Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов
Диссертация
Одна из особенностей ПЗС — высокая чувствительность к различного рода дефектам исходной подложки и возникающим в процессе прохождения технологического маршрута. Это свойство долгое время сдерживало массовый выпуск ПЗС, а в настоящее время ограничивает число фирм, имеющих достаточный уровень технологии для их производства. Приведенные в ряде работ результаты исследования ПЗС позволяли авторам… Читать ещё >
Список литературы
- Секен К., Томпсет M. Приборы с переносом заряда. М: Мир, 1978.
- Носов Ю.Р., Шилин В. А. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. -М.: Сов. радио, 1976.-141с.
- Носов Ю.Р., Шилин В. А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1986.-319с.
- Стенин В.Я. Применение микросхем с зарядовой связью. -М: Радио и связь, 1989.
- Полупроводниковые формирователи сигналов изображения/Пер. с англ. Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Вилле и М. Уайта. -М.: Мир, 1979.
- Кузнецов Ю.А. Приборы с зарядовой связью и матричные фотоприемные устройства//Электронная промышленность. 1993.-№ 6−7.-С.8−10.
- Ракитин В.В., Сафонов А. Г., Седунов Б. И., Тишин Ю. И. Функциональные фотоприемники на приборах с зарядовой связью//Сб. Микроэл-ка и полупр. приборы. -1989, вып.10.-М.:"Радио и связь".-С.41−51.
- Ракитин В.В., Сафонов А. Т., Седунов Б. И., Тишин Ю. И. Фотоприемники на ПЗС для датчиков координат.//Шестая всесоюзная школа-семинар по оптической обработке информации. Тезисы докладов, часть 2, сент.1986г.-Фрунзе.-С.204−205.
- Тишин Ю.И., Зимогляд В. А. Опыт по созданию приборов с зарядовой связью//Электронная промышленность.-1994.-№ 6−7.-С.75−77.
- A.C. 1 187 658, МКИ HOI L 31/16. Способ управления фотоприемником на приборах с зарядовой связью/В.В.Ракитин, А. Г. Сафонов, Б. И. Седунов, Ю. И. Тишин -Заявл. 06.04.84- Опубл.1992 г., Бюл. № 1.
- A.C. 1 176 812, МКИ Н01 L 37/18. Устройство для определения координат изображения/А.А.Васенков, В. В. Ракитин, А. Г. Сафонов, Ю. И. Тишин Заявл. 16.03.84- Опубл. 1992 г., Бюл. № 1.
- A.C. 1 189 300, МКИ Н01 L 27/10. Координатно-чувствительное устройство/С.Я.Беляев, В. В. Ракитин, А. Г. Сафонов, Б. И. Седунов, Ю. И. Тишин Заявл. 16.03.84- Опубл. 1992 г., Бюл. № 1.
- A.C. 1 263 151, МКИ Н01 L 31/10. Координатно-чувствительное устройство/В.В.Ракитин, А. Г. Сафонов, Б. И. Седунов, Ю. И. Тишин. -Заявл. 08.10.84- Опубл. 1992 г.- Бюл. № 1.
- Сафонов А.Г., Ракитин В. В., Тишин Ю. И. Матричный ФПЗС со встроенной обработкой информации//Тез. Докл. конф. «Новые принципы формирования телевизионных изображений». -Ленинград, сент.1990.-С.8−10.
- Raterstraw D.J., Lucht R.P. and Dreir Т. Use of a charge-coupled device camera for broadband coherent anti-Stokes Raman scattering measurements.//Appl. Optics.-1989.-Vol.28, № 19.-P.4116−4120.
- Epperson P.M. and Denton M. Binning Spectral Imagers in a Charge-Coupled Device.//Anal. Chem.-1989.-Vol.61.-P. 1513−1519.
- A. С. 1 090 194, МКИ H01 L 27/10. Прибор с зарядовой связью с изменением направления переноса заряда/В.В.Ракитин, Б. И. Седуновг Ю.И.Тишин -Заявл. 05.07.82- Опубл.1997 г.- Бюл. № 6.
- Тишин Ю.И., Сафонов А. Г. Формирователь видеосигнала на ПЗС с адаптацией к изображению для автоматизированных измерительных систем//Электронная техника. Сер. З, Микроэлектроника. -1990.-Вып.4(138). -С.3−6.
- Кузьмин C.B., Пугачев A.A., Тишин Ю. И. Расчет пробивных напряжений ПЗС структур//Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с заряд. связью и системы на их основе». -Геленджик, сент.-окт., 1992.-С.14−15.
- Тишин Ю.И., Лепендин A.B., Глухов Ю. Ф. Строчно-кадровый ФПЗС формата 512×512 элементов//Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с заряд. связью и системы на их основе». -Геленджик, сент. -окт., 1992.-С.29.
- A.C. 670 021. МКИ H01L 27/10. Способ управления прибором с зарядовой связью./Лавренов A.A., Ракитин В. В., Тишин Ю. И., Хайновский В.И.-Заявл.13.Об.1979- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 6.
- A.C. 701 423. МКИ H01L 27/10.Фотоприемник с зарядовой связью./ Ракитин В. В., Тишин Ю. И. -Заявл.03.04.1978 — Опубл. 1997 г.- Бюл. № 6.
- Зубков В.И., Ракитин В. В., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Линия задержки на ПЗС для СЕКАМ-декодера//Тез. докл. научно-техн. конф. Сер. З, Микроэлектроника. -1988.-Вып.4(287). -С.38−39.
- Кузьмин C.B., Тишин Ю. И. Линия задержки на ПЗС для цветного телевизора с напряжением питания +5В//Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с заряд. связью и системы на их основе».-Геленджик, сент.-окт. 1992.-С.91−92.
- Кузьмин C.B., Тишин Ю. И. Линия задержки на ПЗС для цветного телевизора//Электронная промышленность.-1993.-№ 6−7.-С.27−28.
- A.C. 1 648 206. МКИ G11 С 27/04. Линия задержки./А.Г, Сафонов, Ю. И. Тишин Заявл. 06.03.8 9- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 6.
- Научно-технический отчет по НИР «Разработка линии задержки на ПЗС для цветного телевизора», шифр «Линия», 1991 г.
- Миропольский М.С., Чернов В. В., Ямщиков П. А. Линия задержки для телевизионных приемников пятого поколения//Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с зарядовой связью и системы на их основе».-Геленджик, сент.окт., 1992 г.-С.49.
- Березин В.Ю., Котов Б. А., Татаурщиков С. С. 102 4-элементная аналоговая линия задержки на ПЗС//Электронная промышленность.-1982.-№ 7.-С.2 6−27.
- Костюков Е.В., Марков А. Н., Работенко О. Г. и др. Применение ПЗС в качестве дискретно-аналоговых линий задержки//Техника средств связи, сер. Техника телевидения.-1983.-Вып.5.-С.4 6−4 9.
- Sawer D.J. Desing and Performance of CCD Comb. Filter 1С//RCA Review.-1980.-Vol.41.-№ 1.-P.29−5б.
- T.Mi ida, Y. Hasegava, T. Hagivara, H.Ohshiba. A CCD Video Delay Line with Charge-Integrating Amplifier//IEEE Journ. of Sol.-St. Circ.-1991.-Vol.26.-№ 12.-P.1915−1919.
- Рябов H.И., Шилин В. А. Анализ тепловых режимов работы ФПЗС//Электронная промышленность.-1993.-№ 6−7.-С.93−97.
- Отчет по НИР «Разработка элементной базы и выбор конструктивно-технологических вариантов СБИС ДОЗУ 16М», шифр «Элемент Т88″, 1989, стр. 31−41.
- Ильичев Э.А., Колясников В. А., Крючков С. М., Лавренов A.A., Ракитин В. В., Хайновский В. И. Исследование пространственно неоднородной генерации темнового заряда в ПЗС//Электронная техника. Сер. З, Микроэлектроника.-1978.-Вып.5.-С.3.
- Диковская JI.JI., Пресс Ф. П., Шилин В. А. Исследование дефектов в ПЗС//Тезисы докладов II Всесоюзной конференции „Теоретические основы, технология и перспективы применения ПЗС в изделиях электронной техники“.-Ереван, 1979.-С.14.
- Перфилов A.B., Хатунцев А. И. Генерация темнового сигнала в схемах с зарядовой связью//Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы.-1984.-Вып.2.-С.6−9.
- L. Jastrzebski, R. Soydan and others. The Effect of Heavy Metal Contamination on Defect in CCD Imagers// J. Electrochem. Soc.-1990.-Vol.137, No.1.-P.242−248.
- G.A.Hawkins, E.A.Trabka and others. Characterization of Generation Currents in Solid-State Imagers//IEEE Trans, on Electron Dev.-1985.-Vol. ED-32, № 9.-P.1806−1816.
- H. J.F.Peuscher and D.J.L.Beem. Yield Analysis and Improvement of CCD Devices//Solid State Techn.-1986.-Vol.29, №. 2.-P.111−115.
- Нагин А.П., Тюлькин B.M. Деградационные явления в туннельных слоях термического Si02//Поверхность. Физика, химия, механика.-1983.-№ 8.-С.102−109.
- Перевертайло В.Л. Процессы генерации и захвата носителей заряда в приборах с зарядовой связью и пути улучшения характеристик этих приборов: Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н.:05.27.01.-Защищена 1987 г.-М., МИЭТ.-1987г.
- Старикова Т.И., Тишин Ю. И. Время релаксации ОПЗ в неоднородно легированных МДП структурах//Тезисы первой всесоюзной конф."Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью».-Ташкент. 1977-С.72−74.50.
- Старикова Т.И., Тишин Ю. И. Лавинный пробой полупроводника в неоднородно легированных МДП структурах//Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника.-1977.-Вып.3(69).-С.65−71.
- Гергель В. А., Старикова Т.И.Г Тишин Ю. И. Релаксационные процессы в МДП структурах при больших напряжениях//Микроэлектроника.-1979.-Т.8, вып.4.-С.351−356.
- Гергель В.А.Г Тишин Ю. И. Лавинный пробой в многоэлектродных МДП структурах//Микроэлектроника.-1982.-T.il, вып.2.-С.179−181.
- Тишин Ю.И., Лепендин A.B., Романов С.Н., Прокофьева
- B.К., Макеев М. Х. Оценка качества полупроводниковых подложек по параметрам ПЗС.//Тез. докл. научно-техн. конф. Сер. З, Микроэлектроника. -1989.-Вып.1(297).1. C.136.
- Тишин Ю.И. г Лепендин A.B., Романов С. Н., Прокофьева
- B. К., Макеев М. Х. Прибор с зарядовой связью для контроля качества полупроводниковых подложек//Электронная техника. Сер. З, Микроэлектроника. -1990.-Вып.3(137).-С.32−34.
- Тишин Ю.И. Тестовые структуры на основе приборов с зарядовой связью//Микроэлектроника.-1991.-Т.20, вып.5.1. C. 440−445.
- Алексеев Ю.А., Евтух A.A. Разделение влияния двуокиси и нитрида кремния на накопление заряда в МНОП-структурах//Электронная техника, сер.2, Полупроводниковые приборы.-1989.-Вып.2.-С.23−26.
- Тишин Ю.И. Запоминающие устройства на ПЗС//Сер.Радиоэл-ка и связь. Сб. Приборы с зарядовой связью.-1983.-№ 9.-М.:"Знание".-С. 28−41.
- Лепендин A.B., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Исследование устойчивости ДОЗУ к сбоям от, а частиц//Тез. докл. координационного совещания «Развитие методовпроектирования и изготовл. интегральных запоминающих устр-в».-Москва, февр. 1988.-С. 178.
- Беляев C.H., Колясников В. А., Ракитин B.B.r Старикова Т. И., Тишин Ю. И., Энкович В. А. Характеристики электрически репрограммируемых МДП-элементов памяти с плавающими электродами//Микроэл-ка.-198 2.-Т.11, вып.2.-С. 152−157.
- Ракитин В.В., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Характеристики накопителя на ПЗС с МНОП элементамипамяти//Микроэлектроника.-1982.-T.il, вып.2.-С.213−218.
- Ракитин В. В. Сафонов А.Г., Тишин Ю. И. Матричный фотоприемник с памятью на ПЗС//Электронная промышленность.-198 3.-№ 8.-С. 81−83.
- Гамолин Е.И., Лавренов A.A., Ракитин В. В., Тишин Ю. И. Исследование захвата заряда в МНОП структурах из ограниченного источника//Тезисы докл-ов VI Всесоюзн.совещ. по физике поверхи. явлений в полупр.-Киев: Наукова думка.-1977.-Ч. 1.-С.69−71.
- Ракитин В.В., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Характеристики накопителя на ПЗС с МНОП элементами памяти//Микроэлектроника.-1982.-Т.11, вып. 2.-С. 213 218
- Сафонов А.Г., Тишин Ю. И. Захват заряда в МНОП структуре из ограниченного источника заряда//Микроэл-ка.-1981.-Т.10, вып.6.-С. 555−557.
- Ракитин В.В., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Прямое измерение захваченного заряда в нитриде кремния//Электронная техника. Сер. З, Микроэлектроника. -1990.-Вып.3(137).-С.3−6.
- A.C. 795 347, МКИ Н 01 L 29/78. Полупроводниковое устройство./В.В.Поспелов, В. В. Ракитин, А. Г. Сафонов, Ю. И. Тишин. Заявл. 21.09.79. Опубл. 1997 г. Бюл. № 6.
- Лебедев Н.В. Телевизионная камера на ПЗС с регулируемыми параметрами//Техника средств связи, сер. «Техника телевидения».-1980.-Вып.3.-С.13−20.
- V.Т.Abren and W.R.Srinner. Inversion of Fabry-Perot CCD images: use in Doppler Shift Measurements//Appl. Optics.-1989.-Vol.28, № 15.-P.3382−3386.
- D.H.Lumb. Application of charge coupled devices to x-ray astrophysics missions//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.-1990.-A288.-P.219−226.
- Патент ЕПВ 50 9661A2, МКИ H04N3/15. Method of driving interline transfer type CCD imager. Приоритет 29.03.91.
- Логунов JI.A., Шилин В. А. Анализ частотно-контрастной характеристики фотодатчиков видеосигналов на ПЗС//Микроэлектроника.-1977.-Т.6, № 1.-С.40−48.
- Вето А.В., Левин С. А., Пресс Ф. П., Шилин В. А. Машинный расчет ЧКХ формирователей видеосигналов на ПЗС//Тез. докл. республиканского семинара «Проблемы МДП-интегральной электроники».-Киев, 1976.-С.17.
- J.C.Feltz and M.A.Karim. Modulation transfer function of charge-coupled devices//Applied Optics.-1990.-Vol.29, № 5.-P.717−722.
- H.-S. Wong, Y.L.Yao, E.S.Schlig. TDI charge-coupled devices: Design and applications//IBM J. of Res. and Develop.-1992.-Vol.36, № 1.-P.83−106.
- Худсон Д. Статистика для физиков.-М.:Мир, 1970.-255с.
- Поспелов В.В., Сурис Р. А., Фетисов Е. А., Фукс Б. И., Хафизов Р. З. Новый способ определения плотностисостояний на поверхности полупроводника//Письма в ЖЭТФ.-1975.-Т.21, № 7.-С.448−451.
- Гергель В.А., Миронов В. П., Ракитин В. В., Тишин Ю. И., Чистилин А. А. Перспективы развития и предельные характеристики накопителей сверхбольших динамических ЗУ//Микроэлектроника.-1988.-Т.17, Вып.З.-С. 237.
- T.Yamada, A.Fukumoto. Trench CCD Image Sensor//IEEE Trans. on Consumer Electronics.-1989.-Vol.35, No.3.-P.360−367.
- Eric F. Fossum. A Novel Trench-Defined MISIM CCD Stucture for X-ray Imaging and Other Applications//IEEE Electron Device Letters.-1989.-V.10, № 5.-P.177−179.
- Васильева JI. А., Костюков E.B.r Турилина JI. С., Шитова М. А. Серия линейных и матричных ПЗС с объемным переносом заряда//Тезисы докладов международной конференции PhEM'96.-Прага, дек.1996.-С.57−60.
- Гольдшер А. И. г Кучерский В. Р., Машков B.C. Быстродействующие многоканальные перестраиваемые микросхемы электроники обрамления приборов с зарядовой связью//Тезисы докладов международной конференции PhEM'96.-Прага, дек.1996.-С.30−34.
- A CCD Line Sensor with 512 Picture Elements from Sharp//JEE.-October, 1988.-P.26.
- Европейский патент 90 104 812.4, МКИ G11C 19/28. Semiconductor device having charge transfer and itsperipherial circuit formed on semiconductor substrate.-Приоритет 14.03.89.
- Single 5-V Power Supply, 256-Pixel Black-and-White Linear Sensor in a Clear Molded Package CCD Linear Sensor//SONY Semiconductor News.-1997, № 8.-P.18−19.
- Yamagishi M., Negishi M. and others. A 2 Million 69 Pixel FIT-CCD Image Sensor for HDTV Camera Systems//IEEE Trans, on El. Dev.-1991.-Vol.38, № 5.-P.976−980.
- Приборы с зарядовой связью/Под редакцией Д. Ф. Варба. Перевод с английского под редакцией Р. А. Суриса. -М: Мир.-1982
- Приборы с зарядовой связью/Под редакцией М. Хоувза, Д.Моргана. Перевод с английского.-М: Энергоиздат.-1981.
- А.С. 1 582 891. МКИ HOI L 27/04. Устройство для преобразования напряжение-заряд. / А. Г. Сафонов, Ю. И. Тишин. -Заявл. 02.01.89- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 6.
- Кляус Х.И., Крымский А. И. Влияние изгиба зон в инверсионном слое на линейность преобразования напряжения в заряд во входном устройстве приборов с зарядовой связью//Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы.-198 9.-Вып.2.-С.31−3 6.
- Зубец D.A. Быстродействующие аналоговые согласующие преобразователи для устройств на микросхемах с зарядовой связью: Диссертация на соискание ученой степени к.т.н.:05.27.01—Защищена 1988.-М., МИФИ.
- Краснюк A.A. Телевизионные усилители считывания для микросхем с зарядовой связью//Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с зарядовой связью и системы на их основе». -Геленджик, сент.-окт. 19 92.-С. 87−88.
- Шилин В.А., Канунников А. И. Анализ элементов ввода и вывода ПЗС с учетом длительности фронтов управляющих импульсов//Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы.-198 4.-№ 1.-С.26.
- Шилин В.А., Фрост Н. И., Харитонов И. А. Оптимальное проектирование выходных устройств БИС на ПЗС//Электронная промышленность.-19 93.-№ 6−7.-С.90−93.
- Hynecek J. High-resolution 8-шш CCD image sensor with correlated clamp sample and hold charge detection circuit//IEEE Trans, on El. Dev.-1986.-Vol.33.-№ 6.-P. 850−862.
- Гольдшер А.И., Краснюк A.A., Стенин В. Я. Разработка микросхем двойной выборки для фотодетекторов и фоточувствительных ПЗС//Тез. докл. международной конференции PhEM'96.-Прага, дек.1996.-С.41−43.
- Гольдшер А. И. г Дик П. А., Кучерский В. Р., Машкова B.C. Быстродействующие двухуровневые преобразователи для управления приборами с зарядовой связью//Электронная промышленность.-1993.-№ 6−7.-С.35−37.
- Гольдшер А.И. Быстродействующие микросхемы управления приборами с зарядовой связью//Электронная промышленность.-1993.-№ 6−7.-С.57−67.
- Патент РФ № 1 833 099 AI. МКИ НОЗ К 5/02. Формирователь импульсного напряжения/Ю.И. Тишин. Заявл.05.06.89- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 5.
- Зубков В. И., Ракитин В. В., Седунов Б. И., Тишин Ю. И. Интегральный генератор тактовых импульсов для ПЗС//Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника.-198 8.-Вып.1(125).-С.2 9−33.
- Лепендин A.B., Тишин Ю.И. N-канальный генератор тактовых импульсов для ФПЗС//Тез. докл. IV конференции с международным участием «Приборы с зарядовой связью и системы на их основе». Геленджик.-Сент.-окт., 1992.-С.14−15.
- Пат. 1 519 001 Нидерландов, МКИ H01L 27/04. Improvments in arrangements for digitising an analog electric input signal/Philips Electronic and Associated Industries Limited (GB) .-№ 20 844/75- Заявл. 16.05.1975- Опубл. 26.07.1978.
- А.С. 845 282. МКИ Н 03 К 13/18. Аналого-дискретный преобразователь /В.В.Ракитин, А. Г. Сафонов, Ю. И. Тишин -Заявл. 06.04.79- Опубл. 07.07.81- Бюл. № 25.
- А.С. 1 340 505. МКИ Н01 L 27/04. Аналого-дискретный преобразователь/Ю.И. Тишин.
- Заявл.17.12.85-Опубл.1997г.-Бюл. № 6.
- Зубков В. И., Ракитин В. В., Седунов Б. И., Тишин Ю. И. Интегральный генератор тактовых импульсов для ПЗС//Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника.-1988.-Вып.1(125).-С.2 9−33.
- J .V.Hatfield, S .A. Burke, J. Comer, and oth. A novel position-sensitive detector using an image-sensing integrated circuit//Rev. Sci. Instrum.-1992.-Vol.63, No.1.-P.235−240.
- Пат. РФ 1 254 931. МКИ G11C 19/28. Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью/ Ю. И. Тишин. -Заявл. 07.09.83- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 6.
- Пат. РФ 1 253 352. МКИ G11C 19/28. Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью/ Ю. И. Тишин. -Заявл. 07.09.83- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 6.
- James R. Janesick, J. Hynecek, M.M.Blouke. Virtual phase imager for Galileo//SPIE, Vol. 290, Solid State Imagers for Astronomy.-June 10−11, 1981.-P.165−173.
- Тишин Ю.И., Монтиков А. В. Блок цветности с линией задержки на ПЗС//Тез. докл. IV конф. с международнымучастием «Приборы с заряд. связью и системы на их основе». Геленджик.-Сент.-окт., 1992.-С.92.
- Миропольский М.С., Чернов В. В., Ямщиков П. А. Линия задержки для телевизионных приемников пятого поколения //Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с заряд. связью и системы на их основе». Геленджик.-Сент.-окт., 1992.-С.49.
- Т.Mi idar Y. Ha sega va, T. Hagivara, H.Ohshiba. A CCD Video Delay Line with Charge-Integrating Ampiifier//IEEE Journal of Sol.-St. Circuits.-1991.-Vol.26, №.12.-P.1915−1919.
- A.J.G.Spiekerman and G.L.Ouwerling. Improvement of the Transfer-Efficiency of a Junction CCD by modifying the
- Diffusion-Mask Configuration//SPIE, Optical/Laser Microlithography II.-198 9.-Vol.108 8.-P.3 64−371.
- Лепендин А.В., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Набор линейных фотоприемников на ПЗС со встроенными схемами обрамления//Тезисы докладов международной конф. «Фотонные системы экологического мониторинга».-Прага, 8−12 дек.1996.-С.39−40.
- Лепендин А.В., Сафонов А. Г., Тишин Ю. И. Линейные фотоприемники на ПЗС на 2048 и 2716 элементов разложения//Тез. докл. второй всерос. конф. с междунар. участ. «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники».-Таганрог, 1995 г.-С. 71.
- Сафонов А.Т., Тишин Ю. И. Выбор конструкции линейного ФПЗС для считывателя штриховых кодов//Сб. Материалов 3 международной конференции «Распознавание-97».-Курск, 1997.-С. 147−148.
- Тишин Ю. ИСафонов А.Г., Лепендин А. В., Глухов Ю. Ф. Линейные фотоприемники на ПЗС с большим числомэлементов разложения//Электронная промышленность.-1994.-№ 7−8.-С.75−77.
- Лепендин A.B., Тишин Ю. И. Интегральный N-канальный генератор тактовых импульсов для ФПЗС//Электронная промышленность.-1993.-№ 6−7.-С.54−55.
- Арутюнов В.А. Новые функционально-ориентированные линейные ФПЗС для систем технического зрения//Тез. докл. IV конф. с международным участием «Приборы с зарядовой связью и системы на их основе».-Геленджик, сент.-окт., 1992.-С.36−37.
- Патент Японии 4−36 461, МКИ H01L21/339, 29/796. Прибор с переносом заряда. -Приоритет 16.06.1992.
- Прокофьева В.К., Суанов М. Е. Влияние переходных металлов IV группы на растворимость кислорода в жидком кремнии//Тез. докл. III Всесоюзной конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников».-М.:МИЭТ.-1986.-Т.26.-С.184.
- Colas E.G., Weber E.R., Hahn S. Intrinsic gettering of iron in silicon//Mater. Issues Silicon Integr. Circuit Process: Symp., Palo Alto, Calif.-Apr.15−18. , 1986.-P.13−20.
- Timothy R. Corle. Submicron metrology in the semiconductor industry//Solid State Electronics.-1992.-Vol. 35, № 3.-P. 391−402.
- Komert E. Melen, Stephen Williams. A high-precision, wide dynamic range CCD based image acquisitionsystem//SPIE. Integrated Circuit Metrology, Inspection and Process Control.-1987.-Vol. 775. -P. 134−137.
- Leitz MPV CD Aphotometric line-width measuring system//ripocneKT фирмы Leitz, ФРГ.
- Кокин С.А., Тишин Ю. И. Установка оперативного контроля микронных и субмикронных размеров//Электронная промышленность.-1994.-№ 7−8.-С.18 6−187.
- Кокин С.А. г Тишин Ю.И. Оптический микроскоп с датчиком на ПЗС//Тез. докл. IV конф. с междунар. участием «Приборы с зарядовой связью и системы на их основе».-Геленджик, 27.09−2.10, 1992.-С.109.
- Steven Mechels, Matt Young. Video microscope with submicrometer resolution//Applied optics.-1991.-Vol. 30, № 16.-P. 2202−2211.
- Кокин С.А., Тишин Ю. И. Установка для измерения линейных размеров с датчиком на ПЗС//Тез. докл. Всесоюзной научно-технической конф. «Метрологические проблемы микроэлектроники».-Менделеево, моек, обл., июль 1991.-С. 44−45.
- Cohen D.K., Cochran E.R., Ayres J.D. Development of an automatic focusing mechanism for an interference microscope//SPIE. Surface Characterization and Testing.II.-1989.-Vol.1164. -P. 128−133.
- Pomposo Т., Awamura D., Ode T. Vertical Profiling, CD measurement, and 3D surface profiling with a Confocal Laser Scanning Microscope//SPIE. Surface Characterization and Testing II.-1989.-Vol. 1164. -P. 191−202.
- Тишин Ю.И. Новые разработки элементной базы для информационно-вычислительных сетей//Электросвязь.-1998.-№ 7.-С.35−37.
- Reports.-1997.-№.168.-P. 5. 14 3. B.A.Abtohomob, B.M. Крупенниковr В. Б. Пушкарев,
- Ю.И.Тишин. Чем штриховые коды полезны за рубежом и у нас//Путь к успеху.-1994.-№.1.-С.70−71.
- Максимовский A.C. Штриховое кодирование товаров-М: «ТОО «Интерштрихкод», 1996.
- Патент РФ 2 071 102. МКИ НОЗ К 5/02. Считыватель штриховых кодов./ Автономов В. А., Бекирев У. А., Полторацкий Э.А.Г Самсонов Н. С., Тишин Ю. И. Эаявл. 5.05.1993 г.- Опубл. 1997 г.- Бюл. № 5.
- Зеши руководителя И/Я ІГІ6331. JbOpSCOB1. TQPR Гв
- Продприяше ц/я А-І63І передано 1Ш GO Ш? издолші ШШ (ш~ податний форщрашголь сигналов изобішешш) лдя использования в снсзешх нвцороїшя полошшя пучка часішд в дешршгашхн&шшяслж п уегройсгвах ддашоошкп шшш*
- MI. Седанов ВЛЗвЙІЕИТШ ?l)* ?'?o ХІІіЗШл.1. Ii. Ношкевтеля предприятия1. Б. С. Борисов 1987 г. предприятия п/я А-І63І
- В настоящее время предприятием п/я Р-632^ блок изготовлен и находится в стадии лабораторных испытаний.
- Настоящий акт не является основанием для финансовых расчетов
- Начальник отделения 8 Жуу^ ^ В.В.Ракитинж1. Начал шшо удела1. А. М .Панов1. Нач. лаб-МЗ1. Ю. И. Тяшинв &-иженер лаб.813 ^¡-(Л В.И.Зубков1. О ?< / .
- КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО точного ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ (КБТЭМ)1. Директору НИИФП Iим. Ф. В. Лукина т. Самсонову Н. С. 103 460, г. Москва (Зеленоград)220763, г. Минск27 06 90 г. № 124/3-^?^'• №
- По вопросу поставки МФЇЇ-І
- На Ваш исх.№ 13−81−03/755 от 25.04.90 г.
- Для исследования характеристик приборов МФП-І в составе разрабатываемого оборудования прошу поставить 3 прибора МФЇЇ-І в Ш кв.1990г. и 2 прибора в I кв. 1991 г.
- Оплату гарантируем. Наш расчетный счет 263 016 в горуправлениі Промстройбанка г. Минска МФО 400 462 ' п/и 220 600.
- В случае положительных результатов применения МФП-І ориентировочная потребность в этих приборах на 1992 год составит 20шт.
- Главный инженер Главный бухгалтер
- В.А.Зенькович Л.Н.Борисевич1 995 *
- Директору ГОСНИИФП САМСОНОВУ Н.С.103 460, г. Москва
- Зав. кафедрой ПКИМС д.т.н., арофессор1. Нач. НПК-1,г.н.1С «1996 г.?//^Г.ГЖазеннов
- Ю.И. Тишин .'им**. 1996 г. 1. V' ьи^ыА 1996 г. 1. В.Н.Перминов1. УТВЕРЖДАЮ
- Директор ГосНИИФП, .н., профессор4ЕГС. Сй!ИС"Ш>В1999г.1. АКТвнедрения результатов диссертационной работы Ю. И. Тишина «Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов».
- Начальник НТО ГосНИИФП Гл. конструктор НИОКР Гл. Инженер ГосНИИФП1. Считыватель"1. О. Л. Ко лесник1. А.Г.Сафонов1999г. «С («ОС1999г. «¿-У, Лх ОС1. Ю. И. Тишин 1999 г.