пестриков Д. В. Экспериментальное изучение устойчивости компенсированного электронного пучка. // ЖТФ, т.53, № 5, 1983.
  167. В.А., Никульшина A.A., Новичков Д. Н. Неустойчивость электронного пучка в магнитном поле // Ж. прикл. мех. и техн. физ., т.2, 1990, с.Ю.
  168. Н.И., Рухадзе А. А. Низкочастотные неустойчивости релятивистских электронных пучков, удерживаемых внешним магнитным полем. // Материалы докл. Всесоюзн. семинара «Генераторы и усилителина релятивистских электронных потоках», 1987, с. 154.
  169. Ю.Г., Макаров Н. М., Лмпольский В. А. Знакопеременное распределение плотности тока и невзаимная вольт-амперная характеристика металла в сильном магнитном поле. // ЖЭТФ, т.96, в. 5(11), 1989, С. 1764.
  170. А.Б. Теория плазменных неустойчивостей. М.: Атомиздат, 1977.
  171. Ю.А., Брейзман Б. Н., Вшивков В. А. Численное моделирование инжекции мощного электронного пучка в вакуумную камеру с сильным магнитным полем. // ПМТФ, № 1, 1981, с. 3.
  172. В.Н., Цимпринг Ш. Е. К теории формирования релятивистских винтовых электронных пучков. // ЖТФ, т.51, в. 12, 1981, с. 2483.
  173. Е.Е., Чихачев А. С. Движение сгустков заряженных частиц в поперечном магнитном поле. // Изв. вузов. Радиофизика, т. ЗЗ, № 3, 1990, с. 366.
  174. К. // Int. Symp. Electron Beam Ion Sources, Upton, 19/6, 1988, c. 233.
  175. Shih Hai Li // BEAMS' 88: Proc. Int. Conf. High — Power Particle Beams, Karlstuhe, July 4 — 8, 1988, c.977.
  176. В.А. Расчет влияния аксиального магнитного поля на образование анодного пятна вакуумной дуги. // ЖТФ, т.59, в. 9, 1989, С. 98.
  177. В.Н. К вопросу об учете собственного магнитного поля в теории формирования релятивистских винтовых электронных пучков. // ЖТФ, 1982, с. 1506.
  178. А.П. Влияние собственного электромагнитного поля интенсивного релятивистского электронного пучка на его взаимодействие с веществом. // Изв. вузов. Физика, т. ЗО, в. 10, 1987, С. 19.
  179. A.B. О токе релятивистского ножевого диода в сильном продольном магнитном поле. // Письма в ЖТФ, т. 13, в.7, 1987, с. 410.
  180. Лебедев В.А., LQapana А. П. Формирование электронного пучка с малыми поперечными скоростями в системах с продольным магнитным полем. // ЖТФ, Т.57, в.5, 1987, с. 975.
  181. Д.Ю., Кашета С.С, Карсокас A.A. Моделирование параметров магнитных фокусирующе отклоняющих устройств на ЭВМ. // Науч. труды вузов Лит. ССР, Радиоэлектроника, т.22, 1986, С. 141.
  182. BlatF.J.//Phys. Rev., 131, 166, 1963.
  183. Cood.R.H., Miller E.W. Field Emission. In Handbuch der Physik. Ed. By Flugge. Bd. 21, 176, 1956.
  184. KunzlerJ.E., HsuF.S.L., BoyleW.S.//Phys. Rev., 128, 1084, 1962.
  185. R.B. // Proc. Roy. Soc. (London), A 211, 500, 1952.
  186. Г. А., Ицкович Ф. И., Кулик И. О. // ЖЭТФ, 46, 913, 1964.
  187. И.М., Косевич A.M. // ЖЭТФ. 29, 730, 1955.
  189. FloodD.J.Z/J.Phys. and Chem. of Solids, 31. 1649, 1970.
  190. И., Шишкин Б. Б. // ФТТ, 12, 3309. 1970.
  191. R.F., Schwettman H.A. // Phys. Rev. В8, 2420, 1973.
  192. .В., Кириченко Л. А. и др. Сб. трудов МФТИ, сер. Радиотехника и электроника, 214, 1976.
  193. Kennedy P.J., Mar A.Y. // Solid State Commun., 27, 279.1978.
  194. Д.А. Моделирование и оптимизация динамики пучков заряженных частиц. Ленинград, ЛГУ, 1990.
  195. ДА., Егоров Н. В. Математическое моделирование систем формирования электронных и ионных пучков. С-Петербург, СПбГУ, 1998.
  196. .Г., Рогова Е. А., Федоров A.C. // Изв. С-Петербург. электротехн. инст-та, -1994, № 470, -с.37 41.
  197. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника, М: Наука, 1966, с.452−474.
  198. В.М., Егоров Н.В.//ЖТФ. 1991. Т.61. № 9, с. 170.
  199. Egorov N.V. Abstracts of Thrid International Workshop: Beam Dynamics and Optimazation, July 1 -5. 1996. St-Pb. Russia, p. 12.
  200. H.B. Моделирование структурных элементов проблемно -ориентированной ИЭС. Диссертация доктора ф.-м. Наук. С- Петербург, 1992.
  201. В.Е., Яковлев Б. В. Интегрирование уравнений движения электрона в линейно-неоднородных скрещенных электрическом и магнитном полях // В сб.: «Физика высокоширотной ионосферы и распространения э/м волн». Якутск, 1988. С. 46.
  202. .В. Исследования характеристик ТПИИ методами физического и математического моделирования. СПб., 1993. Деп. в ВИНИТИ. 30.11.93, № 2966−393.
  203. CH., Ромащенко Ю. А., Яковлев Б. В. Расчет дрейфовой скорости электронов в скрещенных электромагнитных полях // Тезисы докладов Всесоюзного совещания по проблемам электризации. Иркутск, 1988.
  204. CH., Наумов В. В., Яковлев Б. В. Способ снятия заряда металлического шара с помощью микроострия. Отчет НИР № 68/89 ИКФиЛ по теме «Проблема 2», НПО им. Лавочкина, Москва, 1989.
  205. .В. Жидкометаллические ионные источники // Тезисы докладов Научно- практической конференции творческой молодежи. Якутск, 1992.
  206. .В. Исследование характеристик ТПИИ методами моделирования. Автореферат кандидатской диссертации. С-Петербург, СПбГУ факультет ПМ-ПУ, 1993.
  207. Egorov N.V., Yakovlev.B.V. Theory and characteristics of liguid-metal ion sources // 7 th International Vacuum Microelectronics Coferense, ATRIA World Trade Center Grenoble, July 4−7, 1994, p.44.
  208. .В. Математическая модель ТПИИ // Тезисы 1 Международной конференции по математическому моделированию, Якутск, (15.09−19.09.94), с. 158.
  209. Н.В., Яковлев Б. В. Эволюция поверхности металла в сильном электрическом поле // Ж. «Поверхность» 1994, № 8−9, с.36−41.
  210. Н.В., Яковлев Б. В. Модель термополевого ионного источника // В кн: «Краткие содержания докладов XXII конференции по эмиссионной электронике, т.2 Москва, 1994, с.7−8
  211. Н.В., Яковлев Б. В. Кинетические характеристики ТПИИ в приближении «кратерной модели» эволюции эмиттирующей поверхности. IIЖ. «Поверхность» 1995, № 3, с.41−47.
  212. .В. Моделирование термополевого ионного источника // Материалы второй международной конференции «Динамика пучка и оптимизация» С-Петербург 4−8 июля, 1995. с. 23.
  213. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Liquid Metal Surface Evolution in a Strong Electric Field // Surface Investigation, 1995, Vol. 11, P. 119−124.
  214. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Kinetic Characteristics of Thermo-Field Ion Source in a «Crater» Approximation for the Evolution of Emitting Surface // Surface Investigation, 1995, Vol. 11, P. 283−291
  215. Yakovlev B.V. Flat field emission diode characteristics calculation with space charge in control magnetic field. // Third International Workshop: BDO-96 Mi 1−5, 1996, p.37 .St.Petersburg, Russia
  216. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Theoretical and experimental sttudy of the stationary and kinetic characteristics of the thermo-field ion sources. // International Symposium on Ion Beam Analysis, Seeheim, Germany, September 9−12, 1996.
  217. H.B., Яковлев Б. В. Исследование влияния эволюции эмиттирующей поверхности на стационарные характеристики термополевого ионного источника. // Ж. «Поверхность» 1996, № 8, с.85−90
  218. Н.В., Яковлев Б. В. Исследование влияния пространственного заряда и управляющего магнитного поля на характеристики полевого эмиссионного диода. IIЖ. «Поверхность» 1996, Хо12, с.80−87.
  219. Н.В., Яковлев Б. В. Исследование кинетических характеристик термополевого ионного источника // Ж. «Поверхность» 1996, № 12, с.87−91.
  220. .В. Защитный зонд для космических аппаратов // В кн. Тезисы докладов 2 Международной конференции по мат. моделированию (28.06−02.07.1997), 199 с, г. Якутск, 1997.
  221. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Investigation of the Influence of the Emitting Surface on the Stationary Characteristics of the Thermo-Field Ion Source // Surface Investigation, 1997, Vol. 12, P. 967−971
  222. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Investigation of the Effect of the Volume Charge and the Control Magnetic Field on Characteristics of the Field-Effect Emission Diode. // Surface Investigation, 1997, Vol. 12, P. 1419−1427
  223. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Investigations of the Kinetic Characteristics of Thermo-Field Ion Sources. // Surface Investigation, 1997, Vol. 12, P. 1429−1433
  224. .В. Моделирование полевой электронной эмиссии в фокусирующем электронный пучок магнитном поле. // Труды 29 научной конференции «Процессы управления и устойчивость» 4−11 апреля 1998, С-Петербург. С. 187.
  225. Yakovlev B. V Investigation of the Flat Diode Characteristics with the Field Emission Cathode under the Influence of the Controlling Magnetic Field // Fifth International Workshop: BDO-98 June 29 July 03, 1998, p.37. St. Petersburg, Russia
  226. Yakovlev B.V. Investigation of the Spherical Diode Characteristics with the Field Emission Cathode in the Focusing iVlagnetic Field // Fifth International Workshop: BDO-98 June 29 July 03, 1998, p. 37. St. Petersburg, Russia
  227. H.B., Яковлев Б. В. Эволюция эмиттирующей поверхности полевого электронного катода в предвзрывном режиме // Ж. «Поверхность» 1998, № 10, с. 135−142.
  228. Ю.М., Еремеев CH., Шарин Е. П., Яковлев Б. В. Теория конденсированных сред. Заключительный отчет НИР, выполненный по ЕЗН. Ин. № ПТИЦ 02.9.90 000 224, 18.02.1999 г.
  229. Н.В., Яковлев Б. В. Переходные процессы при термополевой ионной эмиссии в приближении кратерной модели эволюции эмиттирующей поверхности//Ж. «Поверхность» 1999, № 5−6, с. 170−175.
  230. Yakovlev B.V. More accurate model of the thermo-field ion source // International Workshop Hypothesis III, Saint-Petesburg, Russia. 5−8 Julie 1999. http: //www. apmath. spbu. ru/hup othe si s/pab s. htm
  231. H.B., Яковлев Б. В. Расчет характеристик плоского полевого диода с учетом влияния управляющего магнитного поля на пространственный заряд эмиттирующих электронов в релятивистском приближении//Ж. «Поверхность» 1999, № 11, с.69−71.
  232. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Pre-explosive Evolution of the Emitting Surface of a Field Electron Cathode // Surface Investigation, 1999, Vol. 14, P. 1377−1383
  233. H.B., Яковлев Б. В. Расчет характеристик сферического полевого диода с магнитной фокусировкой электронного пучка // Ж. «Поверхность» 2000, № 4, с. 193−196.
  234. .В. Кратерная модель термополевого ионного источника // Тезисы докладов. 2 международная конференция «Радиационно249термические эффекты и процессы в неорганических материалах» 14−19 августа 2000 г. С. 201−203. Томск, 2000 г.
  235. .В. Характеристики ТПИИ в различных условиях работы // Сб. «Фундаментальные и прикладные проблемы физики», Вып.1, С. 4048. Якутск 2000 г.
  236. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Transition Processes during Thermal-Field ionic Emission in the Approximation of the Crater Model of the Emitting Surface Evolution // Surface Investigation, 2000, Vol. 15, P. 955−965.
  237. Egorov N.V., Yakovlev B.V. Calculation of the Characteristics of the Field Emission Spherical Diode with Magnetic Focusing of the Electron Beam // Surface Investigation, 2001, Vol. 16, P. 709−715.
  238. C.H., Скрябин Ю. Т., Яковлев Б. В. Моделирование пучка лезвийного полевого электронного катода // 3 Международная конференция по математическому моделированию, Якутск, (01.0706.07.01), С. 137.
  239. .В., Егоров Н. В. Моделирование ионных источников на основе термополевой ионной эмиссии. Изд. «Айыына». Москва, 2001 г.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!