Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние емкостной составляющей на характеристики индуктивного ВЧ разряда низкого давления

Диссертация: Влияние емкостной составляющей на характеристики индуктивного ВЧ разряда низкого давления
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые выполнено математическое моделирование индуктивного ВЧ разряда с независимой емкостной компонентой, которое показало, что наличие дополнительного канала ввода мощности, сопровождающееся к росту концентрации электронов выше величины, характерной для чисто индуктивного разряда, приводит к увеличению вклада ВЧ мощности через индуктивный канал при условии, что плотность плазмы ниже величины… Читать ещё >

Влияние емкостной составляющей на характеристики индуктивного ВЧ разряда низкого давления (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Индуктивный ВЧ разряд без магнитного поля
      • 1. 2. 1. Проникновение полей в плазму
      • 1. 2. 2. Поглощение ВЧ мощности плазмой
    • 1. 3. Индуктивный ВЧ разряд, помещенный во внешнее магнитное поле, способствующее возбуждению геликонов и косых Ленгмюровских
    • 1. 4. Понятие эквивалентного сопротивления
    • 1. 5. Баланс мощности во внешней цепи индуктивного ВЧ разряда
  • Глава 2. Экспериментальные установки и методика измерений
    • 2. 1. Экспериментельные установки
    • 2. 2. Схемы источников плазмы
    • 2. 3. Способы организации разряда
    • 2. 4. Экспериментальная методика измерений величины
  • ВЧ мощности, поглощенной плазмой
    • 2. 5. Диагностика плазма
  • Глава 3. Особенности индуктивного ВЧ разряда низкого давления, горящего в режиме Rp[
    • 3. 1. Особенности индуктивного ВЧ разряда, наблюдаемые при изменении величины мощности ВЧ генератора
    • 3. 2. Особенности индуктивного ВЧ разряда, наблюдаемые при изменении величины магнитного поля
    • 3. 3. Динамика параметров плазмы и величины поглощенной ВЧ мощности при изменении внешнего магнитного поля
    • 3. 4. Влияние эффективного сопротивления антенны на свойства индуктивного ВЧ разряда
    • 3. 5. Результаты численного моделирования
  • Глава 4. Влияние емкостной составляющей на свойства индуктивного
  • ВЧ разряда низкого давления
    • 4. 1. Зависимость параметров плазмы от мощности ВЧ генератора
    • 4. 2. Зависимость параметров плазмы от магнитного поля
    • 4. 3. Самосогласованная модель разряда с независимыми индуктивным и емкостным каналами
    • 4. 4. Результаты математического моделирования

Актуальность темы

.

В настоящее время индуктивный ВЧ разряд низкого давления широко применяется в промышленных плазменных технологиях благодаря своим свойствам: высокой концентрации электронов, достигаемой при относительно невысоком уровне ВЧ мощности, небольшой температуре электронов, а, следовательно, невысокому потенциалу плазмы относительно стенок, ограничивающих разряд, отсутствию контакта плазмы с металлическими электродами, возможностью использования в качестве рабочих химически активных газов. Очевидно, что развитие плазменных технологий неизбежно приводит к повышению требований к возможностям и параметрам источников плазмы, основанных на индуктивном ВЧ разряде. Усовершенствование таких источников плазмы может быть выполнено только на основе детального понимания физических процессов, происходящих в индуктивном разряде.

Индуктивный ВЧ разряд известен уже более ста лет. За долгие годы его исследования накоплен огромный экспериментальный материал, построены теоретические модели разряда, исследованы закономерности проникновения ВЧ полей в плазму и механизмы поглощения ВЧ мощности. Однако в последние десятилетия было показано, что большинство экспериментальных работ, посвященных исследованию индуктивного ВЧ разряда низкого давления, содержит систематическую погрешность, связанную с некорректным учетом потерь мощности в индукторе, поддерживающим разряд. Как оказалось, величина мощности, поглощаемая плазмой разряда при низких давлениях не тождественна мощности, отдаваемой ВЧ генератором во внешнюю цепь, а делится между активным сопротивлением внешней цепи и плазмой. ВЧ мощность поступает в плазму по двум каналам: индуктивному, существующему благодаря току, текущему по индуктору или антенне, и емкостному, существующему благодаря наличию емкостной связи между антенной и плазмой. Взаимное влияние каналов, а также зависимость импеданса плазмы, передающего способность поглощать ВЧ мощность, от ее параметров может привести к появлению ряда самосогласованных эффектов, анализ которых позволяет глубже понять физические процессы, происходящие в разряде. В связи с этим закономерен интерес к изучению особенностей энерговклада в индуктивный ВЧ разряд низкого давления, особенно при наличии значительной емкости между индуктором и плазмой.

Диссертация посвящена экспериментальному исследованию особенностей разряда, возникающих при горении индуктивного ВЧ разряда, обладающего емкостной составляющей, в режимах, при которых существенны потери мощности во внешней цепи разряда, а также математическому моделированию поведения разряда. В связи с этим тема диссертационной работы представляется актуальной. Целью работы является:

• экспериментальное исследование особенностей режимов горения индуктивного ВЧ разряда, при которых существенно перераспределение мощности между плазмой и внешней цепью разряда;

• математическое моделирование особенностей режимов горения индуктивного ВЧ разряда, при которых существенно перераспределение мощности между плазмой и внешней цепью разряда;

• изучение влияния емкостной составляющей индуктивного разряда на ввод мощности через индуктивный канал и режимы горения такого ВЧ разряда.

• обобщение самосогласованной модели индуктивного ВЧ разряда низкого давления на случай индуктивного ВЧ разряда с независимым емкостным каналом;

• математическое моделирование режимов горения индуктивного ВЧ разряда, обладающего независимой емкостной компонентой.

Научная новизна работы состоит в следующем:

• Экспериментально изучены режимы горения индуктивного ВЧ разряда низкого давления, при которых существенны потери мощности во внешней цепи разряда. Показано, что при изменении мощности ВЧ генератора или величины внешнего магнитного поля происходит перераспределение мощности между плазмой и активным сопротивлением внешней цепи, проявляющееся в насыщении плотности плазмы при увеличении мощности ВЧ генератора, немонотонном характере изменении параметров плазмы при изменении внешнего магнитного поля, гистерезисе концентрации и эффективной температуры электронов при увеличении и уменьшении величин мощности ВЧ генератора и индукции внешнего магнитного поля. Показано, что особенности перераспределения мощности при изменешш внешних параметров разряда связаны с изменением способности плазмы поглощать ВЧ мощность, которая немонотонно зависит от плотности плазмы и величины внешнего магнитного поля. Установлено, что физическая причина вышеуказанного при отсутствии магнитного поля состоит в резком сужении области проникновения ВЧ полей в плазму при высокой концентрации электронов. При наличии внешнего магнитного поля немонотонность связана с существованием резонансов возбуждения связанных между собой геликонов и косых Ленгмюровских волн. Экспериментально исследовано влияние емкостной составляющей на параметры ВЧ индуктивного разряда. Показано, что наличие емкостного канала приводит к изменению доли мощности, поступающей в плазму через индуктивный канал. Это, в свою очередь, приводит к изменению условий перехода индуктивного разряда из моды с низкой плотностью плазмы в моду с высокой плотностью, сглаживанию немонотонной зависимости плотности плазмы от величины внешнего магнитного поля и исчезновению гистерезиса. в Обобщена самосогласованная модель ВЧ индуктивного разряда на случай разряда с независимой емкостной компонентой. Выполнено математическое моделирование поведения разряда в широком диапазоне параметров разряда и величин мощности, подводимых к плазме через индуктивный и емкостной каналы. Выявлены закономерности влияния емкостной составляющей на долю мощности, поступающую в плазму через индуктивный канал. Показано, что они определяется связью эквивалентного сопротивления плазмы с параметрами плазмы (плотностью и эффективной температурой электронов, частотой столкновений электронов с нейтралами) и величиной внешнего магнитного поля.

Достоверность полученных результатов. Экспериментальные результаты получены на различных экспериментальных установках с привлечением там, где это возможно, нескольких независимых диагностических методик. Полученные результаты сопоставлены с результатами других групп исследователей. Выполнено численное моделирование параметров разряда, которые сопоставлены с экспериментом. Это позволяет считать полученные результаты полностью достоверными.

Практическая ценность работы.

Научная ценность состоит в том, что полученные результаты могут служить основой для объяснения физических свойств индуктивного ВЧ разряда низкого давления, обладающего емкостной компонентой, построения полной физической модели такого разряда. И таким образом, результаты могут служить научной базой при конструировании и выборе оптимальных режимов технологических источников плазмы низкого давления.

Апробация диссертации. Основные результаты работы обсуждались на семинарах кафедры физической электроники физического факультета МГУ и докладывались на следующих конференциях:

1. Тезисы докладов XXX международной (Звенигородской) конференции по физике плазмы и УТС., Россия, февраль 24−28,2003.

2. Ломоносовские чтения, МГУ, Физический факультет, апрель 18−25,2003.

3. Ш Международный симпозиум 'Термохимические процессы в аэродинамике плазмы". Петербург, Россия, июль 2003.

4. IV International Conference Plasma Physics and Plasma Technology. Minsk, Belarus, September 15−19,2003.

5. Российская конференция по Физической электронике, Махачкала, Россия, сентябрь 23−26,2003.

6. V International Conference Plasma Physics and Plasma Technology. Minsk, Belarus, September 18−22,2006.

7. XXVUI International Conference on Phenomena in Ionized Gases July 15 -20 2007, Prague, Czech Republic.

Публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в 9 статьях и 12 тезисах, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

.

Заключение

.

В заключении сформулируем основные результаты и выводы.

1. Экспериментально показано, что при наличии потерь мощности во внешней цепи индуктивного ВЧ разряда при давлениях менее ЮмТор существует немонотонная зависимость концентрации электронов от величины внешнего магнитного поля. При работе с торцевой антенной зафиксированы срывы разряда при достижении критического значения магнитного поля. Показано, что величина критического магнитного поля зависит от сопротивления антенны (величины потерь мощности во внешней цепи), давления и мощности ВЧ генератора.

2. На основании математического моделирования разряда, использующего уравнения баланса ионов, электронов, тяжелых нейтральных частиц, мощности и условие квазинейтральности, показано, что указанные эффекты являются следствием самосогласованного перераспределения мощности между активным сопротивлением внешней цепи и плазмой, связанного с изменением ее способности поглощать ВЧ мощность. Последняя характеризуется эквивалентным сопротивлением плазмы. Немонотонный характер изменения эквивалентного сопротивления с увеличением магнитного поля определяется существованием резонансов возбуждения связанных между собой геликоноподобной и косой ленгмюровской волн. Выход из условия резонанса сопровождается резким понижением эквивалентного сопротивления плазмы, доли мощности, поступающей в плазму. Последнее может приводить к срыву разряда.

3. Впервые экспериментально показано, что увеличение сопротивления антенны (потерь мощности во внешней цепи) приводит к появлению гистерезиса зависимости интенсивности свечения плазмы, зондового ионного тока насыщения от величины мощности ВЧ генератора. Показано, что в области гистерезиса при одной и той же мощности ВЧ генератора существуют по крайней мере две моды разряда: в моде снизкой концентрацией электронов основная доля мощности выделяется в антенне, а в моде с высокой концентрацией — в плазме. Наложение внешнего магнитного поля (более 1мТл) на индуктивный ВЧ разряд низкого давления способствует появлению гистерезиса зависимости интенсивности свечения плазмы, зондового ионного тока насыщения от величины мощности ВЧ генератора и индукции внешнего магнитного поля. Экспериментальные результаты находятся в качественном согласии с результатами математического моделирования, которые указывают на появление гистерезиса при условиях нелинейной зависимости эквивалентного сопротивления плазмы от концентрации электронов и его малости по сравнению с сопротивлением антенны.

4. Впервые экспериментально исследовано влияние емкостной составляющей на величину ВЧ мощности, поступающей в плазму через индуктивный канал. Обнаружено, что при наличии независимого емкостного канала ввода мощности происходит изменение доли мощности, поступающей в плазму через индуктивный канал. Это проявляется в смещении положения перехода разряда из моды с низкой плотностью плазмы в моду с высокой плотностью, в более плавной зависимости параметров плазмы от мощности ВЧ генератора в переходной моде, исчезновении гистерезиса, сглаживании зависимости ионного тока от магнитного поля.

5. Впервые выполнено математическое моделирование индуктивного ВЧ разряда с независимой емкостной компонентой, которое показало, что наличие дополнительного канала ввода мощности, сопровождающееся к росту концентрации электронов выше величины, характерной для чисто индуктивного разряда, приводит к увеличению вклада ВЧ мощности через индуктивный канал при условии, что плотность плазмы ниже величины, при которой эквивалентное сопротивление достигает максимума. Это является физической причиной наблюдавшегося экспериментально смещения положения перехода разряда из моды с низкой плотностью плазмы в моду с высокой плотностью, более плавного перехода из моды разряда с низкой плотностью в моду с высокой плотностью и исчезновения гистерезиса.

Увеличение за счет вклада мощности через емкостной канал концентрации электронов выше величины, при которой эквивалентное сопротивление достигает максимума, приводит к уменьшению вклада ВЧ мощности через индуктивный канал.

И наконец, считаю своим приятным долгом выразить огромную благодарность Кралькиной Е. А., Александрову А. Ф за большую помощь в выполнении данной работыРухадзе А.А. за многочисленные обсуждения результатов работы, Вавилину К. В., Павлову В. Б., Плаксину В. Ю. за большую помощь в проведении расчетов и экспериментов, всему коллективу кафедры физической электроники, за постоянную поддержку. Отдельно хочу поблагодарить своих родителей, мужа Ахмедова Р. Р, братика и Касимовых Эмина и Нигяр за то, что они верили в меня и всегда поддерживали.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Piejak R.B., Godyak V.A., and Alexandrovich B.M., Plasma Sources. Sci.Technol., l, p. l79, (1992).
  2. Godyak V.A., Piejak R.B., and Alexandrovich B.M., Plasma Sources. Sci. Technol, 3, pp. l69−176. (1994).
  3. Godyak V.A., Piejak R.B., and Alexandrovich B.M., J. ofAppl. Phis., 85, 2, pp. 703−712,(1999).
  4. В.Д., Рухадзе А. А. Волны в магнитоактивной плазме. Наука, 1970.
  5. Thomson J.J. Phil. Mag., 32 321−36, (1891).
  6. Godyak V.A. Plasma Phenomena in Inductive Discharges, Invited talk, 30th EPS
  7. Conference on Controlled Fusion and Plasma Physics, St. Petersburg, July 7−11, 2003.
  8. Chen F.F., Helicon Plasma Sources, in High Density Plasma Sources, edited by Oleg1. A. Popov, pp. 1 -75, 1996.
  9. Schottky W. Physykalische Zeitschrift, 25, p.342, 635 (1924).
  10. Henriksen B.B., Keefer D.R. and Clarkson M.H., J.Appl. Phys. 42 5460 4,1971.
  11. Denneman J.W., J. Phys D: Appl. Phys 23 293 8, (1990).
  12. Godyak V.A., Kolobov V.I., Physical Review Letters 81, 2 pp. 369 372, (1998).
  13. Tyshetskiy Yu.O., Smolyakov A.I., Godyak V.A., Physical Review Letters 90, 25, 255 002−1 -255 002−4, (2003).
  14. Thomson J.J., Phil. Mag. 4 1128 60, (1927).
  15. Lee C. and Lieberman M. A., Vac.Sci. Tech., 13, 368−80, (1995). lS. Shamrai K.P. and Taranov V.B. Plasma Phys. Control. Fusion, 36, 1719, (1994). 19. Lister G G and Cox M 1992 Plasma Sources Sci. Technol. 1 67−73
  16. Lieberman M A and Gottscho R A 1994 Physics of Thin Films vol 18, ed M Francombe and J Vossen (New York: Academic)
  17. А.Ф., Воробьев Н. Ф., Кралькина E.A., Обухов В. А., Рухадзе А. А., ЖТФ 64, № 11, стр. 53−58 (1994)
  18. Boswell R.W., Phys. Lett., ЗЗА, р.457 (1970)
  19. Chen F.F., Breun R.A., Gross S., Hershkowitz N., Hsien M.J. and Jacobs J., Plasma
  20. Sources Sci. Tech., 4, p.337 (1996)
  21. Eckert, H.U., J. Appl. Phys., 41, 1520 (1970).
  22. Mensing, A.E. and Boedeker, L.R., Theoretical investigations of R.F., induction heated plasmas", NASA CR-1312 (1969).
  23. Ferrari R. L. and J.P. Klozenberg, Plasma Phys, 2, p. 283, (1968)
  24. P. А., Кадыш И. Я., Ходырев Ю. С. ЖТФ, 19, стр.791 (1964)
  25. Mak-Kitton К.А. Philos. Mag. V.8 (1929), р.605
  26. А.Н., Проникновение поля в плазму, Москва, Атомиздат (1979)
  27. Bleven Н.А., Christiansen P.J. and Devies В.J., Phys. Rev. Lett. A, 28, p.230 (1968)
  28. J. Devies B. J and Christiansen P.J. Plasma Phys., ll, p.987 (1969).
  29. Lieberman M A and Lichtenberg A J 2005 Principles of Plasma Discharges and Material Processing (New York: Wiley)
  30. Keller J H 1996 Plasma Sources Sci. Technol. 5 166
  31. Lieberman M A and Godyak V A 1997 IEEE Trans. Plasma Sci. UCB/ERL M97/651 997)
  32. Kortshagen U, Gibson N D and Lawler J E 1996 J. Phys. D- Appl. Phys. 29 1224−36 36. Suzuki K, Nakamura K, Ohkubo H and Sugai H 1998 Plasma Sources Sci. Technol.713.20
  33. El-Fayoumi IM, Jones IR and Turner M M 1998 J. Phys. D: Appl. Phys. 31 308
  34. Turner M M and Lieberman M A 1999 Plasma Sources Sci. Technol 8 313
  35. El-Fay oumi IM and Jones I R 1998 Plasma Sources Sci. Technol. 7 179−85
  36. Lieberman L A and Boswell R W 1998 J. Physique IV 8 145
  37. El-Fayoumi IM and Jones T R 1997 Plasma Sources Sci. Technol 6 201−11
  38. Ellingboe A R and Boswell R W 1995 Phys. Plasmas 2, p. 1807
  39. Piejak R, Godyak V and Alexandrovich В 1997 J. Appl. Phys. 81 3416
  40. Booth J P, Cunge G, Sadeghi N and Boswell R W 1997 J. Appl. Phys. 82 552
  41. Smith H B, Charles С and Boswell R W 1997 J. Appl. Phys. 82 561
  42. Goss J P, Cunge G, Crowley B, Vender D and Turner M M 1998 Europhysics Conf. Abstracts ESCAMPIG1998 (Malahide) (European Physical Society) p 220
  43. Brown S 1994 Basic Data in Plasma Physics (New York: AIP)
  44. Crowley B, Cunge G and Vender D 1998 Europhysics Conf. Abstracts ESCAMPIG 1998 (Malahide) (European Physical Society) p 196 586
  45. HopwoodJPlasma Sources Sci., Tech. 1, 109−116,(1992).
  46. Pippard A.B., Proc. R.Soc. A 191 385, (1947).
  47. M.M., «Collisionless electron heating in an inductively coupled discharge», Phys. Rev. Lett, 71, p. 1844, (1993).
  48. Kolobov V.I., Economon D.J. The anomalous skin effect in gas discharge plasmas // Plasma Sources Sci. Technol. -1997, v.6 pp R1-R17
  49. Chen F.F. Collisional, magnetic, and nonlinear skin effect in RF plasma // Phys. Plasmas -2001, v. 8, pp.3008−3017
  50. K.B., Плаксин В. Ю., Ри M.X., Рухадзе А. А. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. II. Источники плазмы в условиях аномального скин-эффекта. // ЖТФ-2004, т.74, с.25−28
  51. КВ., Плаксин В. Ю., Ри М.Х., Рухадзе А. А. Радиочастотные индуктивные источники плазмы малой мощности для технологических приложений // Физика плазмы -2004, т.30, № 8 с.739−749
  52. Ю.П., Шнейдер М. Н., Яценко Н. А. Высокочастотный емкостной разряд. Физика. Техника эксперимента. Приложения.-М: Наука, 1995
  53. Chen F.F., Plasma Phys. Contr. Fusion 1991, v.33, pp.339−364
  54. Shamrai K.P. and Taranov V.B., Plasma Sources Sci. Technol. 5, pp. 474 491, (1996).
  55. Blackwell D. D and Chen F.F., Bull. Amer. Phys. Soc., 40, pl771
  56. Chen F.F. and Arnush D. Physics of Plasma 4(9), September (1997)
  57. Chen F.F. and Arnush D. Physics of Plasma, 5,5, 1239−1254, 1998
  58. Lehane J.A., Thonemann P.C. An experimental study of helicon waves propagation in a gaseous plasma // Proc. Phys. Soc. 1965, v 85, pp. 301−316
  59. Boswell R.W., Chen F.F. Helicons, the early years // IEEE Trans. Plasma Sci. -1997, v.25, pp. 1229−1244
  60. Chen F.F., Boswell R.W., Helicons, the past decade // IEEE Trans. Plasma Sci. -1997, v.25, pp. 1245−1257
  61. Blackwell D.D., Madziva T.G., Arnush D., Chen F.F. Evidence for Trivelpiece -Gould modes in helicon discharge // Phys. Rev. Lett.- 2002, v. 88, n. 14
  62. Amush D. The role of Trivelpiece Gould waves in antenna coupling to helicon waves // Phys. Plasmas — 2000, v. 7, pp.3042−3040
  63. Miljak D.G., Chen F.F. Density limit in helicon discharges // plasma sources Sci. Technol. 1998, v.7, pp. 537 -549.
  64. Chen F.F., Blackwell D.D. Upper limit to Landau damping in helicon discharges // Phys. Rev. Lett. 1999, v.82, pp2677 -2680
  65. Blackwell D.D. and Chen F.F. Time resolved measurements of the EEDF in a helicon plasma // Plasma Sources Sci. TEchnol. — 2001, v. 10, pp226 — 235
  66. Chen F.F. The low field density peak in helicon discharge // Phys. Plasma — 2003, v.10, pp.2586−2592
  67. M.M. Turner et al. Plasma Sources Sci. Technol. 1998, 7,13−20.
  68. Kinder R.L., Kushner M.J. Noncollisional heating and electron energy distributions in magnetically enhanced inductively coupled and helicon plasma sources // J. Appl. Phys. 2001, v.90, pp.3699 — 3712
  69. Kinder R.L., Kushner M.J. Wave propagation and power deposition in magneticallyenhanced inductively coupled and helicon plasma sources // J.Vac.Sci.Technol. A -2001, v. 19, pp.76 86
  70. Eckert H.U. Proc. 2nd Ann. Int. Conf. On Plasma Chemistry and Technology ed H1. Boenig (Technomic), 1986.
  71. Gudmindsson J.T. and Lieberman M. A., Plasma Sources Sci. Technol., 6, pp.540−550,(1997).
  72. Chen F.F., Plasma Phys. Contr. Fusion, 39, 4, p.1533, (1997).
  73. HittorfW. Ann. Phys. Chem., 21 90−139, (1884).
  74. Valiedi V, Lieberman M A, Dipeso G, Rognlien T D and Hewett D 1995 J. Appl Phys. 78 1446−5
  75. Babat, G.I., J. Inst. Elec. Eng., London, 94, 27 (1947).
  76. Reed, T.B., J. Appl. Phys., 32, 821 (1961).
  77. Eckert, H.U., High Temperature Science, 6, 99 (1974).
  78. Pool, J.W., Freeman, M.P. Doak, K.W. and M.L. Thorpe, «Simulator tests to study hot— flow problems related to a gas core reactor». NASA CR-2309 (1973).
  79. T. Antonova, G. Bougrov, A. Bougrova ct al. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37, (1998), pp 6906−6915.
  80. А.Ф., Бугров Г. Э., Вавилин К.В.п др. Прикладная физика- 2005, № 4, стр. 70 74- 2005, № 5, стр. 72 — 78- 2006, № 1 стр. 36 — 42- 2006, № 2 стр. 41−46- 2006, № 4 стр. 54 — 59- 2006, № 5 стр. 33 — 38- 2006, № 5 стр. 39−46.
  81. А.Ф., Бугров Г. Э., Вавилин К.В.и др. Физика плазмы, 30, № 5, стр 434, 2004
  82. V.A.Godyak, R.B.Piejak and B.M.Alexandrovich, Plasma Sources Sci. Technol. 11, (2002), 525−543.
  83. A.Ф.Александров, Г. Э. Бугров, К. В. Вавилин, И. Ф. Керимова, Е. А. Кралькина, В. Б. Павлов, В. Ю. Плаксин, А. А. Рухадзе, Самосогласованная модель ВЧ индуктивного источника плазмы, помещенного во внешнее магнитное поле. Физика плазмы, 2004, 30.5
  84. Chen F.F., Jiang J., Evans J.D., Tynan G. and Arnush D., Plasma Phys. Control Fusion, 39, A 411, 1997
  85. Ф.Чен. Диагностика плазмы (редакция Р. Хаддлстоуна и С.Леонарда. Мир, М., 1967)
  86. L. Shott. Electrical probe. Plasma diagnostics. Edited by W. Lochte-Holtgreven, New York, 1995, p. 668−731.
  87. А.Н.Тихонов, В. Я. Арсенин Методы решения некорректных задач. Москва, Наука, 1974,223с
  88. JI.M. Волкова., A.M. Девятов, А. С. Меченов, Н. Н. Седов, A.M. Шириф Вестник МГУ, сер. Физика, астр, 1975, N3, 371−374.
  89. S.Kondranin, Е.А. Kralkina, T.B.Antonova, G.E.Bugrov, N.F.Vorobjev, Won-KookChoi, Hyung Jin Jung, Seon-ICeun ICoh. J of Korean Physical Society v32, N2, (1998), p. l95−199.
  90. Stevens J.E., Electron Cyclotron Resonance Plasma Sources, in High Density Plasma Sources, edited by Oleg A. Popov, pp. 312 379, (1996).
  91. K.B., Плаксин В. Ю., Ри M.X., Рухадзе А. А. ЖТФ, 74, № 5, 44−49, (2004).
  92. Thawnsend J.S., Donaldson R.H. Philos. Mag. v5 (1928), p.178- v.7(1929), p.600.
  93. Woods L.C., J. Fluid Mech, 13, p.570 (1962)
  94. Woods L.C., J. Fluid Mech., 18, p.401 (1964).
  95. Boswell R.W., Plasma Phys. Contr. Fusion 26, 1147 (1984).
  96. Boswell R.W., and Porteus R.K., Appl. Phys. Let., 50, 1130 (1987)
  97. Boswell R.W., and Porteus R.K., Appl. Phys. Let., 62, 3123 (1987)
  98. Boswell R.W., Plasma Phys. 31, p. 197 (1984).
  99. Zhu P. and Boswell R.W., Phys. Fluids, 3 p.869,(1991)
  100. Chen F.F. and Decker C.D., Plasma Phys. Contr. Fusion 34, p.635 (1992)
  101. Loewenhardt P.K., Blackwell B.D. and Hamberger S.M., Plasma Phys. Contr. Fusion 37, p. 229, (1995)
  102. Shoji Т., Mieno T. and K. Kadota K., Proc. Int. Sem. Reactive Plasmas, Nagoya, Japan, p.337, (1991).
  103. Molvic A.W., Ellingboe A.R. and Rognlien T.D., Phys. Rev. Lett. A, 79, p.233 (1997).
  104. Sudit I.D. and Chen F.F., Plasma Sources Sci. Technol., 4, p.43 (1996)
  105. А.Ф., Воробьев Н. Ф., Бугров Г. Э., Кондранин С. Г., Кралькина Е. А., Обухов В. А., Рухадзе А. А., Прикладная физика, № 1, стр.3−22, (1995).
  106. Shamrai К.Р., Alexandrov A.F., Bougrov G.E., Virko V.F., Katiukha V.P., Koh S.K., Kralkina E.A., Kirichenko G.S., Rukhadze A.A., Proceedings of XXIII1. ternation Conference on Phenomena in Ionized Gases, 17−22 July 1997, Toulouse France.
  107. Shamrai K.P. and Taranov V.B., Phys. Lett. A, 204, p. 139, (1995).
  108. Shamrai K.P., Pavlenko V.P., and Taranov V.B., Plasma Phys. Control. Fusion, 39, 505, (1997).
  109. Shamrai K.P. and Pavlenko V.P., Physica Scripta, 55, p.612, (1997).
  110. Shamrai K.P., VirkoV.F., Blom H. O., Pavlenko V.P., Taranov V.B., Jonsson L.B., Hedlund C. and Berg S.J. Vac. Sci. Technol., 1977, A 15(6), pp 2864−2874.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!