Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах

Диссертация: Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Практическая значимость результатов. Разработанная методика контроля планарной однородности зарядовых свойств структуры ДП методом ВДК дает возможность прогнозирования радиационной стойкости МДП приборов и отбраковки пластин на начальной стадии процесса их изготовления, то есть до формирования затворов. Учет неоднородного распределения поверхностных параметров при расчете теоретических ВФХ… Читать ещё >

Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ, ПЛАНАРНАЯ НЕОДОРОДНОСТЬ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ В МДП СТРУКТУРАХ
    • 1. 1. Радиационное дефектообразование в системе Si-S
      • 1. 1. 1. Природа и механизмы образования радиационных дефектов
      • 1. 1. 2. Физико-математическая модель накопления радиационно-индуцированного заряда
    • 1. 2. Радиационные эффекты в МДП структурах
      • 1. 2. 1. Влияние ионизирующей радиации на структуру S1-S1O
      • 1. 2. 2. Влияние радиационного воздействия на электрические параметры МДП транзисторов
    • 1. 3. Планарная неоднородность МДП структур
      • 1. 3. 1. Причины и физические модели планарной неоднородности
      • 1. 3. 2. Радиационно-стимулированная неоднородность
    • 1. 4. Методики исследования радиационных эффектов и планарной неоднородности в МДП структурах
      • 1. 4. 1. Емкостные методики
      • 1. 4. 2. Методика подпороговых вольт-амперных характеристик
      • 1. 4. 3. Бесконтактные методики с использованием зонда Кельвина
  • Цели и задачи
  • ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ПЛАНАРНОЙ ЗАРЯДОВОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ И ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА МДП СТРУКТУР
    • 2. 1. Методы исследования и экспериментальные установки
      • 2. 1. 2. Метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик
    • 2. 2. Методика моделирования вольт-фарадных характеристик планарно-неоднородных МДП структур
    • 2. 3. Подготовка образцов и условия проведения эксперимента
    • 2. 4. Экспериментальные результаты и их обсуждение
      • 2. 4. 1. Влияние радиационного излучения на неоднородность параметров структуры Si-SiC>
      • 2. 4. 2. Влияние радиационного излучения на зарядовые свойства структуры Si-S
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
    • 3. 1. Условия проведения эксперимента
    • 3. 2. Методика расчета параметров МДПТ
    • 3. 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. КИНЕТИКА РЕЛАКСАЦИИ РАДИАЦИОННОГО ЗАРЯДА В МДП СТРУКТУРЕ
    • 4. 1. Механизмы релаксации радиационно-индуцированного заряда
    • 4. 2. Математическая модель релаксации радиационного заряда
    • 4. 3. Результаты моделирования и их обсуждение
  • Выводы к главе 4

Актуальность темы

Расширение областей применения изделий электронной техники, внедрение радиационных технологий привело к необходимости создания радиационно-стойкой радиоэлектронной аппаратуры. В основе решения этой проблемы лежит изучение влияния радиации на параметры МДП структур и приборов на их основе. Поверхностные свойства полупроводников и, соответственно, характеристики приборов (пороговое напряжение, крутизна, генерационные токи и т. д.) весьма существенно изменяются под воздействием ионизирующего излучения (ИИ). При рассмотрении процессов, происходящих в полупроводниковых приборах под действием радиации правильно разделять механизмы изменения характеристик, связанные с явлениями в объеме и на поверхности. Во время облучения МДП структур происходит накопление заряда в диэлектрике, генерация поверхностных состояний (ПС) на границе раздела диэлектрик — полупроводник (ДП) и рост крупномасштабных зарядовых флуктуаций. Поэтому методы, разработанные для исследования однородных МДП структур, оказываются недостаточно адекватными для контроля электрофизических параметров структур, отличающихся неоднородным распределением поверхностного потенциала. Учет неоднородности при оценке радиационного воздействия на МДП приборы позволяет повысить точность контроля их важнейших параметров: энергетического спектра ПС, эффективного поверхностного заряда, порогового напряжения и др. Вопрос о механизме релаксации радиационного заряда в окисле после прекращения ионизирующего воздействия является также актуальной задачей. Разработанные в последние годы методы диагностики электрического поля в диэлектриках делают разумной следующую постановку вопроса — по результатам экспериментального исследования и моделирования процессов релаксации заряда получить новую информацию о процессах и механизмах его переноса.

Актуальность темы

диссертации, таким образом, определяется как потребностью в решении задач обеспечения радиационной стойкости приборов и разработки новых радиационных технологий, так и необходимостью адекватного физического описания и моделирования процессов, на которых основаны радиационно-технологические операции управления параметрами МДП приборов.

Цель работыкомплексное экспериментальное исследование и моделирование влияния ионизирующего излучения и планарной зарядовой неоднородности на электрофизические свойства кремниевых МДП структур.

В соответствии с целью были сформулированы следующие задачи;

1. Разработка методик контроля планарной неоднородности и важнейших электрофизических параметров МДП структур с учетом их неоднородности.

2. Изучение влияния планарной неоднородности на электрофизические параметры и характеристики МДП структур.

3. Изучение влияния радиации на электрофизические свойства и характеристики МДП структур и МДП транзисторов с учетом планарной неоднородности.

4. Моделирование воздействия ионизирующего излучения на зарядовые свойства диэлектрика в кремниевых МДП структурах.

Объекты и методы исследования. Исследовались структуры ДП и МДП на основе кремниевых пластин пи ртипа проводимости (марки КЭФ-4.5 и КДБ-12 соответственно) диаметром 100 мм, с ориентацией (100). Диэлектрический слой создавался двумя способами: термическим окислением кремния в атмосфере сухого кислорода и пирогенным окислением. Толщина окисла составляла 45 нм и 68 нм. Металлические электроды площадью 0,44 мм² создавались термическим напылением алюминия. В качестве ионизирующего излучения использовались гамма-кванты с энергией Е ~ 1.2 МэВ, дозой 106 Рад. Излучателем служил стандартный источник гамма-квантов Со60. Влияние ИИ на степень планарной неоднородности и электрофизические характеристики структур исследовалось методами динамического конденсатора с использованием зонда Кельвина и высокочастотных (ВЧ) вольт-фарадных характеристик (ВФХ).

Тестовые МДП транзисторы (МДПТ) представляли собой р-канальные приборы с длиной канала 5 мкм, толщиной подзатворного окисла d =120 нм и концентрацией легирующей примеси в подложке Nsub = 1017 см" 3. Образцы облучались рентгеновскими квантами с энергией Е «25 кэВ и дозой D < 106 Рад (Si) на установке ИРИС-МЗ. Результаты воздействия ИИ на МДПТ оценивались по изменению передаточных и выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ).

Научная новизна.

1. Разработан новый бесконтактный способ контроля планарной неоднородности структуры ДП методом вибрационного динамического конденсатора (ВДК).

2. Впервые, путем непосредственного измерения потенциального рельефа границы раздела ДП, установлено, что флуктуации потенциала носят случайный характер и основной вклад в эти флуктуации дают флуктуации заряда в окисле.

3. Разработана методика моделирования ВФХ МДП структуры, позволяющая учесть наличие флуктуаций потенциала полупроводника в расчетах энергетического спектра ПС и других электрофизических параметров структуры.

4. Впервые проведено комплексное исследование влияния ИИ на потенциальный рельеф границы раздела ДП, параметры и характеристики МДП структуры, позволившее независимо оценить как зарядовые, так и флуктуационный механизмы деградации этой структуры.

5. Впервые методом стационарных подпороговых ВАХ МДПТ проведено независимое определение плотности ПС, заряда в диэлектрике и его дисперсии. Исследовано влияние ИИ на параметры и характеристики МДПТ.

6. Предложена новая двухуровневая модель релаксации радиационноиндуцированного заряда, обусловленной процессами туннелирования электронов из кремниевой подложки и термоэмиссии захваченных дырок в валентную зону.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Бесконтактный способ контроля потенциального рельефа границы раздела ДП с использованием зонда Кельвина позволяет установить характер и статистические параметры распределения потенциала по площади структуры, включая его изменения, вызванные радиационным воздействием.

2. Флуктуации потенциала кремниевых структур носят случайный характер и основной вклад в эти флуктуации дают флуктуации заряда окисла.

3. Разработанная методика моделирования ВФХ планарно-неоднородной МДП структуры, позволяет учесть наличие флуктуаций поверхностного потенциала полупроводника и существенно повысить точность расчетов энергетического спектра ПС и других электрофизических параметров структуры.

4. Отклик кремниевой МДП структуры на радиационное воздействие зависит от способа оксидирования кремния. Различие связано с различным содержанием в термическом и пирогенном Si02 водорода и продуктов разложения воды.

5. При оценке радиационной стойкости и надежности МДП приборов необходим учет как зарядового, так и флуктуационного механизмов их деградации. Независимое определение плотности ПС, заряда в диэлектрике и его дисперсии на готовых МДПТ позволяет метод стационарных подпороговых токов.

6. Релаксация радиационного заряда, обусловленная процессами туннелирования электронов из кремниевой подложки и термоэмиссии захваченных дырок в валентную зону, достаточно адекватно описывается двухуровневой моделью.

Практическая значимость результатов. Разработанная методика контроля планарной однородности зарядовых свойств структуры ДП методом ВДК дает возможность прогнозирования радиационной стойкости МДП приборов и отбраковки пластин на начальной стадии процесса их изготовления, то есть до формирования затворов. Учет неоднородного распределения поверхностных параметров при расчете теоретических ВФХ позволяет существенно повысить точность контроля электрофизических • параметров МДП структуры. Разработанная методика определения флуктуационного и поверхностных параметров планарно-неоднородного МДП транзистора по его выходным и передаточным ВАХ в области слабой инверсии позволяет контролировать указанные параметры при воздействии ИИ.

Личный вклад автора. Основные экспериментальные данные, включенные в диссертацию, получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором выполнен анализ и интерпретация полученных результатов. Сформулированы выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Апробации работы. Основные положения диссертационной работы были представлены в виде докладов и обсуждались на:

— X, XI, XII Международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь», Воронеж, 2004 г., 2005 г. и 2006 г., соответствен но;

— XXXV Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», Москва, 2004 г.;

— V Международной научно-технической конференции «Кибернетика и технологии XXI века». Воронеж, 2004 г.;

V Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика», Москва, 2005 г.;

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе 5 статей в реферируемых журналах и 7 в материалах научно-технических конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 122 страницы текста, включая 39 рисунков.

Список литературы

состоит из 101 источника.

Основные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Разработан бесконтактный способ исследования потенциального рельефа границы раздела ДП с помощью динамического зонда Кельвина. Установлено, что флуктуации потенциала исследуемых структур носят случайный характер и с высокой точностью описываются распределением Гаусса. Основной вклад в эти флуктуации дают флуктуации фиксированного заряда окисла.

2. Разработанная методика моделирования ВФХ планарно-неоднородной МДП структуры, позволяет учесть наличие флуктуаций поверхностного потенциала полупроводника и существенно повысить точность расчетов энергетического спектра ПС и других электрофизических параметров структуры.

3. Установлено, что характер радиационного воздействия на свойства кремниевой МДП структуры зависит от способа формирования подзатворного окисла. Различие связано с разным содержанием в термическом и пирогенном Si02 водорода и продуктов разложения воды.

4. Рентгеновское облучение МДПТ наряду с образованием радиационного заряда в диэлектрике приводит к коррелированному росту степени его неоднородности. Существенной генерации ПС при этом не происходит. Для корректного определения плотности ПС и заряда в диэлектрике необходим учет планарной неоднородности. Оценка радиационной стойкости и надежности МДП приборов требует учета как зарядового, так и флуктуационного механизмов их деградации.

5. Релаксация заряда в диэлектрике обусловлена процессами туннелирования электронов из кремниевой подложки, а также процессами термоэмиссии.

110 захваченных дырок в валентную зону. Эффект термической разрядки связан с наличием двух типов ловушечных уровней: «глубокого» — в середине запрещенной зоны и «мелкого» — у дна зоны. Заряд на «мелких» ловушках может отжигатьсязаряд на «глубоких» ловушках практически не отжигается.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. P.O. Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов / P.O. Литвинов. — Киев: Наукова думка, 1972.-115 с.
  2. B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. М.: Энергоатомиздат, 1988. — 252 с.
  3. В.А. Радиационные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / В. А. Гуртов. Петрозаводск, 1988. — 93с.
  4. B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах / B.C. Вавилов, Н. А. Ухин. М.: Атомиздат, 1969.-310 с.
  5. Т.Н. Радиационная стойкость МДП стркутур и полупроводниковых приборов на их основе / Т. Н. Пекарчук, А. К. Хрулев // Обзор по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. -1981.-Вып. 5(651).-С. 61.
  6. Pantelides S.T. The electronic structure of imrurities and defects in Si02 / S.T. Pantelides // Thin solid films. 1982. — Vol. 89, № 1. — P. 103−108.
  7. Ф.П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. Минск: Наука и техника, 1986.-253 с.
  8. Радиационные методы в твердотельной электронике / B.C. Вавилов и др. М.: Радио и связь, 1990. — 183 с.
  9. С.Г. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики / С. Г. Боев, В. Я. Ушаков. М.: Энергоатомиздат, 1991.-235 с.
  10. М.Н. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП структуру / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, Ю. В. Иванков //112
  11. Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. — Т. 4, № 3. — С. 195−202.
  12. Sah С.Т. Origin in interface states and oxide charges generated by ionizing radiation / C.T. Sah // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1976. — Vol. NS-23, № 6. — P. 1563−1568.
  13. Радиационная стойкость кремниевых интегральных микросхем / М. И. Горлов и др. // Обзор по электронной технике. Сер. З: Микроэлектроника. 1981. — Вып. 3(1296). — С. 40.
  14. Knoll М. Generation of oxide charge and interface sates by ionization radiation and by tunnel injection experiments / M. Knoll, D. Brauulg, W.R. Fahrener // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. — P. 1471−1478.
  15. M.H. Автоматизированная установка для исследования приборов на основе структур металл-диэлектрик-полупровдник / М. Н. Левин и др. // Приборы и техника эксперимента. 1992. — № 2. — С. 119−122.
  16. Nakhmanson R.S. Investigation of metal-insulator-semiconductor structure inhomogeneties using a small-size mercury probe / R.S. Nakhmanson, S.B. Sevastianov // Solid State Electronics. 1984. — Vol. 27, № 10. — P.881−891.
  17. Дж. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией / Дж. Митчелл, Д. Уилсон. М.: Атомиздат, 1970. -92 с.
  18. .С. Численное моделирование полупроводниковых приборов / Б. С. Подольский. Рига: Зинатне, 1986. — 168 с.
  19. В.А. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП структур при облучении / В. А. Гуртов, А. И. Назаров, И. В. Травков // ФТП. 1990. — Т. 24, вып 6. — С. 969−977.
  20. Barnes С.Е. Gamma- induced trapping levels in Si with and withhout gold doping / C.E.Barnes // Jorn. Electronic Mat. 1979. — Vol. 8, № 4. — P. 437−457.
  21. Scoggan G.A. Effect of electron beam radiation on MAS structures as influenced by silicon dopant / G. A. Scoggan // J. Appl. Phys. — 1977. — Vol. 48. -P. 294−300.
  22. Lang D.V. Radiation effects in semiconductors / D.V. Lang // Inst. Phys. Conf. Ser. London — Bristol, 1977. -№ 31. — P. 1−70.
  23. A.M. Свойства p+ n — структур с заглубленным слоем радиационных дефектов / A.M. Иванов, Н. Б. Строкан, А. В. Сизов // ФТП. -1998. — Т. 32, вып 3. — С. 359−365.
  24. В.А. Кинетика накопления заряда в Si02 МОП стуктуры / В. А. Болисов, В. Д. Попов, А. В. Сизов // Кинетика накопления заряда в полупроводниках и диэлектриках: сб. науч. тр. / МИФИ. — М., 1985. — С. 29−34.
  25. Hallen A. Lifetime in proton irradiated selicon / A. Hallen // J. Appl. Phys. 1996. -Vol. 79. -P.3906−3910.
  26. R.A., Lowney J.R. // Sol.-St. Electron. 1986. — Vol. 29. № 4. — P. 447−460.
  27. Tseng W.L. A new charge pumping method of measuring Si-Si02 interface states / W.L. Tseng // J. Appl. Phys. 1987. — Vol.2, № 2. — P. 591−599.
  28. Chang J.E. The development and application of Si-Si02 interface trap measurement system based on the staircase charge pumping technique / J.E.Chang, R.S. Muller// Sol.-St. Electron. — 1989. — Vol. 32. — P. 867−872.
  29. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. / С. Зи. М.: Мир, 1984. — Кн. 1. — 456 с.- Кн. 2. — 456 с.
  30. В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник / В. Г. Литовченко, А. П. Горбань. Киев: Наукова думка, 1978. — 315 с.
  31. В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк. Новосибирск: Наука, 1984. — 253 с.
  32. В.А. Электронные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / В. А. Гуртов. Петрозаводск: Петрозавод. гос. ун-т,. 1984. — 113 с.
  33. В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович. М.: Радио и связь, 1985.-264 с.
  34. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. М.: Высш. шк., 1987. — 239 с.
  35. Garrett C.G. Physical theory of semiconductor surfaces / C.G. Garrett, W.H. Brattain // Phys. Rev. 1955. — Vol. 99, № 2. — P. 376−397.
  36. А.Г. Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДП структуры / А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, Г. В. Чучева // ФТП. 2003. -Т. 37, вып 6.-С. 686−691.
  37. В.Л. Динамика встраивания заряда при облучении МДП-структуры / В. Л. Винецкий, Г. Е. Чайка, Е. С. Шевченко // ФТП. 1982. — Т. 16, № 8. -С. 1478−1482.
  38. В. проблемы, связанные с р-n переходами в кремнии / В. Шокли // УФН. 1962. — Т. 77, вып 1.-С. 161−196.
  39. Влияние ультразвука на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник / П. В. Парчинский и др. // Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, вып. 10.-С. 40−45.
  40. В.А. Перенос тока через диэлектрик в облученных структурах диэлектрик-полупроводник / В. А. Гирий, А. В. Кондарчук, В. И. Шаховцев // Радиационные дефекты в полупроводниках: (расширен, тез. докл. Всесоюз. сипм.). Минск, 1972. — С. 40−42.
  41. Теория планарно-неоднородного МОП-транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров / Е. Н. Бормонтов и др. // ЖТФ. 2001. — Т. 71, вып. 2. — С. 61−67.
  42. П.А. Кинетика накопления объемного заряда в подзатворных слоях систем металл-диэлектрик-полупроводник / П. А. Райкерус, В. А. Гуртов // Радиотехника и электроника. 1988. — Вып. 10. — С. 2141−2146.
  43. Wilson C.L. Two dimensional modeling of n-channel MOSFET’s / Wilson C.L., Blue J.L.// IEEE Trans. Nucl. Sci. — 1982 — V. — NS — 29. № 6. — P. 16 761 680.
  44. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / В. Р. Гитлин и др. // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2002. — № 1. — С. 5−12.
  45. Holmes-Siedle A. The mechanisms of smallinstabilites in irradiated MOS transistors / A. Holmes-Siedle, L. Adams // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983. — P. 4135−4140.
  46. А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. М.: Радио и связь, 1994. — 164 с.
  47. Wilson C.L. Modeling of ionizing radiation effects in short-channel MOSFET’s / Wilson C.L., Blue J.L.// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982 — V. — NS — 29. № 6. — P. 1448−1452.
  48. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний на — изоляторе при облучении электронами и у — квантами / Д. В. Николаев и др. // ФТП. — 2003. — Т. 37, вып 4. — С. 443−449.
  49. М.Н. Радиационное тестирование МДП-элементов интегральных схем / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, В. Р. Гитлин // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2003. — № 2. — С. 46−52.
  50. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах, М. Н. Левин и др. // Микроэлектроника. 1992. — Т. 21, № 2. — С. 34−42.
  51. Л.Н. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем / Л. Н. Патрикеев, Б. И. Подлепецкий, В. Д. Попов. М., 1975.-С. 30−45 — 83−96.
  52. Nicollian Е.Н. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by metal-insulator-silicon conductance technique / E.H. Nicollian, A. Goetzberger A // Bell Syst. Tech. Jour. 1967. — Vol. 4 6, № 5. — P. 1055−1133.
  53. Brews J.R. A test for lateral nonuniformities in MOS device using only capacitance curves / J.R. Brews, A.D. Lopez // Sol.-St. Electron. 1973. — Vol. 16, № 11.-P. 1267−1277.)
  54. Brews J.R. Admittance of an MOS device with interface charge inhormogeneities / J.R. Brews // J. Appl.Phys. 1974. — Vol. 43, № 11. — P. 3451−3455.
  55. The development of non-uniform deposition of holes in gate oxidies / R.K. Freitag et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. — Vol. 35, № 6. — P. 1203−1207.
  56. Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л. Росадо. М.: Высш. шк., 1991. — 352 с.
  57. Р. Элементы интегральных схем / Р. Малер, Т. Кейминс. М.: Мир, 1989.-632 с.
  58. Е.Н. Физика и метрология МДП-структур / Е. Н. Бормонтов. -Воронеж, 1997.- 184 с.
  59. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon silicon oxide interface employing metal — oxide — silicon diodes / L.M. Terman // Sol.-St. Electron. — 1962. — Vol. 5, № 3. — P. 155−163.
  60. Van Overstraeten R.J. The influence of surface potential fluctuations on operation of the MOS transistor in weak inversion / R J. Van Overstraeten, G.J. Declerck, G. Broux // IEEE Trans. Electron Dev. 1973. — Vol. ED-20, № 12. -P. 1154−1158.
  61. Swanson R.M. Ion-implanted complementary MOS transistors in low-voltage circuits / R.M. Swanson, J.D. Meindl // IEEE Sol.-St. Circuits. 1972. — Vol. SG-7, № 4. — P. 140−153.
  62. Van Overstraeten R.J. Theoiy of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states / R.J. Van Overstraeten, G.J. Declerck, P.A. Muls // IEEE Trans. Electron. Dev. — 1975. — Vol. ED-22, № 5. -P. 282−288.
  63. .М. Контактная разность потенциалов / Б. М. Царев. М.: Гостехиздат, 1955. — 280 с.
  64. Определение параметров границы раздела диэлектрик полупроводник методом вибрационного динамического конденсатора / Е. Н. Бормонтов и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. — 1999. — Т. 1, № 1. -С. 98−101.
  65. Ю.В. Участие электронно-ионных процессов в поверхностных явлениях полупроводников / Ю. В. Федорович, В. Ф. Фогель // Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников. Новосибирск, 1972.-С. 181−213.
  66. Измерение потенциала поверхности кремниевых пластин в процессе производства БИС/И.Ю. Бутусов и др. // Электрон, пром-сть. 1994. — № 4−5.-С. 104−105.
  67. Определение чистоты поверхности кремниевых пластин в производстве БИС/И.Ю. Бутусов и др. // Электрон, пром-сть. 1994. — № 4−5. — С. 111 113.
  68. Спектроскопия поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник методом вибрационного конденсатора / Е. Н. Бормонтов и др. // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Воронеж, 1997. -С. 28−34.
  69. Ionizing Radiation Effects in Mos Devises and Circuits / ed. T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. New York: Wiley Interscience, 1989. — 760 p.
  70. Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП-транзистора / Е. Н. Бормонтов и др. // Письма в ЖТФ. 2004. — Т. 30, вып. 9. — С. 73−81.
  71. Nahmsnson R.S. Investigations of metal-insulator-semiconducter structure inhormogeneities using a small-size mercury probe / R.S. Nahmsnson, S B. Sevastianov//Solid State Electronics. 1984.-Vol. 27, № 10.-P. 881−891.
  72. Бесконтактный метод исследования потенциального рельефа границы раздела диэлектрик-полупроводник / Т. Г. Меньшикова и др. // Вестн. ВГТУ. Сер. САПР и системы автоматизации производства. 2005. — Т.1, № 11.-С. 83−90.
  73. В.Н. Измерение потенциала поверхности металлов и полупроводников компенсационным методом Кельвина-Зисмана / В. Н. Будко, В. В. Крячко В.В. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2003.-Т. 5,№ 2.-С. 155−161.
  74. Е.Н. Автоматизированная установка для контроля и анализа электрофизических характеристик МДП структур / Е. Н. Бормонтов, С. В. Головин // Изв. вузов. Электроника. 1998. — № 4. — С. 95−100.
  75. Т.Г. Влияние флуктуаций встроенного заряда на электрофизические характеристики МДП структур / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов, В. В. Ганжа // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2005. — № 1. — С. 62−66.
  76. Nahmanson R.S. Investigations of metal- insulator-semiconducter structure inhomogeneities using a small-size mercury probe / R.S. Nahmanson, S.B. Sevastianov // Solid State Electronics. 1984. — Vol. 27, № 10. — P. 881−891.
  77. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon silicon oxide interface employing metal — oxide — silicon diode / L.M. Terman // Sol. St. Electron. — 1962. — Vol. 5, № 3. — P. 285−299.
  78. Berglund C.N. Surface states at stream grown Si-Si02 interfaces / C.N. Berglund // IEEE Trans, on ED. — 1966. — Vol. ED-13, № 10. — P. 701−705.
  79. Исследование потенциального рельефа структуры Si-Si02 методом динамического конденсатора / Т. Г. Меньшикова и др. // Радиолокация, навигация, связь: материалы XII Международ, науч.-техн. конф. -Воронеж, 2006.-Т. 1.-С. 1324−1335.
  80. Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП структур при наличии флуктуации встроенного заряда / Т. Г. Меньшикова и др. // Радиолокация, навигация, связь: материалы XI Международ, науч.-техн. конф. Воронеж, 2005. — Т. 1. — С. 473−478.
  81. СБ. / Пер. с англ. под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. — Кн. 1. -405с.
  82. Влияние планарной неоднородности и ионизирующего излучения на свойства МДП-структур / Т. Г. Меньшикова и др. // Вестн. Воронеж, гос. техн. ун-та. 2005. — Т. 1,№ 11.-С. 130−134.120
  83. Влияние ионизирующего излучения на планарно-неоднородные МДП-структуры / Т. Г. Меньшикова и др. // Электроника и информатика: материалы V Международ, науч.-техн. конф. М., 2005. — Ч. 1. — С. 139 140.
  84. Влияние флуктуаций и радиационного воздействия на свойства кремниевых МДП структур / Т. Г. Меньшикова и др. // Радиолокация, навигация, связь: материалы XII Международ, науч.-техн. конф. Воронеж, 2006.-Т. 1.-С. 1336−1344.
  85. В.А. Влияние флуктуаций встроенного заряда на характеристики МДП структур. «Отрицательная» плотность поверхностных состояний / В. А. Гегель //ФТП. 1979. — Т.13, вып 12. — С. 654−655
  86. В.А. Влияние крупномасштабных неоднородностей на релаксацию неравновесной емкости МДП-структур / В. А. Гуртов, М. В. Золотов //ФТП. 1995.-Т. 19, вып 12.-С. 2127−2130.
  87. М.Н. Левин, B.JI. Израилит // Приборы и техника эксперимента. 1992. — № 2.-С. 119−122.
  88. Van Overstraeten R.J. Theory of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states / R.J. Van Overstraeten, G.J. Declerck, P.A. Muls // IEEE Trans. Electron. Dev. — 1975. — Vol. ED-22, № 5. -P. 282−288.
  89. Dressendorfer P.V. Electron and hole transport and tunneling in Si02 / P.V. Dressendorfer // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York, 1986.-P. 485−507.
  90. Schwank J.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing / J.R. Schwank, W.R. Dawes // IEEE Trans. Nuclear Physics 1983. — Vol. 30, № 6. — P. 41 004 104.
  91. Physical mechanisms contributing to device «rebound» / J.R. Schwank et al. // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1984. — Vol. 31, № 6. — P. 1434−1438.121
  92. Oldham T.R. Spatial dependence of trapped holes determined from tunneling analysis and measured annealing / T.R. Oldham, A.J. Lelis, F.B. McLean // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1986. — Vol. 33, № 6. — P. 1203−1209.
  93. The nature of the trapped hole annealing process / A.J. Lelis et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989. — Vol. 36, № 6. — P. 1808−1815.
  94. Me Whorter P.J. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. Me Whorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1990. — Vol. 37, № 6. — P. 1682−1689.
  95. Reversibility of trapped hole annealing / A.J. Lelis et al. // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1988. — Vol. 35, № 6. — P. 1186−1191.
  96. Pfeffer R.L. Molecular diffusion in a-Si02: its role in annealing radiation-induced defect centers / R.L. Pfeffer // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids.-New York, 1986.-P. 169−176.
  97. Shanfield Z. Characteristics of hole traps in dry and pyrogenic gate oxides / Z. Shanfield, M.M. Moriwaki // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1984. — Vol. 31, № 6. — P. 1242−1247.
  98. Кинетика релаксации радиационного заряда в структуре металл-диэлектрик-полупроводник / М. Н. Левин и др. // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы Международ, науч.-техн. семинара. М., 2004. — С. 98−103.
  99. Моделирование процессов релаксации радиационного заряда в МОП структурах / М. Н. Левин, и др. // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, Математика. -2003. -№ 1. С. 71−77.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!