К базе транзистора Т2 подключается эмиттер эмиттерного повторителя Т5Я8, а ко входу эмиттерного повторителя — выход резистивного делителя напряжения (рис. 9.5).
Делитель дополнительно содержит два диода и D2 — по количеству переходов база-эмиттер до точки С, постоянство потенциала которой нужно обеспечить даже при изменении температуры):
Точка В является центральной по отношению к двум последовательно включенным переходам база-эмиттер второго и пятого транзистора и двум диодам в цепи делителя напряжения.
В зависимости от температуры напряжение на переходе меняется: снижается при ее повышении. При повышении температуры напряжение на переходах уменьшается, и наоборот.
Предположим, что температура возросла, и напряжение на переходах и диодах снизилось. Следствием этого будет возрастание тока в делителе напряжения R4> Dlt D2y R7. Это приведет к увеличению падения напряжения на резисторе /?., и, как следствие, к снижению потенциала узла В.
Рис. 9.5. Схема источника опорного напряжения.
Поэтому уменьшение напряжения на переходах база-эмиттер транзисторов Т2 и Ть не приведет к изменению потенциала в точке С.
Благодаря использованию схемы источника опорного напряжения (рис. 9.5) была получена следующая, пятая модификация схемы ЭСЛ.