Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Диэлектрические свойства стекол в системах M-As (Sb) — S-I

Диссертация: Диэлектрические свойства стекол в системах M-As (Sb) — S-I
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В литературе имеются лишь отдельные сведения о диэлектрических свойствах халькогенидных стекол и возможности применения диэлектрических измерений для интерпретации их локальной структуры и изучения дефектов в них. Однако существующие исследования в этом направлении относятся, в основном, к стеклам бинарных и некоторых тройных систем на основе халькогенидов шшьяка. В связи с этим представлялось… Читать ещё >

Диэлектрические свойства стекол в системах M-As (Sb) — S-I (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. СТРУКТУРА БЛИЖНЕГО ПОРЯДКА И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ
    • 1. 1. Модельные цредставления состояний в запрещенной зоне
    • 1. 2. Взаимосвязь структуры и диэлектрических свойств
    • 1. 3. Стеклообразование и некоторые свойства стекол системы М — АУ- ВУ^ С^
  • Глава II. ОСОБЕННОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И СТРУКТУРНОГО СТРОЕНИЯ СТЕКОЛ В СИСТЕМАХ Л S (Sb) — S
    • 2. 1. Синтез стеклообразных материалов и приготовление образцов для исследований .,
    • 2. 2. Методики измерения комплексной диэлектрической проницаемости в области низких и радиочастот
    • 2. 3. Температурные и частотные зависимости диэлектрических свойств стекол
    • 2. 4. «Квазиэвтектическое11 строение стекол системы Sb — S -I
      • 2. 4. 1. КР-спектры стекол
      • 2. 4. 2. Концентрационные зависимости поляризуемости
    • 2. 5. Аномалии диэлектрических свойств стеклообразного S Ь S I
  • Глава III. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА в стеклах систем Ge (Cu)-As (5tt- S -1. то
    • 3. 1. Механизмы поляризации и структурно-химическое строение стекол в систеах Ge -MSW- S
    • 3. 2. Поляризуемость, магнитная восприимчивость и локальная структура стекол системы Cll-Sb- 5 — I
    • 3. 3. Механизм переноса заряда в стеклах систем М -As (Sb) — S -I
    • 3. 4. Дефектные состояния и проводимость на переменном токе
  • Глава 1. У.ЭЛЕКТР0ПР0В0ДН0СТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА стекол В системах A
    • 4. 1. Методики измерений электропроводности и диэлектрических параметров стекол с ионной проводимостью
    • 4. 2. Электронно-ионный характер проводимости стекол систем A J-AslSb)
    • 4. 3. Колебательные спектры и локальная структура стекол. III
    • 4. 4. Диэлектрические свойства серебросодержащих стекол
  • ВЫВОДИ

Актуальность теш. Развитие современной электронной техники характеризуется все более широким внедрением новых материалов полупроводников и диэлектриков. Особое место среди них занимают халькогенидные стеклообразные вещества, которые обладает совокупностью уникальных свойств и представляют интерес как для практического применения, так и для решения ряда принципиальных проблем физики неупорядоченного состояния.

Наиболее изученными в настоящее время являются бинарное стеклообразные сплавы на основе халькогенидов мышьяка и германия, которые ухе нашли широкое практическое применение в новых областях приборостроения. К малоизученным аспектам физики халькогенидных стеклообразных полупроводников следует отнести вопрос об их диэлектрических свойствах.

В литературе имеются лишь отдельные сведения о диэлектрических свойствах халькогенидных стекол и возможности применения диэлектрических измерений для интерпретации их локальной структуры и изучения дефектов в них. Однако существующие исследования в этом направлении относятся, в основном, к стеклам бинарных и некоторых тройных систем на основе халькогенидов шшьяка. В связи с этим представлялось полезным провести изучение диэлектрических и электрофизических параметров и выяснения их взаимосвязи со структурой стекла, исследование методами диэлектрической спектроскопии процессов кристаллизации сложных халькогенидных стеклообразных материалов.

В качестве объектов исследований выбраны стекла систем.

• Кроме чисто научного интереса, связанного с изучением механизма вхоядения различных элементов в структурную сетцу и влияния этих эдемэнтов на свойства стекол, указанные материалы представляют интерес и с точки зрения возможности их практического применения в качестве переключателей, активных и пассивных элементов микроэлектроники и в других областях. Кроме того, в системе Sb — S — 1 образуются соединения Sb2 и SbSl, в кристаллическом состоянии обладающие ярко выраженными сегнетоэлектрическими свойствами, диэлектрические свойства которых наиболее полно изучены И. П. Григасом [1−4] • Это обстоятельство позволило предположить возможность реализации в этих стеклах полярного состояния и создания новой композиции полупроводниковой сегнетокерамики.

Цель работы. Целью настоящей работы явилось исследование взаимосвязи механизма переноса заряда, поляризации и локальной структуры, а также установление закономерностей изменения физических свойств от состава стекол систем МAs^Sb) — S -1 — обнаружение полярного состояния в стеклообразном SbSl и изучение его диэлектрических свойств.

Научная новизна. Впервые исследованы диэлектрические свойства и спектры комбинационного рассеяния света стекол систем Sb — S — ] и Ag — As — 5 — I, на основании которых дана интерпретация их локальной структуры. Показано, что стекла системы Sb — S — I имеют «квазиэвтектическое» строение. Оцределен вклад различных видов поляризации в диэлектрическую проницаемость стекол систем М-As (Sb)-S-I. Установлены закономерности изменения диэлектрических и электрофизических свойств от состава стекол.

Впервые исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрических параметров стеклообразного сульфоиодида сурьмы. Установлено, что аномалии диэлектрических свойств стекла SbSl связаны с переходом его в полярное состояние и последующей кристаллизацией. Изучено влияние тепловой обработки на диэлектрические свойства полученного SbSl.

Экспериментально проведено разделение электронной и ионной составляющих электропроводности стекол систем Ajj-As (Sbb5 -1 и установлен преимущественно ионный характер проводимости.

Практическая ценность. Результаты исследования концентрационных, температурных и частотных зависимостей диэлектрических и электрофизических свойств стекол систем М — As (Sb) — SI являются источником информации относительно возможностей целенаправленного изменения диэлектрических параметров этих материалов. Актуальным для практического применения является обнаружение перехода в сегнетоактивное состояние стеклообразного SbSI, что дает возможность создания на его основе сегнетоситаллов. Полученные нами данные о диэлектрических и электрофизических параметрах стекол системы Ge-As — S — I показали перспективность их использования в качестве защитных покрытий для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы, используются также в учебном процессе.

Основные положения, выносите на защиту.

1. Стекла системы Sb — 5 — I имэют «квазиэвтектическое11 строение. Структура стекол определяется в основном строением бинарных соединений Sb2S5 и Sbl3 и построена на основе пирамид SbS3/2 и Sbl, .

2. Аномалии диэлектрических свойств стеклообразного SbSI связаны с переходом стекла в полярное состояние и последующей его кристаллизацией. Изменения диэлектрических параметров вызваны релаксацией структуры стекла к кристаллической.

3. Температурные и частотные зависимости диэлектрических параметров, концентрационные зависимости электронной и атошой мольных поляризуемостей свидетельствуют о том, что диэлектрические свойства стекол в системах? e (Cu.)-As (5b) -SI обусловлены в основной электронной и атомной поляризациями* В стеклах систем Дg — >4s (SЬ) — S — I значительный вклад в диэлектрическую проницаемость вносит ионная тепловая поляризация.

4. Стекла систем /4g-As (Sb)-SI обладают электронно-ионным характером проводимости* Ионная составляющая проводимости обусловлена переносом заряда катионами серебра и значительно превосходит электронную составляющую.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и совещаниях: I Всесоюзном совещании по сегнетоэлектричеству (г.Ростов-на-Дону, 1979 г.) — I Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (явления переноса) (г.Ивано-Франковск, 1981) — I Всесоюзной конференции «Актуальные проблемы получения и применения сегнетои пьезоэлектрических материалов» (г.Москва, 1981) — 1У республиканском семинаре по физике и технологии тонких пленок (вопросы цримэнения) (г"Ивано-Франковск, 1982) — II научном семинаре «Аморфные металлы и сплавы» (г.Донецк, 1982) — i научном семинаре «Ионика твердого тела» (г.Вильнюс, 1983) — h Ik InieтакoriaE Conference on Solid Siale Iorucs (trio tie, France, i 9 8 5) — п Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (г.Москва, 1983) — на итоговых научных конференциях асшфантов и профессорско-преподавательского состава, проводимых в УжГУ за период с 1978 по 1983 гг.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 13 работ, перечень которых содержится в общем списке цитируемой литературы.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, одной обзорной, трех оригинальных глав, основных результатов и выводов работы* Диссертация изложена на 92 стр. машинописного текста, содержит 47 рисунков и 10 таблиц. В списке цитируемой литературы 185 названий.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ.

1. Впервые исследованы диэлектрические свойства и спектры комбинационного рассеяния света стекол системы Sb — S — I. Вид концентрационной зависимости поляризуемости и двухмодовый характер КР-спектров стекол указанной системы позволили установить их «квазиэвтектическое» строение. Матрица стекла построена в основном структурными группировками Sb 5з/а и Sblj .

2. Впервые исследованы диэлектрические свойства стеклообразного сульфоиодида сурьмы. Установлено, что аномалии диэлектрических свойств стекла SbSI связаны с переходом его в шшфное состояние вследствие релаксационного изменения структуры. Кристаллизация стекла сопровождается резким увеличением диэлектрической цроницае-мости, аномалией тангенса угла диэлектрических потерь. Изучено влияние тепловой обработки на диэлектрические свойства полученного.

SbSI, которое объясняется в рамках размерного эффекта.

3. Исследованы температурные и частотные зависимости и стекол систем М-AsCSb)-S-1. Показано, что диэлектрическая проницаемость стекол разрезов Sb^- Sb 1з, AS2S3 — As I3, As2 S3 —.

— Ge Sa, As SI — Ge. S2, SbSI — Ge$ 2, SbSI — CuSbSaопределяется, в основном, электронной и атомной поляризациями. Анализ концентрационных зависимостей электронной и атомной мольных поляризуемостей позволил сделать вывод о том, что строение сложных стекол в основном определяется структурными группировками, характерными для бинарных соединений.

4. Установлено, что введение дисульфида германия в стекла систем As (Sb) — S — I приводит в основном к деформации пирамид Sb (As)S3 и Sb (As)I3 и тетраэдров Ge S<//2. Характер изменения диэлектрических и электрофизических параметров одинаковый для стекол разрезов AS2S3.

— Ge S2, As SI — бе Sa, SbSI — Ge Sz «поскольку увеличение содержания Ge вг в их составе приводит к подобному, для всех указанных систем, изменению структуры от тригональной и тетраэдрической. При введении в состав стекол меди их диэлектрические свойства изменяются более существенно вследствие наличия в матрице стекла структурных группировок Си S» Sb S2/2 со значительной степенью ионности связей.

5. Исследования электропроводности на постоянном токе стекол систем GeCCu]- As (Sb) — 5 — 1 показали, что в интервале температур 150−400 К в данных материалах преобладает проводимость по делокализованным состояниям. При этом значительное изменение проводимости от состава наблюдается в медьсодержащих стеклах: введение в SbSl до 16,7 ат.% меди увеличивает проводимость от ~ 10″ *^ до.

5 —I —I.

Ю Омм. Проводимость на переменном токе изученных стекол в диапазоне 10^- Ю^Гц изменяется с частотой согласно соотношению г где s в зависимости от состава при Т=300 К принимает значения 0,7−0,9. Температурные и частотные зависимости (Tfto) исследованных стекол объясняются объединенным прыжковым механизмом переноса заряда биполяронами и простыми поляронами, основаными на модели заряженных дефектных центров.

6. Исследованы диэлектрические и электрофизические свойства, колебательные спектры стекол систем AgAs (Sb) — S — I. Установлено, что стекла указанных систем обладают электронно-ионным характером проводимости. Ионная составляющая электропроводности обусловлена переносом заряда катионами серебра и значительно превышает электронную составляющую.

Показано, что в стеклах систем A.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.П., Карпус А.С. Диэлектрические свойства 1фисталлов
  2. Sb S-, • Физ.тв.тела, 1967, т.9, № 10, с.2882−2886.2 3
  3. И.П. Сегнетоэлектрические явления и фазовые переходы в кристаллах семейства антимонита. Автореферат докторской диссертации. — Рига, 1980, 32 с.
  4. И.П., Карпус А. С. Исследование аномальной дисперсии диэлектрической проницаемости кристаллов Sb2S^ и SbSI на СВЧ. Физ.тв.тела, 1967, т.9, № 10, с.2887−2998.
  5. Microwave dielectric spectroscopy oi’chain crystals. J. Grigas, R. Beliackas, Y. Kalesinskas, K.Zickus. -Perroelectrics, 1981, v.38, p.889−892.
  6. .Т. Полупроводниковые стекла. В кн.: Стеклообразное состояние. Тр. Ш-го Всесоюзного совещания, Ленинград, 1959, М.^Л., с.449−454.
  7. .Т., Горюнова И. А., Шло В.П. Стеклообразное состояние в халькогенидах. В кн.: Стеклообразное состояние. Тр. Ш-го Всесоюзного совещания, 1959, М.-Л., с.456−460.
  8. .Т. Халькогенидные стекла. Энергетический спектр и структура. В кн.: Стеклообразное состояние, Л., Наука, 1971, с.82−86.
  9. А.И. К теории аморфных проводников. Физ.тв.тела, I960, № 4, с.651−655.
  10. А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников. М.-Л., Изд. АН СССР, 1963, 203 с.
  11. Аморфные полупроводники. Под ред.М.Бродски. М., Мир, 1982, 419 с.• Kastner М. Bonding—bonds, lone—pair bonds, and impurity states in chalcogenide semoconductors. Phys.Rev.Lett., 1972, v.28, No 6, p.355−357
  12. Adler D., Yoffa E.J. Localized electronic states in amorphous semiconductors.- Can.J.Chem., 1977, v.55″ No 11, p.1920−1928.
  13. Kastner M. Defect chemistry and states in the gap of lone-pair semiconductors.- J. Non-Cryst.Solids, 1978, v.31,1. No 1−2, p.223−240.
  14. Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys. Phys.Rev.Lett., 1969, v.22, No 20, p. 1065-Ю68.
  15. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982, т.1, 368 с.
  16. Cimpl Z., Kosek P., Matyas M. Magnetic properties of glasses-* Phys.Sol., 1970, v. 41, No2, p.535−538.
  17. Agarwal S.C. ESR-study of chalcogenide glasses.- Phys.Rev., 1973, v. B7, No 3, p.685−694.
  18. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optical induced localizedparamagnetic states in amorphous As. Solid State Communs., 1976, v.18, No 5, p.573−576.
  19. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optical induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors. Phys.Rev., 1977, v. B15, No 4, p.2278−2294.
  20. Mott N.F., Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors.- Phil.Mag., 1975, v. 32, No 5, p.961−996.
  21. Mott N.F., Street R.A. States in gap in chalcogenide glasses.
  22. Phil.Mag., 1977, v.36, No 1, p.33−52.
  23. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982, т.2, 658 с.
  24. Owen A.E. The electrical propertiesof glasses.- J. Non-Cryst. Solids, 1977, v.25, No 1−3, p.372−423
  25. Eliott S.R. A theory of а.и.conduction in chalcogenide glasses.-Phil.Mag., 1977, v.36, No 6, p.1291−1304.
  26. Agarwal S.C., Fritzche H. Attempts to measure thermally stimulated currents in chalcogenide glasses.- Phys.Rev., 1974, v. BIO, No 10, p.4351−4357.
  27. В.JI., Коломиец Б. Т., Лгобин В. М. Исследование локальных состояний в аморфных полупроводниках методом термостимулированной деполяризации. Физ. и техн.полупровод., 1970, т.4, в.2, с.394−395.
  28. Излучательная рекомбинация в стеклообразных полупроводниках Ge2s^, Ge2Se^ и Ge -Pb s. В. А. Васильев, Б. Т. Коломиец, Т. Н. Мамонтова, Г. Х. Иванов. — Письма в ж.эксперим. и теор.физ., 1975, т.21, ЖЗ, с.183−186.
  29. Ivashchenko Yu.N., Kolomiets В.Т., Iviamontova T.N. Investigation on the mechanism of photoluminescence in vitreous and crystalline ASgSe^ and As^S^.- Phys.Stat.Sol./a/, 1974, v.24, No 2, p.401−407.
  30. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors.- Phys.Rev.Lett., 1975, v.34, no 15, p.953−955.
  31. Street R.A., Mott N.F. States in gap in glassy semoconductors-r Phys.Rev.Lett., 1975, v.35, No 22, p.1293−1297
  32. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors.-rhys.Rev.Lett.1976, v.37, до 22, p.1504−1507.
  33. Mott N.F. The increase in the conductivity of chalcogenide glasses by the addition of certain impurities.-Phil.Mag.1976, v.36, No 6, P.1101−11U8.
  34. Л.Е., Фойгель М. Г. Глубокие уровни в халькогенидах мышьяка. Физ. и техн.полупровод., 1979, т.13, № 11, с.2087−2095.
  35. Pfister G., Morgan М., Liang K.S. Electrical transport in a-As^Se^ containing metallic impurities.-Solid State Communs, 1979, v.30, No 4, p.227−230.
  36. Shimakav/a K., Nitta S., Mori M. Localized gap states in amorphous semiconductors estimated by dielectric relaxation.-Phys.Rev., 1977, v. B16, No 10, p.4519−4-523.
  37. Dielectric properties of glassy AsinTeOI-Gen c. /K.K.Srivasu ±5tava, D.R.Goyal, A. Kumar, K.N.Lakshminarayan, O.S.Panwar, I.Krishan.- Phys.Stat.Sol./a/, 1977, v.41, No 1, p.323 329.
  38. Electrical and dielectric properties of As^Ge^^Te^ Agx glasses. /O.S.Panwar, M. Radhakrishna, K.K.Srivastava, K.N.Lakshminarayan.- Phil.Mag., 1980, v.41, No 3, p.253−271.
  39. С.С. Структурная рефрактометрия. М., Высшая школа, 1976, 304 с.
  40. A.M., Харьюзов В. А. Диэлектрические свойства и структура стекол систем мышьяк-селен и германий-селен. В сб.: Стеклообразное состояние, Л., Наука, 197I, с.370−373.
  41. И.В., Гутенев М. С., Байдаков Л. А. Магнитные иэлектрические свойства стекол системы ASoSe AsSe • 2 3и химия стекла, 1976, т.2, № 3, с.284−285.
  42. Особенности структурно-химического строения стекол систеш
  43. Sb Ge — Se по данным исследования диэлектрических и магнитных свойств. М. С. Гутенев, И. В. Викторовский, Л. А. Байдаков, А. В. Пазин. — Физ. и химия стекла, 1975, т.1, № 4, с.350−353.
  44. Г. И. Шизика диэлектриков. Область слабых полей. М.-Л., Гос. изд-во технико-теоретической лит-ры, 1949, 500 с.
  45. Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. М., Физмат-гиз, 1961, 231 с.
  46. И.В., Гутенев М. С., Байдаков Л. А. Диэлектрические свойства стекол системы мышьяк-сера. Вестник Ленингр. ун-та, 1974, № 22, с. I18−120.
  47. A.M., Харьюзов В. А. Диэлектрические свойства и строение халькогенидных стекол. В сб.: Структура и свойства негфистал-лических полупроводников. Тр. 6-й Междунар.конф. по жидким и аморфным полупроводникам, Ленинград, 18−24 ноября 1975 г.,
  48. Л., Наука, 1976, сЛ13−117.
  49. Л.Н., Байдаков Л. А., Страхов Л. П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразной системы As-Se . Изв. АН СССР, Сер. Неорган. материалы, 1968, т.4, № 1, с.22−24.
  50. Н.А., Байдаков Л. А., Страхов Л. П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразных сульфидов мышьяка. Вестник Ленингр. ун-та, 197I, № 10, с.118−121.
  51. З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л., Изд. ЛГУ, 1972, 247 с.
  52. .Т., Стеклообразные полупроводники. Вестник АН СССР, 1969, № 6, с.54−61.
  53. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, Л. В. Порецкая, Е. В. Скудитва, Л. Е. Шелимова. -М., Наука, 1967, 176 с.
  54. С.А., Кириленко В. В., Буслаев Ю. А. Стеклообразование в системе Ge S — J. — Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 197I, т.7, № 2, с.328−329.
  55. Flashen S.S., Pearson A.D., Northower W.R. Low melting sulfide halogen inorganic glasses.- J.Appl.Phys., I960, v.31″ No 1, p.219−222.
  56. В.В., Дембовский С.А. Стеклообразование и химическиесоединения в системах А1У- ВУ1- С^СА^- si, Ge — ВУ1- s, УП
  57. Se -С -Br, J). Физ. и химия стекла, 1975, т.1, № 3, с.225−230.
  58. Л.И., Борисова З. У. Исследование стеклообразования и химической стойкости системы As Se — J . — В сб.: Химия твердого тела. Изд. ЛГУ, 1965, с.104−113.
  59. А.П., Дембовский С. А., Махова В. И. Вязкость и структурастекол систем as S, AsJ, . — Изв. АН СССР. Сер.Неорган.2 3 3материалы, 1970, т.6, № 4, с.823−825.
  60. Комбинационное рассеяния и длинноволновые ИК спектры стекол /AsSJ/x/GeS2/13j П. П. Пуга, В. Ю. Сливка, В. С. Герасименко, Г. Д. Пуга, В. В. Химинец. Физ. и химия стекла, 1977, т. З, № 4, с.334−337.
  61. ИК-спектры пропускания стекол системы д5 s — J • В. С. Герасименко, В. В. Химинец, О. В. Химинец, И. Д. Туряница. — Физ. и химия стекла, 1977, т. З, № 4, с.343−346.
  62. Проспект ВДНХ СССР «Полупроводниковые стекла сложного состава», Ужгород, 1974, 4 с.
  63. Акустооптические параметры халькогенидных стекол системы
  64. Ge As — S — J. Б. М. Коперлес, И.Д.Т^уряница, В. В. Химинец, Д. В. Чепур. — Акустический ж., 1976, т.22, М, с.536−539.
  65. Flashen S.S., Pearson A.D., Kalmins L.L. Improvement for surfaces by low melting glasses, possibly functioning as you getters.- J.Appl.Phys., I960, v.31, No 2, p.'4−31−4-32.
  66. Влияние некоторых покрытий и термообработки на скорость поверхностной реком5инации в германии и кремнии. В. М. Бондаренко, Э. М. Литвинова, О. В. Снитко, Ю. А. Тхорик. Радиотехника и электроника, 1964, т.9, № 5, с.876−881.
  67. З.У., Некоторые особенности стеклообразования в халькогенидных системах. Изв. АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1971, т.7, № 10, с.1720−1724.
  68. Стеклообразование и некоторые физико-химические свойства стекол в системе Ag As — S — J. /М.И.Головей, И.Д.Т^уряница, А. В. Богданова, И. П. Михалько, В. А. Худолий, Ю. В. Ворошилов,
  69. Д.Г.Семак. Укр.хим.ж., 1975, т.41, № 5, с.493−494.
  70. Стеклообразование и некоторые физико-химические свойства стекол в системах Ag As/Sb/ - s — J • /А.В.Богданова, М. И. Головей, И. П. Михалько, Д. Г. Семак, И.Д.Т^уряница. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1975, № 5, с.104−106.
  71. Технология получения и свойства тройных сплавов системы Ag As — S • М. И. Головей, И.Д.Т^уряница, А. В. Богданова, И. П. Михалько, Д. Г. Семак, И. И. Турок. — Химия и хим. технология, 1974, т.17, № 2, с.306−307.
  72. Стеклообразный сульфид сурьмы и некоторые его свойства. Б.Т.Ме-лех, З. В. Маслова, М. С. Аблова, Т. Б. Жукова, А. А. Андреев. — Физ. и химия стекла, 1976, т.2, № 2, с.189−190.
  73. И.Д., Коперлес Б. М. Исследование области стеклообразования в системе sb s — J • - Изв.АН СССР, Сер.Неорагн. материалы, 1974, т.9, № 5, с.851−852.
  74. М.В., Пинзеник В. П., Туряница И. Д. Определение параметров неизотермической кристаллизации стекол в системе sb S -J Физ. и химия стекла, 1979, т.5, с.117−119.
  75. Влияние изменения структурных факторов на стеклообразование в системе sb s — J. /В.С.Герасименко, В. П. Захаров, И.М.Миго-линец, М. Ю. Сичка, И. Ф. Копинец. — Унр.физ.ж., 1975, т.20, № 11, с.1859−1862.
  76. Investigation of glass-forming region of Ge Sb — S — J system. /I.D.Turjanitsa, I.M.Miholinets, B.M.Koperljos, I.F.Kopinets.- J. Non-Cryst.Solids, 1972, v.11, No 2, p.173−176.
  77. Стеклообразование в системе Си Sb — S — J. И. М. Миголинец, В. С. Герасименко, И. Д. Туряница, И. Ф. Копинец. — Физ.- и химия стекла, 1979, т.5, № 1, с.52−55.
  78. Образование стекол в системе Ag -Sb-S-J и их физико-химические свойства. И. Д. Туряница, М. И. Головей, А. В. Богданова, В. А. Худолий, Ю. В. Ворошилов, В. М. Головей. — Химия и хим. техно-логия, 1974, т.17, № 4, с.613−614.
  79. Г. Неорганические стекло образующие системы. М., Мир, 1970, 312 с.
  80. И.М. Особенности образования и физические свойства стекол сложных сульфоиодидных систем. Автореф.дис.. канд. физ.мат.наук, Львов, 1974, 20 с.
  81. Стекла системы sbsj GeS2 ./И.Ф.Копинец, И. М. Миголинец, И. Л. Попович, М. Е. Романович. — Изв. АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1975, т. II, № 5, с.952−953.
  82. Ликвационные явления в системе sbJ* sb^s, — GeS"t> с. 5 2
  83. Н.Н.Богдашевская, Т. Н. Мельниченко, И. М. Миголинец, И. Д. Туряница. Укр.хим.ж., 198, т.47, № 7, с.702−705.
  84. В.П., Добош В. М., Туряница И. Д. Магнитохимические исследования стеклообразных сплавов системы sbSJ GeS2 • -Укр.хим.ж., 1979, т.45, № 12, с.1181−1184.
  85. Халькогенидное стекло. / Д. В. Шелопут, В. Ф. Глушков, И. Д. Туряница, Б. М. Коперлес. Авт.свид. № 565 892.
  86. Е.А., Борисова З. У. Стеклообразование в системе мышьяк-сера-серебро. Физ. и химия стекла, 1980, т.6, № 4, с.389−394.
  87. Kowomoto Y., Nagura N., Tasuchihaski S. D.с.conductivity of Ge-S-Ag and As-S-Ag glasses.- J.Amer.Ceram.Soc., 1974, v. 57, No 11, p.489−493.
  88. Patel P., Kreidl N. Ag-As-Se glasses.- J.Amer.Ceram.Soc., 1975, v.58, No 5−6, p.263−268.
  89. .Т., Жураковский Л. А., Зейналлы А. Х. Переключениев диодных структурах металл-халькогенидное стекло-металл. -Физ. и техн.полупровод., 1971, т.5,№ 2, с.270−272.
  90. Частотные характеристики диодных структур металл-халькогенидное стекло-металл. /Л.А.Жураковский, А. Х. Зейналлы, Б. Т. Коломиец, В. А. Красильникова. Физ. и техн. полупровод., 1971, т.5, № 10, с. 1917−1919.
  91. Переключение в диодных структурах металл-халькогенидное стекло-металл. И. Ф. Копинец, И. М. Миголинец, И. Д. Туряница, И. И. Туряница. В сб.: Полупроводниковая техника и копфоэлектроника, Киев, 1973, Ш, с.91−93.
  92. Е.А., Борисова З. У. Электропроводность стекол системы мышьяк-сера-серебро. Физ. и химия стекла, 1980, т.6, № 4,с.424−427.
  93. З.У., Рыкова Т. С. Исследование природы проводимости стекол системы Ag As — Se, содержащих малые количества серебра. — Физ. и химия стекла, 1979, т.5, № 5, с.563−566.
  94. Исследование природы проводимости стекол системы Ag-As-Se с большим содержанием серебра. Т. С. Рыкова, З. У. Борисова, А. В. Пазин, Л. А. Калинина. Физ. и химия стекла, 1980, т.6, М, с.419−423.
  95. В.А., Казакова Е. А. Исследование электропроводности и диффузии в халькогенидных стеклах, содержащих серебро. Физ. и химия стекла, 1982, т.8, № 1, с.51−55.
  96. В.А. Показатели преломления некоторых стекол систем Cu/Ge/-Sb-S J. — Ужгород, 1975, — 7 с. — Рукопись представлена Ужгород, ун-том, Деп. в ВИНИТИ 15.02.1975, № 499−74 (Деп),
  97. .В. Рефрактометрические методы химии. Л.: Химия, 1974, 400 с.
  98. В.М. Диэлектрические измерения сегнетоэлектриков. М.: Изд-во Московского инст. стали и сплавов, 1972, 237 с.
  99. Segawa ti. Dc and ас conductivity in amorphous AsJSe,-As-Te, 2 3 2 3system.- J.Phys.Soc.Japan, 1974, v.36, No 4, p.1087−1095.
  100. Wallace A., Robertson J. Contacts to chalcogenide glasses.-In: Metall-semiconductor contacts: Proc.conf., Manchester, April, 1974, London-Bristol, 1974, p.237−245.
  101. Коска J., Hlousek P. Dielectric constant of glassy
  102. As0Te,+Y and its measurement.- Czech.J.Phys., 1975″ d $ xv. B25, No 11, p.1315−1318.
  103. А.И., Каширин Г. Ф. Низкочастотная электропроводность полупроводниковых стеклообразных сплавов системы As Se . Укр.физ.ж., 1970, т.15, № 7, с.1082−1085.
  104. Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М., Радио и связь, 1982, 209 с.
  105. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы (физические свойства и применение). /А.М.Андриеш, М. С. Иову, Д. И. Циуляну, С. Д. Шутов. Кишинев, Штиинца, 1981, 211 с.
  106. М.А., Соголовский Е.П. Электронные измерители С, L ,
  107. R. Львов, Вища школа, 1978, 134 с.
  108. Ю.С., Горват А. А., Марфидин В. И. Измерение емкости и активной проводимости в диапазоне радиочастот. В сб.: Сложные полупроводники (получение, свойства, применение), Ужгород, 198I, с.26−34.
  109. Г. Теория диэлектриков. М., Изд-во иностр. лит-ры, I960, 252 с.
  110. И.В., Гутенев М.С. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости соединений As2Se^, As2S^ j
  111. TlAsSe0 «T1AsS2 в стеклообразном состоянии. Вестник Ленингр. ун-та, 1975, № 16, с.97−99.
  112. Mariani Е., Trnovcova, Lezal D. Dielectric properties ofvitreous AsJSe, doped with 111A group elements.- Phys.Stat. 2 3
  113. Sol., 1973, v. 16, P. K5I-K54.
  114. Ю.М. Физика диэлектриков. Киев, Вища школа, 1980, 400 с.
  115. Тепловое расширение стекол системы Ge As — S — J ./И.И.Ро-сола, М. П. Заячковский, В. В. Химинец, Д. В. Чепур. — У1ф. физ.ж., 1983, т.28, № 7, с.1060−1063.
  116. НО. Захаров В. П., Герасименко В. П. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев, Наукова думка, 1976, 280 с.
  117. Lucovsky G., Martin R.M. A molecular model for the vibrational modes in chalcogenide glasses.- J. Non-Cryst.Solids., 1972, v.8−10, p.185−190.
  118. Papatheodorou G.N., Solin S.A. Vibrational excitation of As20^. l. Disortered phases.- 1976, V. BI3, No 4, p.1741−1751.
  119. Kobliska R.J., Solin S.A. Temperature dependence of the Raman spectrum and the depolarization spectrum of amorphous As2Sy- Phys.Rev., 1973, v. B8, No 2, p.756−768.
  120. Lucovsky G. Optic modes in amorphous As2S^ and As2Se^. -Phys.Rev., 1972, v. B6, No 4, p.1480−1489.
  121. Оптические фононы и структура аморфных пленок халькогенидов сурьмы./В.П.Захаров, В. С. Герасименко, Ю. Г. Полтавце в, JI.n.Kjy-черенко. Изв. АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1974, т.10, № 2, с.361−362.
  122. Giehler М. Vibrational spectra and local structure of chalco-genide glasses.- In: Structure, physico-chemical properties and application of non-crystalline semiconductors. Amorphous semiconductors-80, Kishinev, 1980, p.5−10.
  123. Г. Колебательные и врыщательные спектры многоатомных молекул. М., Изд-во иностр. лит-ры, 1949, 647 с.
  124. Применение метода комбинационного рассеяния света в ближней ИК-области для исследования полупроводников./Л.К.Водопьянов, Л. В. Голубев, Л. Ю. Кенгерлинский, В. Г. Плотниченко. В сб.: Краткие сообщения по физике (ФИАН), 1981, № 12, с.37−41.
  125. Cervinka L., Hruby A. Structure of amorphous and glassy
  126. Sb0S, and its connection with the structure of As"X, arsenic 2 3 2 3chalcogenide glasses.- J. Non-Cryst.Solids, 1982, v.48, No 2, p.231−264.
  127. Колебательные спектры кристаллов BiJ^, sbJ^. /В.В.Артамонов, Л. И. Бережной, М. Я. Валах, Б. К. Круликовский, М.П.Лиси-ца. Физ.тв.тела, 1975, т.17, № 12, с.3621−3624.
  128. Формирование аморфной фазы в вакуумных конденсатах системы Sb2S^ SbJ^ ./О.В.Лукша, Ю. Ю. Фирцак, Н. И. Довгошей, И.Д.Ту-ряница, В. С. Герасименко. — Изв. АН СССР. Сер. Не орган, материалы, 1978, т.14, № 7, с.1236−124I.
  129. Koudelka L., Pisarcik M. Raman spectra and structure of ^О-х^бО1*: giasses.- Solid State Communs., 1982, v.41, No 1, p.115−117.
  130. Спектры комбинационного рассеяния стекол системы As S — J. /О.В.Химинец, П. П. Дуга, В. В. Химинец, И. Й. Росола, Г. Д. Пуга.
  131. Ж.прикладной спектроскопии, 1978, т.28, М, с.700−703.
  132. Kikuchi A., Oka Y., Sawaguchi Е. Crystal structure determination of SbSJ. J.Phys.Soc.Japan, 1967, v.23, No 2,1. P.337−354.
  133. Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. М., Металлургия, 1984, 176 с.
  134. В.М., Туряница И. Д., Химинец В. В. Диэлектрические свойства стекол системы Ge As- s . Угф.физ.ж., 1981, т.26, № 11, с.1856−1859.
  135. В.П., Добош М. В., Туряница И. Д. Магнитная восприимчивость стекол в системах Sb s — Вг/j/. — Физическая электроника, вып.15. Респ.межвед.науч.-техн.сборник. Львов: Вища школа. Изд-во при Львов. ун-те, 1977, с.52−55.
  136. А.И., Карпус А. С. Определение частоты плазменных колебаний валентных электронов и оптической диэлектрической проницаемости трехсернистой сурьмы. Лит.физ.сб., 1973, т.13, № 1, с.89−99.
  137. М.С., Байдаков Л. А. Химическая связь и локальная структура в таллийсодержащих халькогенидных стеклах по данным диэлькометрии. Физ. и химия стекла, 1983, т.9, № 4,с.449−460.
  138. Lines М.Е. Microscopic model for a ferroelectric glass.-Phys.Rev.В, 1977, v.15, No 1, p.388−395.
  139. Lines M.E. Theoretical derivation of possible dielectric anomalies in high-permittivity glasses.- Phys.Rev.B, 1978, v.17, No 4, p.1984−1990.
  140. Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применение. М., Мир, 198I, 526 с.
  141. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М., Мир, 198I, 736 с.
  142. Dielectric constant of amorphous FbTiO ./M.Takashida, T. Nakamura, N. Tsuya, K. Arai, H. Ozowa, R.Uno. Jap.J.Appl. Phys., 1980, v.19, No 9, P. L555-L558.
  143. Mitsuya Т., Wasa K. High dielectric constant films of amorphous LiNbO^ prepared by sputtering deposition. Appl. Phys.Lett., 1981, v.20, No 8, p. L48-L50.139.
  144. Tsuya N., Arai K.-I. Amorphous high dielectric materials.-«Oe, Oyo buturi», 1978, v.47, No 12, p.1159−1161.
  145. Anomalies dielectric behaviour and reversible pyroelectri-eity in roller-quenched LiNbO, and LiTaO^ glass ./A.M.Glass, M.E.Lines, K. Nassau, J.W.Shiever.-Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, No 4, p.249−251.
  146. Сегнетоактивные ситаллы на основе Sb S — J. /М.В.Добош,
  147. А.А.Горват, В. М. Рубиш, В. В. Химинец, И. Д. Туряница. Тез.докл.
  148. П Всесоюзной конф. по физико-химическим основам технологиисегнетоэлектрических и родственных материалов, М., 1983, с. 89.у ут уп
  149. Е.И., Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики типа, А В С . -М., Наука, 1982, 228 с.
  150. Диэлектрическая дисперсия в кристаллах SbSJ. /Р.П.Беляцкас, И. П. Григас, А. С. Орлюкас, В. К. Шугуров. Лит.физ.сб., 197I, т. II, № 6, с.1029−1038.
  151. В.М., Туряница И. Д. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости стекол системы Ge-As S . — Физическая электроника, вып.23, Респ.межвед.науч.-техн.сборник, — Львов: Вища школа, Изд-во при Львов. ун-те, 1981, с.51−53.
  152. Bobl L.C., Kramer К., Byer Н.Н. Electrical properties of As2S^ glass.- J. Non-Cryst.Solids, 1976, v.21, No3, p.441−445.
  153. Lakatos A.I., Abkowitz M. Electricial properties of amorphous Se, As^Se^ and As2S^-. Phys.Rev.B, 1971, v.3, No 6, p.1791−1800.
  154. B.M., Пинзеник В. П., Туряница И. Д. Структурно-химическое строение и диэлектрические свойства стекол системы GeS2- SbSJ • Ужгород, 198I. — 10 с. — Рукопись представлена в Ужгород. госун-ом. ДЕП. в ВИНИТИ 22.10.82 г., № 5454−81 Деп.
  155. Phillips J.С. Toplogy and structure of non-crystalline solids.-«Struct.Non-Gryst.Mater., 1982.Proc.2 Int.Conf., Cambridge, 12−15 July, 1982». London- New-York, 1982, p.123−136.
  156. Влияние покрытия из легкоплавких стекол на характеристики германиевых диодов. /Б.Т.Коломиец, Э. М. Литвинова, Е.Г.Мисе-лгок, Ю. А. Тхорик, В. П. Шило. Радиотехника и электроника, 1962, т.7, Л*6, с. 1054−1055.
  157. В.И., Сироткин А. А., Стенина В. М. Влияние низкоплавких стекол системы As S — J на вольтамперные характеристики кремниевых р — п -переходов. — В кн.: Поверхностные свойства полупроводников, М., 1962, с.207−211.
  158. В.И. Магнитные измерения. М., Изд-во МГУ, 1963, 286 с.
  159. В.М., Пинзеник В. П., Туряница И. Д. Магнитные и диэлектрические свойства стекол системы sbSJ -CuSbS2 . Физическая электроника, вып.27, Респ.межвед.науч.-техн.сборник. — Львов: Вища школа, изд-во при Львов. ун-те, 1983, с.75−79.
  160. В.П., Байдаков Л. А. Магнитная восприимчивость стекол системы As^Se^ P2Se^ • - Вестник Ленингр. ун-та, 1976, № 4, с.118−122.
  161. С.В., Грищенко В. Ф., Делимарский Ю. К. Координационная химия солевых расплавов. Киев, Наукова думка, 1977, 331 с.
  162. О.И., Борец А. Н., Миголинец И. М. Фотопоглощение на стеклах системы Си Sb — S — J . — Укр.физ.ж., 1974, т.19, № 8, с.1393−1394.
  163. В.М. Электрические свойства пленочных и массивных стеклообразных полупроводников системы Си Sb — s — j . -В сб.: Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников (тезисы докладов 1У Республиканской конф., Ужгород, 1981), 198I, с.70−71.
  164. В.М. Механизм проводимости в стеклах системы Ou -Sb--S J . — Ужгород, 1982, — 12 с. — Рукопись представлена Ужгорд. госун-ом. Деп. в ВИНИТИ 5.05.82 г., № 2662−82 Деп.
  165. В.Л., Новоселов С. К. Механизм проводимости в стеклах AsTeCu . Физ. и химия стекла, 1976, т.2, № 6, с.546−551.X
  166. А.В., Эль Мосли М. Влияние меди и серебра на фотоэлектрические свойства стеклообразного AS Se,. Физ.2 3тверд. тела, 1963, т.5, № 7, с.2015−2016.
  167. Koloiaiets В.Т., Rykhlyadev Yu.V., Shilo V.P. The effect of copper and silver on the conductivity and photoelectric properties of glassy arsenic selenide.- J. Non-Cryst.Solids, 1971, v.5, No 3, p.389−409.
  168. Liang E.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studiesof glassy CuAsSe^ and Cu-As^e^ alloys.- Phys.Rev., 1974, v. BlO, No 4, p.1528−1538.
  169. Pollak M., Pike G.E. Ac conductivity of glasses. Phys. Rev.Lett., 1972, v.28, No 22, p.1449−1451.
  170. Shimakawa K. On the temperature dependebce of a.c.conduction in chalcogenide glasses.- Phil.Mag., 1982, v.46, No 2, p.123−135.
  171. Kocka J. The density of states at the Fermi level of the non-crystalline semiconductors. Czech.J.Phys., 1976, v. B26, No 7, p.807−811.
  172. S.R. А.с .conductivity due to intimate pairs of charged defect centres. Solid State Communs., 1978, v.27, No 8, p.749−751.
  173. Eliott S.H. Defect pairing and the effect on a.c. conductivity in chalcogenide glasses.- J. Non-Cryst.Solids, 1980, v.35−36, No 2, p.855−858.
  174. Shimakawa K., Efitta S., Mori M. Influence of silver additive on electronic and ionic natures in amorphous As2Se^. Phys. Rev., 1978, v. B18, No 8, p.4348−4354.
  175. Wagner C. Galvanishe Zellen mit festen Elektrolyten mit genischten Stromleitung.- Z. Elektrochemie, 1956, Bd.60, No 1, s.4−7.
  176. Wagner C. Ionen und Electronen leitung in Silberbromid und Abweickungen von der idealen Stochiometrishen Zusammensetzung.-Z.Elektrochemie, 1959, Bd.63, No 9/10, p.1027−1030.
  177. В.Ю. Особенности электрофизических свойств и фазовые переходы в кристаллах AgSbS2 . Автореферат дис.. канд.физ.-мат.наук, Вильнюс, 1981, 18 с.
  178. С.В., Алесковский В. Б., Данилов А. В. Электропроводность твердого электролита RbAg^^Cu^J^ . Электрохимия, 1976, т. ХП, вып.2, с.277−279.
  179. А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М., Государственное изд-во физ.-мат. лит-ры, 1963, 403 с.
  180. Электрофизические свойства стекол системы д3- g — j. /В.М.Рубиш, В. Ф. Микученис, А. П. Кеженис, И. Д. Туряница, А.С.Ор-люкас. — Электронная техника. Сер. Материалы, 1983, вып.3,с.76−78.
  181. А. Ионная проводимость 1фисталлов. M., Изд-во иностранной лит-ры, 1962, 222 с.
  182. В.Л., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, Наукова думка, 1969, 187 с.
  183. Coordination dependent vibrational properties of amorphous semiconductor alloys./G.Lucovsky, R.J.Nemanich, S.A.Solin, R.C.Keezer.- Solid State Communs, 1975, v.17, No 12, p.1567−1572.
  184. И.Й., ПугаП.П., Чепур Д. В. Приведенная плотность колебательных состояний и структурные особенности стекол системы As s. — В сб.: Сйожные полупроводники (получение, свойства, применение), Ужгород, 198I, с.83−92.
  185. Наран-Сабо И. Неорганическая кристаллохимия. Будапешт, Изд. АН Венгрия, 1969, 504 с.
  186. Н.С., Зильберварг В. Е., Нагаев Э. Л. Диэлектрическая проницаемость твердых электролитов и переход в сверхионное состояние.-Ж.эксперим, и теор.физ., 1980, т.78,№ 1, с.180−188.
  187. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М., Высшая школа, 1977, 448 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!