Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Особенности формирования InGaN/ (In, Al) GaN активной области для светоизлучающих приборов

Диссертация: Особенности формирования InGaN/ (In, Al) GaN активной области для светоизлучающих приборов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что в структурах с InGaN/(Al, In) GaN активной областью присутствует три канала безызлучательной рекомбинации ответственных за различные механизмы транспорта к центрам безызлучательной рекомбинации (БР): захват на центры БР расположенные вблизи локализованных состояний, захват через состояния расположенные выше уровня протекания, и захват через состояния в матрице. Каждый из этих… Читать ещё >

Особенности формирования InGaN/ (In, Al) GaN активной области для светоизлучающих приборов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Свойства нитридов элементов III группы
    • 1. 1. Создание твердотельных светоизлучающих приборов видимого 12 диапазона
    • 1. 20. сновные свойства нитридов элементов третей группы
    • 1. 3. Получение эффективных светоизлучающих приборов на основе Ill-нитридов
      • 1. 3. 1. Подложки
      • 1. 3. 2. Рост Ш-нитридов на подложках А
    • 1. 4. Основные сложности, ограничивающие эффективность светоизлучающих приборов на основе III- нитридов
      • 1. 4. 1. Подавление транспорта носителей
      • 1. 4. 2. Падение эффективности при больших уровнях 25 инжекции
      • 1. 4. 3. Пути увеличении эффективности светоизлучающих 26 приборов
  • Глава 2. Описание эксперимента
    • 2. 1. Описание технологии выращивания соединений на основе III- 29 нитридов
    • 2. 1. Описание методик характеризации
  • Глава 3. Основные свойства структур с InGaN активной областью
    • 3. 1. Описание транспорта и рекомбинации носителей в структурах с 37 InGaN/(In, Al) GaN активной областью
      • 3. 1. 1. Общие свойства структур с активной областью InGaN
      • 3. 1. 2. Описание статистической модели неоднородного 40 массива КТ
      • 3. 1. 3. Описание модели транспорта и безызлучательной 47 рекомбинации
    • 3. 2. Влияние состава (In.Al)GaN матрицы и технологических 56 режимов на свойства InGaN активной области
      • 3. 2. 1. Влияние ростовых режимов на фазовый распад 56 нанослоёв InGaN
      • 3. 2. 2. Использование AlGaN матрицы для структур, излучающих в УФ диапазоне
      • 3. 2. 3. Структуры с InGaN/(Al)GaN активной областью, 71 излучающие в зелёном диапазоне
  • Глава 4. Светодиоды с активной областью InGaN/GaN на основе 76 короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN
    • 4. 1. 1. Получение короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN методом конвертации
    • 4. 1. 2. Оптические и структурные свойства КПСР и слоев InGaN 76 полученных с использованием КПСР
    • 4. 3. Исследования светодиодных структур с использованием КПСР в 82 активной области
    • 4. 1. 4. Подавление транспорта носителей в структурах с КПСР в 87 активной области
  • Глава V. Особенности активной области InGaN для зелёного 93 диапазона
    • 5. 1. Особенности формирования активной области с большим содержанием индия
      • 5. 1. 1. Влияние релаксации напряжений на формирование 93 активной области InGaN для структур глубокого зелёного диапазона
      • 5. 1. 2. Формирование индий-обогащенных островковых 98 структур методом in situ нанмаскирования
    • 5. 2. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с
    • I. nGaN/GaN активной областью
      • 5. 2. 1. Расчёт времени туннельной утечки носителей из 104 квантовой ямы InGaN
      • 5. 2. 2. Исследование времени туннельной утечки носителей 108 из квантовой ямы InGaN

Огромные потребности рынка светоизлучающих приборов видимого диапазона стимулируют работы по созданию и усовершенствованию высокоэффективных полупроводниковых источников света.

Полупроводники AiN-GaN-InN и их твердые растворы представляют группу прямозонных широкозонных полупроводников. Свойства этих материалов позволяют применять их для создания оптоэлектронных приборов с энергией фотона от 0.7эВ то 6.2 эВ. Это позволяет фактически перекрыть весь видимый спектр излучения, что дает значительную перспективу применения этих полупроводников. Это светодиоды и лазеры, работающие в голубой и зеленой областях спектра, для реализации полноцветных источников света и повышения плотности записи на оптических носителях информации, это солнечно слепые фотодетекторы и ультрафиолетовые источники света для медицинских и специальных применений. Электрофизические свойства этих полупроводников позволяют создавать на их основе мощные и высокочастотные электронные приборы.

Однако, благодаря ряду технологических проблем, получение приборов на основе нитридов элементов третьей группы стало возможным лишь в течение последнего десятилетия. Не смотря на стремительный прогресс в развитии этого направления полупроводниковой технологии наблюдаемый в последние годы, многие физические свойства структур по-прежнему остаются не достаточно хорошо изученными. Этот факт несколько задерживает дальнейшее развитие технологии, поскольку затрудняет нахождение оптимальных технологических параметров. Не достаточно хорошо изучены как механизмы роста, так и свойства структур. В связи с этим, по-прежнему актуально исследование технологии эпитаксиального выращивания, и разработка методов характеризации и исследования структурных и электронно-оптических свойств приборов и структур.

Несмотря на значительный прогресс наблюдавшийся в последние годы по прежнему остаются не решенными проблемы падения эффективности светодиодов при плотностях тока более 10 А/см. Чёткого понимания причин возникновения этого падения до сих пор не достигнуто. По прежнему остаётся проблема повышения эффективности светоизлучающих приборов в глубоко зелёной области спектра и повышения времени жизни инжекционных лазеров на основе IIIнитридов. С этой целью ведутся работы по улучшению кристаллического совершенства структур и поиск оптимального дизайна. Помимо нахождения оптимального дизайна активной области светоизлучающих приборов важное влияние на оптические и транспортные свойства структур оказывают технологические режимы выращивания активной области. Вследствие сильной чувствительности фазового распада твёрдого раствора InGaN, составляющего основу активной области приборов, к условиям выращивания, реализуется различная структура локализующего потенциала, ограничивающего транспорт носителей и определяющего оптические характеристики приборов.

Основная цель данной работы — исследование оптических, транспортных и структурных свойств квантоворазмерных гетер о структур с активной областью InGaN/(Al, In) GaN различного дизайна, предназначенной для создания эффективных светодиодных приборов видимого диапазона.

Научная новизна работы.

• Показано, что в структурах с InGaN/(Al, In) GaN активной областью присутствует три канала безызлучательной рекомбинации ответственных за различные механизмы транспорта к центрам безызлучательной рекомбинации (БР): захват на центры БР расположенные вблизи локализованных состояний, захват через состояния расположенные выше уровня протекания, и захват через состояния в матрице. Каждый из этих механизмов доминирует в определённом температурном диапазоне, определяемом характером неоднородности активной области.

• Показано, что короткопериодных сверхрешётоки InGaN/GaN отражают свойства неоднородного массива КТ. Использование короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN в дизайне светодиодных структур позволяет улучшить характеристики приборов.

• Изучено взаимное влияние различных слоёв активной области на эффективность и характер вхождения индия при создании активной области InGaN/GaN. Исследовано влияние состава матрицы на свойства активной области стриктур с InGaN активной областью. Показано что состав материала и матрицы сильно влияет на структурные и оптические свойства активной области.

• Предложен и реализован новый метод* формирования квантовых точек InGaN основанный на in-sity наномаскировании слоем A1N.

• Исследован туннельный механизм транспорта носителей. Обнаружено, что туннельный механизм транспорта носителей оказывает значительное влияние на характеристики структур с InGaN/(Al, In) GaN АО.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В структурах с InGaN/(Al*In)GaN активной областью присутствуют три канала, ответственные за различные механизмы транспорта носителей к центрам безызлучательной рекомбинации: захват на центры, расположенные вблизи локализованных состояний, захват через состояния расположенные выше уровня протекания, и захват через состояния в матрице.

2. Характерное время туннельной утечки носителей из активного слоя InGaN светодиодной структуры зеленого диапазона сравнимо со временем излучательной рекомбинации.

3. При эпитаксиальном росте InGaN/GaN активной области светодиодов зелёно-жёлтого диапазона с множественными квантовыми ямами, эффективность вхождения индия увеличивается для каждого последующего слоя InGaN в результате частичной релаксации упругих напряжений.

4. Для структур зелёного диапазона осаждение слоёв InGaN в матрицу AlGaN приводит к увеличению среднего состава по индию и подавлению фазового распада по сравнению с матрицей GaN.

5. Использование короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN в активной области светодиодов значительно увеличивает эффективность излучения благодаря улучшению условий инжекции и структурного совершенства активной области.

Научная и практическая ценность. Разработана модель транспорта и рекомбинации, позволяющая связать оптические и структурные свойства структур с InGaN/(In, Al) GaN активной областью. Исследовано влияние условий роста на формирование активной области.

Впервые получены и исследованы короткопериодные сверхрешётки InGaN/GaN, выращенные методом периодической конвертации поверхностного слоя InGaN. Показано что, использование короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN в активной области позволило значительно улучшить характеристики светодиодных структур. Впервые предложен и реализован метод формирования КТ с большим составом по индию методом in-sitn наномаскирования, что может быть использовано для расширения спектрального диапазона светоизлучающих приборов.

Показана важность туннельного механизма транспорта носителей в светодиодных структурах с InGaN/GaN активной областью, что поможет при разработки дизайна структур. Апробация работы.

• 7-й Всероссийской конференция «нитриды галлия, индия и алюминия.

— структуры и приборы" 1−3 февраля 2010 года Москва.

• 6-й Всероссийской конференция «нитриды галлия, индия и алюминия.

— структуры и приборы" 18−20 июля 2008 года Санкт-Петербург.

• 5-й Всероссийской конференция «нитриды галлия, индия и алюминия.

— структуры и приборы" 31января-2 февраля 2007 года Москва.

• 4-й Всероссийской конференция «нитриды галлия, индия и алюминия.

— структуры и приборы" 3−5 июля 2006 года Санкт-Петербург XII All Russian Scientific Conference Studentsphysicist (2006).

• «Nanaostructures Physics and Technology», St-Petersburg, June 25−30, 2006.

• 6-th international conference on nitride semiconductor ICNS6, August 28-September 2, 2005, Bremen, Germany.

• International summer school «Self-Organised Nanostructures» Cargese, 1723 July 2005.

• IV All Russian Conference 'Nitrides of Gallium, Indium and Aluminum: Structures and devices' St. Petersburg, July 3 -5, 2005.

• «Nanaostructures Physics and Technology», St-Petersburg, June 20−25, 2005.

• 7-th international conference PHOTONICS2004, 2004 December 9−11, Kochin, India.

• 2004 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Kuala Luptur, Malaysia, 2004 December 9−7.

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 12 печатных работах, в том числе 8 в научных статьях и в материалах 4 конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 115 страницах машинописного текста. Диссертация включает также 79 рисунков и список литературы из 112 наименований. Общий объем диссертации 129 страниц.

Заключение

.

Исследованы транспортные свойства структур с InGaN/(In, Al) GaN активной областью. Показано, что в структурах с InGaN/(Al, In) GaN активной областью присутствует три канала безызлучательной рекомбинации ответственных за различные механизмы транспорта к центрам безызлучательной рекомбинации (БР): захват на центры БР расположенные вблизи локализованных состояний, захват через состояния расположенные выше уровня протекания, и захват через состояния в матрице. Каждый из этих механизмов доминирует в определённом температурном диапазоне, определяемом характером неоднородности активной области.

Показано, что заращивание InGaN активной области слоем InGaN меньшего состава или осаждение в матрицу InGaN приводит к стимуляции фазового распада активной области InGaN.

Использование матрицы AlGaN в активной области светодиодов позволяет увеличить эффективность структур излучающих в УФ области спектра. При осаждении InGaN активной области с большим содержанием индияв матрицу AlGaN приводит к увеличенью среднего состава по индию и подавлению фазового распада.

Изучены структурные и оптические свойства короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN представляют собой частично периодичную структуру областей локально обогащенных индием, с оптическими свойствами характерными для неоднородного массива КТ. Использование короткопериодных сверхрешёток InGaN/GaN в активной области светодиодов позволило значительно увеличить эффективность структур.

Показано, что в случае многослойной структуры нижележащие слои в активной области значительно влияют на формирование слоёв InGaN в активной области для структур зелёного диапазона вследствие сильной зависимости эффективности вхождения индия от напряжения растущего слоя.

Исследован туннельный механизм транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN. Показано такой механизм оказывает сильное влияние на оптические свойства и характеристики структур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. «Gallium Nitride 2003 technology status, applications and market forecasts» Report SC-25 Stretegies United, June 2003
  2. Marushka and Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15 (1969) 327
  3. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an A1N buffer layer Appl. Phys. Lett. 48 (1986) pp. 353−5
  4. S. Guha, J.M. DePyydt, M.A. Haase, J, Qiu, H, Cheng, «Degradation of II-VI based blue-green light emitters», Appl. Phys. Lett., 63 (1993) pp. 3107−3109
  5. S. Gundel, D. Albert, J. Nurnberger, W. Fashinger, Phys. Rew. В., 60 (1999) R16271
  6. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, «Blue-green laser diodes» Appl. Phys. Lett., 59 (1991) pp 1272−1274
  7. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, H. Ozawa, M. Ishibasu, A. Ikeda, Y. Mori «Room temperature continuous operation of blue-green laser diodes», Electron. Lett., 29 (1993) pp. 1488−1489
  8. S. Itoh, A. Ishibashi, «ZnGgSSe based laser diodes», J. Crystal Growth, 150 (1995) pp.701−706
  9. W. Fashinger, J. Nurnberger, «Green II-VI light emitting diodes with long lifetime on InP substrate» Appl. Phys. Lett. 77, (2000) pp. 187−189
  10. Takashi Miyoshi, Shingo Masui, Takeshi Okada, Tomoya Yanamoto, Tokuya Kozaki, Shin-ichi Nagahama, and Takashi Mukai «510−515 nm InGaN-Based Green Laser Diodes on c-Plane GaN Substrate» Applied Physics Express 2 (2009) 62 201
  11. I. Akasaki, H. Amano, «Crystal growth and conductivity control of group III nitrides semiconductors and their applications to short wavelength light emitters», Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 (1997 pp. 5393 5408)
  12. Bernardini F, Fiorentini V and YanderbiltD 1997 Phys. Rev. В 56 RIO 024
  13. Dimitrov R, Mitchell A, Wittmer L, Ambacher O, Stutzmann M, Hilsenbeck J and Rieger W 1999 Japan. J. Appl. Phys. 38 4962
  14. Ambacher О et al 1999 J. Appl. Phys. 85 3222
  15. Ambacher О 1998 J. Phys. D: Appl. Phys. 31 2653
  16. Shur M S, Bykhovski A D and Gaska R 1999 Mater. Res. Soc. Int. J. Nitr. Semicond. Res. S 41 G16
  17. I.Akasaki and H. Amano, «Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters», Jpn. J. Appl. Phys. V 36 (1997), p. 5393−5408
  18. Bernardini F, Fiorentini V and Vanderbilt D 1997 Phys.Rev. B 56 R10 024
  19. Edgar J H (ed) 1994 Group III Nitrides (LondonrINSPEC)
  20. Tsubouchi К and Miskoshiba N 1985 IEEE Trans. SonicsUltrason. 32 634
  21. O’Clock G D and Duffy M T 1973 Appl. Phys. Lett. 23 55
  22. Littlejohn M A, Hauser J R and Glisson T H 1975 Appl. Phys. Lett. 26 625
  23. Bykhovski A D, Gelmont В L and Shur M S 1997 J. Appl. Phys. 81 6332
  24. Barker A S Jr and Ilegems M 1973 Phys. Rev. В 7 743
  25. Littlejohn M A, Hauser J R and Glisson T H 1975 Appl. Phys. Lett. 26 625
  26. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1−30.
  27. Rheinlander, A., Neumann, H., Phys. Status Solidi (b) 64 (1974) K123
  28. Bloom, S., Harbeke G., Meier E., Ortenburger I.B., Phys. Stat. Solidi 66 (1974), 161−168
  29. Leszczynski, M., H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Cheng, Lattice parameters of gallium nitride, Appl. Phys. Lett. 69(1) (1996), 73−75
  30. Xu, Y. N, Ching W.Y., Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals. Phys Rev. В 48, 7 (1993), 4335−4351
  31. Suzuki, M., Uenoyama Т., Strain effect on electronic and optical properties of GaN/AlGaN quantum-well lasers. J. Appl. Phys. 80, 12 (1996), 6868−6874
  32. Lambrecht, W.R., Segall В., Anomalous band-gap behavior and phase stability of c-BN-diamond alloys. Phys. Rev. В 47 (1993), 9289−9296
  33. Xu, Y-N., Ching W.Y., Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals. Phys. Rev. В 48 (1993), 4335−4350
  34. О Ambacher «Growth and applications of Group Ill-nitrides» J. Phys. D: Appl. Phys. 31 (1998) 2653−2710
  35. S.F. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, T. Mukai, S. Nakamura, J. of Appl’Phys. 88,5153,(2000)
  36. Ambacher, Andreas Hangleiter «Optical properties of nitride heterostructures» Phys. Stat. Sol. © 0, No. 6, 1816−1834 (2003)
  37. T. Wang, J. Bai, S. Sakai, and J. К. Ho, «Investigation of the emission mechanism in InGaN/GaN-based light-emitting diodes», T. Wang, J. Bai, S. Sakai, and J. К. Ho
  38. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, PI. Ozawa, M. Ishibasu, A. Ikeda, Y. Mori «Room temperature continuous operation of blue-green laser diodes», Electron. Lett., 29 (1993) pp. 1488−1489
  39. S. Nakamura, «Status of GaN LEDs and Lasers for Solid- State Lighting and Displays,» OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30, 2002)
  40. H Xing, S Keller, Y-FWu, L McCarthy, I P Smorchkova, D Buttari, R Coffie, D S Green, G Parish, S Heikman, L Shen, N Zhang, J J Xu, В P Keller, S P DenBaars and U К Mishra, «Gallium nitride based transistors» J. Phys.: Condens. Matter 13 (2001)7139−7157
  41. M-A. di. Forte-Poisson et Al., «MOCVD growth of group III nitrides for high power, high frequency applications» Phys. Stat. Sol. © 2, No. 3, 2005, pp. 947−955.
  42. S. K. Davidsson, J. F. Faith, X. Y. Liu, H. Zirath, and T. G. Andersson «Effect of A1N nucleation layer on the structural properties of bulk GaN grown on sapphire by molecular-beam epitaxy» J. Appl. Phys. 98, 16 109 (2005)
  43. F. Semond et Al., «Molecular Beam Epitaxy of group-ПГ nitrides on silicon substrates: growth properties and device applications», Phys. Stat. Sol. (a), No 2, 2001, 188, pp. 501−510,i
  44. Y. B. Kwon, J. H. Je, P. Ruterana and G. Nouet «On the origin of a-type threading dislocations in GaN layers» J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1588 (2005)z50. L.M. Belyaev, RUBIN I SAPFIR, Nauka Publishers, Moscow, 1974
  45. Josh Abell and T. D. Moustakas «The role of dislocations as nonradiative recombination centers in InGaN quantum wells» Appl. Phys. Lett: 92, 91 901 (2008)
  46. S. Nakamura, W. Weeks, M.D. Bremser, K. Ailey, E. Carlson, W. Perry, R.F. Davis, «GaN Growth using GaN buffer layer», Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 401−403
  47. Hino T, Tomiya S, Miyajima T, Yanashima K, Hashimoto S and Ikeda M 2000 Appl. Phys. Lett. 76 3421
  48. S.Yu.Karpov and Yu.N.Makarov, «Dislocation Effect on Light Emission Efficiency in Gallium Nitride», Appl.Phys.Lett. 81, 4721 (2002)
  49. E. F. Schubert, Light-emitting Diodes (Cambridge University Press, New York, 2003).
  50. D. A. Steigerwald, J. C. Bhat, D. C. Collins, R. M. Fletcher, M. O. Holcomb, M. J. Ludowise, P. S. Martin, and S. L. Rudaz, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 310 (2002).
  51. N.N. Ledentsov Compound Semiconductors, 5 (9) November/December 1999
  52. S. Nakamura, «Status of GaN LEDs and Lasers for Solid- State Lighting and Displays,» OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30, 2002)
  53. K. P. O’Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton «Origin'of Luminescence from InGaN Diodes», Phys. Rew. Lett. 82 (1) 1999, p 237
  54. S. Yu. Karpov, N. I. Podolskaya, I. A. Zhmakin, A. I. Zhmakin, «Statistical model of ternary group-Ill nitrides», Phys. Rew. В 70, 235 203 (2004)
  55. M.K. Behbehani, E.L. Piner, S.X. Liu, N.A. Ei-marsy, S.M. Bedair, «Phase separation and ofdering coexisting in InGaN grown by metal-organic chemical vapor deposition», Appl: Phys. Lett., 75 (15) 1999 p 2202
  56. S.F. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, T. Mukai, S. Nakamura, J. of Appl Phys. 88,5153,(2000)
  57. R. P. O. Donnell, S. Pereira, R.W. Martin, P.R. Edwards, M.J. Tobin, J.F.W. Mass elm ans. Phys. Status Solidi A, 195, 532, (2003)
  58. M. Vening, D.J. Dunstan, K.P. Homewood. Phys. Rev. B, 48, 4 (1993)
  59. S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri, S. Franchi. Phys. Rev. B, 60, 114(1999).
  60. Koichi Tachibana, Takao Someya, Satomi Ishida, Yasuhiko Arakawa «Selective growth of InGaN quantum dot structures and their microphotoluminescence at room temperature»
  61. Appl. Phys. Lett., 76 (22), 2000-pp:3212−3214 72, 73. www.cree.com, Annual Report 2008−2009.
  62. S.Yu.Karpov, R.A.Talalaev, E.V.Yakovlev, Yu.N.Makarov. Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 639 (2001) G3.18.
  63. UrsulaM.E.Christmas, A.D.Andreev and D.A.Faux, «Calculation of electric field and optical transitions in InGaN/GaN Quantum wells» JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98,73 522 (2005)
  64. R. J. Radtke, U. Waghmare, H. Ehrenreich, and’C. H. Grein, «Theoretical performance of wurtzite and zincblende InGaN/GaN quantum well lasers», Appl. Phys. Lett. 73, 2087 (1998)
  65. Han-Youl Ryu, Hyun-Sung Kim, and Jong-In Shim, «Rate equation analysis of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes», Appl. Phys. Lett. 95, 81 114 (2009)
  66. A. R. Beattie and P. T. Landsberg, «Auger Effect in Semiconductors», Proc. R. Soc. Lond. A., vol. 249, no. 1256/16 -29, Jan. 1959.
  67. A. R. Beattie and P. T. Landsberg, «One-Dimensional Overlap Functions and Their Application to Auger Recombination in Semiconductors», Proc. R. Soc. Lond. A., vol. 258, no. 1295/486−495, Nov. 1960.
  68. P. T. Landsberg, «On detailed balance between Auger recombination and impact ionization in semiconductors», Proc. R. Soc. Lond. A., vol. 331, no. 1584/103−108, Nov. 1972.
  69. P. T. Landsberg and M. J. Adams, «Theory of donor-acceptor radiative and Auger recombination in simple semiconductors», Proc. R. Soc.1.nd. A., vol. 334, no. 1599/523−539, Sep. 1973.
  70. Omit Ozgiir, Hadis Morkoc, H. Liu, X. Li- and X. Ni «GaN-based Light-Emitting Diodcs: Efficiency at High Injection Levels» Proc. IEEE (2009) (special issue)
  71. Kris T. Delaney, Patrick Rinke and Chris G. Van de Walle «Auger recombination rates in nitrides from first principles», APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 19 1109(2009)
  72. J. Hader, J. V. Moloney, and S. W. Koch, «Density-activated defect recombination as a possible explanation for the efficiency droop in GaN-based diodes», Appl. Phys. Lett. 96, 221 106 (2010)'
  73. XingLi, HuiyongLiu, X. Ni, UmitOzgur, HadisMorko?, «Effect of carriers pillover and Auger recombination on the efficiency droop in InGaN-based blue LEDs», Superlattices and Microstructures 47 (2010) 118−122
  74. I. V. Rozhansky and D. A. Zakheim, «Analysis of processes limiting quantum efficiency of AlGalnN LEDs at high pumping» Phys. Stat. Sol. (a) 204, 1, 227−230 (2007).
  75. N. F. Gardner, a G. O. Muller, Y. C. Shen, G. Chen, S. Watanabe, «Blue-emitting InGaN-GaN double-heterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200 A/cm2″ APL 91, 24 3506(2007)
  76. A.A. Арендаренко, И. Г. Ермошин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф, &bdquo-Нитриды галлия, индия и алюминия» (СПб, 2008) с. 123."lifetime and optical absorption of InxGai. xN/GaN quantum structures", PhRevB.61.10 994 .i
  77. Junqiao Wu «When group-Ill nitrides go infrared: New properties and perspectives», JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106,11 101 (2009)
  78. L.V. Asryan, R.A. Suris, «Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser „Semicond. Sci. Technol. 11, 554(1996)
  79. D.S. Sizov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov, V.V. Lundin, Yu.G. Musihin, V.S. Sizov, R.A. Suris, A.F. Tsatsul’nikov, 'A nonequilibrium population of the carriers in structures with deep quantum InGaN dots' Semiconductors, 41 (5) 2007 pp 595 608
  80. Matthias Peter, Ansgar Laubsch, Werner Bergbauer, Tobias Meyer, Matthias Sabathil, Johannes Baur, and Berthold Hahn „New developments in green LEDs“ P hys. Status Solidi A 206, No. 6, 1125−1129 (2009)
  81. Aurelien Davida and Michael J. Grundmann „Droop in InGaN light-emitting diodes: A differential carrier lifetime analysis“, APPLIED PHYSICS LETTERS 96, 103 504 (2010)
  82. Y. C. Shen, a G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames „Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence“, APPLIED PHYSICS LETTERS 91, 141 101 (2007)
  83. В. K. Riedly, „Kinetic of recombination in quantum wells“ PHYSICAL REVIEW В VOLUME 41, NUMBER 17,15 JUNE 1990−1
  84. Yong-Hoon Cho, T. J. Schmidt, S. Bidnyk, G. H. Gainer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, „Linear and nonlinear optical properties of InxGal AxNOGaN heterostructures“, PHYS. REV. B, VOL. 61, N 11 (2000).
  85. HREM Research, http://www.hremresearch.com.
  86. Н.В.Крыжановская, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацулышков, А. В. Сахаров, М. М. Павлов, Н. А. Черкашин, M.J.Hytch, Г. А. Вальковский,
  87. М.А.Яговкина, С. О. Усов, „Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной1 области светоизлучающих диодов“ ФТП, 2010, том 44, выпуск 6
  88. В.В., Заварин Е. Е., Сизов Д1С.“ Влияние газа-носителя на процесс газотранспортной эпитаксии нитрида галлия из метал л органических соединений „Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В: 7. С. 52−56.
  89. E.V., Talalaev R.A., Kondratyev A.V., Segal A.S., Lobanova A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Tsatsulnikov A.F., Nikolaev A.E. “ Growth conditions and surface morphology of A1N MOVPE» J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 4862.
  90. , Л. Д., Лифшиц, Е. М. Квантовая механика (нерслятивистская- теория): МС: Наука, (1974), 752 с. («Теоретическая физика», том III).
  91. К. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov and R. A. Suris, «Quantum-confined Stark effect in group-Ill nitride quantum wells», 12th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology» St Petersburg, Russia, June 21−25, (2004)
  92. Martin F. Schubert, Jiuru Xu, Qi Dai, Frank W. Mont, Jong Kyu Kim, and E. Fred Schubert, «On resonant optical excitation and carrier escape in GalnN/GaN quantum, wells» APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 81 114, (2009).
  93. Smith, B.T., P.M. Boyle, J.J. Dongarra, B.S. Garbow, Y. Ikebe, V.C. Klema, and C.B. Moler (1976), Matrix Eigensystem Routines EISPACK Guide, Springer-Verlag, New York.
  94. Hanson, Richard J., R. Lehoucq, J. Stolle, and A. Belmonte (1990), Improved performance of certain matrix eigenvalue computations for the IMSL/MATH Library, IMSL Technical Report 9007, IMSL, Houston.
  95. Ursula M. E. Christmas, A. D. Andreev and D. A. Faux, Calculation of electric field and optical transitions in InGaN/GaN quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98, 73 522 (2005)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!